DE2450891A1 - Sprechwegeschalter - Google Patents

Description

81-23. 34OP 25. 10. 1974

HITACHI , LTD. , Tokio (Japan)

SprechwegeschaIter

Die Erfindung betrifft einen Sprechwegeschalter aus Halbleiter-Bauelementen, insbesondere zur Verwendung in einer Fernsprechvermittlungsanordnung.

In einer bereits entwickelten Fernsprechvermittlungsanordnung werden Rufsignale, Sprechströme, Wählimpulse und Zähl- bzw. Gebührensignale über einen Kreuzschienenschalter, der in einem typischen Beispiel aus mechanischen Schaltkontakten besteht, zu geeigneten Apparaturen übertragen und danach vermittelt. Bei einer elektronischen Vermittlungsanordnung sind jedoch die peripheren Steuereinrichtungen durchweg aus elektronischen Schaltungen aufgebaut, und um kleinere Abmessungen, eine bessere Leistungsfähigkeit und Wirtschaftlichkeit zu erzielen, ist es vorteilhaft, auch den Sprechwegeschalter elektronisch auszuführen. In der Vergangenheit

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wurden Gasentladungsröhren für den Aufbau eines elektronisch betätigten Sprechwegeschalters verwendet, doch ist heutzutage im Zusammenhang mit der Entwicklung einer HalbleiterIndustrie und insbesondere der integrierten Schaltungstechnik ein Schalter aus Halbleiter-Bauelementen von größerer praktischer Bedeutung.

Es ist mehrfach erwogen worden, einen Sprechwegeschalter für eine Vermittlungsanordnung aus Halbleiterschaltungen aufzubauen, wobei meist Thyristoren (oder SRC genannte PNPN-Schalter) verwendet werden. Der Thyristor ist ein sehr brauchbares Bauelement für die Herstellung eines elektronisch betätigten Sprechwegeschalters für eine Vermittlungsanordnung, da er im leitenden Zustand niederohmig und im Sperrzustand hochohmig ist, und da .er nach dem Einschalten durch einen kleinen Torstrom leitend bleibt, bis sein Hauptstrom von außen unterbrochen wird, das heißt der Thyristor ist selbsthaltend. In einer Fernsprechvermittlungsanordnung ist das Rufsignal ein Wechselstromsignal mit hoher Spannung, so daß Ströme in beiden Richtungen durch· .die Vermittlungsanordnung fließen müssen, und obwohl der Strom üblicherweise durch Wähl- und Abhebevorgänge unterbrochen wird, muß der SprechwegeschaIter während dieser Vorgänge geschlossen bleiben.

Ein bereits entwickelter Halbleiter-Sprechwegeschalter, der Sprech-, Wähl-, Abhebe- und Rufsignale

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zusammen verwenden kann, enthält zugehörige Toränschlüsse +) aufweisende Halbleiterschalter jeweils zwischen zwei als Sprechwege dienenden Leitungen; hochohmige, gesteuert ein- und ausschaltbare Torstromquellen an den Toren der Halbleiterschalter; Speicher zum Aufrechterhalten des Ein- und Ausschaltzustandes der Tors tr omque Ilen; und Steuereinrichtungen zum Setzen und Löschen der Speicher, wobei die Torstromquellen entsprechend den Ein- und Ausschalt operationen der Steuereinrichtungen derart ein- und ausgeschaltet werden, daß die Sprechwege geschlossen und geöffnet werden können. Ein derartiger Halbleiter-Sprechwegeschalter benötigt jedoch wenigstens einen Speicher pro Kreuzungspunkt der Sprechwege, so daß nicht nur die Struktur des Sprechwege schalters insgesamt kompliziert ist, sondern auch die Kosten des Sprechwegeschalters hoch sind. Ferner muß bei diesem Sprechwegeschalter dafür gesorgt werden, daß der Torstrom ständig fließt, weshalb der Leistungsverbrauch dementsprechend hoch ist. Dies sind schwerwiegende Nachteile des bereits entwickelten Halbleiter-Sprechwegeschalters .

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen Halbleiter-Sprechwegeschalter von einfacher Struktur anzugeben, der Sprech-, Wähl-, Abhebe- und Rufsignale zusammen verwenden und dabei mit niedrigem Le is tungs ν erbrauch arbeiten kann.

Diese Aufgabe wird für einen Halbleiter-SprechwegeschaIter der eingangs genannten Art erfindungsgemäß

+) (kurz Tore genannt)

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gelöst durch torgesteuerte, Tore aufweisende Halbleiterschalter jeweils zwischen zwei als Sprechwege dienenden Leitungen; hochohmige Torstromquellen an den Torenjder Halbleiterschalter (oder ein Lumineszenz-Bauelernent, das in entsprechender Weise für die Halbleiterschalter vorgesehen ist); und Wähler zum gesteuerten Ein- und Ausschalten der Torstromquellen (oder des Lumineszenz-Bauelements) derart, daß diese periodisch ein- und ausgeschaltet werden mit einer Wiederholfrequenz, die höher als die Frequenz eines durch die Sprechwege fließenden Stroms ist, der z. B. durch das Rufsignal oder das Wählsignal gegeben ist, so daß die Sprechwege an jedem gewünschten Kreuzungspunkt geschlossen und geöffnet werden können.

Durch die Erfindung werden mehrere Gruppen von Thyristoren angegeben, deren jede aus zwei antiparallel geschalteten Thyristoren besteht, die in Form einer Matrix angeordnet sind, um einen symmetrischen oder unsymmetrischen Schalter zu ergeben. Eine Auswahlschaltung oder ein Wähler speist nacheinander Impulse oder Lichtenergie mit einer Wiederholfrequenz, die höher ist als die Frequenz des Wechselstromsignals auf den Sprechwegen, z.B. eines Rufsignals, in die Thyristoren an einem Kreuzungspunkt ein,, der während der für den Vermittlungsvorgang benötigten Zeit geschlossen werden soll. Auf diese Weise kann ein Sprechwegeschalter aus Ha Ib le it er-Baue le me nt en aufgebaut werden, der Ruf-, Wähl- und Abhebesignale zusammen mit Sprechsignalen verarbeiten kann.

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Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Einheit aus einem bereits entwickelten HaIbleiter-Sprechwegeschalter;

Fig. 2 eine Einheit aus einem ersten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen' HaIbleiter-Sprechwegeschalters;

Fig.5 eine Einheitpus einem zweiten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiter-Sprechwegeschalters;

Fig. 4 einen Teil aus einem dritten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiter-Sprechwegeschalters; und

Fig. 5 eine Einheit aus einem vierten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiter-Sprechwegeschalters.

Vor der Erläuterung der konkreten Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung sei nun ein bereits entwickelter Halbleiter-Sprechwegeschalter mit Bezug auf Fig. 1 näher erläutert.

Fig. 1 zeigt der Einfachheit wegen nur einen symmetrischen Kreuzungspunkt oder Koppelpunkt mit Leitungen (A, A^f) und (B, B'). Mehrere Einheiten, deren jede äquivalent ist zu der in Fig. 1 gezeigten Anordnung, sind derart angeordnet, daß sie eine Matrix für einen Halbleiter-Sprechwegeschalter bilden. Fig. 1 enthält Thyristoren 21 und 22, deren Tore 25 und 26 über Dioden 4l und 42 an eine Torstromquelle "45 angeschlossen

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sind. In ähnlicher V/eise sind Tore 27 und 28 von Thyristoren 23 und 24 über Dioden 43 und 44 an eine Torstromquelle 46 angeschlossen. Die Torstromquellen 45 und 46 sind an einen Speicher 51 angeschlossen.(der in der Figur als Flipflop dargestellt ist), der wiederum mit einem Wähler 52 verbunden ist, der den Speicher 51 entsprechend dem logischen Verknüpfungsprodukt der Signale auf Auswahlwegen C und C' selektiv setzt und löscht. Bei diesem Halbleiter-Sprechwegeschalter wird der Speicher 51 mit Hilfe des Wählers 52 gesetzt, wenn auf den Auswahlwegen C und C' gleichzeitig Impulssignale auftreten. (Die zugehörige Löschschaltung ist in der Figur .nicht dargestellt). Der Speicher 51 wird für eine für den Vermittlungsvorgang benötigte Zeit im Setzzustand gehalten.,, und die Torstromquellen 45 und 46 speisen weiterhin einen konstanten Torstrom für die Thyristoren 21, 22, 23 und 24 ein, solange sich der Speicher 51 in seinem Setzzustand befindet, so daß die Sprechwege A, A' und B, B' geschlossen sind. Widerstände 47, 48, 49 und 50 zwischen den Toren und Kathoden der Thyristoren 21, 22, 23 und 24 dienen dazu, ein fehlerhaftes oder fälschliches Zünden zu verhindern.

