DE2500184A1 - Verfahren zum herstellen einer ladungsuebertragungsvorrichtung - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer ladungsuebertragungsvorrichtung

Info

Publication number
DE2500184A1
DE2500184A1 DE19752500184 DE2500184A DE2500184A1 DE 2500184 A1 DE2500184 A1 DE 2500184A1 DE 19752500184 DE19752500184 DE 19752500184 DE 2500184 A DE2500184 A DE 2500184A DE 2500184 A1 DE2500184 A1 DE 2500184A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
insulating
steps
electrodes
metal layer
sequence
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19752500184
Other languages
English (en)
Other versions
DE2500184C2 (de
Inventor
Joseph Borel
Jacques Lacour
Gerard Merckel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of DE2500184A1 publication Critical patent/DE2500184A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2500184C2 publication Critical patent/DE2500184C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76833—Buried channel CCD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
    • H01L29/1062—Channel region of field-effect devices of charge coupled devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42396—Gate electrodes for field effect devices for charge coupled devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76833—Buried channel CCD
    • H01L29/76841—Two-Phase CCD
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/981—Utilizing varying dielectric thickness

Description

PATENTANWALT DR. HANÖ ULRICH ΜΛΥ 2 5 O O 1 8 A
8 MUnchen 22, Thicrschstr. 27 Telefon (089) 22 50 51
CP 503/1341 München, den 3. Januar 1975
B 5134.3 RS Dr.M./cs
Commissariat d. I1 Energie Atomique in Paris/Pranlcreich Verfahren zum Herstellen einer Ladungsübertragungsvorrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Ladungsübertragungsvorrichtung. Das Anwendungsgebiet der Erfindung liegt in der Elektronik, und insbesondere bei der Herstellung von Schieberegistern, Verzögerungsleitungen, Speichern und ähnlichen Baustufen.
Unter dem Begriff Ladungstibertragungsvorrichtungen im Sinne der Erfindung sind Halbleitersysteme zu verstehen, bei denen elektrische Ladungen in Potentialquellen, die entweder an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers oder - im Falle von Bauelementen mit versenktem Kanal - an der Grenzschicht zwischen einem halbleitenden Substrat und einer Oberflächenzone unterschiedlicher Dotierung geschaffen werden, gespeichert und mittels Verschiebung dieser Potentialquellen tibertragen werden. Derartige Vorrichtungen enthalten bei sehr stark schematisierter Darstellung ihres Aufbaus ein Substrat aus einem dotierten Halbleiter, eine Schicht aus einem elektrisch isolierenden Material und eine Anordnung von metallischen Elektroden, die auf geeigneten Potentialen gehalten werden. Bei den in einer solchen Vorrichtung zu verschiebenden Ladungen handelt
509829/0847
es sich um Minoritätsträger für das jeweilige halbleitende Substrat, beispielsweise umLöcher, wenn es sich bei dem halbleitenden Substrat um einen Halbleiter des Typs η handelt.
Hinsichtlich der allgemeinen Eigenschaften derartiger Ladungsübertragungsvorrichtungen wird auf zwei Aufsätze von W. S. Boyle und G.B. Smith bzw. G.P. Amelio et al. in der Zeitschrift "Bell System Technical Journal", Band 49 (1970), Seiten 587 bzw. 593 verwiesen^ Bei den ersten dieser Ladungsübertragungsvorricivtangen wurde mit drei Taktgebern gearbeitet, von denen jeder über eine von drei Steuerleitungen mit einer von drei Elektroden verbunden war. lnzwi~ sehen sind auch Ladungsübertragungsvorrichtungen mit zwei Steuerleitungen vorgeschlagen worden, bei denen unter den Elektroden unsymmetrische Potentialquellen geschaffen werden. In diesem Zusammenhang kann beispielsweise auch die deutsche Patentanmeldung P 22 Oi 395.2 des Anmelders und auf den Aufsatz von W.F. Kosonocky und J.E. Carmes in der Zeitschrift IEEE Journal of Solid State Circuit, Band 6, Nr. 5 (Oktober 1971) Bezug genommen werden.
Bei diesen Ladungsübertragungsvorrichtungen mit zwei Steuerleitungen werden die asymmetrischen Potentiale taiter den Elektroden entweder durch eine Oberflächenregion, deren Dotierung unter dem in Stromflußrichtung stromauf liegenden Rand der Elektrode stärker ist als isiter ά&α übrigen Teil der Elektrode, oder durch Oxidschichten mit von einem Rand der Elektrode zum anderen unterschiedlicher Dikke geschaffen.
Weiterhin sind LadungsübertragungSVOrrichtungen vorgeschlagen worden, die nur mit einer Steuerleitung arbeiten, die mit allen Elektroden verbunden ist. In diesem ZusanBitenhang kann auf einen Aufsatz von P.P. Gelberger und CA.T. Salama in der Zeitschrift "Proceedings
509829/08A7
of the IEEE" (Juni 1972), Seite '/21 oder auf die französische Patentanmeldung EN 72 23 408 der Firma Western Electric vom 28.6.1972 Bezug genommen werden. Die in dieser Patentanmeldung beschriebenen Ladungsübertragungsvorrichtungen enthalten als Mittel zur Gewährleistung eines einfachen Verkehrs beim Ladungrstransport von einer Elektrode zur anderen dotierte Hegionen, die in dem halbleitenden Substrat und zwischen den Elektroden lokalisiert sind und sich beispielsweise Änderungen in der Dicke der Oxidschicht zuordnen lassen.
Die vorliegende Erfindung hat ein Verfahren zum Herstellen solcher Ladungsübertragungsvorrichtungen und insbesondere von Ladungsübertragungsvorrichtungen mit einer oder zwei Steuerleitungen zum Gegenstand. Das wesentliche Kennzeichen der Erfindung liegt darin, eine derartige Vorrichtung in zwei Stufen herzustellen, von denen die erste Stufe darin besteht, daß auf einem halbleitenden Substrat die Mittel zur Steuerung der Tiefe der Potentialquellen, beispielsweise isolierende Schichten mit periodisch variierender Dicke und in bestimmten Fällen die Elektrodenpilderide Metallschichten abgeschieden werden, während in der zweiten Stufe des Verfahrens dotierte Zonen durch Ionenimplantation geschaffen werden, wobei die zuvor erfolgte Struktur als Maske dient. Ein solches Verfahren zeichnet sich durch eine besondere Einfachheit ans und verträgt sich in vollkommener Weise mit der im allgemeinen für die Herstellung von MOS-Struktüren verwendeten Technologie. Die Einhaltung der relativen Lage der dotierten Zonen einerseits und der isolierenden Zonen unterschiedlicher Dicke und der Elektroden andererseits wird dabei automatisch gewährleistet.
FUr das erfindungsgemäße Verfahren sind je nachdem, ob die Aufbringung der für die Herstellung der Elektroden dienenden Metallschicht
vor der Ionenimplantation oder danach erfolgt und ob eine Ladungsübertragungsvorrichtung mit einer oder mit zvei Steuerleitungen hergestellt werden soll, zahlreiche verschiedene Ausführungsvarianten möglich.
Die Erfindung erstreckt sich insbesondere auf alle Realisierungsmöglichkeiten, die der Technik mit "versenktem Kanal11 entsprechen, also der Herstellung von Halbleiterstrukturen, die an ihrer Oberflächeeine Oberflächenschicht aufweisen, die zum entgegengesetzten Dotierungstyp gehört wie das übrige Substrat.
Die kennzeichnenden Eigenschaften des erfindungsgemäßen Verfahrens und die mit seiner Hilfe erzielbaren Vorteile werden noch besser ersichtlich aus der nachstehenden Beschreibung, in der unter Bezugnahme auf die Zeichnung einige bevorzugte, die Erfindung jedoch in keiner Weise einschränkende Ausführungsbeispiele behandelt sind. Dabei zeigen in der Zeichnung:
- Fig. 1 in schematischer Weise die verschiedenen Phasen eines Verfahrens zum Herstellen einer Ladungsübertragungsvorrichtung mit einer Steuerleitung und dotierten Zonen unter den Elektroden und/oder in dem Intervall zwischen den Elektroden;
- Fig. 2 eine Ausführungsvariante für das oben erwähnte Verfahren,
bei der die Abscheidung der Elektroden erst nach dem Verfahrensschritt der Ionenimplantation vorgenommen wird;
- Fig. 3 eine schematische Darstellung der verschiedenen Phasen
fur eine weitere Ausführungsvariante bei einem Verfahren zum Herstellen einer Ladungsübertragungsvorrichtung mit zwei Steuerleitungen und
- Fig. 4 wiederum in schematischer Darstellung die verschiedenen
509829/0847
Phasen eines Verfahrens, das die Herstellung einer Ladungsübertragungsvorrichtung mit einer Steuerleitung ermöglicht, und bei dem die dotierten Zonen nur in den Zwischenraum zwischen den Elektroden implantiert werden.
