DE2250140C2 - Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung - Google Patents

Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung

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DE2250140C2 DE2250140A DE2250140A DE2250140C2 DE 2250140 C2 DE2250140 C2 DE 2250140C2 DE 2250140 A DE2250140 A DE 2250140A DE 2250140 A DE2250140 A DE 2250140A DE 2250140 C2 DE2250140 C2 DE 2250140C2
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Description

Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung zur Übertragung und Speicherung von Ladungen in einem Halbleiterkörper entlang eines zwischen einem La dungsinjektor und einem Ladungsdetektor vorgesehenen Ladungsweges unter Einwirkung eines elektrischen Feldes, enthaltend im wesentlichen eine dreischichtige Struktur, nämlich einen Halbleiterkörper mit örtlicher Zusatzdotierung im Bereich iss vorgesehenen Ladungsweges, eine den Halbleiterkörper bedeckende Isolierschicht sowie eine darauf angeordnete Elektrodenmetallisierung.
In jüngster Zeit sind Halbleiteranordnungen bekanntgeworden, die im wesentlichen ohne feste PN-Göergänge auskommen. Dabei wird die Eigenschaft eines einkristallinen Halbleitermaterials ausgenutzt, im Zusammenwirken mit entsprechenden Elektroden auf einer den Halbleiterkörper bedeckenden Isolierschicht Ladungen bzw. Ladungsträgeransammlungen an der Oberfläche des Halbleiterkörper zu speichern bzw. zu transportieren. Diese übergangslosen Halbleiteranord-Yiungen werden als ladungsgekoppelte Elemente (charge coupled devices) bezeichnet
Eine bekanntgewordene derartige Anordnung arbeitet grundsätzlich wie folgt: Durch das Anlegen von drei phasenverschobenen Spannungen an die auf der Isolierschicht über dem Halbleiterkörper verlaufenden Elektroden werden innerhalb des Halbleiterkörpers drei verschiedene, räumlich abgegrenzte Verarmungsgebiete mit entsprechend verschiedenen Feldstärken erzeugt, in diese Verarmungsgebiete injizierte frei bewegliche Ladungen werden unter dem Einfluß der besonderen elektrischen Feldverteilung durch den Halbleiterkörper transportiert Durch die jeweilige Wahl und zeitliche Steuerung der Elektrodenspannungen können die Ladungen im Halbleiterkörper bewegt gespeichert oder in bestimmter Weise verzögert werden (Electronics vom 30. März 1970, Seiten 45 und 46; Electronics vom I.Mai 1970. Seiten 112-118). Weiterhin sind Feldeffekt-Transistorstrukturen bekanntgeworden, bei denen im Bereich der Kanalzone verschieden leitfähige Bereiche im Halbleiterkörper bzw. ungleichmäßige Gate-Isolierschichten vorgeschlagen werden (US-Patente 33 74 406; nd 33 74 407). Diese Strukturen betreffen jedoch ausschließlich Feldeffekttransistoren mit den dafür typ-svhen Eigenschaf'en einer Transistorverstärkung und dienen zur Verbesserung der Verstärkungs- bzw. Frequciizeigenschaften. Die genannten Maßnahmen werden im übrigen im Gegensatz zur Erfindung lateral, d. h. quer zur Kanalstromrichtung ergriffen, so daß sich ein ladungsgekoppelten Elementen vergleichbarer Effekt gar nicht einstellt. Schließlich betrifft auch die US-Patentschrift 34 30 112 eine ausgesprochene Feldeffekt-Transistor-Struktur, bei der der Kanalbereich unterschiedliche spezifische Widerstände aufweist, wodurch bessere Schalteigenschaften und insbesondere eine verbesserte der Vakuumtriode entsprechende Betriebsweise ermöglicht wird.
In der älteres Recht darstellenden DE-PS 22 01 395 ist eine ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1 beschrieben. Diese Halb leiteranordnung erfordert einen Zwei-Phasenbetrieb, d. h.. eine abwechselnde, zeitlich nacheinander erfolgende und damit unterschiedliche elektrische Beaufschla gung der verwendeten Elektrodenreihen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Angabe einer verbesserten ladungsgekoppelten Halbleiteranordnung, insbesondere für die Verwendung als Verzögerungseinrichtung bzw. als Schieberegisteranordnung. Dabei soll insbesondere den Gesichtspunkten eines einfachen, möglichst einphasigen Betriebes sowie einer
unkomplizierten Herstellbarkeit, d. h. aer Vermeidung von abgestuften Isolierschichten, Rechnung getragen werden.
Die Lösung dieser Aufgabe ist im Anspruch I gekennzeichnet
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen niedergelegt
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Zuhilfenahme der Zeichnungen näher erlS'jtert Es zeigt
F i g. 1 ein erstes Ausfühningsbeispiel der Erfindung in Form einer Verzögerungsleitung;
Fig.2 und 3 idealisierte Schnittbilddarstellungen eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung in Form eines Schieberegisters, wobei verschiedene Betriebszustände dargestellt sind und
Fig.4 den zeitlichen Verlauf der Elektrodenspannung für die Anordnung nach den F i g. 2 und 3.
Bei der in F i g. 1 dargestellten Anordnung ist ein einkristalliner Halbleiterkörper 10 zu erkennen, der z. B. aus P-Ieitendem Silicium mit einer vorzugsweisen Dotierungskonzentration von etwa 4 · lO'Vcrn' und einem spezifischen Widerstand von ungefähr 400 Ohm · cm besteht Es ist festzustellen, daß im Rahmen dieser Erfindung in gleicher Weise auch N-leitendes Halbleitermaterial Verwendung Finden kann.
Auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers 10 ist eine Isolierschicht 11. z. B. aus Siliciumdioxid, mit einer Dicke von etwa 5000 Λ angeordnet. Die Bildung einer selchen Isolierschicht kann mittels bekannter Oxidationstechniken, ζ. Β. thermischer Oxidation, pyrolytischem Niederschlagen oder Hochfrequenz-Sputtern erfolgen. Im Anschluß an die Bildung der Isolierschicht 11 wird mittels bekannter Maskier- und Ätztechniken in der Isolierschicht 11 eine Öffnung 12 vorgesehen.
Im Halbleiterkörper 10 ist des weiteren ein Ladungsinjektor 15 in der Nähe des einen Endes der öffnung 12 sowie ein Ladungsdetektor 16 in der Nähe des anderen Endes der öffnung 12 ausgebildet Unterhalb der öffnung 12 wird im Halbleiterkörper 10 ein Dotierungsbereich 17 geschaffen. Dieser Dotierungsbereich 17 weist denselben Leitfähigkeiirtyp auf wie der übrige Halbleiterkörper to. jedoch ist seine Dotierungskonzentration demgegenüber sehr stark unterschiedlich gewählt Allgemein wird der Dotierungsbereich 57 so ausgelegt, daß er eir. Dotierungsgefälle aufweist, nämlich an dem einen Ende 17a eine Dotierungskonzentration von IOl8/cm} und an dem entgegengesetzten Ende 176 eine Dotierungskonzentration von lO'Vcm3. Demzufolge weist der Dotierungsbereich 17 an dem Ende 17a einen spezifischen Widerstand w/n 0.06 Ohm · cm auf und am Ende 176 einen entsprechenden Wert von 1,5Ohmcm. Im Zwischenbereich nimmt die Dotierungsverteilung entsprechend zu.
Eine Möglichkeit zur Ausbildung eines Konzentrationsgefälles im Dotierungsbereich 17 besteht in der Anwendung der an sich bekannten lonen-lmplantationstechnik. Die Eindringtiefe der Ionen in den Halbleiterkörper an seinen unmaskierten Stellen ist abhängig von der Strahlenergie, der kristallographischen Orientierung des Halbleiterkörpers, der Dicke einer evtl. die Oberfläche des Halbleiterkörpers bedeckenden Oxidschicht sowie der Ionen-Konzentration im jeweils implantierten Dotierungsbereich. Auch die Konzentration der implantierten Ionen im Halbleiterkörper ist ihrerseits ei.-,ί Funktion der Strahlener gie sowie der etwaigen Zwischenschichten und darüber hinaus abhängig von der Zeitdauer, während der der lonen-Besch'iß des Halbleitermaterials andauert Durch entsprechende Steuerung dieser Parameter kann jeder gewünschte Ionen-Gradient in einem abgegrenzten Bereich implantiert werden. Da die Ionen außerordentlich gerichtet in das Material eindringen, weisen die derart implantierten Bereiche relativ scharfe Kanten auf und können mit der jeweils gewünschten Konzentrationsverteilung und Tiefe hergestellt werden.
