DE2458401A1 - Mit licht steuerbarer thyristor - Google Patents

Mit licht steuerbarer thyristor

Info

Publication number
DE2458401A1
DE2458401A1 DE19742458401 DE2458401A DE2458401A1 DE 2458401 A1 DE2458401 A1 DE 2458401A1 DE 19742458401 DE19742458401 DE 19742458401 DE 2458401 A DE2458401 A DE 2458401A DE 2458401 A1 DE2458401 A1 DE 2458401A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitter
auxiliary
area
thyristor
auxiliary emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19742458401
Other languages
English (en)
Other versions
DE2458401C2 (de
Inventor
Peter Dipl Ing Dr Voss
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2458401A priority Critical patent/DE2458401C2/de
Priority to GB40930/75A priority patent/GB1521107A/en
Priority to US05/632,004 priority patent/US4001865A/en
Priority to SE7513873A priority patent/SE407720B/xx
Priority to CA241,337A priority patent/CA1053354A/en
Priority to JP50147900A priority patent/JPS5823751B2/ja
Publication of DE2458401A1 publication Critical patent/DE2458401A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2458401C2 publication Critical patent/DE2458401C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/111Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
    • H01L31/1113Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

SIEMENS .AKTIENGESELLSCHAFT München 2, den IdDEZ1974
Berlin und München Witteisbacherplatz 2
74/1201
Mit Licht steuerbarer Thyristor.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen mit Licht steuerbaren Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps, von denen die erste einen Hauptemitter und die zweite eine Basis bildet, mit einem zur Belichtung bestimmten Bereich und einem zwischen diesem Bereich und Hauptemitter liegenden Hilfsemitter.
Sin solcher Thyristor ist bereits beschrieben worden. Bei diesem wird der aus Hilfsemitter und den übrigen Zonen bestehende Hilfs-■ thyristor durch Licht gezündet und der Laststrom dieses Hilfsthyristors wird dann in der gleichen V/eise wie bei durch Steuerstrom gezündeten Thyristoren zum Zünden des Hauptthyristors'verwendet. Um eine starke lokale Erhitzung des Thyristors beim Einschalten zu verhindern, ist es erwünscht, schon den HiIfsthyristor von Anfang an auf möglichst großer Fläche zu zünden» Hierzu muß das Licht mit großer Intensität und sehr homogen verteilt einfallen, Dies stellt an die Qualität der Lichtquelle hohe Anforderungen führt aber trotzdem nicht immer zum gewünschten Ergebnis, da inhomogene Verhältnisse im Thyristor selbst den Einschaltvorgang ebenfalls beeinflussen. In diesem Fall und bei inhomogener Ausleuchtung wird der Hilfsthyristor daher nur auf einer kleinen Fläche zünden. Durch diese fließt zunächst der ganze Laststrom, v/odurch des Thyristor überlastet und unter Umständen zerstört werden kann.
VPA 9/190/4016 Hab/Po -2-
' 6098257Q467
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen mit Licht zündbaren Thyristor gemäß der eingangs erwähnten Gattung so weiterzubilden, daß der Thyristor auch bei inhomogener Beleuchtung und inhomogenen Verhältnissen auf einer relativ großen Fläche zündet.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem genannten Hilfsemitter und dem Hauptemitter ein zweiter Hiifsemitter liegt und daß das Verhältnis der dem zur Belichtung bestimmten Bereich zugekehrten wirksamen Randlänge des zweiten Hilfsemitters zur Fläche des genannten Bereiches und das Verhältnis zwischen der dein genannten Bereich zugekehrten wirksamen Randlänge des Hauptemitters zur Randlänge des zweiten Hilfsemitters so .aufeinander abgestimmt ist, daß vor einer Zündung am WiIfsemitter eine Zündung am zweiten Hilfsemitter und danach am Hauptemitter stattfindet.
Durch die genannte Abstimmung läßt sich erreichen, daß der aus dem ersten Hilfsemitter und den übrigen Zonen des Thyristors gebildete erste Hilfsthyristor zunächst lediglich als Stromverstärker arbeitet, dessen Laststrom dem zweiten Hilfsemitter zugeführt wird. Dieser Laststrom ist so groß, daß der zweite Hilfsthyristor von vornherein auf einer relativ großen Fläche zündet. Der Laststrom des Hilfsthyristors wird dann in bekannter Weise dem Hauptthyristor als Steuerstrom zugeführt. Dieser zündet dann ebenfalls auf einer relativ großen Fläche und der zweite Hilfsthyristor erlischt.
Die angegebene Lehre beruht auf der Erkenntnis, daß zur Zündung eines Thyristors ein bestimmter spezifischer Strom erforderlich ist. Dieser Wert liegt etwa bei 0,5A/mm Emitterrandlänge. Da bei der Zündung zunächst nur ein Gebiet von 100 bis 300vum Breite erfaßt wird, läßt sich daraus ableiten, daß im Hinblick auf den zum
ο Zünden erforderlichen Strom 1 mm Emitterrandlänge etwa 0,2 mm
Fläche entsprechen. ■
VPA 9/190/4016 609825/0467- -3-
Es hat sich gezeigt, daß eine Zündung am ersten Hilfsemitter von einer Zündung an den übrigen Emittern sicher verhindert werden kann, wenn das Verhältnis der wirksamen Randlängen des Hauptemitters zum zweiten Hilfsemitter =4:1 und das Verhältnis der wirksamen Emitterrandlängen von erstem Hilfsemitter zu zweitem Hilfsemitter =1:3 gemacht wird. Soll demnach erreicht werden, daß eine Zündung am zweiten Hilfsemitter vor einer Zündung am ersten Hilfsemitter einsetzt, so gehört zu 3 mm wirksamer Emitterrandfläche des zweiten Hilfsemitters mindestens 1 mm wirksame Emitterrandfläche des ersten Hilfsemitters. *
Bei einem mit Licht steuerbaren Thyristor wird demnach das Verhältnis der wirksamen Randlängen des Hauptemitters zum zweiten Hilfsemitter ^= 4:1 gewählt, während das Verhältnis der wirksamen Randlängen des zweiten Hilfsemitters, gemessen in mm, zur Fläche des zur Belichtung bestimmten Bereiches, gemessen in mm , ^ 15:1 ist. Um die angegebenen Verhältnisse zu erreichen, wird der zweite Hilfsemitter zweckmäßigerweise als Kreisringsegment ausgebildet. Der erste Hilfsemitter kann dann mit einer ringförmigen Elektrode verbunden sein, die einen segmentartigen Vorsprung aufweist, der dem zweiten Hilfsemitter gegenüberliegt und der über den zwischen ersten Hilfsemitter und Basiszone liegenden pn-übergang hinübergreift.
Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Fig.1 und 2 näher erläutert·. Es zeigen:
Fig.1 die Aufsicht auf eine Thyristortablette gemäß der Erfindung
und
Fig.2 einen Schnitt durch diese Thyristortablette entlang der Linien -H-II.
Die Thyristortablette ist in den Figuren mit 1_ bezeichnet. Diese weist einen Hauptemitter 2, einen ersten Hilfsemitter 7 und einen zweiten Hilfsemitter 5 auf. Der Hauptemitter 2 ist mit einer Haupt-
VPA 9/190/4016 609825/0467 -4-
emitterelektrode 3 verbunden, während der erste Hilfsemitter 7 mit einer im wesentlichen ringförmigen Hilfsemitterelektrode 9 und der zweite Hilfsemitter 5 mit einer ringförmigen Hilfsemitterelektrode 6 verbunden ist. Die Hilfsemitterelektrode 9 schließt einen zur Beleuchtung bestimmten Bereich 8 ein. Die Hilfsemitterelektrode 9 weist einen segmentartigen Vorsprung 10 auf, der den zwischen dem ersten Hilfsemitter 7 und einer Basiszone 4 liegenden pn-übergang überdeckt. Die Hilfsemitterelektrode 6 überbrückt den zwischen zweitem Hilfsemitter 5 und Basiszone 4 liegenden pn-übergang an der dem Hauptemitter 2 zugekehrten Seite.
Wird der zur Beleuchtung bestimmte Bereich 8 einer Lichtstrahlung ausgesetzt, so entsteht ein Fotostrom, der, durch den ersten Hilfsthyristor verstärkt, zur Hilfsemitterelektrode 9 und von dieser über den segmentförmigen Vorsprung 10 zum zweiten Hilfsemitter fließt. Dieser Strom dient als Steuerstrom für den zweiten Hilfsthyristor und zündet diesen. Der durch den zweiten Hilfsemitter fließende Laststrom fließt über die Elektrode 6 zum Hauptemitter 2, wodurch die Zündung des Hauptthyristors eingeleitet wird.
