DE2460653C2 - Verfahren zur Erzeugung dünner, Halbleitervorrichtungen enthaltender Siliciumschichten auf einem dielektrischen Substrat - Google Patents
Verfahren zur Erzeugung dünner, Halbleitervorrichtungen enthaltender Siliciumschichten auf einem dielektrischen SubstratInfo
- Publication number
- DE2460653C2 DE2460653C2 DE2460653A DE2460653A DE2460653C2 DE 2460653 C2 DE2460653 C2 DE 2460653C2 DE 2460653 A DE2460653 A DE 2460653A DE 2460653 A DE2460653 A DE 2460653A DE 2460653 C2 DE2460653 C2 DE 2460653C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- silicon
- semiconductor devices
- etching
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76297—Dielectric isolation using EPIC techniques, i.e. epitaxial passivated integrated circuit
-
- H10P50/642—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Weting (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US42922873A | 1973-12-28 | 1973-12-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2460653A1 DE2460653A1 (de) | 1975-07-10 |
| DE2460653C2 true DE2460653C2 (de) | 1986-02-06 |
Family
ID=23702356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2460653A Expired DE2460653C2 (de) | 1973-12-28 | 1974-12-20 | Verfahren zur Erzeugung dünner, Halbleitervorrichtungen enthaltender Siliciumschichten auf einem dielektrischen Substrat |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828731B2 (enExample) |
| DE (1) | DE2460653C2 (enExample) |
| FR (1) | FR2256537B1 (enExample) |
| GB (1) | GB1494328A (enExample) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54110783A (en) * | 1978-02-20 | 1979-08-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor substrate and its manufacture |
| DE3347997C2 (enExample) * | 1982-01-06 | 1991-01-24 | Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp | |
| JPS6066825A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5416354A (en) * | 1989-01-06 | 1995-05-16 | Unitrode Corporation | Inverted epitaxial process semiconductor devices |
| DE3922671A1 (de) * | 1989-07-10 | 1991-01-24 | Siemens Ag | Akustoelektronisches bauelement mit einer oberflaechenwellenanordnung und einer elektronischen halbleiterschaltung |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936792B1 (enExample) * | 1970-10-15 | 1974-10-03 |
-
1974
- 1974-09-04 JP JP49101792A patent/JPS5828731B2/ja not_active Expired
- 1974-12-04 FR FR7439711A patent/FR2256537B1/fr not_active Expired
- 1974-12-04 GB GB52467/74A patent/GB1494328A/en not_active Expired
- 1974-12-20 DE DE2460653A patent/DE2460653C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2256537B1 (enExample) | 1979-03-16 |
| FR2256537A1 (enExample) | 1975-07-25 |
| GB1494328A (en) | 1977-12-07 |
| DE2460653A1 (de) | 1975-07-10 |
| JPS5099272A (enExample) | 1975-08-06 |
| JPS5828731B2 (ja) | 1983-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0001550B1 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung für eine Bauelementstruktur mit kleinen Abmessungen und zugehöriges Herstellungsvefahren | |
| DE1614283C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE2745857C2 (enExample) | ||
| DE2718894C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| EP0025854B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von bipolaren Transistoren | |
| DE2160427C3 (enExample) | ||
| DE3545040C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Schicht und einer Kollektorzone in einer monolithischen Halbleitervorrichtung | |
| EP0005185B1 (de) | Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Schottky-Sperrschichtdioden und ohmschen Kontakten nach dotierten Halbleiterzonen | |
| EP0006510B1 (de) | Verfahren zum Erzeugen aneinander grenzender, unterschiedlich dotierter Siliciumbereiche | |
| DE1514915C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem extrem kleinflächigen pn-Übergang | |
| DE2328090C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkondensators | |
| DE2729973C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE3034894C2 (enExample) | ||
| EP0001574A1 (de) | Halbleiteranordnung für Widerstandsstrukturen in hochintegrierten Schaltkreisen und Verfahren zur Herstellung dieser Halbleiteranordnung | |
| DE3850847T2 (de) | Selbstjustierter Polysiliziumemitter und Kontaktstruktur für Hochleistungsbipolartransistor. | |
| DE2605641C3 (de) | Hochfrequenztransistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2718449C2 (enExample) | ||
| DE2420239A1 (de) | Verfahren zur herstellung doppelt diffundierter lateraler transistoren | |
| DE68928951T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit Bipolartransistoren | |
| DE2460653C2 (de) | Verfahren zur Erzeugung dünner, Halbleitervorrichtungen enthaltender Siliciumschichten auf einem dielektrischen Substrat | |
| DE2149247A1 (de) | Verfahren zur Ausformung eines Halbleiterkoerpers | |
| DE1439758C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Transistoren | |
| DE2501074A1 (de) | Transistoreinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE1802849B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer monolithischen schaltung | |
| DE2840975A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer integrierten halbleiterschaltung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition |