DE2505481A1 - Verfahren zum herstellen von gleichrichterbruecken - Google Patents

Verfahren zum herstellen von gleichrichterbruecken

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DE2505481A1 DE19752505481 DE2505481A DE2505481A1 DE 2505481 A1 DE2505481 A1 DE 2505481A1 DE 19752505481 DE19752505481 DE 19752505481 DE 2505481 A DE2505481 A DE 2505481A DE 2505481 A1 DE2505481 A1 DE 2505481A1
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Udo Dipl Ing Lob
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Siemens AG
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Description

  • Verfahren zum Herstellen von Gleichrichterbrücken Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Gleichrichterbrücke mit vier Halbleiterelementen, welche zwischen Anschlußfahnen von vier Anschlußleitern liegen und mit den Anschlußfahnen verlötet sind.
  • Bei einem dieser bekannten Verfahren werden die vier zur Gleichrichterbrücke gehörenden-Halbleiterelementeaus einer großflächigen Siliziumscheibe ausgeschnitten, danach dotiert und mit einer Schicht Lotmetall versehen. Die Halbleiterelemente werden dann jeweils für sich zwischen die Anschlußfahnen der Anschlußleiter gelegt und mit diesen, z.B. in einem Tauchlötbad, verlötet.
  • Bei immer kleiner werdenden Halbleiterelementen wird diese Herstellungsart Jedoch unpraktikabel und unrationell. Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zug#runde, ein Verfahren der eingangs erwähnten Gattung so weiterzubilden, daß die Herstellung einer Gleichrichterbrücke, insbesondere für kleine Leistungen, wesentlich vereinfacht wird.
  • Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß ein einziges großflächiges, die Fläche der vier Halbleiterelemente umfassendes Halbleiterelement in ein aus den vier Anschlußleitern und diesen jeweils paarweise zugeordneten und nebeneinanderliegenden Anschlußfahnen bestehendes Leitersystem eingelegt wird, derart, daß die beiden Anschlußfahnen des ersten Anschlußleiters in für das erste bzw. zweite Halbleiterelement bestimmten Flächenabschnitten des großflächigen Halbleiterelements an deren Oberseite anliegen, daß die beiden Anschlußfahnen des zweiten Anschlußleiters in für das dritte bzw. vierte Halbleiterelement bestimmten Flächenabschnitten an deren Unterseite anliegen, daß jeweils eine Anschlußfahne des dritten und vierten Anschlußleiters auf der Oberseite der für das dritte bzw. vierte Halbleiterelement und die andere Anschlußfahne des dritten und vierten Anschlußleiters auf der-Unterseite der für das erste bzw. zweite Halbleiterelement bestimmten Flächenabschnitte anliegen, daß dann die Anschlußfahnen mit dem großflächigen Halbleiterelement verlötet werden und anschließend das großflächige Halbleiterelement in die vier Halbleiterelemente zerteilt wird.
  • Der Vorteil der Erfindung besteht darin, daß eine einzige, auf der ganzen Fläche gleich gepolte großflächige Haibleiterscheibe verwendet werden kann. Damit läßt sich der Herstellungsaufwand beträchtlich verringern.
  • Das großflächige Halbleiterelement hat zweckmäßigerweise quadratische Form und wird in vier quadratische Halbleiterelemente z#erteilt. Das großflächige Halbleiterelement kanninein Leitersystem eingelegt werden, dessen Anschlußleiter wenigstens teilweise zueinander parallel #liegen oder wenigstens annähernd einen rechten Winkel miteinander einschließen. Zur weiteren Vereinfachung-der Herstellung können diese Anschlußleiter an den den Anschlußfahnen gegenüberliegenden Enden über einen Hilfssteg miteinander verbunden sein, der-nach dem Verlöten des großflächigen Halbleiterelementes von den Anschlußleitern abgetrennt wird. Die Anschlußleiter, die Anschlußfahnen und der Hilfssteg werden zweckmäßigerweise aus einem einzigen Stück Blech ausgestanzt.
  • Die Erfindung wird an Hand zweier Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren 1 und 2 näher erläutert. Es zeigen: Fig.1 die perspektivische Ansicht eines ersten Ausführungsbeispiels und Fig.2 die Aufsicht auf ein zweites Ausführungsbeispiel.
  • Die Gleichrichterbrücke nach Fig.1 besteht im wesentlichen aus einem großflächigen Halbleiterelement 5, das in vier, die Halbleiterelemente der Gleichrichterbrücke bildende Flächenabschnitte 1,2,3,4 zu unterteilen ist. Das großflächige Halbleiterelement 5 ist auf übliche Weise diffundiert und mit Kontaktschichten versehen. Die Kontaktschichten- auf der Ober- und Unterseite bestehen beispielsweise aus einer Lotmetallschicht. Die GleichriChtrbrücke weist weiter einen aus Blech bestehenden Anschlußleiter-12 mit zwei Anschlußfahnen 13, 14 auf. Ihm gegenüber liegt ein zweiter Anschlußleiter 6 mit zwei Anschlußfahnen 7,8. Der dritte Anschlußleiter ist mit 15 bezeichnet und besitzt die Anschlußfahnen 16, 17.