Rein der Erläuterung halber wird in der nachstehenden Beschreibung der Fall eines Substrats vom Typ η betrachtet, bei dem daher die Minoritätsträger Löcher sind und das beispielsweise aus Silicium besteht. Die Oberflächenregionen des Substrats, in denen die Dotierung entgegengesetzt zum übrigen Substrat ist, sind daher Regionen vom Typ p. PUr den Fachmann versteht es sich jedoch von selbst, daß die Erfindung ebenso auf Substrate vom Typ ρ und Oberflächenregionen vom Typ η erstreckt.
in Fig. 1 sind in schematischer Weise die verschiedenen Phasen für eine erste Ausführungsvariante eines Verfahrens zur Herstellung einer Ladungsübertragungsvorrichtung mit einer Steuerleitung veranschaulicht. Dieses Verfahren umfaßt die nachstehend aufgeführten, zeitlich aufeinanderfolgenden Verfahrensschritte: 1. Auf einem Halbleiterkörper 10 vom Typ n, beispielsweise aus Silicium, wird durch Ionenimplantation insbesondere mit Hilfe von Bor eine gleichförmige Schicht 12 vom Typ ρ mit einer Dicke von beispielsweise 0,3,0m oder mehr abgeschieden. Diese Abdeckung der Oberfläche hat zur Folge» daß der Kanal, in dem sich die Minoritätsträger verschieben, versenkt wird, wodurch die Anzahl der Rekombinationsvorgänge an der Oberfläche verminder^und das Verhalten bei tiefen und hohen Temperaturen verbessert wird} 2· Auch in der Schicht 12 wird durch Oxidation eine feine Isolationsschicht von beispielsweise 1000 λ Dicke ausgebildet, die bei dem vorliegenden Beispiel aus SiO2 besteht ; diese Schicht wird dann
509829/0847
durch lokale Gravierung soweit abgetragen, daß nur eine Folge von Flecken 14 verbleibt; damit ergibt sich eine Vorrichtung, die in der schematisehen Darstellung von Fig. 1 der Phase a. entspricht;
3. Durch eine erneute Oxidation werden Oxidschichten in zweierlei Stärke von beispielsweise 1000 Ä und 3000 Ä erzeugt, so daß sich eine periodische Folge von isolierenden stufen 16 großer Dicke und isolierenden Stufen 18 geringer Dicke ergibt, die alternierend aufeinander folgen; dies entspricht im Schema von Fig. 1 der Phase b;
4. Anschließend wird eine Metallschicht aufgebracht, die beispielsweise aus Aluminium mit einer Stärke von 1000 A besteht. Diese Schicht wird dann durch Gravierung soweit abgetragen, daß nur einzelne Elektroden 2G verbleiben. Diese Elektroden 20 sind voneinander durch Intervalle 22 getrennt, die jeweils aus zwei aufeinanderfolgenden Stufen 16 und 18 mit großer Dicke bzw. !deiner Dicke bestehen, die nicht mit der Metallschicht überzogen sind; damit ist im Schema von Fig. 1 die Phase c erreicht;
5. Bs folgt eine Ionenimplantation vom Typ ρ mit Hilfe eines Ionenstrahls, dessen Energie so bemessen wird, daß einerseits die durch die isolierendenStufen 18 mit geringer Dicke und die metallischen Elektroden 20 gebildeten Schichten für den Ionenstrahl durchlässig sind, sich also unter den Elektroden 20 Implantationszonen 24 vom
in
Typ ρ und/noch stärkerem Maße unter den Intervallen 22 zwischen den Elektroden 20 Implantationszonen 26 ergeben, daß aber die isolieren-» den Stufen 16 mit größerer Dicke für den ionenstrahl undurchlässig sind, so daß unter den Intervallen 22 zwischen den Elektroden 20 Zonen 28 und in noch stärkerem Maße unter den Elektroden 20 Zonen 30 verbleiben, die von der Implantation nicht beeinflußt werden; damit ist im Schema von Fig. 1 die Phase d^ erreicht;
509829/0847
6. Schließlich wird jede der Elektroden 20 mit einer einzigen Steuerleitung 32 verbunden, vie dies im Schema von Fig. 1 ebenfalls BHr die Phase d* dargestellt ist.
Die oben beschriebene Ausführungsvariante bringt insofern technologische Schwierigkeiten mit sich, als eine metallische Elektrode geschaffen werden muß, die für eine Ionenimplantation vom Typ ρ durchlässig ist, um eine geringe Vermehrung der Potentialquellen unter den Elektroden 20 zu erhalten. Man kann.jedoch auf diese Vermehrung der Potentialquellen verzichten und mit Elektroden üblicher Dicke von beispielsweise 1 Mikron arbeiten, die für eine Ionenimplantation vom Typ ρ undurchlässig sind, wodurch sich eine erhebliche Vereinfachung für die gesamte Herstellung ergibt. In der fertigen Vorrichtung verschwinden dann die Zonen 24, und es verbleiben nur die Zonen 26 unter den Intervallen 22 zwischen den Elektroden 20, wie dies im Schema von Fig. 1 in Form der Phase dg veranschaulicht ist; unter den Elektroden 20 entsteht in diesem Falle das asymmetrische Potential nur durch eine Variation in der Dicke der ausgebildeten Oxidschichten.
