DE2442984A1 - Schaltanordnung - Google Patents

Schaltanordnung

Info

Publication number
DE2442984A1
DE2442984A1 DE2442984A DE2442984A DE2442984A1 DE 2442984 A1 DE2442984 A1 DE 2442984A1 DE 2442984 A DE2442984 A DE 2442984A DE 2442984 A DE2442984 A DE 2442984A DE 2442984 A1 DE2442984 A1 DE 2442984A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
circuit
switching
capacitor
gated switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2442984A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2442984C2 (de
Inventor
Yutaka Nakagawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of DE2442984A1 publication Critical patent/DE2442984A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2442984C2 publication Critical patent/DE2442984C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/722Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/723Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K4/00Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
    • H03K4/06Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
    • H03K4/08Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
    • H03K4/83Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices with more than two PN junctions or with more than three electrodes or more than one electrode connected to the same conductivity region

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Description

It 5006
SCM CORPORATION, TOKYO, JAPAN
e ano rdnung
Lie Lri'indung betrifft allgemein eine Schaltanordnung bzw. eine zur Ausübung von elektrischen Schaltvorgängen geeignete Schaltung und bezieht sich insbesondere auf eine Schaltanordnung, welche in Verbindung mit der Horizontalablenksciialt/ang eines Fernsehempfängers verwendbar ist.
In einer bekannten horizontalablendschaltung, wie sie in der Fig. 1 dargestellt ist, wird eine sogenannte torgesteuerte Schalteinrichtung 1 (Vierschichttriode) als Schaltelement verwendet. In der in der Fig. 1 dargestellten bekannten Schaltung ist eine Drosselspule 2 zwischen der Anode des torgesteuerten Schalters 1 und einer Spannungsquelle + B eingeschaltet. Die Anode des torgesteuerten Schalters 1 ist weiterhin jeweils mit einer Zeilendiode bzw. Dämpferdiode 3, einer ßesonanzspule 4 und einer Horizontalablenkspule 5 verbunden, und die Torelektrode des torgesteuerten Schalters 1 ist über einen Treibertransformator 6 mit einem Treibertransistor 7, verbunden.
Da der Transformator 6 kein idealer Transformator ist, sondern eine Leckinduktivität bzw. Querinduktivität aufweist, ist in diesem Falle eine Induktionsspule L an die Sekundär— seite des Treibertransformators 6 angeschlossen, vom Äquivalenz-Standpunkt aus gesehen. Demgemäß wird dann, wenn das davon herrührende TreiberSpannungssignal ein negatives Signal - E wird und ein Torstrom Iq des torgesteuerten Schalters 1 von einem positiven Wert auf einen negativen Wert verändert wird oder eine elektrische Ladung von der Torelektrode des torgesteuerten Schalters 1 abgeleitet wird,wie es in der Fig-
509811/1059
dargestellt ist, eine sogenannte Speicherzeit Ts vergrößert und folglich der torgesteuerte Schalter 1 nicht plötzlich vom eingeschalteten in den ausgeschalteten Zustand gebracht, wie es in der Fig. J dargestellt ist. Wenn ein Transformator so ausgebildet ist, daß seine Leckinduktivität bzw. Querinduktivität gering ist, kann .die Speicherzeit Ts in gewissem Umfang verkürzt werden. Jedoch ist diese Verkürzung der Speicherzeit Ts begrenzt, und es ist schwierig, einen solchen Transformator mit einer kurzen Speicherzeit herzustellen.
Eine weitere bekannte Horizontalablenkschaltung ist in der Fig. 4- dargestellt. In der Schaltung gemäß Fig. 4- wird eine Drosselspule 8 mit einem Abgriff anstelle des Treibertransformators 6 gemäß Fig. 1 verwendet, und ein Kondensator 9 zum Blockieren des Durchgangs eines Gleichstroms und einer Drosselspule 10 sind an den Abgriff der Drosselspule S angeschlossen. Im übrigen ist der Schaltungsaufbau derselbe wie bei der Anordnung gemäß Fig. 1. Die Horizontälablenkschaltung gemäß Fig. 4- ist jedoch auch nicht frei von den Nachteilen der Anordnung gemäß Fig. 1.
