DE2231565A1 - Umsteuerbare zweiphasige ladungsgekoppelte baueinheit - Google Patents

Umsteuerbare zweiphasige ladungsgekoppelte baueinheit

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DE2231565A1
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Description

Western Electric Company, Inc.
195 Broadway
New York, N.Y. IOOO7 /USA A 33 057
Umsteuerbare_zweighasige_ladungsgeko££elte Baueinheit
Es ist "bereits eine neue Art von Informationsspeicher-Baueinheit als ladungsgekoppelte Baueinheit (CCD) für eine breite Vielfalt von Informationsverarbeitungs-Anwendungsfallen bekannt. Diese ladungsgekoppelte Baueinheit umfaßt ein Ladungsspeichermedium, eine Isolierschicht, welche eine Fläche des Mediums überdeckt, und eine Anordnung von Metallelektroden in Anordnung auf dem Isolator. Die Information wird in das Medium in Form beweglicher Ladungsträger eingeführt. Diese Ladungsträger können durch das Medium in einer Richtung bewegt werden, welche im wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Mediums verläuft, indem eine Reihe von Elektroden aufeinanderfolgend vorgespannt wird. Normalerweise ist das Speichermedium ein Halbleiter, wobei die Ladungsträger Minoritätsträger sind; der Übertragungsmechanismus ist durch Schaffung von Entleerungsbereichen veränderlicher Tiefe wirksam, in welche die Minoritätsträger "einfallen". Jedoch kann das Speichermedium auch ein halbisolierendes Material umfassen, wobei die Ladungsträger Majoritätsträger sind. In einem Zweiphasensystem werden die Elektroden durch zwei Zeitgeberleitungen angetrieben, wobei jede Leitung mit jeder anderen Elektrode in einer Reihe gekoppelt ist. In einem Dreiphasensystem werden drei Zeitgeberleitungen verwendet, wobei jede Lei-
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tung mit jeder dritten Elektrode in Reihe getoppelt ist.
Die zweiphasige CCD hat den Vorteil einer kurzen Bitlänge, wobei lediglich ein Metallisierungsniveau erforderlich ist, um eine Reihe von Elektroden anzuzeigen. Jedoch ist eine gewisse Asymmetrie in den Elektroden erforderlich, um die Potentialmulde in dem Medium hinsichtlich ihres Umrisses festzulegen und eine in einer Richtung erfolgende Übertragung zu erzielen. Diese Asymmetrie kann die Form eines abgestuften Oxides oder eines kleinen Ladungsbereiches unter jeder Elektrode annehmen, wodurch ein Blockie-rungspotential für die Umkehrströmung geschaffen wird. Dieses Erfordernis schließt die Anwendung von Zweiphasensystemen für bestimmte logische Operationen aus, wo eine Umkehr der Strömungsrichtung erforderlich ist.
Ein Dreiphasensystem erfordert keine Asymmetrie und gewährleistet eine Umkehrbarkeit. Jedoch behindert die län^re Bitlänge des Gebildes die Betriebsgeschwindigkeit, wobei zwei Metallisierungsniveaus oder diffundierte Unterkreuzungen erforderlich sind, um die Anordnung von Elektroden zu adressieren, was die Herstellung kompliziert.
Aufgabe der Erfindung ist demgemäß die Schaffung einer zweiphasigen ladungsgekoppelten Baueinheit ohne Asymmetrie in den Elektroden, so daß die Richtung der Ladungströmung umkehrbar ist. Die Erfindung geht aus von einer ladungsgekoppelten Baueinheit mit einem Ladungsspeichermedium, einer zumindest einen Teil einer Fläche des Mediums überdeckenden Isolierschicht, einer Reihe von Metallelektroden in Anordnung auf der Isolierschicht, Elementen zur aufeinanderfolgenden Vorspannung der Reihe von Elektroden mit zwei Leitungen, von denen jede mit irgendeiner anderen Elektrode in der Reihe verbunden ist, um Ladungsträger in dem Speichermedium in einer Richtung im wesentlichen parallel zu der Oberfläche zu bewegen. Die Erfindung kennzeichnet sich dadurch, daß jede Gruppe von zwei Elektroden in Verbindung mit den Leitungen durch einen Speicherspalt getrennt ist, daß der Speicherspalt einen Bereich mit fester Ladung von
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einer entgegengesetzten Polung zu derjenigen der festen Ladung in dem Speichermedium sowie von ausreichender Größe aufweist, um Ladungsträger in dem Spalt ohne Vorspannung zu speichern und eine Übergabe der Ladungsträger in einer gewünschten Richtung bei Anlegung einer geeigneten Vorspannung an die Elektroden in der Gruppe zu ermöglichen.