Allgemein ergibt sich bei einem Ionen-Beschuß mit einer bestimmten Energie eine Konzentrationsverteilung in Abhängigkeit von der Eindringtiefe in Form einer Gaußschen Normalverteilung. Durch Veränderung der obengenannten Parameter, z. B. der Kristall orientierung, der Strahlenergie etc. können Implantationskonzentrationen abweichend von der Gaußschen Normalverteilung erzielt werden, und somit auch die obenangegebene Konzentrationsverteilung von 10l8/cm3 am Bereichsende 17a bis auf 10l6/cm3 am Bereichsende Mb.
im Anschluß an die Bildung des Dotier ngsgebieies 17 mit der gewünschten Dotierungskonzentration wird der Halbleiterkörper 10 mit einer neuen Oxidschicht 18 bedeckt die auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers im Berekh der Öffnung 12 aufgewachsen wird. Vorzugsweise wird diese Isolierschicht 18 mittels konventioneller thermischer Oxidationstechnik bis zu einer Dicke von ungefähr 500 Ä erzeugt Diese thermische Aufwachstechnik ist vorzuziehen, da der damit verbundene Wärmeprozeß gleichzeitig zur Temperung des implantierten Dotierungsbereichs 17 dient Dieser Temperschritt bewirkt daß die implantierten Ionen im Bereich 17 von den Zwischengitterplätzen, in die sie durch die Ionen-Implantation eingebaut werden, in solche Positionen wandern, wo sie aktiv den spezifischen Widerstand des Dotierungsbereichs beeinflussen. Durch den Temperschritt werden weiterhin die durch die Ionen-Implantation etwaig bewirkten Kri-4^ Stallstörungen wieder beseitigt. Im Anschluß an die Bildung der Oxidschicht 18 wird im Bereich der öffnung 12 auf Jie Oberfläche der Oxidschicht 18 eine leitfähige Elektrode 20 niedergeschlagen. Die Elektrode 20 besteht vorzugsweise aus Aluminium und weist eine Dicke von mehr als 2000 Ä auf. Daran anschließend wird der Halbleiterkörper 10 mit einem elektrischen Kontakt 21 versehen.
Die in Fig. 1 dargestellte Anordnung ist besonders
geeignet zur Verwendung als Halbleiterverzögerungs-
leitung. Im Falle eines solchen Betriebs wird die
Elektrode 20 auf Massepotential gehalten und das Substrat des Halbleiterkörpers 10 wird mittels einer
negativen Spannung von etwa 10 Volt am Anschluß 21 vorgespa-rt. Aufgrund dieser Vorspannung des HaIb-
leiterkörpers 10 bildet sich eine Verarmungszone 23 im
Halbleiterkörper unte.-halb des Dotierungsbeieichs 17. Der Dotierungsbereich 17 ist als schräg verlaufender Bereich dargestellt, wobei am Ende 17a die höhere Dotierungskonzentration besteht. Infolge dieser hohen Dotierungskonzentrai.on erstreckt sich das Gebiet 17
im Bereich 17a tiefer in den Halbleiterkörper hinein als es am anderen Ende 176 mit der niedrigeren
Konzentration der Fall ist. Die Grenzkurve des Verarmungsbereichs 23 folgt jedoch nicht der Begren-
bD zungslinie des Dotierungsbereichs 17, sondern sie verläuft im wesentlichen parallel zur Oberfläche des
Halbleiterkörper 10. Diese Tatsache ist bedingt durch
den Dotieruneseradienten entlane des Dniipriincrsup-
biets 17. wodurch der spezifische Widerstand dieses Bereichs ebenfalls einen Gradienten aufweist. Dadurch wird unterhalb des Dotierungsbereichs 17 andererseits ein unterschiedlicher Spannungsabfall verursacht. Dieser unterschiedliche Spannungsabfall bzw. die demzu- ~> folge unterschiedliche Feldstärke rührt daher, daß die Spannung im Bereich eines niedrigeren spezifischen Widerstandes, nämlich am Ende 17fl, kleiner ist als im Bereich 176 als dem Gebiet höheren spezifischen Widerstandes; im Halbleiterkörper besteht demnach am |n Erde 17a ein geringeres elektrisches Feld als am Ende 176.
