DE2506399A1 - Galvanische zelle - Google Patents

Galvanische zelle

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DE2506399A1 DE19752506399 DE2506399A DE2506399A1 DE 2506399 A1 DE2506399 A1 DE 2506399A1 DE 19752506399 DE19752506399 DE 19752506399 DE 2506399 A DE2506399 A DE 2506399A DE 2506399 A1 DE2506399 A1 DE 2506399A1
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Description

6FP iiörs-DT 6233 Kelkheim, 14* Feh. 1975
EAP-Kar/Mar
UARTA Batterie Aktiangeaellcchaft 3ΠΠΟ Hannover, Stöckenar Str. 351
Galvcnische Zolle
Gegenstand dsr Erfindung ist eines galvanische Zelle mit negativer Zink-Eleklrtii-is und positiver Elektrode aus zweiwertigem Silberoxid (AgO) ejouds elksliöchew Elektrolyten, bei der das zweiwertige Silberoxid an seiner Oberfläche πα anreriuziert ist, daß die Zelle die Entlsdeapannung des Ag-O/Zn-Systcms besitzt, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Zelle.
Elektrochemische Systeme hoher Energiedichte sind beispielsweise für die Energieversorgung elektronischer Armbanduhren notwendig. Gegenusä-rtig werden hierfür praktisch nur zwei Zellensysteme benutzt, das HgD/Zn- und das Ar^O/Zn-System. Das HgO/Zn~Systern besitzt mit 52D ÜJh/dm ein;= um ca. 20 % hcihsra Energiedichts al3 das Ag^O/Zn-System. Dagegen ist die Entlarieaparinupg des Ag„0/Zn mit rund 1,55 l/olt um 250 ml/ höher als die des HgG/Zn-Systetns, uas der Funktionstüchtigkeit der elektronischen Beuelemente zugute kommt. Ein geeignetes System sollte daher eine Energiedichte 520 üJh/dm oder mehr und eine Entladespannung von ca. 1,5 Volt besitzen. Diese Forderungen werden beim Ag0/Ago0/Zn-Systemf bei dem die AgD-Phasa die Kapazität und das Ag„0/Zn-5y3tem die Entladespannung bestimmt, erfüllt.
Das System Ag/Ag^O/AgQ ist in der Vergangenheit oft elektrochemisch untersucht worden. (Siehe z.B. Fleischer und Lander, Zinc-Silver-Oxide Batteries John Idiley & Sons, Inc. 1971). So ist beispielsweise bekannt, daß die spezifische Ladungsdichte des kompakten Ag„D-Materials 1,660
3 3
mAh/cm und die des kompakten AgÖ-Materials 3,220 mAh/cm beträgt. Diese Zahlen legen die Verwendung von AgO nahe. Nachteilig ist jedoch, daß die Entladung des AgO/Zn-Syatems mit einer Spannungsstufe von rund 250 mV verbunden ist. Der erste Teil der Entladung erfolgt je nach Belastung
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bei einer Spannung zwischen 1,7 V/ bis 1,8 UoIt und ist dem AgO/Zn-Syatem zuzuordnen. Der zweite Teil der Entladung verläuft bei einer Spannung von 1,^ l/olt bis 1f55 UaIt und wird durch das Ag-G/Zn-System bedingt, wobei das noch nicht umgesetzte AgQ die Kapazität bestimmt. Je naüh Belastung sowie Art der Korn3truktur des AgO-PuIvers, seiner Uorbcjhandlung und seiner geometrischen Anordnung innerhalb der Zelle betrögt die Kapazität, die dsr Spannung des AgO/Zn-Systems zuzuordnen ist, bis zu 3D % der gesamten Entladezeit. Der übrige Teil der Entlsdsspannung entspricht dem Ag20/Zn-System.
Der für die Entladung des Agn/Zn-System3 typische Spannungssbfall von ca. 250 mU ist für die Energieversorgung elektronischer Präzisionsayateme außerordentlich ungünstig.
Uorteilhafter ist ein Silberoxid-System, dessen unbelastete Spannung bereits der Ag„D/Zn-Zelle entspricht, wobei die Kapazität durch die AgO-Phase bestimmt wird.
