DE2426531C3 - Halbleiterbauelement zur Ladungsübertragung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft sin Halbleiterbauelement zur Ladungsübertragung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

In Halbleiterbauelementen zur Ladungsübertragung werden Mengen von Ladungen in lokalisierten Bereichen eines Halbleitersubstrats gespeichert und die gespeicherte Ladung systematisch von '.inem Bereich zum anderen übertragen. Ein typisches Halbleiterbauelement zur Ladungsübertragung besteht aus einer Anordnung von Metallelektroden, die auf einer dielektrischen Schicht aufgebracht sind, welche selbst auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Das Bauelement speichert Minoritätsträger in dem Halbleitersubstrat in lokalisierten Bereichen unter bestimmten Metallelektroden. Bei einer Art solcher Bauelemente (»interphase device«) wird die Ladung an der Grenzfläche zwischen dem Oxyd und dem Halbleitersubstrat gespeichert. Bei einem anderen Typ eines Bauelementes (»bulk device«) wird die gespeicherte Ladung stattdessen in dem Halbleitersubstrat in einem Abstand unterhalb der Oxyd/Halbleitergrenzfläche verteilt. In beiden Fällen wird die Ladung lokalisiert, indem äußere Spannungen an die Elektroden angelegt werden und Potentialmulden unter den Elektroden erzeugt werden. Durch geeignete Variation der Spannungen auf den verschiedenen Elektroden können die Potentialmulden von einer Elektrode zur nächsten bewegt werden, wodurch eine Übertragung der gespeicherten Ladung von einem Bereich zum anderen induziert wird.

ίο Eine mögliche Anwendung derartiger Bauelemente zur Ladungsübertragung liegt im Bereich der Bildabtastung: Minoritätsträger werden in dem Halbleitersubstrat aufgrund des einfallenden Lichtes erzeugt, und die somit erzeugte Ladung wird unter den Elektroden gesammelt und zu einem Detektor übertragen. Ein anderer möglicher Anwendungsbereich liegt in der Verwendung eines solchen Bauelementes als elektronische Verzögerungsleitung. Ein weiterer Anwendungsbereich liegt in der Benutzung im Schieberegisterbe- trieb, um einen Halbleiterrechenspeicher zu bilden. Jede Menge gespeicherter Ladungen und deren Fehlen stellt ein Bit an Information dar.

Bei allen diesen Anwendungen, und insbesondere bei der Verwendung als Rechenspeicher, ist es wichtig, daß der Wirkungsgrad der Ladungsübertragung sehr hoch ist. Wenn Ladung von dem Bereich unter einer Elektrode an den Bereich unter einer benachbarten Elektrode übertragen wird, soll ein sehr großer Anteil (beispielsweise 993%) der Ladung mit übertragen werden. Andererseits wird die zurückgelassene Ladung von der das übertragene Informationsbit bildende Ladung abgezogen und zu der das nächst angrenzende Bit bildende Ladung hinzugefügt. Nach einer großen Anzahl von Übertragungen ist die Information in beiden

^J5 Bits im wesentlichen vernictn-u.

Eine der bekannten Möglichkeiten, mit denen eine wirksame Übertragung von Ladung erreicht werden kann, besteht darin, daß ein dreiphasiges Bauelement verwendet wird, in welchem jede dritte Elektrode

•to gemeinsam angeschlossen ist. Um Ladung zu übertragen, werden den Elektroden äußere Spannungen zugeführt, so daß eine tiefe Potentialmulde unter jeder dritten Elektrode erzeugt wird. Die Minoritätsladungsträger in dem Halbleitersubstrat werden eingefangen und zeitweilig in diesen Bereichen gespeichert. Um eine Übertragung der Ladung zu bewirken, werden den Elektroden in drei zeitlich versetzten Abschnitten äußere Spannungen zugeführt, so daß eine andere tiefere Polcntialmulde unter den Elektroden nahe einer Seite dieser Elektroden erzeugt wird, unter welcher die Ladung laufend gespeichert sein kann.