Aufgrund der Tatsache, daß die größte Potentialdifferenz zwischen der Vorspannung des Halbleiterkörpers 10 im Verarmungsbereich 23 in iinem Endbereich 176 ι'> mit einer Dotierungskonzentration von lO'Vcm3 besteht, werden die durch den Injektor 15 in der Nähe des Bereiches 17a injizierten Elektronen die Verarmungszone am Ende 17a betreten und unter dem Einfluß des in aer Verarmungszone 23 bestehenden elektrischen -"" Feldes zum anderen Ende 17f> wandern. Die Zeitdauer, welche die Elektronen zur Durchquerung des Gradientenbereiches 17 benötigen, hängt ab von der Länge des Bereiches 17 und der Intensität des angelegten elektrischen Feldes. Die nachstehende Tabelle führt die -> verschiedenen Verzögerungszeiten in Abhängigkeit von verschiedenen Längen des Bereiches 17 auf, wobei der Bereich 17 einen Konzentrationsgradienten von IOl6/cmJauf IO18/cm3aufweist.
Verzögerung in
Länge Bereich 17
in u
Elektr. Feld in V/cm
0.1 21 56
1 60 17,5
10 210 5,6
Die in F i g. 1 dargestellte Anordnung ist damit in vorteilhafter Weise als Verzögerungsleitung verwend- -in bar.
Anhand der F i g. 2. 3 und 4 soll im folgenden die Erfindung an einem Halbleiterschieberegister erläutert werden. In den F i g. 2 und 3 ist eine im wesentlichen mit der Anordnung in Fig. 1 gleiche Halbleiteranordnung 4; dargeste!!.. Der Halbleiterkörper 10.1 besteht aus P-Ieitendem Silicium mit einer Störstellenkonzentration von etwa 4 · lO'Vcm* bzw. einem spezifischen Widerstand von etwa 400 Ohm -cm und ist auf seiner Oberfläche mit einer Isolierschicht 11.1. z.B. aus ">" Siliciumdioxid, mit einer Dicke von etwa 5000 λ bedeckt. In dieser Isolierschicht 11.1 ist wiederum mittels bekannter Techniken eine Öffnung 12.1 hergestellt, durch die mittels Ionenbeschuß im Halbleiterkörper 10.1 ein bezüglich seines spezifischen Widerstandes unterschiedliches Dotierungsgebiet 17.1 gebildet isL Das Dotierungsgebiet 17.1 weist wiederum einen Konzentrationsgradienten auf, derart, daß am Ende 17.1a eine Konzentration von etwa lO'Vcm3 entsprechend einem spezifischen Widerstand von to 0.06 Ohm - cm und am entgegengesetzten Ende 17.16 eine Konzentration von 10I6/cm3 entsprechend einem spezifischen Widerstand von l,5Ohm-cm besteht, wobei der Zwischenbereich ein entsprechendes Konzentrationsgefälle aufweist. In dieser Anordnung sind ^ weiterhin ein Injektor 15.1 sowie ein Detektor 16.1 vorgesehen. Über dem Dotierungsbereich 17.1 ist dann wieder eine neue Oxidschicht 18.1 mit einer Stärke von etwa 500 Ä aufgewachsen.
Bei den Anordnungen nach F i g. 2 und 3 ist im Gegensatz zu der Anordnung nach F i g. I die Einzelelektrode 20 durch mehrere Elektrodenstreifen 20.1 über dem Dotierungsbereich 17.1 ersetzt. Diese Elektrodenstreit>n 20.1 sind ungefähr 5000 Ä dick. 5 μ breit und gegeneinander durch einen Abstand von etwa 3-5 μ getrennt. Alle Elektrodenstreifen 20.1 sind elektrisch miteinander verbunden. Wird eine negative Vorspannung von ungefähr 10 Volt an das Substrat 10.1 über den Anschluß 21.1 angelegt, bildet sich unterhalb des Dotierungsbereichs 17.1 eine Verarmungszone 23.1. Da in diesem Fülle die Elektrodenstreifen 20.1 gegenseitige Abstände aufweisen, nimmt die Verarmungszone eine abgestufte Form an, wobei eine Potentialmulde in Form einer Absenkung 25 unter jedem Elektrodenstreifen 20.1 auftritt. Die Tiefenerstreckung dieser Potentialmulden 25 kann, wie in F i g. 3 dargestellt ist, durch Anlegen eines einzelnen Taktimpuises 26 (Fig. 4) an die Eiekituucimfciicfi 2G.S erheblich geändert werden.
Durch entsprechende Vorspannung des Injektors 15.1 werden Minoritätsladungsträger, in diesem Falle durch die Striche 30 angedeutete Elektronen, in die Verarmungszone 23.1 injiziert, wo sie aufgrund der elektrischen Feldverhältnisse vom Gebiet 17.1a zum anderen Ende 17 \b wandern, um dort mittels des Detektors 16.1 abgefühlt werden zu können. Da die Potentialnnilden 25 unterhalb tier Verarmungszone 23.1 auftreten, können sie dazu dienen, eine begrenzte Menge von anfänglich injizierten Ladungsträgern aufzufangen. Wenn jedoch die Potentialmulden 25. wie in F i g. 2 dargestellt, einmal gefüllt sind, haben sie keinen weiteren Einfluß mehr, bis diese Potentialmulden in ihrer Ausdehnung verstärkt werden, was anhand der F i g. 3 und 4 dargestellt ist. Das Auffüllen der Potentialmulden 25 wird bewirkt, indem man eine ausreichende Menge Ladungen in die Verarmungszone 23.1 injiziert und ihnen erlaubt, durch die Verarmungszone zu wandern. Auf ihrer Wanderung durch die Verarmungszone werden die Ladungen die Potentialmulden 25 an der Unterseite des Verarmungsgebietes unterhalb der Elektroden auffüllen und dort verbleiben. Wenn diese Potentialmulden 25 einmal gefüllt sind, wetden weitere im Bereich 17.1a in die Verarmungszone 23.1 injizierte Ladungen unter dem Einfluß des Feldes in der Verarmungszone 23.1 ohne Verlust vom Ende 17.la des Bereichs 17.1 zum anderen Ende 17.1£> wandern. Infolge einer räumlichen Ausweitung dieser Ladungsanhäufungen werden die Ladungen jedoch beginnen, sich über die Verarmungszone 23.1 zu verteilen, wodurch die zur Informationswiederermittlung benötigte Zeit zunimmt und sich die Abgrenzung zwischen den Ladungspaketen verwischt.
Erfindungsgemäß wird dieses Problem gelöst, indem zum Zeitpunkt TA (Fig.4) beim Beginn einer Ladungsausweitung ein positiver Einphasenimpuls 26 von etwa 10 Volt an die Elektroden 20.1 angelegt wird. Durch das Anlegen des Impulses 26 an die Elektroden 20.1 werden die Potentialmulden 25 merklich abgesenkt. Infolgedessen werden die Ladungen auf ihrer Wanderung in der nächstfolgenden Potentialmulde 25 eingefangen, d. h. die Ladungen werden dort wieder gesammelt Auf diese Weise wird ein vorher räumlich verstreutes Ladungspaket im Sinne einer erneuten Verdichtung umgruppiert
Zum Zeitpunkt T-2 kehrt der Impuls 26 auf Massepotential zurück und die Potentialmulde 25 nimmt wieder ihren Normalstatus, wie in F i g. 2 dargestellt ein.
Die zuvor angehäuften Ladungen werden nun von der verringerten Potentialmulde wieder in einzelnen Gruppen abgegeben. Sie nehmen sodann ihre Wanderung in Richtung auf das Ende 17.16 des Bereichs 17.1 in derselben Form wieder auf. in der sie diese begonnen hatten. Zum Zeitpunkt Γ-3 soll angenommen werden, daß sich die Ladungen erneut räumlich ausgeweitet haben, worauf wiederum ein Impuls 26 zur Absenkung der Pot«:.tialmulden 25 an die Elektroden angelegt wird und die Ladungen wieder zusammengefaßt werden. Dieses wiederholte Anlegen eines Spannungsimpulses an die Elektroden 20.1 bewirkt eine zeitlich begrenzte Absenkung der Potentialmulden 25 und damit ein Zusammenfassen der unter Umständen verstreuten Ladungen, so daß auf diese Weise die Ladungen in bestimmbarer und steuerbarer Weise durch den Halbleiterkörper transportiert werden können.
Trifft man die Annahme, daß die Anwesenheit einer solchen l.adungsanhäufung eine binäre I und entsprechend die Abwesenheit eine binäre ϋ repräsentieren soii, ist unschwer zu ersehen, daß eine solche beschriebene Anordnung als Schieberegister und, falls gewünscht, allgemein als Speicheranordnung Verwendung finden kann. Ausgehend von den beschriebenen Ausführungsbeispielen kann weiter vorgesehen werden, daß die in der beschriebenen Weise transportierten Ladungen auch z. B. mäanderförmig, d.h. in parallelen Zeilen mit entgegengesetzter Ladungstransportrichtung bei einer entsprechenden Übereckverbindung benachbarter Zeilen durch einen Halbleiterkörper geleitet werden können.