Aus T.P. Dirkse J. Electrochem. Sac, 109 (1962) 3, Seiten 173 - 177, ist es in diesem Zusammenhang bekannt, daß bei einer elektrochemischen Teilentladung von AgO-Tabletten die unbelastete Spannung der anreduzierten Silberoxidtablette dem System Ag_O/Ag entspricht, obwohl die Hauptmenge aus AgO besteht. Gleichzeitig bilden sich infolge Teilentladung am Kontakt kleine Bereiche aus metallischem Ag, die mit der Ag„0-Phase in unmittelbarem Kontakt stehen.
Der Aufbau einer AgQ-Knopfzelle, bei welcher die Spannung des AgJVZn- und die Kapazität des AgO/Zn-Systems ausgsnutzt werden, ist in der US-PS 3 615 858 beschrieben. Die AgO-Tabletts muß dabei vom elektrischen Kontakt durch eine Ag_O-Schicht getrennt bzw. isoliert sein, um auch im unbelasteten Fall die Spannung des Ag„O/Zn-Systems zu erhalten. Eine auf diese Weise aufgebaute Zelle kann die etwa doppelt so hohe spezifische Ladungsdichte des mit Ag_O umgebenen AgO nutzen.
Um eine Ag-O-Schicht auf der AgO-Tablette zu erzeugen, sind in diesem Patent verschiedene Möglichkeiten vorgeschlagen, beispielsweise eine allseitige Aufbrindung einer dünnen Ag-O-Oberflächanschicht auf die AgO-Tablette mit Hilfe Ag_O-Pulver durch einen Pressvorgang oder Erzeugung
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einer αϋηπεη Ag-Q-Oberflächenschicht auf,der AgO-Tablette durch chemische Reduktion derselben bzui. Erzeugung einer dünnen Ag 'J-ClberflänhGnschicht auf der AgO-Tablette durch elektrochemische Reduktion derselben. Weiterhin kann eine dünne Ag-G-Oberflächenschicht auf der AgO-TablettE dL'.rch Reduktians-Reaktion zwischen dem Kontektmatcrisl des Zellenhechers und der AgO-Tablctte erzeugt werden.
Bei den erstgenannten Verfahren sind zur Herstellung des positiven Halbteils der Knopfzelle die folgenden Verfahrensschrittg notwendig:
ö) Pressen der AgO-Tablette
b) Anraduzieren der AgO-Tablette bzw. Aufbringen einer dünnen AgJD-Bchichi.
Einpress
in den Zellenbecher (Ableiter).
c) Einpressen der mit einer dünnen AgJD-Schicht umgebenen AgO-Teblette
l/an den gßnanntsn Teilschritten ist insbesondere der Teilschritt c) kritisch, weil beim Einpressen die Tablette deformiert wird, so daß seine dünne Ag„O-Snhicht aufreißt. Ein Aufreißen der Ag„D-Schicht bedeutet jedoch die Gefahr eines elektronischen Kontaktes zwischen dem AgO und dem Ableiter bzw. Zellentaccher, so daß die Spannungsstabilität nicht mehr gewährleistet ist: Die Spannung steigt von 1,6 UoIt auf 1,85 UoIt. Diese Gefahr wird bei starker Anreduktion der AgO-Tablette unter Bildung eineroberflächlichen Silberschicht zwar gemindert, jedoch auf Kosten der entnehmbaren Kapazität.
Nachteilig ist fernerhin, daß je nach Art des Reduktionsmittels eine ausreichende Spülung der anreduzierten AgO-Tablette vor Einbau in den ZeI-lenbecher erforderlich ist. Diese Uorgänge sind zeitraubend und beinhalten darüber hinaus die Gefahr, daß die Ag„0-5chicht beschädigt wird.