In Fig. 2 ist eine Ausführungsvariante für das Verfahren dargestellt, bei der die Phasena und Jb die gleichen sind wie bei der Ausführungsvariante von Fig» 1, bei der jedoch der Verfahrensschritt der Ionenimplantation vor dem Verfahrensschritt der Metallabscheidung für die Herstellung der Elektroden erfolgt. Diese Ionenimplantation führt daher zu einer Vorrichtung, vie sie in Fig. 2 als Phase £· veranschaulicht ist, wobei die verschiedenen Zonen 36 vom Typ ρ untereinander gleich sind. Anschließend erfolgt wieder die Abscheidung einer Metallschicht und deren Gravierung, wobei sich Elektroden 38 ergeben, die mit einer einzigen Steuerleitung 40 verbunden sind, wie dies im Schema von Fig. 2 als Phase d* dargestellt ist.
509829/0847 4
In Fig. 3 ist wieder eine andere Ausführungsvariante veranschaulicht, mit deren Hilfe ausgehend von einer Zwischenstufe, wie sie in Fig. 2 als Phase £' dargestellt ist, eine Ladungsübertragungsvorrichtung mit zwei Steuerleitungen erhalten werden kann. Dazu wird die abgeschiedene Metallschicht in der Weise graviert, daß sich eine Folge von Elektroden 42 ergibt, von denen jede zweite mit einer ersten Steuerleitung 44 verbunden ist, während die jeweils dazwischen liegenden Elektroden 42 an eine zweite Steuerleitung angeschlossen sind, wie dies im Schema von Fig. 3 als Phase el" wiedergegeben ist.
Es liegt auf der Hand, daß man auch ausgehend von der Arbeitsweise nach dem Schema von Fig. 1 zu einer Ladungsübertragungsvorrichtung mit zwei Steuerleitungen gelangen kann. In diesem Falle wird anschließend an die in Fig. 1 dargestellte Phase Jb die Abscheidung der Metallschicht und deren Gravierung so vorgenommen, vie dies in Fig. 3 dargestellt ist, u» eine Folge von Elektroden zu erhalten. Anschließend wird die ionenimplantation unter den gleichen Bedingungen wie in Fig. 1 für die Phase d^ durchgeführt, und schließlich wird jeweils jede j&Weite Elektrode mit einer ersten Steuerleitung und jede dazwischen liegende Elektrode mit einer zweiten Steuerleitung verbunden.
Die in Fig. 4 veranschaulichte Ausführungsvariante ermöglicht die Herstellung einer Ladungsübertragungsvorrichtung mit einer Steuerleitung; diese Ausführungsvariante hat die Verfahrensschritte a und b mit allen oben beschriebenen Ausführungsvarianten gemeinsam* an diese beiden Phasen a und b schließt sich jedoch bei dem Ausführungsbeispiel von Fig. 4 eine Gravierungsphase für die Metallschicht an, die darauf hinausläuft, daß diese Metallschicht nur
509829/0847
auf einem Teil der isolierenden Stufen mit großer Dicke und auf einem Teil der isolierenden Stufen mit geringer Dicke verbleibt» wodurch sich eine Folge von Elektroden 50 ergibt, die jeweils durch Intervalle 52 voneinander getrennt sind, die aus den nicht mehr mit der Metallschicht überdeckten Teilen der isolierenden Stufen bestehen. Dieser Zustand ist im Schema von Fig. 4 als Phase cwl veranschaulicht. Sodann folgt die Ionenimplantation, bei der gemäß einem wesentlichen Merkmal der Erfindung die auf diese Weise erhaltene Struktur als Maske verwendet und die Energie des Ionenstrahls so eingeregelt wird, daß nur die isolierenden stufen 54 von geringer Dicke und ohne Uberdeckung durch die Metallschicht für den Ionenstrahl durchlässig sind; dies gestattet es, in das Substrat Zonen 56 vom Typ η zu implantieren. Diese Ausführungsvariante des Verfahrens findet ihren Abschluß in der Verbindung der Elektroden 50 mit einer einzigen Steuerleitung 58.
Die vorstehende Beschreibung der verschiedenen Ausführungsvarianten des Verfahrens gemäß der Erfindung, das in der Verwendung der in einer ersten Phase ausgebildeten isolierenden Struktur - und gegebenenfalls der damit verbundenen Metallschicht - als Maske für den Verfahrensschritt der Ionenimplantation sein wesentliches Kennzeichen hat, zeigt, daß sich dieses Verfahren durch eine besondere Einfachheit auszeichnet und die Herstellung von lädungsübertragungsvorrichtungen mit hoher Leistung und geringem Platzbedarf gestattet.
509829/08A7