Unter dem Einfluß dieser tieferen Potentialmulde wird die unter den speziellen Elektroden gespeicherte Ladung an die Bereiche unterhalb der vorgenannten angrenzenden Elektroden übertragen. Zu diesem Zeitpunkt bewirkt die »Dreiphasenspannung«, daß eine sehr flache Potentialmulde unter den Elektroden neben der anderen Seite gegenüber jenen Elektroden gebildet wird, unter denen die Ladung, falls überhaupt, ursprünglich gespeichert war. Dieses Potential dient als Sperrschicht, durch welche ein Rückwandern der Ladung verhindert wird. Daher dient die Dreiphasenanordnung dazu, eine Richtwirkung bei der Ladungsübertragung zu erreichen.

Es ist jedoch häufig erstrebenswert, die Richtwirkung der Ladungsübertragung ohne die aufwendigen Maßnahmen zu erreichen, die ein Dreiphasensystem mit sich bringt. Dieses ist gemäß dem Stande der Technik

erreicht worden, indem ein Zwejphasensystem verwendet wurde, bei dem die äußeren Spannungen den Elektroden in zwei Zeitabschnitten jeder Elektrode zugeführt wurden. Die Richtwirkung bei der Ladungsübertragung wird erreicht, indem die Oxydschicht ungleichförmig ausgebildet wird. Wenn insbesondere die Oxydschicht unter einer Seite der Elektrode dicker als unter der anderen ist, erzeugt die Änderung der dielektrischen Dicke eine Änderung des Potentiates unter der Elektrode, so daß die Ladung vorzugsweise ι ο unter einer Seite der Elektrode gespeichert wird. Um eine Ladungsübertragung zu bewirken, werden die Spannungen den angrenzenden Elektroden impulsförmig zugeführt, damit die Tiefe der Potentialmulden herabgesetzt wird, in denen Ladung falls überhaupt jeweils gespeichert wird, während gleichzeitig die Tiefe der Polentialmulden unter den angrenzenden Elektroden erhöht wird. Die ursprünglich in der tiefen Potentialmulde, welche jetzt flach ist, gespeicherte Ladung wird an die angrenzende Potentialmulde übertragen, die jetzt tief ist. Fig. IA bis IC dient zur Erläuterung, wie die Poteniialänderung unter jeder Elektrode, die auf einer Oxydschicht mit ungleichförmiger Dicke angeordnet ist, eine Richtwirkung bei der Ladungsübertragung erzeugt und damit ein Zuruckwan dem der Ladung verhindert. Fig. IA stellt eine Zweiphasenanordnung im Speicherbeirieb dar. Eine Spannung — Kl wird allen ungeradzahligen Elektroden zugeführt, während eine andere Spannung — V2 den geradzahligen Elektroden zugeführt wird. Bei diesem so Bauelement kann Ladung unter irgendeiner der geradzahligen Elektroden gespeichert werden. Eine Oxydschicht 7 ist dicker unter der linken Seite jeder Elektrode als unter der rechten Seite, so daß die Potentialmulde unter der rechten Seite tiefer als unter r> der linken Seite dieser Elektroden ist. Die Ladung wird dadurch unter der rechten Seite gespeichert. Beispielsweise wird gemäß dieser Figur die Ladung unter der rechten Seite der Elektrode 2 gespeichert und stellt das Informationsbit »1« dar, während unter der Elektrode 4 keine Ladung gespeichert wird, wodurch das Informationsbit »0« dargestellt wird. F i g. 1B stellt das Bauelement dar, nachdem die Zweiphasenspannungen auf angrenzenden Elektroden ausgetauscnt worden sind. Die Pfeile zeigen an, daß die Potentialmulden unter den ungeradzahligen Elektroden eine zunehmende Tiefe erreicht haben, während jene unter den geradzahligen Elektroden an Tiefe abgenommen haben. Daher wird die Ladung, welche ursprünglich unter der Elektrode 2 gespeichert war, in die Potentialmulde unter der Elektrode 3 vorgeschoben. Da die relativen Tiefen der Potentialmulden unter den beiden Hälften der Elektrode tandemartig erniedrigt sind, ergibt sich jederzeit eine Potentialschulter unter der linken Seite der Elektrode 2, welche verhindert, daß Ladung in den Bereich unter der Elektrode 1 zurückgelangt. In der Praxis ist es schwierig, Bauelemente mit solchen Oxydstärken auszulegen und herzustellen, die eine wirksame Ladungsübertragung erreichen. Typischerweise muß hierzu eine der Oxydstärken wesentlich to größer als die andere sein; beispielsweise sollte das Verhältnis ungefähr 1:3 bis 1:5 betragen. Zur Herstellung des Bauelementes sind zwei Verfahrensschritte erforderlich, in denen die beiden Oxydschichten wachsen und geätzt werden. Es ist daher in der Regel schwierig, eine Richtwirkung bei der Ladungsübertragung durch Auslegung und Herstellung von Oxydanordnungen mit mehreren Höhen zu erreichen.

Bei dem bekannten (IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 14, Nr, 4, September 1971, Seite 1234) Halbleiterbauelement zur Ladungsübertragung der eingangs gsnannten Art besteht der erste Bereich jeder Elektrode aus Polysilizium und der zweite Bereich aus Metall. Die Tiefe der Potentialmuldeii unter den Metallbereichen ist verschieden von der Tiefe der Potentialmulden unter den Polysiliziumbereichen, wodurch eine festliegende Potentialbarriere erzeugt wird, die bei Drei-Phasenbetrieb eine Ladungsübertragung nur in einer Richtung ermöglicht.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art zu schaffen, bei welchem im Zwei-Phasenbetrieb eine sehr zuverlässige Ladungsübertragung erfolgt. Die Lösung dieser Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegeben.

Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement entsteht eine dynamische Richtwirkung, und zwar durch Ausnutzung einer Zeitverzögerung im Substrat nach Anlegen de« jeweiligen Spannung. Die Zeitverzögerung entsteht durch die verteilte ftC-VerzvV-jerungleitung, die durch den Elektrodenbereich mit hohem Widerstand in Verbindung mit der darunterliegenden Isolierschicht gebildet wird. Daher folgt die Substratspannung in der Nachbarschaft dieser Verzögerungsleitung nicht unmittelbar dem Umschalten der angelegten Spannung. Vielmehr steigt sie jeweils langsam auf den jeweils neuen Pegel an. Im Ergebnis erzeugt eine einzige Phasenänderung der jeder Elektrode zugeführten Spannung eine augenblickliche Änderung in einem Teil der Potentialmulde unter dieser Elektrode sowie eine verzögerte Änderung in einem anderen Teil dieser Potentialmuide. Die verzögerte Änderung in einem Teil der Potentialmulde erzeugt eine Potentialschulter welche verhindert, daß die Ladung zurückläuft. Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß die Ladungsübertragung eine selbstständige Korrektur von Ladungsverlusten bewirkt, welche auftreten, wenn die Ladung zu schnell in einem Bereich übertragen v/orden ist. Insbesondere hängt die Frequenz der Ladungsübertragung beinahe vollständig von der /?C-Zeitkonstante der verteilten /?C-Leitung und nicht von der äußeren Taktfrequenz ab. Wenn sich daher keine Ladung in dem Bereich befindet, in welchen die Ladung übertragen werden soll, ist die Kapazität (und damit die ÄC-Zeitkonstante) klein, und die Potentialmulde ändert sich schnell, wodurch eine schnelle Übertragung der Ladung in den Bereich bewirkt wird. Wenn sich die Ladung in dem Bereich aufbaut, nimmt die Kapazität zu, so daß die Gestalt der Potentialmulde sich weniger schnell ändert. Die Geschwindigkeit der Ladungsübertragung in den Bereich wird daher herabgesetzt. Dieses selbstkorrigierende Verfahren stellt sicher, daß die I adoiig nicht in einen vorher mit Ladung versehenen Bereich mit einer so hohen Geschwindigkeit übertragen wird, daß Ladungsverluste verursacht werden. Der Wirkungsgrad des Bauelements wird dadurch erhöht.

Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert; Es zeigt

F i g. 1A und 1B ein bekanntes Zweiphasenhalbleiterbauelement zur Ladungsübertragung,

F i g. 2A eine Querschnittsansicht eines Teiles eines Zweiphasenhalbleiterbauelements zur Ladungsübertragung mit Elektroden, die einen gutleitenden Bereich und einen Bereich mit hohem Widerstand aufweisen,

F i g. 2B zunehmende Veränderungen der Potential-

mulden unter verschiedenen Elektroden während einer Periode der Ladungsübertragung.

In Fig.2A ist ein Substrat 5 aus Halbleitermaterial dargestellt, welches beispielsweise aus Si, GaAs oder GaP bestehen kann. Auf das Substrat 5 ist eine ^r> Isolierschicht 6 eines dielektrischen Materiales, beispielsweise SiO₂, SijN4 oder AI₂Oj niedergeschlagen. Auf der Isolierschicht 6 ist eine Anordnung von Elektroden aufgebracht, von denen vier Elektroden U, 12,13 und 14 dargestellt sind. Jede Elektrode hat zwei ι ο unterschiedliche Bereiche. Ein Bereich, der gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel direkt auf der Oxydschicht 6 aufgebracht ist, hat einen hohen Widerstand. Dieser Bereich ist mit 15a, i5b, 15c und 15c/für die vier Elektroden 11,12,13 und 14 angegeben.Typische Werte i^r> des Widerstandes liegen im Bereich von 0,06 bis 16 Mß/cm² und können erreicht werden, indem Materialien verwendet werden wie beispielsweise Polysiliziü!T! oder eine dünn? MptalUrhirhl (beispielsweise mit einer Stärke von einigen hundert nm). Typische Abmessungen der Schicht mit hohem Widerstand sind beispielsweise 5 μπι χ 10 μηι. Über einem Teil jedes der Widerstandsbereiche 15a bis 15c/ befindet sich ein gutleitender Bereich 17a, 17i>, 17c, 17c/ für die entsprechende Elektrode II, 12, 13 oder 14. Typische r> Leitfähigkeitswerte können durch Materialien wie Al. MoAu oder PtTi erreicht werden. Typische Abmessungen des gutleitenden Bereichs sind beispielsweise 2 μπι χ 10 μπι. Durch die Verwendung von Elektroden mit einem gutleitendem Bereich und einem Bereich mit in großem spezifischen Widerstand wird jede Elektrode Teil eines verteilten WC-Netzwerkes, dessen Widerstand durch den Bereich der Elektrode mit hohem Widerstand und dessen Kapazität durch die Oxyd-Halbleitergrenzschicht gebildet werden. Der Abstand zwi- ΐί sehen den Elektroden muß hinreichend klein sein, so daß eine wirkungsvolle Ladungsübertragung von dem Bereich unter einer Elektrode zu dem Bereich unter der nächsten angrenzenden Elektrode ermöglicht wird. Dieser Abstand kann beispielsweise im Bereich · on 1 J« bis 3 μπι liegen. In Fig. 2A ist ein Zweiphasen-Halbleiterbauelement mit zwei Spannungsleitungen für Spannungen — V 1 und — ν ι dargestellt. L>ie Spannung — VI wird den Elektroden 11 und 13 und auch allen anderen ungeradzahligen Elektroden in dem Bauele- -r> ment zugeführt, während die Spannung — V2 den Elektroden 12 und 14 und auch allen anderen geradzahligen Elektroden in dem Bauelement zugeführt wird.

Der Vorgang der Ladungsübertragung des Bauelements wird unter Bezugnahme auf F i g. 2B erläutert. Das erste Diagramm in Fig. 2B betrifft den Vorgang der Ladungsspeicherung, bei welchem die Elektroden 11 und 13 ein Potential Φ 1 aufweisen, das ihnen zugeführt wird, während die Elektroden 12 und 14 ein Potential mit einer Phase Φ 2 aufweisen. Diese Phasen zeigen an, daß die Spannung Vl einen größeren Betrag als die Spannung V2 hat, so daß eine tiefe Potentialmulde unter den ungeradzahligen Elektroden erzeugt wird. Die Ladung könnte daher unter der Elektrode 11 oder 13 gespeichert werden. Zum Zwecke der Darstellung wird davon ausgegangen, daß die Ladung in der Potentialmulde unter der Elektrode 11 gespeichert ist während unter der Elektrode 13 keine Ladung gespeichert ist In dem dargestellten Zustand ist bei Verwendung positiver Logik ein Bit »!« unter der Elektrode 11 gespeichert, während unter der Elektrode 13 ein Bit »0« gespeichert ist