Das letztgenannte Verfahren verläuft ebenfalls in drei Teilschritten, nur daß hier die zeitliche Reihenfolge der Schritte b) und c) vertauscht sind. Dieses Verfahren bietet den grundsätzlichen Vorteil, daß ein Aufreißen der Ag-O-Schicht nicht erfolgen kann, da sich dieselbe innerhalb des Zellenbechers bildet. Nachteilig ist jedoch, daß der Zellenbecher mit einer geeigneten Schicht ausgestattet sein muß, die mit dem AgO unter Bildung von Ag„O reagiert. Gemäß dem US-Patent 3 615 B5B kommen als Schichtmaterial Zink, Kupfer, Nickel und Silber in Frage. Fernerhin nachteilig ist der Umstand, daß die erforderliche Reaktion zwischen AgO-Tablette und der
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Oberflächenschicht des Zellenbechers relativ langsam und such nur in Gegenwart eines Elektrolyten verläuft. Außerdem müssen bestimmte Bedingungen für die Stärke dar reagierenden Schicht eingehalten werden, wobei je nach Art des BcsahichtungsmaterielG unterschiedliche Fremdionen sowie unterschiedliche KonteiktwiderständB entstehen, die· die Spannungsstabilität der Zelle sowie ihrer Kapazität ungünstig beeinflussen.
Per Erfindung liegt die Auf-gäbe zugrunde, eine galvanische Zelle der genannten Art zu schaffen, die eine hohe Spannungsstabilität bei Entladung aufweist, deren Selbstentladung sehr gßi-ing ist und die einfach herstellbar int, wobei die elektrischen Daten der Zelle, wie insbesondere Spannungslage und Kapazität, keine durch das Herstellungsverfahren bedingten hohen Streuungen besitzen.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß das zweiwertige Siiberoxid vom positiven Ableiter durch eine elektronisch nicht leitende Kunststoffschicht isoliert ist und der elektronische Kontakt des zweiwertigen Silberoxides zum Ableiter über eine poröse Silberschicht erfolgt, die der Gegenelektrode zugekehrt ist, und die über eine poröse Schicht aus einwertigem Silberoxid (Ag„O) mit dem zweiwertigen Silberoxid (AgO) in Verbindung steht und daß die poröse Silberschicht über einen metallischen Kontakt mit dem Ableiter elektronisch verbunden ist*
Im folgenden ist der Gegenstand der Erfindung anhand der Figuren 1 bis näher erläutert.
In Figur 1 ist der Entladeverlauf verschiedener Silberoxid-Zellen dargestellt.
Figur 2 zeigt den schematischen Aufbau einer Ausführungsfnrm einer erfindungsgemäßen AgO/Ag_Ö/Zn-Knopfzelle.
Figur 3 zeigt eine Einzelheit einer Ausführungsform einer Knopfzelle gemäß der Erfindung.
Figur k zeigt eine weitere AusfUhrungsmöglichkeit.
Figur 5 zeigt den Einfluß des Bechermaterials auf die Spannungsstabilität der AgD/Zn-Zelle bei einer 1*5° C-Lagerung.
Alle beschriebenen Zellen sind sogenannte Knopfzellen, deren grundsätzli-
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eher Aufbau dem Fachmann bekannt ist.
Verwendet man einwertiges Silbaroxid and Zink als aktive Materialien in einer Knopfzelle, so ergibt sich bei einer Zelle handelsüblicher Größe (Durchmaaser = 11,6 mm; Höhe - 5,k rnm) gemäß Figur 1 bei einem Laotwi» derstand van Gk-ft-der Entladcverlauf "α". Wird statt einwertigem zweiwertiges Silberaxid verwendet, ergibt sich unter sonst gleichen Bedingungen dar Entladöverlauf "b". Der Entladeverlauf "b" zeigt die für zweiwertiges Silberoxid typische Spennungsstufe van ca. 250 ml/, sowie die um etwa kü % höhere Kapazität. Der Entladevarlauf ncv ergibt sich bei Verwendung das erfindungsgemäßen Zellenaurbaus. Dabei ujerdan die bereits erwähnten Nachteile bekannter Techniken vermieden, wobei gleichzeitig die Kapazität und/oder die Lagerfähigkeit der Zelle vergrößert wird.