Die wirksamen Längen der den Bereich 8 zugekehrten Emitterränder von Hauptthyristor zu zweitem Hilfsthyristör weisen hierbei ein Verhältnis =4:1 auf. Dieses Verhältnis wird im wesentlichen dadurch erreicht, daß der zv/eite Hilfsemitter kreissegmentförmig ausgebildet ist und dem kreissegmentförmigen Vorsprung 10 der Hilfsemitterelektrode 9 gegenüber liegt. Die wirksame Randlänge des zwischen den Zonen 4 und 5 liegenden Emitterrandes wird im wesentlichen durch die Länge des segmentartigen Vorsprunges 10 bestimmt, da sich der aus dem ersten Hilfsemitter stammende Laststrom vom segmentartigen Vorsprung 10 ausgehend im wesentlichen nur radial ausbreitet. Die wirksame Randlänge des zwischen Hauptemitter 2 und Basiszone 4 liegenden Emitterrandes ist dagegen gleich der wirklichen Länge, da der aus dem zweiten Hilfsemitter stammende Last-
VPA 9/190/4016 6Ü9825/Q467 -5-
strom sich über die Elektrode 6 gleichmäßig verteilt. Es ist ersichtlich, daß das Verhältnis der wirksamen Emitterrandlängen vom Hauptthyristor zum zweiten Hilfsthyristör =4:1, in diesem Fall
ρ etwa 5:1 ist. Der Bereich 8 v/eist, in mm gemessen, eine Fläche auf, die ^= 1/15 der wirksamen Randlänge des zweiten Hilfsemitters, gemessen in mm/ist. Der durch Beleuchtung des Bereiches 8 erzeugte Fotostrom reicht dann nicht aus, um den ersten Hilfsthyristör vor der Zündung des zweiten Hilfsthyristors und des Hauptthyristors zu zünden. Die Zündverzugszeit des ersten Hilfsthyristors ist durch die erwähnte Bemessung nämlich auf jeden Fall größer als die Zündverzugszeit des zweiten Hilfsthyristors, so daß der erste Hilfsthyristor bis zur Zündung des zweiten Hilfsthyristors nur als Stromverstärker arbeitet. Nach Verstreichen der Zündverzugszeit für den zweiten Hilfsthyristör zündet dieser, wobei die absolute Größe der Zündverzugszeit von der Stärke der Beleuchtung und damit von der Stärke des Fotostroms abhängig ist. Da jedoch die absolute Größe der Zündverzugszeit des ersten Hilfsthyristors auch von der Beleuchtungsstärke abhängt, ist ein gestaffeltes Zünden der verschiedenen Thyristorsysteme in der gewünschten Art auf jeden Fall sichergestellt.
Die genannten konkreten Verhältnisangaben gelten für üblich dotierte und dimensionierte Thyristoren. Für alle Thyristoren unabhängig von der Dimensionierung gilt jedoch die allgemeine Lehre, daß die Zündung des zweiten Hilfsthyristors vor der Zündung des ersten Hilfsthyristors und vor der Zündung des Hauptthyristors erfolgen muß.
Ob ein Thyristor diesen Bedingungen genügt, ist für den Fachmann ohne weiteres durch Potentialsondenmessungen mittels eines Oszillographen nachprüfbar. Dabei wird der zeitliche Verlauf der Spannungsabfälle entlang der Siliziumoberfläche verfolgt. Der unmittelbar nach dem Zünden fließende Laststrom ruft über den nichtkon-
VPA 9/190/4016 .609825/0467 ■ -6-
taktierten Emitterteilen 5 und 2 und besonders in den oberflächennahen Zonen der p-Basis 4 starke Spannungsabfalle hervor. Zündet beispielsweise die Anordnung in gevainschter Weise am Innenrand des Emitters 5 des zweiten Hilfsthyristors, so ruft der nach allen Seiten abfließende Strom sowohl zur Elektrode 9 als auch zur Elektrode 6 einen positiven Spannungsabfall hervor. Ebenso ist der Spannungsabfall zwischen der Elektrode 6 und.dem Rand des Hauptemitters 2 positiv. Zündet die Anordnung dagegen im ersten Hilfsthyristor, so ist der Spannungsabfall positiv von der Elektrode zum Rand des Emitters 5. Die anderen Spannungsabfalle behalten ihre Polarität. Zündet die Anordnung am Innenrand des Hauptemitters 2, so invertiert sich die Spannung auf der Strecke von der Elektrode 6 zum Rand des Emitters 2. Durch eine geeignete Vergrößerung oder Verkleinerung der Verhältnisse der Flächen und der Emitterrandlängen läßt sich immer erreichen, daß der zweite Hilfsthyristor.zuerst zündet.
Der zur. Beleuchtung bestimmte Bereich 8 kann auch kleiner sein als die durch den Innenrand der ersten Hilfseraitterelektrode 9 begrenzte Fläche. Dies wird z.B. dann der Fall sein, wenn das Licht über eine auf die Zone 7 aufgesetzte Faseroptik angekoppelt wird.
4 Patentansprüche
2 Figuren.
VPA 9/190/4016 609825/0467