Claims (10)

  1. Patentansprüche
    Verfahren zum Herstellen einer Ladungsübertragungsvorrichtung mit einer Steuerleitung, gekennzeichnet durch die Aufeinanderfolge folgender Schritte:
    a) auf einem dotierten Halbleitersubstrat wird eine isolierende Schicht ausgebildet, welche die Form einer periodischen Folge von alternierend aufeinanderfolgenden isolierenden Stufen größerer und kleinerer Dicke aufweist;
    b) auf jeder zweiten isolierenden Stufe größerer Dicke und auf jeder zweiten isolierenden stufe kleinerer Dicke wird eine Metallschicht abgeschieden und damit eine Folge von jeweils durch ein aus zwei aufeinanderfolgenden und nicht von der Metallschicht überdeckten isolierenden Stufen bestehendes Intervall voneinander getrennten Elektroden geschaffen;
    c) xn die Oberfläche des Halbleitersubstrats werden Zonen mit einer
    Dotierung vom entgegengesetzten Typ implantiert, indem ein Ionen-
    die
    strahl auf die isolierenden Stufen und/Elektroden gerichtet wird und diese derart als Maske benutzt werden, daß die nicht von der Metallschicht überdeckten isolierenden Stufen mit größerer Dicke für den Ionenstrahl undurchlässig, die nicht von der Metallschicht überdeckten isolierenden Stufen mit kleinerer Dicke dagegen für den Ionenstrahl durchlässig sind;
    d) jede der Elektroden wird mit einer Steuerleitung verbunden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auch die von der Metallschicht überdeckten isolierenden Stufen mit kleiner Dicke für den Ionenstrahl durchlässig sind,
  3. 3. Verfahren zum Herstellen einer Ladungsübertragungsvorrichtung
    509829/0847
    ■' ΐ ' ■
    mit einer Steuerleitung, gekennzeichnet durch die Aufeinanderfolge folgender Schritte:
    a) auf einem dotierten Halbleitersubstrat vird eine isolierende Schicht ausgebildet, velche die Form einer periodischen Folge von alternierend aufeinanderfolgenden isolierenden Stufen größerer und kleinerer Dicke aufweist;
    b) in die Oberfläche des Halbleitersubstrats werden Zonen mit einer
    Dotierung vom entgegengesetzten Typ implantiert, indem ein Ionen-
    strahl auf die isolierenden Stufen gerichtet vird und diese derart als Maske benutzt werden, daß die isolierenden stufen mit größerer Dicke für den Ionenstrahl undurchlässig, die isolierenden Stufen mit kleinerer Dicke dagegen für den Ionenstrahl durchlässig sind;
    c) auf jeder zweiten isolierenden Stufe größerer Dicke und auf jeder zweiten isolierenden Stufe kleinerer Dicke vird eine Metallschicht abgeschieden und damit eine Folge von jeweils -durch ein aus zwei aufeinanderfolgenden nicht von der Metallschicht überdeckten isolierenden Stufen bestehendes Intervall voneinander getrennten Elektroden geschaffen;
    d) jede der Elektroden vird mit einer Steuerleitung verbunden.
  4. 4. Verfahren zum Herstellen einer Ladungsübertragungsvorrichtung mit zwei Steuerleitungen» gekennzeichnet durch die Aufeinanderfolge folgender Schritte:
    a) auf einem dotierten Halbleitersubstrat vird eine isolierende Schicht ausgebildetet, welche die Form einer periodischen Folge von alternierend aufeinanderfolgenden isolierenden Stufen größerer und kleinerer Dicke aufweist;
    b) in die oberfläche des Halbleitersubstrats werden Zonen mit einer Dotierung vom entgegengesetzten Typ implantiert, indem ein Ionen-
    509829/0847
    strahl auf die isolierenden stufen gerichtet wird und diese derart als Maske benutzt werden, daß die isolierenden Schichten mit größerer Dicke für den Ionenstrahl undurchlässig sind, die isolierenden Stufen mit kleinerer Dicke dagegen für den Ionenstrahl durchlässig sind;
    c) auf den isolierenden Stufen wird eine Metallschicht abgeschieden, die eine Folge von gegeneinander isolierten, jeweils zwei aufeinanderfolgende isolierende Stufen überdeckenden Elektroden bildet;
    d) von den gebildeten Elektroden wird jede zweite Elektrode mit einer ersten Steuerleitung und jede dazwischen liegende Elektrode mit einer zweiten Steuerleitung verbunden.