  • Dem dritten Anschlußleiter gegenüber liegt der vierte Anschlußleiter 9 mit den Anschlußfahnen 10, 11.
  • Das großflächige Halbleiterelement 5 wird nun so zwischen die Anschlußfahnen der einzelnen Anschlußleiter eingelegt, daß die Anschlußfahnen 13, 14 des ersten Anschlußleiters 12 auf der Oberseite der Flächenabschnitte 1 und 2 aufliegen und die Anschlußfahnen 7, 8 des zweiten Anschlußleiters 6~auf der Unterseite der Flächenabschnitte 3 und 4. Die Anschlußfahnen 16 und 17 des dritten Anschlußleiters 15 liegen dabei auf der Oberseite des. Flächenabschnittes 4 bzw. der Unterseite des Flächenabschnittes 1 an. Die Anschlußfahnen 10, 11 des vierten Anschlußleiters 9 liegen auf der Oberseite des Flächenabschnitts 3 bzw. der Unterseite des Flächenabschnitts 2 an. Nunmehr wird das großflächige Halbleiterelement 5 mit den Anschlußfahnen verlötet. Dies kann beispielsweise in einem Tauchlätbad erfolgen. Dazu sind zweckmäßigerweise die Anschlußfahnen auf ihrer dem Halbleiterelement zugekehrten Seite und die Oberfläche des großflächigen Halbleiterelementes 5 mit einer Schicht Lotmetall versehen. Beim nächsten Verfahrensschritt wird das großflächchige Halbleiterelement 5 durch zwei zueinander senkrechte Schnitte entlang der strichpunktierten Linien in vier Halbleiterelemente zerteilt. Die Schnitte können beispielsweise durch einen auf die Oberfläche des großflächigen Halbleiterelements 5 gerichteten Sandstrahl durchgeführt werden.
  • Die durch die Anschlußleiter und die vier Halbleiterelemente gebildete Einheit kann nunmehr in ein Gehäuse eingesetzt und vergossen werden. Unter der Voraussetzung, daß die Zonenfolge des großflächigen Halbleiterelements 5 und damit der kleinflächigen Halbleiterelemente von oben nach unten n,sn, p ist, liegt am ersten Anschlußleiter 12 positives Potential und am zweiten Anschlußleiter 6 negatives Potential an, wenn die gleichzurichtende Wechselspannung an die Anschlußleiter 15, 9 angelegt wird.
  • Die Anschlußleiter 6, 9, 12, 15 können jeweils für sich getrennte.
  • Teile sein. Zur Vereinfachung der Montage ist es jedoch zweckmäßig, daß die Anschlußleiter bis zum Verlöten der Anschlußfahnen mit dem großflächigen Halbleiterelement durch einen Hilfssteg verbunden sind. Ein solches Ausführungsbeispiel ist in Fig.2 dargestellt.
  • Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem nach Fig.1 im wesentlichen dadurch, daß hier vier-Anschlußleiter 18, 19, 20, 21 vorgesehen sind, die durch einen gemeinsamen Hilfssteg 22 miteinander verbunden sind. Die genannten Anschlußleiter verlaufen hier im wesentlichen zueinander parallel. Das aus den Anschlußleitern, dem Hilfssteg und den Anschlußfahnen bestehende Leitersystem wird hier aus einem einzigen Stück Blech ausgestanzt. Dies bedingt, daß die Anschlußfahnen eine Form erhalten, die sich aus einem einzigen Stück Blech herstellen läßt, d.h. sie können sich nicht überlappen. Die Anschlußfahnen können, wie in Fig.2 dargestellt, beispielsweise dreieckig mit der Spitze zum Zentrum des Halbleiterelements 5 zeigend ausgebildet sein. Das großflächige Halbleiterelement 5 wird so in das aus Anschlußleitern, Hilfssteg und Anschlußfahnen bestehende Leitersystem eingesteckt, daß die Anschlußfahnen des Anschlußleiters 19 auf der Oberseite der Flächenabschnitte 1 und 2 und die Anschlußfahnen des Anschlußleiters 21 auf der Unterseite der Flächenabschnitte 3 und 4 zu-liegen kommen. Die Anschlußfahnen des Anschlußleiters 18 liegen auf der Oberseite des Flächenabschnitts 3 und der Unterseite des Flächenabschnitts 2 an, während die Anschlußfahnen des Anschlußleiters 20 auf der Oberseite des Flächenabschnitts 4 bzw. der Unterseite des Flächenabschnitts 1 anliegen.
  • Nach dem Einlegen des großflächigen Halbleiterelements 5 wird dieses mit den Anschlußfahnen verlötet un#d anschließend entlang der strichpunktierten Linien, z.B. durch'Sandstrahlen, zerteilt.
  • Anschließend wird die Anordnung gekapselt, und der Hilfssteg 22 kann entlang der strichpunktierten Linie 23 von den Anschlußleitern abgetrennt werden.
  • Der Hilfssteg 22 muß nicht unbedingt gerade ausgebildet sein, er kann auch ein Viereck bilden, das das Halbleiterelement 5, die Anschlußfahnen und die Anschlußleiter umgibt. Die Anschlußleiter schließen hierbei zweckmäßigerweise einen Winkel von wenigstens 0 angenähert 90 miteinander ein, wie im Ausführungsbeispiel nach Fig.1 dargestellt. Es ist auch nicht zwingend erforderlich, daß das Halbleiterelement 5 quadratische Form hat, es kann beispielsweise auch rund oder rechteckig sein.
  • 6 Patentansprüche, 2 Figuren.

Claims (6)

  1. Patentansprüche
    Verfahren zum Herstellen einer Gleichrichterbrücke mit vier Halbleiterelementen, welche zwischen Anschlußfahnen von vier Anschlußleitern liegen und mit den Anschlußfahnen verlötet sind, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß ein einziges großflächiges, die Fläche der vier Halbleiterelemente umfassendes Halbleiterelement (5) in ein aus den vier Anschlußleitern (6, 9, 12, 15) und diesen jeweils paarweise zugeordneten und nebeneinanderliegenden Anschlußfahnen (7, 8; 10, 11; 13, 14; 16, 17) bestehendes Leitersystem eingelegt wird, derart, daß die beiden Anschlußfahnen (7,8) des ersten Anschlußleiters (6) in für das erste bzw. zweite Halbleiterelement bestimmten Flächenabschnitten (1, 2) des großflächigen Halbleiterelements (5) an deren Oberseite anliegen, daß die beiden Anschlußfahnen (10, 11) des zweiten Anschluß--leiters (9) in für das dritte tzw. vierte Halbleiterelement bestimmten Flächenabschnitten (3, 4) an deren Unterseite anliegen, daß jeweils eine Anschlußfahne des dritten und vierten Anschlußleiters (12, 15) auf der Oberseite der für das dritte bzw. vierte Halbleiterelement und die andere Anschlußfahne des dritten und vierten Anschlußleiters auf der Unterseite der für das erste bzw.
    zweite Halbleiterelement bestimmten Flächenabschnitte anliegen, daß dann die Anschlußfahnen mit dem großflächigen Halbleiterelement (5) verlötet werden und anschließend das großflächige Halbleiterelement in die vier Halbleiterelemente zerteilt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß das großflächige Halbleiterelement quadratische Form hat und in vier quadratische Halbleiterelemente zerteilt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß das großflächige Halbleiterelement in ein Leitersystem eingelegt wird, dessen Anschlußleiter (18, 19, 20, 21) wenigstens teilweise zueinander parallel liegen.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß das großflächige Halbleiterelement in ein Leitersystem eingelegt wird, dessen Anschlußleiter (6, 9, 12, 15) jeweils wenigstens annähernd einen rechten Winkel miteinander einschließen.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Anschlußleiter an den Anschlußfahnen gegenüberliegenden Enden über einen Hilfssteg (22) miteinander verbunden sind und daß die Anschlußleiter nach dem Verlöten des großflächigen Halbleiterelements vom Hilfssteg abgetrennt werden.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß die Anschlußleiter, die Anschlußfahnen und der Hilfssteg aus einem einzigen Stück Blech ausgestanzt werden. Leerseite
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