Bei diesem Halbleiter-Sprechwegeschalter wird jedoch wenigstens ein Speicher für jeden Kreuzungspunkt der Sprechwege benötigt, weiterhin muß ein Torstrom ständig in das Tor jedes Thyristors während der für den Vermittlungsvorgang benötigten Zeit fließen, so daß die Struktur des Schalters kompliziert ist und die Kosten hoch und der Leistungsbedarf beträchtlich sind. Dies sind die ungelösten Probleme des bereits entwickelten Halbleiter-Sprechwegeschalters.

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Durch die Erfindung sollen die genannten Nachteile vermieden werden. Fig.2 zeigt eine symmetrische Grundeinheit eines Halbleiter-Sprechwege schalters als erstes. Ausführungsbeispiel der Erfindung. In ähnlicher Weise sind auch die folgenden Ausführungsbeispiele als symmetrische Einheiten auf gebautj auf die Darstellung und Erläuterung einer unsymmetrischen Einheit wird dagegen in der nachfolgenden Beschreibung verzichtet. In Fig. 2 sind Thyristoren 21 und 22 mit entsprechenden Toren 25 und 26 zwischen Sprechwegen A und A' antiparallel geschaltet, und Thyristoren 23 und mit entsprechenden Toren 27 und 28 sind in derselben Konfiguration zwischen Sprechwegen B und B' eingefügt. Die Tore 25 bzw. 26 der Thyristoren 21 bzw. 22 sind über Dioden 41 und 42 an eine hochohmige Torstromquelle 45 angeschlossen. In ähnlicher Weise sind die Tore 27 bzw. 28 der Thyristoren 2J> bzw. 24 über Dioden 45 und 44 mit einer hochohmigen Torstromquelle 46 verbunden. Widerstände 47, 48, und 50 sind zwischen den Toren und den Kathoden der entsprechenden Thyristoren derart eingeschaltet, daß ein fälschlichesjzünden verhindert wird. Ein Kondensator und ein veränderlicher Widerstand sind an jeden der Widerstände angeschlossen, doch sind sie in der Figur nicht dargestellt, außerdem werden sie nicht beschrieben (dasselbe gilt auch für die folgenden Ausführungsbeispiele) . Die Torstromquellen 45 und 46 sind an einen Wähler 52 angeschlossen, der gemäß dem logischen Verknüpfungsprodukt der Signale auf Auswahlwegen C und C' arbeitet.

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Die Arbeitsweise des Halbleiter-Sprechwege Schalters wird nun näher erläutert. Wenn Impulssignale, deren Periodendauern gegenseitig synchronisiert sind, während der für den Vermittlungs Vorgang benötigten Zeit nach Fig.2 in die Auswahlwege C und C' eingepBist werden, wird der Wähler 52 mit einer Frequenz unterbrochen, die gleich der Impulswiederholfrequenz des Impulssignals ist. Die periodische Unterbrechung des Wählers 52 bewirkt, daß die Torstromquellen 45 und 46 Impulsströme abgeben, die in entsprechende Tore 25 und 26 der Thyristoren 21 und 22 eingespeist werden, sowie in die Tore 27 und 28 der Thyristoren 23 und 24. Wenn also die Wiederholfrequenz des in die Auswahlwege C oderlc' eingespeisten Impulssignals höher als die· Frequenz des V/echseIstroms (Rufsignals) auf dem Sprechweg gewählt wird, werden die Thyristoren 21, 22, 25 und 24 ständig gezündet, so daß die Sprechwege A und A', sowie B und B', geschlossen bleiben, und obwohl der Wechselstrom wegen seiner periodisch erfolgenden Polaritätsumkehr periodisch unterbrochen wird, können die Thyristoren durch die Impulssignale mit der höheren Widerholfrequenz in sehr kurzer Zeit erneut gezündet werden. (Der Grund dafür, warum die TorStromquelle im vorhergehenden Ausführungsbeispiel hochohmig ist, ist wie folgt: Im Betriebszustand wird die Quelle periodisch leitend, und wenn sie keine ausreichende Impedanz aufweist, können die Sprechsignale über das Tor und die Torstromquelle in eine andere Quelle fließen. Darüber hinaus kann die hohe Impedanz sogar dann, wenn sieh die Spannung am

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Thyristor wegen des Wechselstroms durch den Thyristor vom positiven auf den negativen Wert oder umgekehrt ändert, die Änderung des Torstroms verringern. Außerdem tritt für den Pail, daß die Amplitude oder die 'Änderungsrate des Torstroms groß genug ist, um den Schalter auf den Strom ansprechen zu lassen, keine Schwierigkeit auf. üblicherweise wird eine einfache Konstantstromquelle als derartige Torstromquelle verwendbar sein). Wenn nämlich die Impulssignale selektiv und für kurze Zeit in die Auswahlwege C und C' eingespeist werden, ziehen die Tore der Thyristoren zum Einschalten Impulsströme, und die leitenden Zustände der Thyristoren dauern wegen deren Selbsthaltewirkung an, bis sie durch Abheben oder durch Umkehrung der Spannungspolarität des Wechselstroms abgeschaltet sind. Die Spannung des Wechselstroms ändert ihre Polarität periodisch, und wenn der Thyristor einmal abgeschaltet ist, kann er seinen leitendenfeustand nicht ohne Torsignal wieder einnehmen. Demgemäß fließt über die Sprechwege bis zum nächsten Eintreffen eines Torimpulses kein Signalstrom. Bei diesem erfindungsgemäßen Halbleiter-Sprechwegeschalter wird der Thyristor durch wiederholtes Anlegen von Impulsen an sein Tor eingeschaltet.

Die Frequenz des Wechselstroms auf den Sprechwegen beträgt Ιβ Hz und die Wiederholfrequenz des Wählimpulses ist etwa 10 bis 20 Hz; die Wiederholfrequenz der Torimpulse muß höher sein als wenigstens die Frequenz des Wechselstroms und die Impulswiederhol-

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frequenz des Wählimpulses. Weiterhin ist erfindungsgemäß die Impulsperiodendauer des Torimpuls signals sehr viel langer als die Einschaltzeit (einige /us) des Thyristors, und die Impulsbreite des Torimpulses ist ungefähr 0,01 bis 0,001 und die Impulsperiodendauer. Dementsprechend kann der Leistungsbedarf für die Torsteuerung sehr klein sein.

Fig. 3 zeigt eine Grundeinheit eines Halbleiter-Sprechwegeschalters als zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Pig. 3 enthält lichtempfindliche Thyristoren 31, 32, 33 und 34 (z. B. vom Typ IASCR). Die Thyristoren 31 und 32 sowie 33 und 34 sind antiparallel zwischen den Sprechwegen A und A^! sowie B und B¹ angeschlossen. Eine einzelne Leucht- oder Lumineszenz-Diode 53 ist den Thyristoren 313 32, 33 und 3^· zugeordnet. Die Lumineszenz-Diode 53 ist an einen Wähler 52 angeschlossen, der gemäß dem logischen Verknüpfungsprodukt der Signale auf Auswahlwegen C und C' arbeitet. Die Arbeitsweise dieses Halbleiter-Sprechwegeschalters ist nachstehend näher beschrieben.

Wenn ImpulsSignaIe, deren Impulsperiodendauern gegenseitig synchronisiert sind, während einer für den Vermittlungsvorgang benötigten Zeit nach Fig. 3" in die Auswahlwege C und C' eingespeist werden, wird der Wähler 52 mit derselben Periodendauer wie jener des .Impulssignals ein- und ausgeschaltet. Das periodische Arbeiten des Wählers 52 bewirkt, daß die Lumineszenz-Diode 53 periodisch Licht aussendet, und zwar mit einer Periodendauer gleich jener des Impuls -

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signals; das ausgesandte Licht wird von den Thyristoren 32, 33 und 34 aufgenommen. Wenn also die Impuls Wiederholfrequenz der Impulssignale höher als die Frequenz des Wechselstroms auf den Sprechwegen gewählt wird,, leiten die Thyristoren 31, 32, 33 und 34 ständig, so daß die Sprechwege A, A' und B, B^r wie beim beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel geschlossen bleiben. Der Ha Ib le it er-Sprechweges cha It er nach Fig. 3 ist nahezu ideal, da die Sprechwege in diesem Fall elektrisch vollständig vom Wähler entkoppelt sind.

Fig. 4 zeigt eine Grundeinheit eines Halbleiter-Sprechwegeschalters als drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Fig. 4 enthält lichtempfindliche Thyristoren (z. B. vom Typ IASCR) 31 und 32 sowie 33 und 34, die jeweils antiparallel geschaltet zwischen Sprechwegen A und A' sowie B und B' angeschlossen sind. Eine einzelne Lumineszenz-Diode 53 ist den Thyristoren 31» .32, 33 und 34 zugeordnet. Die Lumineszenz-Diode 53 ist an einen Speicher 5I angeschlossen (der in der Figur als Flipflop dargestellt ist), der wiederum mit einem Wähler 52 verbunden ist, der gemäß dem logischen Verknüpfungsprodukt der Signale auf Auswahlwegen C und C' arbeitet. Die Löschschaltung für den Speicher 5I ist in der Figur nicht dargestellt. Die Arbeitsweise dieses Halbleiter-Sprechwegeschalters wird nachstehend erläutert.

Wenn nach Fig. 4 Auswahlimpulse gleichzeitig in die Auswahlwege C und C' eingespeist werden, setzt der

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Wähler 52 den Speicher 51. Infolgedessen speist die Lumineszenz-Diode 53 ständig Lichtenergie in die Thyristoren JiI, 32, 3j5 und ~$k derart ein, daß sogar dann, wenn der Strom auf den Sprechwegen wegen seines Wechselstromcharakters oder wegen des Abhebens und Wählens momentan unterbrochen wird, der Strom sehr bald wieder fließen kann. Wenn also der Speicher 51 während einer für den Vermittlungs-Vorgang benötigten Zeit in seinem Setzzustand ist, werden die Sprechwege A, A' und B, B' während dieser Zeit geschlossen gehalten. Die Lumineszenz-Diode 53 kann auch durch ein Plasmaelement ersetzt werden, wobei in diesem Fall die Speichereigenschaft des Plasmaelementes ins Spiel gebracht wird. Wenn weiterhin eine PNPN-Lumin#eszenz-Diode anstelle der Lumineszenz-Diode 53 verwendet wird, kann die Speicherwirkung der PNPN-Diode derart ausgenützt werden, daß der Halbleiter-Sprechwegeschalter ohne den Speicher 51 hergestellt werden kann.

Fig. 5 zeigt eine Grundeinheit eines Halbleiter-Sprechwegeschalters als viertes Ausführungsbeispiel der Erfindung. In . dieser Fig. 5 ist der Wähler, der identisch ist zu jenem in den Fig. 2, J> und 4, nicht dargestellt und auch nicht beschrieben.

Im Halbleiter-Sprechwegeschalter nach Fig. 5 sind zwei Schaltkreise, deren jeder aus zwei antiparallel geschalteten Thyristoren besteht, miteinander in Reihe geschaltet, und der Verbindungspunkt der beiden Parallelschaltungen ist über Konstantstromdioden 5¹J- und 55

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bzw. 56 und 57 geerdet, um das Nebensprechen zu verringern. Die Konstantstromdioden ^k und 55 bzw. 56 und 57 sind antiseriell (das heißt .in Gegenschaltung) geschaltet, so daß sowohl für positive als auch für negative Spannungen eine Konstantstrom-Kennlinie erhalten wird. Die Konstantstromquelle ist im Sperrzustand niederohmig, dagegen im leitenden Zustand hochohmig. Durch Ausnutzung dieser Eigenschaft der Diode, d. h. durch Erden über eine niedere Impedanz, wenn die Sprechwege geöffnet sind, wird das Nebensprechen gedämpft. Wenn die Sprechwege geschlossen sind, sind die Dioden derart hochohmig, daß keine weitere Dämpfung auftritt.

Wie aus der Beschreibung der Erfindung hervorgeht, sind mehrere Gruppen von Thyristoren, deren jede Gruppe aus antiparallel geschalteten Thyristoren besteht, in Form einer Matrix angeordnet, um einen symmetrischen oder unsymmetrischen Schalter zu ergeben, und ein Sprechwegeschalter aus HaIbleiter-Bauelementen wird dadurch gebildet, daß Wähler ein Impulssignal (oder pulsierende Lichtenergie) mit einer Wiederholfrequenz, die höher ist als die Frequenz des Wechselstromsignals auf den Sprechwegen, an jedem zu schließenden Kreuzungspunkt in die Thyristoren einspeisen wird, und zwar während einer für den Vermittlungsvorgang benötigten Zeit. Dieser derart aufgebaute Halbleiter-Sprechwegeschalter kann Ruf-, Wähl- und Abhebesignale zusammenmit dem Sprechsignal wie ein bereits entwickelter mechanischer Sprechwegeschalter übertragen. Da der den Thyristoren zugeführte Torstrom oder die Lichtenergie außerdem periodisch ist, ist der benötigte Leistungs-

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bedarf sehr viel kleiner als jener bei bereits entwickelten Sprechwegesohaltern. Außerdem muß nicht jeder Kreuzungspunkt mit einem Speicher versehen werden (das heißt es ist .kein Speicher erforderlich), so daß die Struktur bzw. der Aufbau des Schalters insgesamt vereinfacht ist und die Kosten des Schalters 'entsprechend niedrig sind.

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Claims (10)

1. Patentansprüche

   {Ϊ). Sprechwegeschalter,

   gekennzeichnet durch torgesteuerte, Tore aufweisende Halbleiterschalter jeweils zwischen zwei als Sprechwege dienenden Leitungen (A, Bj A', B¹ )j

   hochohmige Torstromquellen (45, 46) an den Toren der Halbleiterschalterj und

   Wähler (52) zum gesteuerten periodischen Ein- und Ausschalten der Torstromquellen mit einer Wiederholfrequenz, die höher als die Frequenz eines durch die Sprechwege fließenden Stroms ist, so daß die Sprechwege an jedem gewünschten Kr.euzungspunkt schließbar sind (Fig. 2).
2. 2. Sptrechwegeschalter,

   gekennzeichnet durch

   mehrere Thyristoren (21, 22; 25, 24), durch die Ströme sowohl in positiver als auch in negativer Richtung fließen können;

   mehrere hochohmige, gesteuert ein- und ausschaltbare ' Torstromquellen (45, 46; und

   Wähler (52) zum ständig gesteuerten periodischen Ein- und Ausschalten der Torstromquellen, wobei die Thyristoren an den Kreuzungspunkten einer Sprechwegematrix liegen und jedes Thyristortor an eine Torstromquelle und jede Torstromquelle an einen Wähler angeschlossen ist (Fig. 2).
3. 3. Sprechwegeschalter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Thyristortor über je eine einen

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   Sperrstrom verhindernde Diode (41, 42; 43, 44) an die Torstromquelle angeschlossen ist (Fig.2).
4. 4. Sprechwegeschalter,

   gekennzeichnet durch

   mehrere symmetrische, matrizenförmig angeordnete Schalteinheiten, deren jede enthält:

   abgehende Sprechwegeleitungen (A, B) und ankommende Sprechwegeleitungen (A¹, B^!) sowie zwei antiparallel geschaltete Thyristorpaare, deren eines Paar zwischen ersten Leitungen (A und A') und deren anderes Paar zwischen zweiten Leitungen (B und B') liegt;

   zwei hochohmige, gesteuert ein- und ausschaltbare Torstromquellen (45* 46), deren jede an die Tore der beiden Thyristorpaare angeschlossen ist; und

   einen an die beiden Torstromquellen angeschlossenen Wähler (52), wobei die beiden Torstromquellen den beiden Thyristorpaaren entsprechend zugeordnet sind, zum periodischen Ein- und Ausschalten der beiden Torstromquellen mit einer Wiederholfrequenz, die höher als die Frequenz eines die Sprechwegeleitungen durchfließenden Wechselstroms ist, so daß die Sprechwege an Kreuzungspunkten der Matrix durch periodisches Ein- und Ausschalten der entsprechenden Torstromquellen mit der Wiederholfrequenz schließbar sind (Fig. 2).
5. 5. Sprechwegeschalter,

   gekennzeichnet durch

   lichtempfindliche Halbleiterschalter (51, 32; 33, 34) jeweils zwischen zwei als Sprechwege dienenden Leitungen;

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   in der Nähe der Halbleiterschalter angeordnete Lumineszenz-Bauelemente (53)j und

   Wähler zum gesteuerten Ein- und Ausschalten der Lumineszenz-Bauelemente derart, daß diese periodisch ein- und ausgeschaltet werden mit einer Wiederholfrequenz , die höher als die Frequenz eines durch die Sprechwege fließenden Stroms ist, so daß die Sprechwege an jedem gewünschten Kreuzungspunkt schließbar sind (Fig.3).
6. 6. Sprechwegeschalter,

   gekennzeichnet durch

   mehrere lichtempfindliche Thyristoren, durch die Ströme sowohl in positiver als auch in negativer Richtung fließen können;

   mehrere Lumineszenz-Dioden; und

   Wähler zum periodischen Ein- und Ausschalten der . Lumineszenz-Dioden, wobei die Thyristoren an den Kreuzungs punkten einer Sprechwegematrix liegen und jede Lumineszenz-Diode in der Nähe und zugehörig zu je einem Kreuzungspunkt angeordnet und an den entsprechenden Wähler angeschlossen ist.
7. 7. SprechwegeschaIter,

   gekennzeichnet durch

   mehrere symmetrische, matrizenförmig angeordnete Schalteinheiten, deren jede enthält:

   abgehende Sprechwegeleitungen (A, B) und ankommende Sprechwegeleitungen (A¹, B') sowie zwei antiparallel geschaltete Thyristorpaare, deren eines Paar zwischen ersten Leitungen (A und A') und deren anderes Paar

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   zwischen zweiten Leitungen (B und B') liegt;

   eine in der Nähe und zugehörig zu den beiden Thyristorpaaren angeordnete Lumineszenz-Diodej und

   einen an die Lumineszenz-Dlode angeschlossenen Wähler zum periodischen Ein- und Ausschalten der Lumineszenz-Diode mit einer Wiederholfrequenz, die höher als die Frequenz eines Wechselstroms durch die Sprechwegeleitungen ist, so daß die Sprechwege an den Kreuzungspunkten der Matrix durch periodisches Ein- und Ausschalten der entsprechenden Lumineszenz-Diode mit der Wiederholfrequenz periodisch schließbar sind.
8. 8. Sprechwegeschalter,

   gekennzeichnet durch

   lichtempfindliche Halbleitersehalter jeweils zwischen zwei als Sprechwege dienenden -Leitungen;

   in der Nähe der Halbleiterschalter angeordnete Lumineszenz-Bauelemente;

   Speicher (51) zum Aufrechterhalten des Ein- und Ausschaltzustandes der Lumineszenz-Bauelemente; und

   Wähler zum Setzen und Löschen der Speicher, wobei die Lumineszenz-Bauelemente durch Setzen und Löschen der Speicher ein- und ausschaltbar sind, so daß die Sprechwege an jedem beliebigen Kreuzungspunkt schließbar sind (Fig .4).
9. 9. Sprechwegeschalter,

   gekennzeichnet durch

   mehrere lichtempfindliche Thyristoren, durch die Ströme sowohl in positiver als auch in negativer Richtung

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   f ließen können;

   mehrere Lumineszenz-Dioden;

   mehrere Speicher zum Aufrechterhalten des Ein- und Ausschaltzustandes der Lumineszenz-Dioden; und

   Wähler zum Setzen und Löschen der Speicher, wobei die Thyristoren an den Kreuzungspunkten einer Sprechwegematrix und jede Lumineszenz-Diode in der Nähe der Kreuzungspunkte angeordnet sind, und wobei die Lumineszenz-Dioden über die Speicher mit den entsprechenden Wählern verbunden sind.
10. 10. Sprechwegeschalter,

    gekennzeichnet durch

    mehrere lichtempfindliche Thyristoren, durch die Ströme sowohl in positiver als auch in negativer Richtung fließen können;

    mehrere PNPN-Lumineszenz-Dioden;

    Wähler zum Ein- und Ausschalten der Lumineszenz-Dioden, wobei die Thyristoren an den Kreuzungspunkten einer Sprechwegematrix und jede Lumineszenz-Diode in der Nähe der Kreuzungspunkt angeordnet sind, und wobei die Lumineszenz-Dioden mit den Wählern verbunden sind.

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