  5. 5. Verfahren zum Herstellen einer Ladungsübertragunsvorrichtung mit zwei Steuerleitungen, gekennzeichnet durch die Aufeinanderfolge folgender Stufen:
    a) auf einem dotierten Halbleitersubstrat wird eine isolierende Schicht ausgebildet, welche die Form einer periodischen Folge von alternierend aufeinanderfolgenden stufen größerer und kleinerer Dicke aufweist;
    b) auf den isolierenden Stufen wird eine Metallschicht abgeschieden, die eine Folge von gegeneinander isolierten, jeweils zwei aufeinanderfolgende isolierende Stufen überdeckenden Elektroden bildet;
    c) in die Oberfläche des Halbleitersubstrats werden Zonen mit einer Dotierung vom entgegengesetzten Typ implantiert, indem ein Ionenstrahl auf die isolierenden Stufen und die Elektroden gerichtet wird und diese derart als Maske benutzt werden, daß die isolierenden Stufen mit größerer Dicke für den Ionenstrahl undurchlässig sind, die nicht von der Metallschicht überdeckten isolierenden Stu-
    509829/0847
    £en mit kleinerer Dicke dagegen für den Ionenstrahl durchlässig
    d) von den Elektroden wird jede zveite Elektrode mit einer ersten
    Steuerleitung und jede dazwischen liegende Elektrode mit einer zwei-
    ten Steuerleitung verbunden·
  6. 6. Verfahren zum Herstellen einer LadungsUbertragungsvorrichtung mit einer Steuerleitung, gekennzeichnet durch die Aufeinanderfolge folgender Schritte:
    a) auf einem dotierten Halbleitersubstrat wird eine isolierende Schicht ausgebildet, welche die Form einer periodischen Folge von alternierend aufeinanderfolgenden isolierenden Stufen größerer und kleinerer Dicke aufweist;
    b) auf jeweils einem Teil jeder isolierenden Stufe mit größerer Dicke und einen anschließenden Teil einer isolierenden Stufe mit kleinerer Dicke vird eine Metallschicht abgeschieden und damit eine Folge von jeweils durch ein aus den nicht von der Metallschicht überdeckten Teilen zweier aufeinanderfolgender isolierender Stufen gebildetes Intervall voneinander getrennten Elektroden geschaffen;
    c) in die Oberfläche des Halbleitersubstrats werden Zonen mit einer Dotierung vom entgegengesetzten Typ implantiert, indem ein Ionenstrahl auf die isolierenden Stufen und die Elektroden gerichtet wird und diese derart als Maske benutzt werden, daß nur die nicht von der Metallschicht überdeckten Teile der isolierenden Stufen mit kleinerer Dicke für den Ionenstrahl durchlässig sind;
    d) jede der Elektroden wird mit einer Steuerleitung verbunden.
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem ersten Schritt der Abscheidung einer isolierenden Schicht auf das dotierte Substrat eine Oberflächenzone mit einer
    509829/0847
    Dotierung vom entgegengesetzten Typ aufgebracht wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenzone mit einer Dotierung vom entgegengesetzten Typ durch Ionenimplantation erzeugt wird.
  9. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1,3,4,5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der ersten isolierenden Schicht eine homogene isolierende Schicht abgeschieden und diese sodann in der Weise graviert wird, daß nur eine periodische Folge von Stufen verbleibt, auf die dann eine zweite isolierende Schicht abgeschieden wird.
  10. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 3, 4, 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht in der Weise abgeschieden wird, daß zunächst eine zusammenhängende Metallschicht erzeugt und diese sodann durch entsprechende Gravierung in die zu erzeugende Metallschicht überführt wird.
    509829/0847
    Leerseite
DE19752500184 1974-01-04 1975-01-03 Verfahren zum herstellen einer ladungsuebertragungsvorrichtung Granted DE2500184A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7400294A FR2257145B1 (de) 1974-01-04 1974-01-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2500184A1 true DE2500184A1 (de) 1975-07-17
DE2500184C2 DE2500184C2 (de) 1989-04-06