Gemäß einer bevorzugten Ausbildungsform nach der Erfindung ist jede Gruppe von zwei Elektroden durch einen breiten Spalt getrennt. Eine feste Ladung in dem Spalt in Anordnung nahe der Isolator/Speichermedium-Zwischenfläche entweder in dem ßpeichermedium oder in dem Isolator schafft ein Potential, welches die Speicherung von Ladungsträgern in dem Spalt ermöglicht, wenn beide Elektroden sich auf niedriger Gleichvorspannung befinden, und den Übergang von Ladungsträgern durch die Spalt, wenn geeignete Potentiale an den benachbarten Elektroden liegen. Eine Richtwirkung der Ladungsströmung wird durch die asyymetrische Phasenbeziehung der Impulse festgelegt, welche den Elektroden zugeführt werden. Eine Umkehr der Phasenbeziehung kehrt die Strömungsrichtung um.
Die Erfindung schafft also zweiphasige ladungsgäcppelte Baueinheiten ohne Asymmetrie im Aufbau, um eine Umkehr der Strömungsrichtung der Ladungsträger zu verhindern. Das Gebilde umfaßt Gruppen von zwei Elektroden, die durch breite Spalte getrennt sind. Eine entsprechende feste Ladung in diesen Spalten ermöglicht die Speicherung und Übergabe von Ladungsträgern. Die Ladung kann in dem Spalt festgelegt sein oder gleichförmig über die Oberfläche der Baueinheit in dem Speichermedium oder in der Isolierschicht implantiert werden.
Die in einer Richtung erfolgende Übergabe wird durch einen Impulszug mit einer asymmetrischen Phasenbeziehung erzielt. Eine Umkehr der Phasenbeziehung kehrt die Richtwirkung der Ladung um.
Die Erfindung ist nachstehend anhand der Zeichnungen näher er-
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läutert. Es zeigen:
Pig. 1A - 1D ein Ausführungsbeispiel eines Teils einer ladungsgekoppelten Baueinheit nach der Erfindung zur Veranschaulichung der Bewegung von Ladung durch das Speichermedium in teilweise schematisierter Querschnittsdarstellung,
Fig. 2 die Aufgabe eines asymmetrischen Impulszuges auf jeden leitenden Weg der ladungsgekoppelten Baueinheit gemäß Fig. 1A 1D in Schaubilddarstellung,
Fig. 3 die Festladung in einer CCD gemäß Fig. 1A - 1D als Funktion des Oberflächenpotentials in Schaubilddarstellung,
Fig. 4 ein gegenüber Fig. 1A - 1D abgewandeltes Ausführungsbeispiel einer ladungsgekoppelten Baueinheit nach der Erfindung in teilweise schematisierter Querschnittsdarstellung.
Der Aufbau und die Betriebsweise der Erfindung ergibt sich in Verbindung mit Fig. 1A - 1D. Gemäß Fig. 1A umfaßt die dort veranschaulichte ladungsgekoppelte Baueinheit ein Ladungsspeichermedium 10, beispielsweise aus p-leitendem Silizium, eine Isolierschicht 11, beispielsweise aus Siliziumdioxid, welche eine Oberfläche des Mediums überdeckt, und eine Reihe von Metallelektroden 12a - n, 1$a - n, welche an der Isolierschicht angeordnet sind und im wesentlichen eine Reihe von MIS-Baueinheiten bilden. Jede andere Elektrode in der Anordnung ist mit einer von zwei Leitungen 14, 15 gekoppelt, welchen Zeitge'berpulse an Anschlüssen 14·', 15' zugeführt werden» Die Impulszüge, welche an den Leitungen 14·', 15' liegen, sind durch<2if>, bzw. φρ dargestellt. Die Elektrode 17 mit der kontaktierten n+ Zone 20 verursacht die Einführung von Minoritätsträgern in den Halbleiter, beispielsweise durch Anlegung eines richtigen Potentials. Die Minoritätsträger werden an dem anderen Ende der Reihe durch die Vereinigung einer örtlich festgelegten η Zone 18 und einer Elektrode 19 anzeigt, welche durch gewisse (nicht veranschaulichte) Elemente in Umkehrrichtung vorgespannt ist, so daß Minoritätsträger durch die
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p-n-Grenzfläche gesammelt werden und als ein Strom an dem Anschluß erscheinen. Die Elemente zur Injizierung und Anzeige der Minoritätsträger werden verändert und sind an sich bekannt, so daß sie keinen Bestandteil der vorliegenden Erfindung darstellen. Es sei jedoch vorliegend erwähnt, daß eines der Verfahren zur Zufuhr von Minoritätsträgern die Erzeugung von Lochelektronenpaaren durch Photonenabsorption umfaßt. Daher ist der vorliegend beschriebene Erfindungsgegenstahd zur Anwendung als Linien- oder Flächen-Bildwiedergabeeinrichtung geeignet.