Figur 2a zeigt schematisch den Querschnitt einer derartigen Knopfzelle. Sie besteht aus dein Zellenbecher 1, der AgO-Mssse 2, dem Separator 2, dem Elektrolytquellblatt kf der negativen Masse 5, dem Zellendeckel 6 und dem Dichtungsring 7. Gegenüber einer üblichen Knopfzelle besitzt die vorliegende AgD/Ag„D/Zn-Zelle noch weitere, für die Funktion wesentliche Merkmale«,
Ea handelt sich dabei um die Schicht 8 sowie um die Schichten 10 und 11 und den Kontaktring 9f der zur Sicherstellung eines guten elektronischen Kontaktes dient.
Die Schicht 8 dient zur elektronischen Isolation der AgO-Masss 2 vom metallischen Becher 1. Vorzugsweise ist diese Schicht 8 so angeordnet,".daß sie zwischen dem Kontaktring 9 und dem Außenrand der Schichten 2, 10 und 11 gemäß der vergrößerten Teildarstellung in Figur 2c endet, sie deckt somit die Tablette 3 an ihrer Unterseite und an ihrem Umfang vollständig gegen das Gehäuseteil 1 bzw. den Becher 1 ab. Sie besteht vorzugsweise aus Polytetrafluoräthylen, Polyäthylen oder anderen oxidationsstabilen und laugebeständigen Kunststoffen.
Die Schicht 10 besteht aus Silber-I-Dxid (Ag2O) und die Schicht 11 aus porösem metallischem Silber. Auf die Herstellung dieser Schichten wird epäter noch eingegangen.
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Der elektrochemische Kontakt zwischen der poiüsen Silberschicht 11 und dem Becher 1 wird durch einen Kontaktring 9 vermittelt, der insbeL-csndei'e bus Silber besteht. Die poröse Silberschicht 11 befindet sich im innigen elektronischen Kontakt mit der Silber-I-Oxld-Schicht 10. Nur über diese Schicht besteht ein elektronischer .Kontakt zur AgO-Maase ?..
Figur 2b zeigt die Aufsicht eiuf das positive Zellenhalbteil. Zu erkennen sind der Zellenbecher 1, der Kantaktring 9 und die poröse Silberschicht 11. Mit d ict in dieser Figur der Durchmesser der inneren Öffnung des Kontaktringes 9 bezeichnet.
Wie aus Figur 2c, die einen vergrößerten Ausschnitt um den Bereich dES Kontaktringes 9 in schematischer Darstellung zeigt, hervorgeht, ist im Bereich in der Nähe des Kontaktringes S die puröse Silberschicht 11 stärker als im mittleren Elektrodenbereich. Dieses Profil der Schicht 11 ergibt sich im Falle der elektrochemischen Anreduktion. Hierbei wird automatisch die Ag„D-Schicht 10 erzeugt.
Die Belastbarkeit der Zelle uird unter anderem durch die Abdeckung der Fläche der Schicht 11 bestimmt. Je geringer diese Abdeckung ist, desto größer ist die Strombelastbarkeit, umso größer ist jedoch auch die Selbstentladung der Zelle. Der Kontaktring 9 kann 10 - 98 % der Elektrodenoberflächs 11 abdecken«. Eine Konstruktion mit geringer Abdeckung, beispielsweise 1G - ifO %t ist für solche Anwendungen günstig, in denen eine relativ schnelle Entladung der Zelle erfolgt. Bei Anwendungen, die mit einer sehr langsamen Entladung verbunden sind, wie etwa bei elektronischen Uh-"ren (Entladezeit über 1 Jahr), ist es vorteilhaft, Fläche 11 zu verkleinern. Dieses kann z.B. durch Verkleinerung des Innendurchmessers d des Kontaktringes 9, bis die Abdeckung bei 5D - 90 % liegt, erfolgen. Wichtig ist hierbei jedoch die elektronische Isolation zwischen der Stirnseite der AgO-Tablette 2 und dem verbreiterten Kontaktring 9 durch die Isolationsschicht 81. Eine schematische Darstellung dieses Aufbaues zeigt Figur 3. Es handelt sich um den Querschnitt des positiven Zellenhalbteils im Bereich des Kantaktringes 9. Es ist dabei zu erkennen, daß die Isolationsschicht 8 auch einen wesentlichen Bereich der Elektrodenfläche 2 unterhalb des Kontaktringes 9 abdeckt. Auch hier ist zu erkennen, daß die poröse Silberschicht 11 im Bereich des Randes des Kantaktringes 9 eine größere Dicke besitzt als im mittleren Bereich.