Claims (4)

Patentansprüche
1. !Mit Licht steuerbarer Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps, von denen die erste einen Hauptemitter und die zweite eine Basis bildet, mit einem zur Belichtung bestimmten Bereich und einem zwischen diesem Bereich und Hauptemitter liegenden Hilfsemitter, dadurch ' g.ekennzeichnet , daß zwischen diesem ersten Hilfsemitter (7) und dem Hauptemitter (2) ein zweiter Hilfsemitter (5) liegt und daß das Verhältnis der dem zur Belichtung bestimmten Bereich (8) zugekehrten wirksamen Randlängen des zweiten Hilfsemitters (5) zur Fläche des genannten Bereiches (8) und das Verhältnis zwischen der dem genannten Bereich (8) zugekehrten wirksamen Randlängen von Hauptemitter (2) einerseits und zweiten Hilfsemitter (5) andererseits so aufeinander abgestimmt ist, daß vor einer Zündung am ersten Hilfsemitter (7) eine Zündung am zweiten Hilfsemitter (5) und danach am Hauptemitter stattfindet.
2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der wirksamen Randlänge des zweiten Hilfsemitters (5), gemessen in mm, zur Fläche.des zur
Belichtung bestimmten Bereiches (8), gemessen in mm , ^ 15:1 ist und daß das Verhältnis der wirksamen Randlängen des^ Haup"temitters (2) zum zweiten Hilfsemitter (5) =4:1 ist.
3. Thyristor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß der zweite Hilfsemitter (5) als Kreisringsegment ausgebildet ist. -«
VPA 9/190/4016 ' -8-
609825/0467
4. Thyristor nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet j daß der erste Hilfsemitter (7) von einer ringförmigen Elektrode (9) bedeckt ist und daß diese Elektrode einen segmentartigen Vorsprung (10) aufweist, der dem zweiten Hilfsemitter (5) gegenüberliegt und über den zwischen erstem Hilfsemitter (7) und Basiszone (4) liegenden pn-übergang hinübergreift«
VPA 9/190/4016
b09825/0
DE2458401A 1974-12-10 1974-12-10 Mit Licht steuerbarer Thyristor Expired DE2458401C2 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2458401A DE2458401C2 (de) 1974-12-10 1974-12-10 Mit Licht steuerbarer Thyristor
GB40930/75A GB1521107A (en) 1974-12-10 1975-10-07 Thyristors
US05/632,004 US4001865A (en) 1974-12-10 1975-11-14 Light controllable thyristor
SE7513873A SE407720B (sv) 1974-12-10 1975-12-09 Medelst ljus styrbar tyristor
CA241,337A CA1053354A (en) 1974-12-10 1975-12-09 Light-controllable thyristor
JP50147900A JPS5823751B2 (ja) 1974-12-10 1975-12-10 ヒカリセイギヨサイリスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2458401A DE2458401C2 (de) 1974-12-10 1974-12-10 Mit Licht steuerbarer Thyristor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2458401A1 true DE2458401A1 (de) 1976-06-16
DE2458401C2 DE2458401C2 (de) 1982-06-24

Family

ID=5933065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2458401A Expired DE2458401C2 (de) 1974-12-10 1974-12-10 Mit Licht steuerbarer Thyristor

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4001865A (de)
JP (1) JPS5823751B2 (de)
CA (1) CA1053354A (de)
DE (1) DE2458401C2 (de)
GB (1) GB1521107A (de)
SE (1) SE407720B (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2715482A1 (de) * 1977-04-06 1978-10-12 Siemens Ag Mit licht steuerbarer thyristor
EP0069308A2 (de) * 1981-06-30 1983-01-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Thyristor
US4633282A (en) * 1982-10-04 1986-12-30 Rockwell International Corporation Metal-semiconductor field-effect transistor with a partial p-type drain
EP0304032A1 (de) * 1987-08-20 1989-02-22 Siemens Aktiengesellschaft Lichtsteuerbarer Thyristor