Family

ID=9133116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752500184 Granted DE2500184A1 (de) 1974-01-04 1975-01-03 Verfahren zum herstellen einer ladungsuebertragungsvorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4019247A (de)
JP (1) JPS5921182B2 (de)
DE (1) DE2500184A1 (de)
FR (1) FR2257145B1 (de)
GB (1) GB1469081A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2926334A1 (de) * 1978-06-29 1980-01-03 Raytheon Co Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen, insbesondere von ladungsgekoppelten bauelementen

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4041520A (en) * 1976-08-06 1977-08-09 Honeywell Information Systems Inc. Uniphase charge transfer device
JPS606101B2 (ja) * 1976-10-14 1985-02-15 ソニー株式会社 電荷転送装置の製法
US4086102A (en) * 1976-12-13 1978-04-25 King William J Inexpensive solar cell and method therefor
USRE31151E (en) * 1980-04-07 1983-02-15 Inexpensive solar cell and method therefor
US4474624A (en) * 1982-07-12 1984-10-02 Intel Corporation Process for forming self-aligned complementary source/drain regions for MOS transistors
DD253709A1 (de) * 1986-09-04 1988-01-27 Werk Fernsehelektronik Veb Register mit kleinstem raster
US4896003A (en) * 1989-06-30 1990-01-23 Hsieh Man Ching Multi-position electrical switch
JP4639116B2 (ja) * 2005-06-27 2011-02-23 富士フイルム株式会社 Ｃｃｄ型固体撮像装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2201395A1 (de) * 1971-01-14 1972-07-27 Commissariat Energie Atomique Ladungsuebertragungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2231565A1 (de) * 1971-06-28 1973-01-18 Western Electric Co Umsteuerbare zweiphasige ladungsgekoppelte baueinheit
DE2314260A1 (de) * 1972-05-30 1973-12-13 Ibm Ladungsgekoppelte halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE2331616A1 (de) * 1973-06-22 1975-01-23 Bosch Gmbh Robert Einrichtung zur kompensation von seitenwind- und anderen, eine seitenabweichung eines kraftfahrzeugs bewirkenden stoerkraeften

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1289740A (de) * 1969-12-24 1972-09-20
US3697786A (en) * 1971-03-29 1972-10-10 Bell Telephone Labor Inc Capacitively driven charge transfer devices
US3796932A (en) * 1971-06-28 1974-03-12 Bell Telephone Labor Inc Charge coupled devices employing nonuniform concentrations of immobile charge along the information channel
JPS4847234A (de) * 1971-10-18 1973-07-05

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2201395A1 (de) * 1971-01-14 1972-07-27 Commissariat Energie Atomique Ladungsuebertragungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2231565A1 (de) * 1971-06-28 1973-01-18 Western Electric Co Umsteuerbare zweiphasige ladungsgekoppelte baueinheit
DE2314260A1 (de) * 1972-05-30 1973-12-13 Ibm Ladungsgekoppelte halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE2331616A1 (de) * 1973-06-22 1975-01-23 Bosch Gmbh Robert Einrichtung zur kompensation von seitenwind- und anderen, eine seitenabweichung eines kraftfahrzeugs bewirkenden stoerkraeften

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z.: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Bd. SC-6, 1971, Nr. 5, S. 314-322 *
US-Z.: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Februar 1972, S. 92-93 *
US-Z.: Proceedings of the IEEE, Juni 1972, S. 721-722 *
US-Z.: The Bell System Technical Journal Bd. 49, 1970, S. 587-593 und 593-600 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2926334A1 (de) * 1978-06-29 1980-01-03 Raytheon Co Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen, insbesondere von ladungsgekoppelten bauelementen

Also Published As

Publication number Publication date
GB1469081A (en) 1977-03-30
JPS5921182B2 (ja) 1984-05-18
FR2257145B1 (de) 1976-11-26
US4019247A (en) 1977-04-26
FR2257145A1 (de) 1975-08-01
DE2500184C2 (de) 1989-04-06
JPS50118687A (de) 1975-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2646308C3 (de) Verfahren zum Herstellen nahe beieinander liegender elektrisch leitender Schichten
DE2422195C2 (de) Verfahren zur Vermeidung von Grenzschichtzuständen bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE3134110A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE2335799A1 (de) Sperrschicht-feldeffekttransistoren in dielektrisch isolierten mesas
DE2453134C3 (de) Planardiffusionsverfahren
DE2633714C2 (de) Integrierte Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2941268C2 (de)
DE2926334C2 (de)
DE2454705A1 (de) Ladungskopplungsanordnung
DE2645014C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten MOS-Schaltungsstrukrur mit doppelten Schichten aus polykristallinem Silizium auf einem Silizium-Substrat
DE2500184A1 (de) Verfahren zum herstellen einer ladungsuebertragungsvorrichtung
DE2541651C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Ladungsübertragungsanordnung
DE2954543C2 (de)
EP0028786B1 (de) Ionenimplantationsverfahren
DE2316095A1 (de) Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen mit komplementaer-kanal-feldeffekttransistoren
EP0133204A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines DMOS-Transistors
DE2320420A1 (de) Verfahren zur herstellung eines leitfaehigen verbindungsmusters auf halbleiterschaltungen sowie nach dem verfahren hergestellte anordnungen
DE2532608C2 (de) Planardiffusionsverfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Schaltung
DE2737503A1 (de) Feldeffekttransistor mit interdigitalstruktur und verfahren zu seiner herstellung
DE1816082B2 (de)
DE1514656A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern
DE2139631A1 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements
DE2725154A1 (de) Verfahren zur herstellung einer ladungsgekoppelten halbleiterschaltungsvorrichtung und nach dem verfahren hergestellte schaltungsvorrichtung
DE1439417B2 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
DE2133055A1 (de) Integrierte MOS-Transistorschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 29/66

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition