DE2450109C3 - Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Zinksulfidkeramikkörpers - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden ZinksulfidkeramikkörpersInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Zinksulfidkeramikkörpers aus
einem puiverförmigen Ausgangsmaterial mit Zinkoxid als Hauptbestandteil unter Sulfurieren des Zinkoxids in
einer CS^-Atmosphäre bei einer Temperatur von 700 bis
1000° C.
Ein derartiges Verfahren zur Herstellung von Sulfidphosphoren ist aus der DE-PS 4 04 491 bekanntgeworden;
dabei wird unter anderem auch Zinkoxid der reduzierenden Wirkung eines mit Schwefelkohlenstoff
CSj beladenen indifferenten Gasstromes (Stickstoff oder Edelgas) bei geeigneten hohen Temperaturen,
beispielsweise 800° C, auszusetzen.
Es ist ferner bekannt, eine pulverförmige Mischung aus BaS und ZrS einem mit Schwefelkohlenstoff CS2
beladenen Stickstoffstrom bei 900°C auszusetzen. Auf
Grund der reduzierenden Wirkung des Schwefelkohlenstoffs gewinnt man BaZrSrKeramiken (]. Am. Ceram.
Soc. 53,1970, S. 601-604).
Aus der deutschen Patentschrift 8 57 984 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Metallsulfid-Keramikkörpers
bekanntgeworden, bei dem ein Metall, u. a. Zink, mit H2S behandelt wird, dann eine Mischung aus
dem Metallsulfid und einer kleinen Menge von Schwefel gepreßt und der gepreßte Körper gesintert wird.
Nachteilig daran ist jedoch, daß ein ZnS-Keramikkörper hoher Qualität, der durch einen niedrigen
elektrischen Widerstand gekennzeichnet ist, nicht hergestellt werden kann.
Es ist bekannt, daß Zinksulfid einen ziemlich hohen elektrischen Widerstand (ä 106Q-Cm) bei Raumtemperatur
(20 bis 10°C) hat und ein Halbleiter vom η-Typ ist. Wenn das Zinksulfid mit einem weiteren Halbleiter in
Berührung kommt, wird an der Grenzfläche zwischen dem Zinksulfid und dem anderen Halbleiter eine
Polentialsperrschicht gebildet. Die Potentialsperrschicht steht mit verschiedenen Arten von Eigenschaften
in Beziehung, wie z. B. der Elektrolumineszenz, Photoleitfähigkeit, kapazitiven Wirkung, Piezoelektrizität
usw., die Zinksulfidkörper zeigen können. Es war jedoch schwierig, Bauelemente für eine Verwendung
beim Betrieb unter geringem Verlust sowie auch geringer Spannung, wie sie neuerdings erforderlich sind,
zu erhalten. Dieses ist auf die Zinksulfidkörper mit ■>
hohen elektrischen Widerständen zurückzuführen.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines einfachen Verfahrens zur Herstellung von Halbleiterkeramiken
mit Obergangszone, die in vorteilhafter Weise für Photoelemente, Kondensatoren, piezoelektrische
Wandler, Dioden u.dgl. verwendet werden können. Die Aufgabe wird durch die Merkmale des
Kennzeichens des Patentanspruchs gelöst. Die erfindungsgemäß hergestellten, halbleitenden Zinksulfidkeramikkörper
sind durch einen niedrigen elektrischen
i") Widerstand ausgezeichnet.
An Hand der Zeichnungen wird die Erfindung näher erläutert, in denen die
F i g. 1 eine schematische Querschnittsansicht eines
Zinksulfidkeramikkörpers ist,
Fig.2 eine schematische Querschnittsansicht eines
Keramikkörpers mit Übergangszone ist, der ein Keramikmaterial mit einer Schicht, die im wesentlichen
aus einem Zinkoxidkeramikkörper besteht, sowie mit einer Schicht, die im wesentlichen aus dem entsprechenden
Sulfidkeramikkörper besteht, enthält,
Fig. 3 eine Wiedergabe von Anionkonzentrationen des Keramikkörpers in der F i g. 2 ist und
F i g. 4 ein stark vergrößert dargestellter schematischer Querschnitt eines Keramikkörpers ist, der ein
JO Kenmikmaterial enthält, das aus Keramikteilchen besteht, von denen jedes eine Zinksulfidscnicht um das
entsprechende Oxidteilchen herum aufweist.
Gemäß der Erfindung ist gefunden worden, daß ein durch einen niedrigen elektrischen Widerstand ausge-
3) zeichneler Zinksulfidkeramikkörper durch Sulfurieren
von mindestens einem Teil eines Zinkoxidmaterials, das im wesentlichen aus Zinkoxid und 0,01 bis 6,0
Atomprozent von mindestens einem Oxid der Metalle Aluminium, Magnesium, Nickel, Kobalt, Kadmium, Blei,
Indium, Wismut, Antimon, Titan, Zirkon, Silicium, Zinn, Niob. Tantal, Wolfram, Yttrium, Scandium und der
Lanthaniden besteht, in einer Schwefelkohlenstoffatmosphäre bei einer Temperatur in dem Bereich von 700 bis
1000' C, um so mindestens den einen Teil in ein Sulfid zu
überführen, 'erhalten werden kann. Die Sulfurierung (unter Sintern bei der Reaktion) wird auf die sehr starke
reduzierende Wirkung von Schwefelkohlenstoff zurückgeführt. Ferner findet die Sulfurierung unter den
Temperaturen statt, bei denen das gebildete Sulfid sich
ω zersetzt oder sublimiert. Weil sich jedoch der Partialdruck
von Schwefel, der durch Dissoziation von Schwefelkohlenstoff gebildet worden ist, über 10000C
beträchtlich erhöht, sollte die Temperatur für die Sulfurierung vorzugsweise unter 10000C gehalten
Ή werden. Ausgangsmaterialien mit Zinkoxid als Hauptbestandteil
reagieren leicht mit Schwefelkohlenstoff bei einer Temperatur unter 10000C. Der oben angegebene
Körper aus Zinkoxidmaterialien enthält (1) einen Körper, der durch Druckverdichten eines Ausgangs-
W) materials hergestellt worden ist, das im wesentlichen aus
Zinkoxid und 0,01 bis 6,0 Atompro/ent von wenigstens
einem Oxid der Metalle Aluminium, Magnesium, Nickel, Kobalt, Kadmium, Blei, Indium, Wismut, Antimon, Titan,
Zirkon, Silicium, Zinn, Niob, Tantal, Wolfram, Yttrium,
br> Scandium und der Lanthaniden besteht. Unter diesen
Bedingungen wird aus dem gesamten Oxidmaterial (dem verdichteten Pulver) durch die Sulfurierungsstufe
leicht ein einheitliches Sulfidmaterial gebildet.
Der oben angegebene Körper aus Oxidmaterial erfaßt außerdem (2) eine dichte kompakte Keramik, die
durch Vermischen eines Ausgangsoxidmaterials, das im wesentlichen aus Zinkoxid und 0,01 bis 6,0 Atomprozent
von mindestens einem Oxid der Metalle Aluminium, Magnesium, Nickel, Kobalt, Kadmium, Blei, Indium,
Wismut, Antimon, Titan, Zirkon, Silicium, Zinn, Niob, Tantal, Wolfram, Yttrium, Scandirm und der Lanthaniden
besteht. Druckverdichten des so vermischten Materials und Sintern des so druckverdichtelen
Materials hergestellt worden ist Wenn die Sulfurierung
über eiiit lange Zeitspanne hinweg durchgeführt wird,
wird die gesamte dichte Keramik sulfuriert Wenn die Sulfurierung über eine geeignete Zeitspanne hinweg
durchgeführt wird, wird die dichte Keramik nur teilweise sulfuriert, und dann besitzt der erhaltene
Keramikkörper eine Übergangszone, die in dem Keramikkörper das Oxidmaterial von dem Sulfidmaterial
trennt. Auf diese Weise kann ein Keramikmaterial mit Übergangszone leicht hergestellt werden.
Zu dem oben beschriebenen Körper aus Oxidmaterial gehört ferner (3) ein Körper, der durch Vermischen
eines Ausgangsmaterials, das im wesentlichen aus Zinkoxid und 0,01 bis 6,0 Atomprozent von mindestens
einem Oxid der Metalle Aluminium, Magnesium, Nickel, Kobalt, Kadmium, Blei, Indium, Wismut, Antimon,Titan,
Zirkon, Silicium, Zinn, Niob, Tantal, Wolfram, Yttrium, Scandium und der Lanthaniden besteht. Druckverdichten
des so vermischten Materials, Sintern des so druckverdichteten Materials, Zerkleinern des erhaltenen
Keramikmaterials zu Keramikteilchen und weiteres Druckverdichten der so erhaltenen Keramikteilchen
hergestellt wird. In jedem Fall ist die Oberflächenschicht von jedem Keramikteilchen durch die Sulfurierung
sulfuriert. Wenn die Sulfurierung für eine lange Zeitspanne durchgeführt wird, ist natürlich nicht nur die
Oberfläche, sondern auch die Masse von jedem Keramikteilchen sulfuriert. Somit wird ein Metalloxid
als Ausgangsmaterial benutzt, und das Ergebnis ist ein
Metallsulfid.
Die Vorteile des Verfahrens der Erfindung sind folgende: Es können leicht Zinksulfide hoher Qualität
die durch einen niedrigen elektrischen Widerstand ausgezeichnet sind, hergestellt werden. Diese Verfahren
führen zu keiner sogenannten Sulfidluftverschmutzung, wie z. B. durch SOj. Dünne Filme aus Zinksuifidkeramikmaterialien
können leicht hergestellt werden, die
ίο vorteilhaft sind, und zwar im Hinblick darauf, daß die
moderne elektronische Industrie eine Verkleinerung und ein Formgeben von Schaltungen erfordert und
außerdem Elemente für einen Einsatz beim Betrieb bei niedriger Spannung erfordert. Weil Oxide an Stelle von
Sulfidpulvern als Ausgangsmaterialien verwendet werden, ist eine billige Massenproduktion von Zinksulfidkeramikmaterialien
möglich. Die Temperatur für die Sulfurierung ist relativ niedrig. Die Dicke der Zinksulfidschichten
kann leicht eingestellt werden. Ein weiterer bedeutender Vorteil der Erfindung ist folgender: Es ist
bekannt, daß Zinkoxid im Vergleich zu Zinksulfid mit einer anderen Komponente leicht eine feste Lösung
bildet, weil das Zinkoxid bis hin zu hohen Temperaturen beständiger als Zinksulfid ist. Wenn eine feste
Oxidlösung, die Zinkoxid als Hauptbestandteil enthält, hergestellt werden kann, kann gemäß der Erfindung die
feste Oxidlösung leicht in die entsprechende feste Sulfidlösung umgewandelt werden, was auf die niedrige
Temperatur bei der Umsetzung von Oxid und Schwefelkohlenstoff zurückzuführen ist.
Im folgenden wird die Herstellung von Zinksulfidkeramikkörpern nach der Erfindung im einzelnen
beschrieben.
Die als Komponenten verwendeten Oxide werden
Die als Komponenten verwendeten Oxide werden
r> zur Herstellung eines gebrannten Keramikkörpers in den für die Zusammensetzung gewünschten Anteilen
vermischt und gebrannt, und zwar gemäß der nachfolgenden
Probe | Ausgangsmaterial (Anteile | 99,995 | in Atomprozent) | 0,005 | Elektrischer Widerstand |
Nr. | 99,99 | 0,01 | des gebildeten Sulfid | ||
99,5 | 0,5 | keramikkörpers bei | |||
98,0 | 2,0 | 20 C (Ω-cm) | |||
η | ZnO | 94,0 | 6,0 | 3,2 xl O8 | |
2*) | ZnO | 92,0 | AI2O3 | 8,0 | 1,0x108 |
3 | ZnO | 99,5 | AI2O3 | 0,5 | I1OxIOJ |
4 | ZnO | 98,0 | AI2O3 | 2,0 | 9,0x102 |
5 | ZnO | 99,5 | AI2O3 | 0,5 | l,OxtOJ |
6 | ZnO | 99,5 | AI2O3 | 0,5 | 1,0x103 |
7 | ZnO | 99,5 | AI2O3 | 0,5 | 7,2x10' |
8 | ZnO | 99,5 | MgO | 0,5 | 2,4x103 |
9 | ZnO | 99,99 | MgO | 0,01 | 1,1 χ 103 |
10 | ZnO | 99,5 | NiO | 0,5 | 3,6x103 |
11 | ZnO | 98,0 | CoO | 2,0 | 3,2x103 |
12 | ZnO | 96,0 | CdO | 4,0 | 2,1 χ 103 |
13 | ZnO | 94,0 | PbO | 6,0 | 3,5x103 |
14 | ZnO | 92,0 | ImO3 | 8,0 | 2,6 xl O2 |
15 | ZnO | 99,99 | In2Ü3 | 0,01 | 7,OxIO2 |
16 | ZnO | 99,5 | ΙΠ2θ3 | 0,5 | 5,0x10 |
17 | ZnO | 98,0 | ΙΠ2θ3 | 2,0 | 3,8 χ ΙΟ3 |
18 | ZnO | 1Π2Ο3 | 5,2x105 | ||
19*) | ZnO | ΙΠ2θ3 | 9,2x106 | ||
20 | ZnO | ΒΪ2Ο3 | 2,8x10" | ||
21 | ZnO | ΒΪ2Ο3 | 6,0 χ 102 | ||
22 | ZnO | Βΐ2θ3 | 1,6x102 | ||
5 | 96,0 | 24 50 | 109 | 4,0 | 6 | |
94,0 | 6,0 | |||||
Fortsetzung | 92,0 | 8,0 | Elektrischer Widerstand des gebildjlcn Sulfid- |
|||
Probe Nr. |
99,99 | in Atomprozcnt) | 0,01 | kcniniikkörpers bei | ||
99,5 | 0,5 | 20" C (Ω-cm) | ||||
Ausgangsmatcriiil (Anteile | 98,0 | 2,0 | 7,2x101 | |||
23 | 96,0 | B12O3 | 4,0 | 5,7x105 | ||
24 | 94,0 | B12U3 | 6,0 | 3,4χ ΙΟ7 | ||
25*) | ZnO | 92,0 | Bi2Os | 8,0 | 3,8x105 | |
26 | ZnO | 99,5 | Sb2O3 | 0,5 | 7,5x10? | |
27 | ZnO | 99,5 | Sb2O3 | 0,5 | 8,0x10' | |
28 | ZnO | 99,5 | Sb2Oi | 0,5 | 8,0x10' | |
29 | ZnO | 96,0 | Sb2Oj | 4,0 | 1,2χ10ΐ | |
30 | ZnO | 99.5 | Sb2O3 | 0,5 | T Γϊ . . Λ Λί. /,OX. 1 U" |
|
31*) | ZnO | 99,5 | Sb2O3 | 0,5 | 6,7 χ 103 | |
32 | ZnO | 99,5 | TiO- | 0,5 | 5,4 χ 10' | |
33 | ZnO | 94,5 | Z1O2 | 0,5 | 9,2 χ ΙΟ2 | |
34 | ZnO | 99,5 | SiO2 | 0,5 | 4,8χ105 | |
35 | ZnO | 99,5 | SiO2 | 0,5 | 8,7x102 | |
36 | ZnO | 99,5 | SnO2 | 0,5 | 7,2 χ 1OJ | |
37 | ZnO | 99,5 | Nb2Os | 0,5 | 0,4x103 | |
38 | ZnO | 99,5 | Ta2Os | 0,5 | 4,3 χ ΙΟ3 | |
39 | ZnO | 99,5 | WO3 | 0,5 | 5,2x10' | |
40 | ZnO | 99,0 | Sc2O 3 | 0,5 · SnO2 0,5 | 5,2x103 | |
41 | ZnO | (Zno.5Cdo.5) 99,5 | Y2O3 | 0,5 | 4,8x103 | |
42 | ZnO | CeO2 | 6,2x103 | |||
43 | ZnO | Eu2O3 | 4,8XlO3 | |||
44 | ZnO | Tb2O3 | 3,1 χ 103 | |||
45 | ZnO | Yb2O3 | 7,2 χ ΙΟ9 | |||
46 | ZnO | AbOs | 5,6x10^ | |||
47 | ZnO | Al2O3 | ||||
ZnO | ||||||
*) Außerhalb der Erfindung liegende Proben.
Die Ausgangsmaterialien für die Keramik sind im Handel erhältliche Oxide mit hohem Reinheitsgrad.
Eine Verbindung, die beim Brennen in das entsprechende Oxid umgewandelt werden kann, kann als Ausgangsmaterial
verwendet werden. Die Ansätze von den Ausgangsmaterialien werden in einer Kugelmühle mit
einer kleinen Menge Wasser zum innigen Vermischen vermählen und getrocknet. Im allgemeinen werden die
trocknen Gemische mit einem Druck von etwa 750 kg/cm2 zu einer Scheibe von 15 χ 1 mm verpreßt.
Die Scheibe wird bei einer Temperatur unterhalb von 10000C in einer Schwefelkohlenstoffatmosphäre gebrannt
Die Sulfurierung wird in einem transparenten Verbrennungsrohr durchgeführt, das waagerecht in
einem Röhrenofen gehalten wird, der aus einem Graphitbehälter besteht, der die Scheibe enthält.
Trocknes Stickstoffgas wird durch eine Gaswaschflasche, die mit Schwefelkohlenstoff gefüllt ist, geblasen.
um diesen in die Verbrennungskammer einzutragen. Nach derr. Brennen wird die gewonnene Probe durch
Abstellen des Ofens abgekühlt.
In der Tabelle sind die Anteile der Ausgangsmaterialien in Atomprozente und der elektrische
Widerstand der entsprechenden Sulfidkeramikkörper angegeben. Diese Keramikkörper zeigen eine hohe wi
Dichte, die durch eine relative Dichte von über 92% gekennzeichnet ist. sowie eine gleichmäßige Keramik-Struktur
mit einer Korngröße von 1 bis 10 μπι. so daß die
Keramikkörper hart, haltbar und widerstandsfähig gegenüber mechanischer Abnutzung. Wärmeschock, b=.
Oxidation und Reduktion sind. Das einfache und wirtschaftliche Verfahren zur Herstellung der Keramikkoroer
ist ferner durch die Tatsache gekennzeichnet.
daß die Sintertemperalur von jedem Zinksulfidkeramikkörper
viel niedriger ist als dessen Sublimationstemperatur (1185°C) und unter 1000°C liegt Nach dem
Sintern werden die Keramikkörper mit einem Röntgenstrahlenbeugungsmesser vom Geigerzählertyp unter
Anwendung von CuKa-Strahlung analysiert Durch diese Versuche wird bestätigt, daß alle Keramikkörper
mit diesen Zusammensetzungen nicht aus gemischten Phasen, wie Oxid, Oxysulfid und Sulfid, sondern nur aus
der SulFidphase bestehen. Wie der Tabelle zu entnehmen ist, besitzen in dem Fall, daß eir. Ausgangsoxidmaterial
benutzt wird, das im wesentlichen aus Zinkoxid und 0,01 bis 6,0 Atomprozent von mindestens einem
Oxid der Metalle besteht. Aluminium, Magnesium, Nickel, Kobalt, Kadmium, Blei, Indium, Wismut,
Antimon, Titan, Zirkon, Silicium, Zinn, Niob, Tantal, Wolfram, Yttrium, Scandium und der Lanthaniden
besteht die entsprechenden Sulfidkeramikkörper zu einem niedrigen elektrischen Widerstand.
Der in der Fig. 1 dargestellte Sulfidkeramikkörper
besteht aus einer einheitlichen Sulfidphase 1. Diese Zinksulfidkeramikmaterialien können als Bauelemente
auf verschiedenen Gebieten benutzt werden, wie z. B. in elektrischen Geräten, wie solchen mit Photoleitern,
Kondensatoren, piezoelektrischen Wandlern und so weiter.
Gemäß der Erfindung ist gefunden worden, daß ein Keramikkörper mit Übergangszone, der ein Keramikmaterial
mit einer Schicht enthält die im wesentlichen aus einem Zinkoxidkeramikkörper besteht sowie eine
andere Schicht enthält, die im wesentlichen aus dem entsprechenden Sulfidkeramikkörper besteht durch
Sulfurieren von mindestens einem Teil eines Ausgangs-
Oxidkeramikkörpers in einer Schwefelkohlenstoffalmosphäre
bei einer Temperatur in dem Bereich von 700 bis 1000°C, die unter der Sublimationstemperalur des
entsprechenden Sulfids liegt, erhalten werden kann. Das Verfahrcnsmerkmal besteht in diesem Fall in dem
Sintern des Ausgangsoxidmaterials, so daß dieses eine hohe Dichte annimmt, und dann dem Sulfurieren des
Oxidkeramikkörpers in einer Schwefelkohlenstoffatmosphäre bei einer Temperatur, die z. B. wesentlich
niedriger ist als die Sublimationstemperatur des entsprechenden Sulfids. Schwefelkohlenstoff diffundiert
nach und nach durch das Äußere des Oxidkeramikkörpers in das Innere und wandelt eine Schicht des
Keramikkörpers bis zu einer gewissen Tiefe in eine gleichmäßige Sulfidschicht um. Die gebildete Sulfidschicht
wird gut gesintert, und zwar durch einen
Reaktions-Sinter-Prozeß, der, wie oben angegeben ist, während der Umsetzung zwischen Oxid und Schwefelkohlenstoff
stattfindet. Die Dicke der gebildeten Sulfidschicht kann ferner durch Ändern der Sulfurierungsbedingungen,
wie 7. B. der Sintertemperatur und -dauer, leicht eingestellt werden. Daher können fast alle
Oxidkeramikschichten in Sulfidkeramikschichten umgewandelt werden.
Die Fig. 2 zeigt einen Keramikkörper, bei dem ein Zinkoxidkeramikkörper 2 eine Oberfläche aufweist, die
nach dem oben beschriebenen Verfahren unter Bildung einer Zinksulfidkeramikschicht 1 behandelt worden ist.
In der F i g. 3 ist schematisch die Verteilung der Schwefel- und Sauerstoffkonzentrationen von dem
Keramikkörper nach der F i g. 2 wiedergegeben. Es kann angenommen werden, daß bei dem in den F i g. 2
und 3 dargestellten Keramikkörper eine Art Heterospcrrschicht zwischen Oxid und Sulfid gebildet worden
ist. Die Bildung einer HeteroSperrschicht ist aus der Tatsache ersichtlich, daß, wenn ein elektrisches Feld an
den Keramikkörper mit Übergangszone angelegt wird, ein Maximum der Feldstärke an der Übergangszone
von Oxid und Sulfid erscheint. Der Keramikkörper mit Heteroübergangszone kann zahlreiche elektrische
Eigenschaften zeigen, die auf der an der Grenzfläche von Oxid und Sulfid gebildeten Übergangszone
basieren. Daher kann der Keramikkörper mit Übergangszone z. B. für spannungsabhängige Bauelemente
in elektrischen Geräten benutzt werden.
Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung eines Keramikkörpers mit Übergangszone nach der Erfindung
wird unter den nachfolgend angegebenen Bedingungen durchgeführt.
Die Ausgangsmaterialien für die Keramikmaterialien sind im Handel erhältliche Oxidpulver mit einem hohen
Reinheitsgrad. Irgendeine Verbindung, die beim Sintern in das entsprechende Oxid umgewandelt werden kann,
kann als Ausgangsmaterial verwendet werden. Die Ansätze von den Ausgangsmaterialien werden mit einer
kleinen Menge Wasser, um ein inniges Vermischen zu ermöglichen, in einer Kugelmühle vermählen und
getrocknet. Sie werden dann mit einem Druck von etwa 750 kg/cm2 zu einer Pelletform verpreßt. Die Pellets
werden in Luft bei 13000C gesintert. Der gesinterte
Oxidkeramikkörper wird dann in einer Schwefelkohlenstoffatmosphäre unterhalb von 1000°Cunter Benutzung
der oben beschriebenen Sulfurierungsvorrichtung gebrannt. Die Sulfidschicht führt zu einem niedrigen
elektrischen Widerstand. Die Keramikkörper zeigen eine hohe Dichte und eine gleichmäßige Zweischichtenstruktur.
Die Sulfidschicht kann durch Einstellen der Sulfurierungsbedingungen, wie der Brenntemperatur
und -dauer, leicht variiert werden.
Der Keramikkörper mit ubergangszone kann für
Geräte, wie Photovoltelemente, Kondensatoren, piezoelektrische Wandler, Dioden usw., verwendet werden.
Gemäß der Lrfindung ist ferner gefunden worden, daß ein Keramikmaterial, das aus Teilchen besteht, die
jeweils ei:ie Zinksulfidschicht um das entsprechende
Oxidteilchen herum aufweisen, durch Sulfurieren einer Oberflächenschicht eines Zinkoxidteilchens erhalten
werden kann. Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung eines solchen Keramikkörpers besteht darin, daß
ein Zinkoxidkeramikkörper zu einem Pulver zerkleinert wird, dann das Pulver druckverdichtet wird und dann
mindestens eine Oberflächenschicht des Oxidteilchens in einer Schwefelkohlenstoffatmosphäre bei einer
Temperatur in dem Bereich von 700 bis 10000C, die
unter der Sublimationstemperatur des Sulfids liegt, sulfuriert wird. Unter diesen Bedingungen haben im
wesentlichen alle Zinkoxidteilchen eine Oberflächenschicht, die in Zinksulfid umgewandelt worden ist. Die
Fig.4 zeigt einen schematischen Querschnitt (MikroStruktur)
eines Keramikkörpers, der aus Teilchen besteht, die jeweils eine Zinksulfidschicht 4 um das
entsprechende Oxidteilchen 3 aufweisen, wobei die entsprechenden Bereiche vergrößert dargestellt sind.
Ein solcher Keramikkörper weist auch eine Heterosperrschicht an der Grenzfläche von Oxid und Sulfid auf,
und diese Keramikkörper können Eigenschaften an der Heterosperrschicht der Grenzfläche von Oxid und
Sulfid zeigen.
Diese Sulfidkeramikköi per können in Scheibenform
oder in rechteckiger Form, in einer Einschichtstruktur oder einer Mehrschichtstruktur oder in Form einer
einzigen Scheibe oder in Form mehrerer Scheiben vorliegen. Sie können auch röhrenförmig sein.
Der Keramikkörper kann natürlich nicht nur für die oben beschriebenen Leuchtstoffelemente, sondern auch
für Photoleiter, Kondensatoren, piezoelektrische Wandler, Varistoren und Kombinationen davon geeignet sein.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Zinksulfidkeramikkörpers aus einem puiverförmigen Ausgangsmaterial mit Zinkoxid als Hauptbestandteil unter Sulfurieren des Zinkoxids in einer CS2-Atmosphäre bei einer Temperatur von 700 bis. 10000C, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Ausgangsmaterial verwendet, dem 0,01 bis 6,0 Atomprozent von mindestens einem Oxid der Metalle Aluminium, Magnesium, Nickel, Kobalt, Kadmium, Blei, Indium, Wismut, Antimon, Titan, Zirkon, Silicium, Zinn, Niob, Tantal, Wolfram, Yttrium, Scandium und der Lanthaniden beigemischt ist, daß man das Ausgangsmaterial unter Druck verdichtet und das druckverdichtete Ausgangsmaierial zu einem dichten Oxid-Kerawikkörper sintert, und daß man einen Teil des Oxid-Keramikkörpers in der Sulfurierungsstufe unter Bildung einer aus einem Oxid-Keramikkörper und einem SuI-fid-Keramikkörper bestehenden Keramik mit Übergangszone sulfuriert.
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