DE2456743A1 - Verfahren zur herstellung von dotierungsprofilen in halbleiterkristallen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von dotierungsprofilen in halbleiterkristallen

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DE2456743A1
DE2456743A1 DE19742456743 DE2456743A DE2456743A1 DE 2456743 A1 DE2456743 A1 DE 2456743A1 DE 19742456743 DE19742456743 DE 19742456743 DE 2456743 A DE2456743 A DE 2456743A DE 2456743 A1 DE2456743 A1 DE 2456743A1
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Paul Van Dr Ing Iseghem
Wolfgang Dr Zimmermann
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BBC BROWN BOVERI and CIE
BBC Brown Boveri AG Switzerland
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BBC BROWN BOVERI and CIE
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0074133A3 (en) * 1981-08-25 1984-09-05 Bbc Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. Thyristor

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EP0074133A3 (en) * 1981-08-25 1984-09-05 Bbc Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. Thyristor

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