Die Elektroden sind so angeordnet, daß sie Gruppen von zwei Elektroden bilden (beispielsweise Elektroden 12a, 13a), wobei jede Elektrode mit einer der Leitungen 14, 15 gekoppelt ist; hierbei trennt ein enger Spalt (von etwa 2-3 Mikron) die beiden Elektroden in einer Gruppe. Jede Gruppe ist jedoch durch einen breiten Spalt (etwa 10 Mikron) getrennt, welcher als Speicherspalt bezeichnet ist. In. den Halbleiter in dem Bereich der Speicherspalte sind Bereiche fester positiver Ladung implantiert, beispielsweise Bereiche 16a, 16b. Die Größe der Ladung ist so gewählt, daß ein Entleerungsbereich in dem Spalt von genügender Tiefe erzeugt wird, um Minoritätsträger (Elektronen) zu speichern, wenn beide Elektroden in einer Gruppe sich auf niedriger Gleichvorspannung befinden, um den Minoritätsträgern das Wandern durch den Spalt entsprechend der Potentialdifferenz benachbarter Elektroden zu ermöglichen. Dies ist nachfolgend in Einzelheiten näher erläutert;
Obgleich lediglich beispielsweise ein p-leitender Halbleiter veranschaulicht ist, versteht es sich, daß ein η-leitender Halbleiter oder ein halbisolierende3 Medium in gleicher Weise für die Zwecke der Erfindung anwendbar ist. Ein η-leitendes Material erfordert lediglich die Implantierung einer festen negativen Ladung in dem Spalt.
Im Betrieb der Baueinheit werden Impulszüge gemäß Fig. 2 zu Anschlüssen 14·, 15' geführt. Das wichtige Merkmal ist vorliegend die asymmetrische Phasenbeziehung zwischen den Impulsen, welche den beiden Anschlüssen zugeführt werden. Dies bedeutet*
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daß der den Elektroden 13a - η (ÜL) zugeführte Impuls den Impuls überlappen muß, welcher den Elektroden 12a - η (Ci) zugeführt wird; jedoch müssen die Elektroden 13a - η ausgetastet werden, bevor ein Puls wiederum an die Elektroden 12a - η gelegt wird. Dies ergibt eine Richtwirkung hinsichtlich der Ladungsströmung, wie sich dies aus Fig. 1A - 1D ergibt. Es sei darauf hingewiesen, daß bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel einiges Bestpotential V stets an die Elektroden gelegt wird, um die Oxid-Halbleiter-Zwischenfläche zu jedem Zeitpunkt entleert zu halten. Demgemäß ist ein impulsmäßig eingetasteter (oder vorgespannter) Zustand ein Bezugswert für einen Impuls, welcher an eine Elektrode gelegt ist, was zu einem Potential V führt, während ein impulsmäßig ausgetasteter (oder nicht vorgespannter) Zustand sich auf die Anlegung lediglich eines Eestpotentials (V ) bezieht.
Gemäß Fig. 1A wurde zum Zeitpunkt t = 0 ein Impuls auf die Leitung 14 gegeben, um die Elektroden 12a - 12n vorzuspannen. Dies ergibt eine Entleerungsbereichstiefe (schematisch durch gestrichelte Linien in dem Halbleiter angegeben), welche größer unter den Elektroden 12 als in dem Bereich unter den Elektroden 13 oder in dem Bereich des Speicherspaltes ist. Demgemäß sammeln sich durch C=) angegebene Minoritätsträger unter dies-en Elektroden. Die Entleerungsbereichstiefe entspricht dem Potential, welches an der Oxid/Halbleiter-Zwischenfläche gebildet wird. Daher werden mit anderen Worten Potentialmaxima unter den E."1 ktroden 12 gebildet, an welche jegliche überschüssigen Minoritätsträger in Form von Elektronen angezogen werden. Da der Entleerungsbereich unter der Elektrode 12a denjenigen unter de Elektrode 17 überlappt, werden Elektronen, welche in den Halbleiter injiziert wurden, auf den Bereich unter der Elektrode 12a übertragen.
Zum Zeitpunkt t = a werden gemäß Fig. 1B Impulse auf die Elekir1 ··- den 13 übertragen, während die Elektroden
12 impulsbeaufschlagt verbleiben. Dies gleicht der Entleenmgsbereichstiefe unter beiden Elektroden in einer Gruppe aus, wobei Ladung nach recfcrs zu driften beginnt.
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Die "umgekehrte Ladungsströmung, beispielsweise von dem Bereich unter der Elektrode 12a zu dem Bereich unter der Elektrode 13a? wird durch die Potentialschranke verhindert, welche durch den Bereich der festen Ladung in dem Speicherspalt geschaffen wird. Dies bedeutet, daß die Größe der festen Ladung derart ist, daß der Entleerungsbereich in den Speicherspalten flacher als unter den impulsbeaufschlagten Elektroden ist, so daß eine Übertragung zu den linken Elektroden 12 verhindert wird.
Venn die Elektroden 12 impulsmäßig abgeschaltet werden, strömt Ladung fortgesetzt in die Bereiche unter den Elektroden 13» bis der in Fig. 1C zum Zeitpunkt t = b dargestellte Pail erreicht wird. Hier werden die Elektroden 12 (bei Reatpotential . V) impulsmäßig ausgetastet und lediglich die Elektroden 13 impulsmäßig eingetastet. Die Ladungs-"Pakete" halten sich nunmehr in den Bereichen unter den Elektroden 13 auf«,
Als nächstes werden zum Zeitpunkt t = c die Elektroden 13 impulsmäßig ausgetastet, was zu dem Zustand gemäß Fig. 1D führt. Da das Potential unter den Elektroden 13 geringer als das in den Speicherspalten ist, werden die Elektroden zu den Spalten angezogen und dort gehalten. Die Übertragung von Elektronen nach links wird verhindert, da das Potential unter den nicht impulsbeaufschlagten Elektroden 12 geringer als dasjenige in den Spalten ist. Wenn die Elektroden 12 wiederum impulsmäßig eingetastet werden, setzt sich die Übertragung nach rechts fort, so daß Elektronen wiederum unter die Elektroden 12 gelangen, wobei die Elektronen durch eine volle Bitlänge bewegt wurden. Der Vorgang wird alsdann beliebig oftmals wiederholt.
Da keine Asymmetrie in den Elektroden vorliegt, kann die Richtung der Ladungsströmung umgekehrt werden, indem einfach die Impulsfolge umgekehrt wird, die den Leitungen 14, 15 zugeführt wird. Wenn daher der Impüszug fL dem Anschluß 15' und der Impulszv-s C>2 dem •A-nscnl-uß 14·1 zugeführt werden, bewegt sich Ladung in Blickrichtung von I1Xg. 1A - 1D nach links.
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Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1A - 1D ist der Bereich fester positiver Ladung als in dem Speicherspalt örtlich festgelegt veranschaulichtο Jedoch sind die vorliegend erläuterten Grundsätze in gleicher Weise auch dann anwendbar, wenn die Ladung gleichförmig .entlang der Zwischenfläche entweder in dem Oxid oder in dem Halbleiter eingeführt wird. Der Betrieb einer solchen Baueinheit ist im wesentlichen identisch, wobei der einzige Unterschied darin liegt, daß das den Metallelektroden zugeführte Potential eingestellt wird, um der überschüssigen Ladung unter den Elektroden Rechnung zu tragen. Daher sind bei der Übertragung von Ladung, in einer solchen Baueinheit die an die Elektroden gelegten Potentiale (V und V) geringer als diejenigen gemäß Fig» 2, um die überschüssige positive Ladung zu kompensieren.
Die Größe fester Ladungsdichte, welche in dem Spalt vorliegen muß, ist angenähert gleich der Dichte von Minoritätsträgern, welche in dem Spalt gespeichert v/erden, wenn beide Elektroden nicht vorgespannt sind und wenn kein Eestpotential angelegt ist (V = 0). Wenn irgendein Restpctential angelegt ist, wobei die Elektroden sich in einem impulsmäßig ausgetasteten Zustand befinden, muß die feste Zwischenflächen-Ladungsdichte in dem Spalt größer als die zu speicherende Ladung sein. Dies ergibt sich aus Fig« 3?.welche eine Darstellung der gesamten" festen Ladung-Q in einem p-leitenden Halbleiter und in dem Oxid als Funktion des Oberflächenpotentials V„ darstellt, nachdem irgendeine feste positive Ladung &Q der Zwischenfläche zugefügt wurde. Wenn die Elektroden sich auf einem Potential-V befinden, wird aine Menge negativer Ladung Q^ in dem Spalt gespeichert, um das Feld auf Null gehen zu lassen. Wenn angenommen wird, daß alle zugefügte Ladung (&Q) sich an der Oxid/Halbleiter-Zwischenfläche befindet, so ergibt sich unter Anwendung einer eindimensionalen Annäherung der Poisson'sehen Gleichung die zugefügte Ladung nach folgender Beziehung:
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Gleichung • r S c 2
OX 		f 2\Y2 2
Vs - St
?1εοχ
^- s
Hierbei bedeuten £ die Elektronenladung, Ή die Dichte der festen Ladung in dem Halbleiter (welche anders als die zugefügte Ladung ist), to die Dielektrizitätskonstante des Halbleiters und V„ das Oberflächenpotential in dem Spalt. V_ ergibt sich aus folgender
Hierbei bedeuten Vr das Restpotential, j die Dicke der Isolierschicht und £ox die Dielektrizitätskonstante der isolierschicht. Vmax, welches das maximale Oberflächenpotential darstellt, das in dem Spalt erscheinen kann, muß zwischen den Oberflächenpotentialen entsprechend V und V liegen, wie dies in Verbindung mit Pig. 1A - 1D aufgezeigt wurde. Aus der Gleichung (1) ergibt sich, wenn O=O gesetzt wird, daß V von der Dotierungsdichte N des Halbleiters entsprechend folgender Gleichung abhängt:
IV " ι . J»<B2 ,,,
I maxi 2qt~JN (3)
Hierbei wird angenommen, daß alle zugefügte Ladung an der Zwischenfläche vorliegt und daß die Dotierungsdichte des Halbleiters gleichförmig ist. Die Gleichungen (1), (2), (3) sind sowohl auf n- als auch auf p-leitendes Material anwendbar.
Praktisch beträgt die Minimaldichte von Minoritätsträgern, welche in dem Spalt gespeichert werden, um ein anzeigbares Signal zu erhalten, und damit die minimale zugefügte Ladungsdichte etwa 11 2
10 /cm . Die maximale Dichte der zugefügten Ladung, welche verwendet werden sollte, ergibt sich durch den Punkt,tei welchem das durch die Ladung erzeugte Feld einen iPunneleffekt der Minoritätsträger in dem Speichermedium von dem Valenzband zu dem Leitfähigkeitsband verursacht. Dies kann entsprechend dem verwendeten Medium nach bekannten Verfahren berechnet werden. Pur eine
12 Siliziumunterlage liegt ein praktisches Maximum bei etwa 5 x 10 /
- 10 -
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Die feste Ladung kann in die Baueinheit durch irgendeine Anzahl von in der Technik zur Verfugung stehenden Mitteln eingeführt werden, beispielsweise durch Ionenimplantierung oder Diffusionsverfahren.
Eine typische CCD mit einem p-leitenden Speichermedium sowie einer in das Medium in dem Speicherspalt implantierten positiven Ladung kann folgendermaßen angegeben werden:
N = 1016/cm3
J = 105. cm
- f = 1/3 χ 10"12 P/cm
£s. = 10-1^ P/cm
Speicherspaltbreite =10 Mikron Elektrodenbreite = 10 Mikron
vr = 27 Volt
Y^ = 17 Volt
= lo'vcnr
Qm/Q = 6,5 x 1011/cm2
Vmax - 8 Volt
Wenn in einer solchen Baueinheit die positive Ladung ( Q) gleichförmig über die Zwischenfläche vorlag, wurden die Antriebspotentiale Vr = -2,3 Volt und V = 12 Volt betragen.
Die Ladung in dem Spalt braucht nicht physikalisch in dir Bau einheit eingeführt zu werden, wenn genügende Ladung von tönern Vorzeichen entgegengesetzt zu der festen Ladung in dem SpT-ichermedium vorliegt, die auf natürlichem Weg in der Isolierschicht vorliegt. Beispielsweise besitzt thermisch gewachsenes Siliziumdioxid natürlicherweise eine positive Ladungs-
10 11 P
dichte im Bereich von 4 χ 10 bis 6 χ 10 /cm ; daher kann ein p-leitendes Silizium-Speichermedium mit richtig festgelegter negativer Ladung hiermit vereinigt werden, um das richtige Potential in dem Speicherspalt zu erhalten. Eine solche CCD kann in folgender Weise ausgelegt sein:
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ÄQ/q (natürlicherweise im Oxid vorliegend) = 4x 10 /cm
K= 1O15/cm3
S = 10"5 cm ·
tox = 1/3 x 1012 F/cm
ts = 10 ld P/cm
Vr =-Ö,4 Volt
V = 16 Volt
Qm/q = 2,9x10' '/cm
Es sind auch verschiedene andere Abwandlungen des Gebildes gemäß Fig. 1A - 1D mögliche Beispielsweise kann eine überlappende Elektrodenanordnung entsprechend beispielsweise derjenigen von Fig» 4 aufgebaut werden. Jede Elektrode in der Gruppe ist aus einem unterschiedlichen Metallisierungsniveau gebildet, wobei die Elektroden durch eine zusätzliche Isolierschicht 21 getrennt werden«, Der Vorteil dieses Ausführungsbeispiels liegt darin, daß kein Ätzgrundierungs- oder Abdeckschritt erforderlich ist, um die Ladung in die Speicherspalte zu implantieren. Dies ergibt sich daraus, weil die Ionen in das Speichermedium 10 oder die Isolierschicht 11 lediglich in den Bereichen eindringen, die nicht durch eine Elektrode abgedeckt sind, wobei die Grenzflächen der implantierten Bereiche 16a, 16b festgelegt werden. Das Gebilde vermeidet auch den kleineren Spalt, welcher die Übergabe stören könnte.
Die Gebilde gemäß Fig. 1A - 1D und gemäß Fig. 4- können auch mit einer sehr kurzen Bitlänge ausgebildet werden, da dort keine Asymmetrie in dem Gebilde und damit weniger Merkmale pro Bitlänge vorliegen, um Übereinstimmungsschwierigkeiten hervorzurufen.
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Claims (9)

  1. ΛJ Ladungsgekoppelte Baueinheit mit einem Ladungsspeichermedium, einer Isolierschicht, die zumindest einen Teil einer Fläche des Mediums überdeckt, einer Reihe von Metallelektroden in Anordnung auf der Isolierschicht, Elementen zur aufeinanderfolgenden Vorspannung der Reihe von Elektroden mit zwei Leitungen, die jeweils mi"t irgendeiner anderen Elektrode in der Reihe verbunden sind, um Ladungsträger in dem Speichermedium in einer Richtung im wesentlichen parallel zu der Fläche zu bewegen, dadurch gekennzeichnet, daß jede Gruppe von zwei Elektroden, die mit den Leitungen verbunden ist, durch einen Speicherspalt getrennt ist, welcher einen Bereich fester Ladung (16a, 16b) von einer Polung entgegengesetzt derjenigen der festen Ladung in dem Speichermedium sowie von genügender Größe umfaßt, um Ladungsträger in dem Spalt zu speichern und den Übergang von Ladungsträgern in einer gewünschten Richtung bei Anlegung einer geeigneten Vorspannung an die Elektroden in der Gruppe zu ermöglichen»
  2. 2. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elemente zur aufeinanderfolgenden Vorspannung der Reihe von Elektroden Mittel (14', 15') zur Aufgabe von Impulsen auf jede der Leitungen umfassen, so daß die Impulse an den Leitungen sich während eines Teiles der Impulse überlappen.
  3. 3. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Bereich (16a, 16b) fester Ladung in dem Speichermedium (10) gelegen ist,
  4. 4. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dar Bereich fester Ladung in der Isolierschicht gelegen ist.
  5. 5. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Bereich foster Ladung im wesentlichen auf den Bereich des Speicherspaltes begrenzt ist. ^, _
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  6. 6. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Bereich fester Ladung über im wesentlichen den gesamten Bereich der Speichermedium-Isolator-Zwischenflache verläuft.
  7. 7. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
    die minimale Ladungsdichte des Bereiches fester Ladung -
    ΊΊ P
    10 /cm beträgt.
  8. 8. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (12a,' 13a, Fig. 4) in jeder Gruppe sich teilweise überlappen, wobei eine zweite Isolierschicht (21) zwischen den Elektroden an den Punkten der Überlappung liegt.
  9. 9. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Richtung der Ladungsübertragung durch die Phasenbeziehung der Impulse bestimmt ist, welche auf die Elektroden giegt sindρ
    10Q Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Träger in dem Spalt gespeichert sind, wenn sich die Elektroden auf niedriger Vorspannung befinden.
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