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU793421A3 (ru) * 1976-06-02 1980-12-30 Ббц Аг Браун Фототиристор
US4812892A (en) * 1978-03-30 1989-03-14 Siemens Aktiengesellschaft Light controllable thyristors
JPS583282A (ja) * 1981-06-30 1983-01-10 Toshiba Corp サイリスタ
JPS5856463A (ja) * 1981-09-30 1983-04-04 Toshiba Corp 光付勢半導装置
JPS58101460A (ja) * 1981-12-11 1983-06-16 Mitsubishi Electric Corp 光トリガ・サイリスタ
JPS5989462A (ja) * 1982-11-15 1984-05-23 Toshiba Corp サイリスタ
JPS59124160A (ja) * 1982-12-29 1984-07-18 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 光サイリスタ
US4825061A (en) * 1987-08-07 1989-04-25 Center For Innovative Technology Optically controlled bulk semiconductor switch not requiring radiation to sustain conduction
US4831248A (en) * 1987-08-07 1989-05-16 Center For Innovative Technology Electron beam controlled bulk semiconductor switch with cathodoluminescent electron activation
JP3177971B2 (ja) * 1999-01-25 2001-06-18 日本電気株式会社 抵抗素子を有する半導体装置
CN102227005B (zh) * 2011-06-10 2012-07-04 中国科学院半导体研究所 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3526815A (en) * 1966-07-07 1970-09-01 Asea Ab Controllable semi-conductor devices comprising main and auxiliary thyristors having all except one emitter-layer in common
US3697833A (en) * 1970-02-20 1972-10-10 Mitsubishi Electric Corp Light activated thyristor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4817634U (de) * 1971-07-06 1973-02-28
US3893153A (en) * 1974-01-10 1975-07-01 Westinghouse Electric Corp Light activated thyristor with high di/dt capability

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3526815A (en) * 1966-07-07 1970-09-01 Asea Ab Controllable semi-conductor devices comprising main and auxiliary thyristors having all except one emitter-layer in common
US3697833A (en) * 1970-02-20 1972-10-10 Mitsubishi Electric Corp Light activated thyristor

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Meyers Lexikon der Technik und der exakten Naturwissenschaften, 3. Bd., Bibliographisches Institut, Mannheim 1969, Stichwort "Segment" *
Westphal, W.H.: "Physik", 25./26. Aufl., Berlin 1970, S. 1 u. 2 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2715482A1 (de) * 1977-04-06 1978-10-12 Siemens Ag Mit licht steuerbarer thyristor
EP0069308A2 (de) * 1981-06-30 1983-01-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Thyristor
EP0069308A3 (en) * 1981-06-30 1983-09-21 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Thyristor
US4633282A (en) * 1982-10-04 1986-12-30 Rockwell International Corporation Metal-semiconductor field-effect transistor with a partial p-type drain
EP0304032A1 (de) * 1987-08-20 1989-02-22 Siemens Aktiengesellschaft Lichtsteuerbarer Thyristor

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5183784A (de) 1976-07-22
US4001865A (en) 1977-01-04
DE2458401C2 (de) 1982-06-24
JPS5823751B2 (ja) 1983-05-17
SE407720B (sv) 1979-04-09
GB1521107A (en) 1978-08-09
SE7513873L (sv) 1976-06-11
CA1053354A (en) 1979-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2458401A1 (de) Mit licht steuerbarer thyristor
DE2917786C2 (de) Thyristortriode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2625917A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1925765C3 (de) Thyristor
DE2538549C2 (de) Mit Licht steuerbarer Thyristor
DE2407696C3 (de) Thyristor
DE2141627A1 (de) Thyristor
DE2142204A1 (de) Thyristor
DE2238564C3 (de) Thyristor
DE2506102B2 (de) Halbleitergleichrichter
EP0025074B1 (de) Verfahren zum Löschen eines Thyristors und Halbleiterbaustein zur Ausführung des Verfahrens
DE1489969A1 (de) Verfahren zur Modulation eines Lichtstrahles mittels einer elektrischen Spannung
DE1926459B2 (de) Stosspannungsfeste halbleiterdiode
DE1210490B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement mit einer pnpn- oder npnp-Zonenfolge und Verfahren zum Herstellen
DE2346256C3 (de) Thyristor
DE1464979C3 (de) Halbleiterschaltelement
DE1283964B (de) Steuerbares gleichrichtendes Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Siliziumkoerper mit einer pnpn-Zonenfolge
DE2140993A1 (de) Thyristor
DE2830735C2 (de) Thyristortriode mit integriertem Hilfsthyristor und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1589538C3 (de) Thyristor
DE2246979C3 (de) Thyristor
DE2520134A1 (de) Thyristor
DE2346237A1 (de) Thyristor
DE2748316A1 (de) Schaltungsanordnung zum herabsetzen der freiwerdezeit eines thyristors
DE2157091B2 (de) Thyristor mit integrierter Diode

Legal Events

Date Code Title Description
D2 Grant after examination
8339 Ceased/non-payment of the annual fee