Das Diagramm 2 stellt die Veränderung des Potentiales dar, wenn sich die Phase der an die geradzahligen und ungeradzahligen Elektroden angelegten Spannungen ändert, d. h. die Phase Φ I wird der geradzahligen Elektrode zugeführt, während die Spannung Φ 2 den ungeradzahligen Elektroden zugeführt wird. Mit anderen Worten werden die Spannungen Vi und Vl sofort ausgetauscht. Da der direkt unter dem gutleitenden Abschnitt 17a der Elektrode 11 (Fig. 2A) befindliche Bereich einen sehr niedrigen Widerstand aufweist, ist die /?C-Zeitkonstante dieses Bereiches sehr klein. Deshalb folgt das Potential 19 in diesem Bereich fast sofort der Phasenänderung des angelegten Potentials und springt auf den Wert — V 2, der durch die Phase Φ 2 dargestellt ist. Die Zeilkonstante der verteilten /?C-Leitung aus dem Bereich 15a mit hohem Widerstand der Elektrode 11 und der Oxydschicht unmittelbar unterhalb dieses Bereiches (Fig. 2A) ist jedoch viel größer wegen des hohen Widerstandes und typische Werte dieser Zeitkonstante liegen in der Größenordnung von 1 \is. Daher steigt das Potential in dem Bereich unter dem Teil 15a mit hohem Widerstand auf seinen endgültigen Wert Φ 2 wesentlich langsamer als das Potential unter dem gutleiiendcn Teil 17a. In der Figur ist dieser langsamere Anstieg als ein Teil der Potentialmulde 21 mit einem Pfeil dargestellt. Der Anteil 23 der Potentialmulde wird durch das Potential unter dem leitenden Bereich \7b der Elektrode \2 (F i g. 2A) gebildet. Wenn die Phase Φ 2 der Elektrode 12 zugeführt wird, folgt dieser Teil des Potentials 23 ebenfalls beinahe sofort der Phase des angelegten Potentials, so daß sofort ein tiefes Potential (— VI) in diesem Bereich unter dem leitenden Teil Ub der Elektrode 12 erzeugt wird. Die Richtung, in welcher sich die Tiefe des Bereiches 23 ändert, ist durch den nach unten zeigenden Pfeil dargestellt. Es ist ersichtlich. daC die ursprünglich in der Potcntialmulde unter dei F.lektrode 11 gespeicherte Ladung in den Bereich untei der Elektrode 12 gezogen wird, wie durch Kreuzt angedeutet ist. Der Teil der Potentialmulde 25 untei dem Widerstandsbereich i5b der Elektrode 12 ir Fig. 2A nimmt langsam auf den Wert Φ\ ab. Dit νυι Mciiciiu

gleichzeitig bei den Bereichen unter den Elektroden 13 und 14 auf. Daher steigt das Potential unter derr leitenden Bereich 17csofort auf den Wert Φ 1. wahrem das Potential unter dem leitendem Bereich I5( langsamer ansteigt. Da gerade keine Ladung unter dei Elektrode 13 gespeichert war, wird auch keine Ladung an den Bereich unter der Elektrode 14 übertragen Dieses bedeutet natürlich, daß ein Bit »0« übertrager wird.

Die dritte Kurve in Fig.2B stellt die Gestalt dei Potentialmulde zu einem späteren Zeitpunkt dei Ladungsübertragung dar. Es ist ersichtlich, daß dei Abschnitt der Potentialmulde 21a beinahe vollständif auf den Wert Φ 2 gestiegen ist, während der Abschnit der Potentialmulde 25a beinahe auf den Wert Φ abgefallen ist Daher wurde die unter der Elektrode 1: gespeicherte Ladung fast vollständig auf den Bereicl unter der Elektrode 12 übertragen.

Es ergibt sich, daß die vorstehend erläutern Ladungsübertragung insofern mit einer Richtwirkunj erfolgt daß beim Austausch der Phase der angelegtei Spannung die Ladung nur in einer Richtung übertragei wird. Die Richtwirkung wird durch die »fischschwanz förmige« Änderung der Potentialmulde erreicht De langsame Anstieg des Bereiches 21 erzeugt eini

Potentialschulter, welche verhindert, daß die Ladung vom Bereich unter der Elektrode 11 zu dem Bereich unter einer Elektrode neben der Elektrode 11 auf der linken Seite zurückgelangt.

Teil 4 in F i g. 2B zeigt wieder den Grundspeicherzustand, in welchem Ladung wiederum unter den Elektroden 12 und 14 gespeichert werden könnte. Die Gegenwart von Ladung unter der Elektrode 12 stellt das Informationsbit »1« dar, während das Fehlen von Ladung unter der Elektrode 14 das Bit »0« darstellt.

Aus der vorstehenden Beschreibung ist ersichtlich. daß die Zeitkonstante für die Ladungsübertragung fasi vollständig von der Zeitkonstante der verteilten WC-Leitung unter jeder der Elektroden abhang!. Sie ist daher unabhängig von der Taktfrequenz der äußeren

Spannungen, wobei lediglich vorausgesetzt wird, daß die sich aus dieser Frequenz ergebende Zeitkonstante kleiner als die Zeitkonstante der verteilten /fC-Leitungen ist. Wenn die Ladung in die Bereiche unter den gerade gebildeten tiefen Potentialmulden, beispielsweise die Mulde unter der Elektrode 12 übertragen wird, nimmt die Zeitkonstante des Bereichs 25 zu, wodurch die Geschwindigkeit abnimmt, mit welcher der Teil der Mulde kleiner wird. Dadurch wird die Geschwindigkeit herabgesetzt, mit welcher die Ladung in diese Mulde übertragen wird. Durch dieses Merkmal wird sichergestellt, daß die Ladung nicht in einen Bereich mit derart hoher Geschwindigkeit übertragen wird, daß einige Ladungen verlorengehen.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche;

1. Halbleiterbauelemente zur Ladungsübertragung mit einer Substratschicht aus einem Halbleitermaterial, mit einer Isolierschicht auf der Substratschicht und mit auf der Isolierschicht längs einer Reihe angeordneten Elektroden, von denen jede einen ersten Bereich eines Materials hoher Leitfähigkeit und einen längs der Reihe auf den ersten Bereich folgenden zweiten Bereich eines Materials geringer Leitfähigkeit aufweist, bei dem jeweils abwechselnd aufeinanderfolgende Elektroden Ober zwei Zuleitungen mit einer Spannungsquelle verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Bereiche (15a, b, c, d, 17a, b, c, d) jeder Elektrode (11, 12, 13, 14) in ihrer Ausdehnung und ihrer Leitfähigkeit so bemessen sind, daß bei Änderung der Phase einer an die beiden Zuleitungen mit abwechselnder Phase angelegten Zwei-Phasenspannung sich die unter dem ersten Bereich (17a, b. c, d) jeder Elektrode (11, 12, 13, 14) in der Sübstratschicht (5) vorhandene Potentialmulde praktisch sofort und die unter dem zweiten Bereich (15a, b. c, d) vorhandene Potentialmulde mit einer Verzögerung ändert, derart, daß der Ladungstransport unter der Elektrodenreihe nur in einer Richtung erfolgt

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß das Material der ersten Bereiche (17a, b. c, d) jeder Elektrode (11,12,13,14) Al, MoAu oder PtTi ist.

3. Halblei ;est>auelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des zweiten Bereichs(15a,b,c,d)jeder Elektrode(11,12, 13, 14) Polysilizium oder eine dünne Metallschicht ist.

4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Substratmaterial Si,GaAs oder GaP ist.

5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Isolierschicht (6) SiO₂, SijN< oder AI₂Oj ist.