Mit der Erfindung sind eine Anzahl von besonderen Vorteilen erzielbar. Insbesondere beim Betrieb als Schieberegister ist festzustellen, daß lediglich ein einzelner Taktimpuls erforderlich ist, um den Informationsfluß in Bitform durch die Registerslellen zu ermöglichen. Weiterhin ist gewährleistet, daß die am Ausgang empfangene Information mit der am Eingang auftretenden identisch ist. Schließlich läßt sich das erfindungsgemäße Schieberegister beträchtlich einfacher herstellen als bisher bekanntgewordene nach dem Ladungskopplungsprinzip arbeitende Schieberegister, da lediglich ein einzelner Taktimpuls sowie eine gleichmäßig;* isolierschicht über dem Ladungsweg erforderlich ist. Dieselben Vorteile bieten sich auch bei der Verwendung als Verzögerungsleitung, wozu noch der weite Bereich von exakten vorherbestimmbaren Verzögerungszeiten hinzukommt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung zur Übertragung und Speicherung von Ladungen in einem Halbleiterkörper entlang eines zwischen einem Ladungsinjektor und einem Ladungsdetektor vorgesehenen Ladungsweges unter Einwirkung eines elektrischen Feldes, enthaltend im wesentlichen eine dreischichtige Struktur, nämlich einen Halbleiterkörper mit örtlicher Zusatzdotierung im ι ο Bereich des vorgesehenen Ladungsweges, eine den Halbleiterkörper bedeckende Isolierschicht sowie eine darauf angeordnete Elektrodenmetallisierung, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich des vorgesehenen Ladungsweges (17a nach 176 bzw. 17.1a nach 17.1 ty zwischen Ladungsinjektor (15; 15.1) nach Ladungsdetektor (16; 16.1) lediglich ein zusammenhängendes Zusatzdotierungsgebiet (17; 17.1) mit einem kontinuierlich in der Übertragungsrichtung abnehmenden Konzentrationsgefälle an- geordnet ύ>. und daß an die Elektrodenmetallisietung (20; 20.1) über der das Zusatzdotierangsgebiet bedeckenden Isolierschicht sowie an den Halbleiterkörper (10; 10.1) im Bereich außerhalb des Zusatzdotierungsgebiets eine ein zusammenhängendes Verarmungsgebiet (23; 23.1) erzeugende Span-■ungsquelle angeschlossen ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenmetallisierung (20) als susammenhängende Fläche ausgebildet ist
3. Anordnung nach den Ansprüchen 1 oder 2. dadurch gel- Einzeichnet, daß das Dotierungsgebiet (17; 17.1) ein kontinuierliches Konzentrationsgefälle von 10l8/cm3auf lO'Vcm* aufweist
4. Anordnung nach de.fi Ansprüchen 1 oder 3. dadurch gekennzeichnet, daß du Elektrodenmetallilierung über dem im Halbleiterkörper (10.1) ausgebildeten Zusatzdotierungsbereich (17.1) aus mehreren räumlich nebeneinander angeordneten gegenseitig beabstandeten Elektrodenstreifen (20.1) besteht, die elektrisch miteinander verbunden sind •nd bei der spannungsmäßigen Beaufschlagung ein Verarmungsgebiet (23.1) ergeben, dessen untere Randlinie entsprechend den einzelnen Metaliisierungsstreifen (20.1) räumlich begrenzte und bezug- ich ihrer Tiefenerstreckung steuerbare Absenkungen, d. h. Potentialmulden (25), bilden.
5. Anordnung nach Anspruch 4. dadurch gekennzeichnet, daß zur räumlichen Konzentration der gerade im Halbleiterkörper transportierten Ladungen (30) die diskreten Potentialmulden (25) durch an die Elektrodenstreifen (20.1) angelegte Spannungsimpulse (26) absenkbar und zur anschließenden Abgabe der so verdichteten Ladungspakete wieder anhebbar sind.
6. Anordnung nach mindestens einem der Ansprüche I bis J. gekennzeichnet durch ihre Verwendung als Verzögerungseinrichtung.
7. Anordnung mindestens nach den Ansprüchen 4 Oder 5. gekennzeichnet durch ihre Verwendung als Schieberegister
DE2250140A 1971-11-10 1972-10-13 Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung Expired DE2250140C2 (de)

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