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Die Ausführungaforrn eintir Zelle gemäß Figur k entspricht dem Aufbau von Figur 2a. Sie enthält zusätzlich eins nichtleitende Lochblende 1?.. Diese ist zumischen dsr Membran 3 und dEm ElEktralytquellblatt h angeordnet. Ihr innerer freier Durchmesser wird ebenso bemessen, wie hier am Beispiel des Kontaktringes 9 erläutert. Auf diese Weise wird ebenfalls der wirksame Querschnitt der Schicht 11 reduziert und dadurch das LagsrvErhalten der Zelle verbessert. Ebenfalls verbessert wird ihre Spannungsstabilität im unbelasteten Zustand. Die Lochblende uiird beispielsweise aus Polytetrafluorethylen, Polyäthylen oder anderen oxidationsstabilen und laugebeständigen Kunststoffen hergestellt. Eine notwendige Voraussetzung für die Spannungsstabilität der AgD/Ag„D/Zn-Zelle ist in jedem Falle die Vermeidung eines direkten elektronischen Kontaktes zwischen der AgC-Phase und dem Zellenbecher. Dies ist ein wesentlicher Bestandteil dex· vorliegenden Erfindung. Anhand von Figur 5 ist die Wichtigkeit der elektronischen Isolation der AgO-Tablette vom Zellenbecher, sowie der Einfluß des Bechermaterials auf die Spannungsstabilität der Zelle ersichtlich.
Es handelt sich dabei um einen U5 C-Lagertest von elektrisch nicht belasteten Zellen. Der Aufbau der getesteten Zellen entspricht dem von Figur 2. Variiert wurde lediglich die Schicht, mit der der Zellenbecher 1 ausgekleidet ist. Als elektronisch leitende Materialien wurden Nickel (Kurve 1), Silber (Kurve 3) und Gold (Kurve 2) mit etwa 2/U-starken Schichten verwendet. Als Beispiel einer elektronisch nicht leitenden Schicht (Kurve U) wurde Polytetrafluorethylen ausgewählt. Die Kurven zeigen jeweils die Lagerstabilität der unbelasteten Spannung U bei U5D C in Abhängigkeit von der Lagerzeit t in Monaten.
Figur 5 zeigt, daß eine Spannungsstabilität der unbelasteten Zelle nur dann erhalten wird, wenn der AgO-Kern der Zelle durch eine nicht leitende Schicht vom Becher gemäß Figur 2 elektronisch isoliert wird. Bei Verwendung einer Silber- oder Goldschicht statt der Kunststoffschicht wird lediglich eine zeitlich begrenzte Spannungsstabilität erhalten. Im Falle von Nickel ist praktisch keine Spannungsatabilitüt zu beobachten. Eine Zelle besonders hoher Zuverlässigkeit ergibt sich, wenn neben der Kunststoffschicht 8 zusätzlich ein vergoldeter oder versilberter Zellenbecher 1 vorgesehen wird.
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-B-
Bei dar Herstellung von erfindungsgemäSen Zellen geht men aus van einem AyQ-Puluer mit einer Karngröf3E zwischen 2,u und 2QyU. Dienes kann z.B. durch Oxidation von metallischem Ag-Pulver mit Hilfe van Peroxidsulfst gewonnen uerdsn Ceiche deutsche Patentanmeldung P Zk 3D 91D.2).
Unter Berücksichtigung der Erfahrung von S0 Yoshizatiia und Z. Takehara O.Electrochem.Bnn.üap. 31, 3, Seiten 91 - 104, 19S3) uird in an sich bekannter lileisa diese Oxidation unter Zugabe vun Au O, zur Erhöhung der AgO-BilriungsgEBchuindigkeit durchgeführt, wobei nan zweckmäßiger üleise zwischen 2 g und 6 g Au„07 auf 1 kg Silberpulver verblendet. IJm eine gute Verpreßbarkeit des Agö-Pulvero zu erreichen, uird diesem im Bedarfsfall zwischen 1 % und 4 % Hostaflonpulver zugesetzt. Zur Verbesserung der elektronischen Leitfähigkeit kann eine Beimischung von 2 % bis 10 % Silberpulver erfolgen.
Das Knopfzellengehäuse besitzt die üblichen Abmessungen, Durchmesser = 11,4 mrn, Höhe = 5,4 mm. Sodann uierden ca. 800 mg AgQ-Pulver der oben angegebenen Mischung zu einer Tablette (Durchmesser 10 mm χ 2 mm) verpreßt. Diese uird anschließend mit einer 5OyU bis 100.U starken PTFE-Folie B umkleidet und gemeinsam mit dem silbernen Kontaktring 9 in den Zellenbecher
1 mit hohem Druck, beispielsueise ca. h to, eingepreßt.
Für die Hochstromausführung gemäß Figur 2 uird ein Kontaktring mit einem Innendurchmesser von B mm veruendet. Für die Niederstromauaführung gemäß Figur 3 uird ein Kontaktring mit einem Innendurchmesser von 2 mm eingesetzt. Dieser uird mit einer PTFE-Folie 81 unterlegt, die ein Zentralloch von ca. 4 mm Durchmesser besitzt. Eine ähnliche PTFE-Lochscheibe 12 uird bei der Ausführung gemäß Figur 4 veruendet, die ebenfalls eine IMiederstromausführung darstellt.
Die Silberschicht 11 souie die darunter befindliche Silber-I-Oxid-Schicht (Ag„O) uird erst dann erfindungsgemäß durch Anreduktion erzeugt, d.h. nach dem Einsetzen der AgO-Tablette. Die Anreduktion kann souohl chemisch als auch elektrochemisch erfolgen. Sie uird an dem noch nicht verschlossenen positiven Zellenhalbteil, das aus den Bauelementen 1, 2, θ und 9 besteht, durchgeführt. Die Schichten 10 und 11 uerden aus dem AgG-Körper
2 durch die Anreduktion automatisch gebildet.
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Bevorzugt wird dabei die elektrochemische Anreduktion, weiche mit Girsar
2 2
Stromdichte zwischen 3DO mA/cm und £00 mA/cm durchgeführt taerdc-n kenn. Als Elektrolyt dient zweckmäßiger Ueiae derjenige, der bei Fertigstellung als ZellEnelektrolyt verwendet wird, z.B. 20 % NbOH + 2 % ZnCL Die elektrochemische Rei
nornmen worden sind.
elektrochemische Reduktion ist beendet, sobald BO biß 100 mAh'/cm~ ent-
Die chemische Anreduktion kann z.B. mit 60 % Hydrazinmonohydrat» [\!atriumboranat oder anderen geeigneten Reriuktiumsmitteln durchgeführt werden. Die reduzierende wirkende Menge bzw. die ReduktionRzeit ist dabei sd zu
rj
bemessen, daß ein Äquivalent van ß0 bis 100 rnAh/cm reduziert wird.
Der Vorteil des elektrochemischen Verfahrens besteht insbesondere im Aufbau einer verstärkten Silberschicht 11 im Bereich des Hantaktringes 9 (vergleiche Figur 2c und Figur 3). Hierdurch wird die Spannungsstabilität der Zelle erhöht.
Nach dem Waschen und Trocknen der anreduzierten Halbteile erfolgt in üblicher Weise ihre weitere Montage zu fertigen Zellen. Die Membran 3 soll oxidation3ßtabil und laugefest sein, sowie die Ag-Ionen-Diffusinn zur Zn-Elektrode ausreichend hemmen.
ErfindungsgEmäß aufgebaute und hergestellte Knopfzellen besitzen Kapazitäten zwischen 250 mAh und 2SO mAh. Die Hochstromausführung ergibt diese Kapazität bei Entladeströmen von 250,u A. Sie lassen Impulsbelastungen bis zu 80 niA zu und sind z.B. für den Betrieb von Armbanduhren mit Leuchtdiodenanzeige sehr gut geeignet. Hinsichtlich ihrer Lagereigenschaften ist sie dsr beschriebenen Niederstromausführung wegen ihrer größeren Selbstentladung unterlegen.
Die Niederstromausführung der beschriebenen Art liefert die genannte Kapazität bei Entladeströmen bis zu 20/U A. Sie erlaubt Impulsbelastungen bis zu 6 mA. Ihre Selbstentladung ist mehr als dreimal so klein, uie die der Hochstromausführung.
- Patentansprüche -
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Claims (1)

  1. _ ίο _,
    Patentansprüche
    1. Ga.lvan5.schB Zelle mit negativer Zink-Elektr-ode und positiver Elektrode aus zweiwertigem SilbEroxiri (AgO) eoy.ie alkalischem Elektrolyten, bei der das zweiwertigs Silbernxid an neiner Oberfläche sd enreduziert ist, daß die Zelle die Entlcä^spannung des Ag„0/Zn-System3 besitzt, dadurch gekennzeichnet, daß das zuuaiiuertige SiI-beroxid (2) vom positiven Ableite)? (1) durch eine elektronisch nicht leitende Kunststoffschicht (8) isoliert ist und der elektronische Kontakt des zweiwertigen Silberoxiriss (2) zum Ableiter (1) über eine poröse Silberschicht (11) erfolgt, die der Gegenelektrode (5) zugekehrt iet, und die über eine poröse Schicht aus einioertigem Silberaxid (Ag„0) (11) mit dom zweiwertigen Silberoxid (AgO) (Z) in Verbindung steht und daß die poröse Silberschicht (11) über einen metallischen Kontakt (9) mit dem Ableiter (1) elektronisch verbunden ist.
    2. Galvanische Zelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der metallische Kontakt (9) flächenförmig ausgebildet ist und 10 % bis 98 % der Querschnittsfläche des zweiwertigen Silberoxides überdeckt, das der Gegenelektrode zugewandt ist, und daß der flächenförmige Kontakt (9) durch eine elektrisch nicht leitende Schicht (8) vom zweiwertigen Silberoxid isoliert ist und nur der Randbereich des flächenförmigen Kontaktes (9), der die offene Querschnittsfläche des zweiwertigen Silberoxides (2) umgibt, mit der porösen Silberschicht (11) elektronisch in Verbindung eteht.
    3. Galvanische Zelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der porösen Silberschicht (11) und der Gegenelektrode (5) außer der Separationsschicht eine Lochblende (12) angeordnet ist, die 10 % bis 98 % der porösen Silberschicht (11) abdeckt.
    k. Galvanische Zelle nach einem ader mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronisch nicht leitende Kunststoffschicht (8) aus Polytetrafluoräthylen besteht.
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    5. Galvanische Zelle nach einem ader mehreren der Ansprüche 1 bis k, dadurch gekennzeichnet, dsB der Ableiter Ci) versilbert oder vergoldet ist.
    6. Galvanische Zelle nach einem ader mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß dc-;r metallische Kontakt (9) aus Silber besteht.
    7. ^erfahren zur Herstellung einer galvanischen Zelle nach einem ader mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, da3 in den Zellenbecher (1) είπε zumindest an ihrer Unterseite und ihrem Außenrand mit isolierender Umhüllung (B) versehene Tablette aus AgO-PuI-ver eingepreßt wird und daß die Oberfläche der Agu-Tnbletie anschließend elektrochemisch zu porösem Silber anreduziert uiird.
    B. l/erfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Tsblet-te vor dem Einpressen in den Zellenbecher ein Kantaktring aufgebracht uiird.
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DE2506399A 1975-02-15 1975-02-15 Galvanische Zelle mit negativer Zinkelektrode und positiver Elektrode aus zweiwertigem Silberoxid und Verfahren zu ihrer Herstellung Expired DE2506399C3 (de)

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NL7601509A NL7601509A (nl) 1975-02-15 1976-02-13 Galvanische cel.
CA245,672A CA1037111A (en) 1975-02-15 1976-02-13 Galvanic cell with negative zinc electrode and positive silver oxide electrode
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