Aufgabe der Erfindung ist es, unter Vermeidung der oben aufgezählten Nachteile eine Schaltungsanordnung zu schaffen, welche zugleich besonders einfach aufgebaut ist.
Hierzu sieht die Erfindung eine Schaltungsanordnung vor, welche eine Einrichtung zur Erzeugung eines Treibersignals aufweist, welche weiterhin ein Schaltelement hat, das wenigstens eine Steuerelektrode aufweist, welche weiterhin ein Vorspannungselement umfaßt, das zwischen der Einrichtung zur Erzeugung des Treibersignals und der Steuerelektrode des Sehaltelementes angeordnet ist, welche weiterhin einen Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor hat, wobei die Basis-Emitter-Strecke des Transistors parallel zu
509811/1059
den. Vorspannungseiement liegt, und welche schließlich einen Kondensator aufweist, der zwischen dem Kollektor des Transistors und einer Bezugsspannung angeordnet ist.
Die erfindungsgemäße Schaltung ist insbesondere vorteilhaft als Schaltanordnung bei einem Fernsehempfänger verwendbar.
Gemäß der Erfindung ist somit eine Schaltungsanordnung vorgesehen, bei welcher ein Vorspannungselement zwischen einer Zuführungsklemme für ein Treibersignal und der Steuerelektrode eines Schaltelementes liegt, wobei ein Transistor, dessen Basis und Emitter parallel zu dem Schaltelement liegen, und ein Kondensator zwischen dem Kollektor des Transistors und einer Bezugsspannung angeordnet sind.
Die Erfindung wird nachfolgend beispielsweise anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigen:
Fig. 1 ein Schaltschema einer bekannten Horizontalablenkschaltung,
Pig. 2 ein zugehöriges Ersatzschaltschema,
Fig. 3 ein Wellenformdiagramm, welches zur Erläuterung der Arbeitsweise der in der Fig. 1 dargestellten Schaltung di ent, . .
Fig. 4 ein Schaltschema, welches eine weitere Ausführungsform der bekannten Horizontalablenkschaltung darstellt,
Fig. 5 und 6 jeweils ein Schaltschema, welches eine erfindungsgemäße Schaltanordnung darstellt, und
Fig. 7A bis 7D Wellenformdiagramme, welche zur Erläuterung öer Arbeitsweise der Ausführungsformen gemäß der Erfinduni]; dienen.
509811 /1059
_ 4 —
Nachfolgend wird eine erste erfindungsgemäße Ausführungform anhand der Fig. 5 beschrieben. In der Ausführungsform gemäß Fig. 5 ist vorgesehen, daß die Erfindung auf die Horizontalablenkschaltung angewendet wird, in welcher der Treibertransformator 6 gemäß Fig. 1 verwendet wird. In der Fig. bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie in der Fig. 1 dieselben Elemente, so daß sich deren Erläuterung erübrigt.
In der Ausführungsform der Erfindung gemäß Fig. 5 ist zwischen einer Treibersignal-Zuführungsklemme oder einem Ende 11 der Sekundärseite des Treibertransformators 6 und der Steuerelektrode eines Schaltelementes oder der Torelektrode des torgesteuerten Schalters 1 ein Widerstand 12 als Vorspannungselement eingeschaltet. Die Basis-Emitter-Strecke eines Transistors 15 ist zwischen beiden Enden des Widerstandes dazu parallel geschaltet, und der Kollektor des Transistors 13 ist über einen Kondensator 14- geerdet.
Wenn bei der Schaltung gemäß Fig. 5 eine Treiberspannung E„ an der Treibersignal-Zuführungsklemme 11 positiv wird, fließt ein Einschaltstrom durch den Widerstand 12 zu dem Toi* des torgesteuerten Schalters 1, uei den torgesteuerten Schalter in den eingeschalteten Zustand zu bringen. Zu dieser Zeit ist die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 13 entgegengesetzt vorgespannt, und zwar mit der am Widerstand 12 auftretenden Spannung, so daß der Transistor 13 abgeschaltet wird. Wenn andererseits die an der Klemme 11 auftretende Treiberspannung E^ negativ wird, wird eine elektrische Ladung von dem Tor des torgesteuerten Schalters 1 abgeleitet oder es fließt ein Strom E^., der entgegengesetzt zu dem Strom ist, welcher durch den Widerstand 12 fließt, wenn die Treiberspannung Ep positiv ist, durch den Widerstand 12, so daß die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 13 vorwärts vorgespannt
509811/1059
wird und der Transistor 13 eingeschaltet wird. Wenn der Transistor 13 eingeschaltet wird, wirkt eine elektrische Ladung, die in dem kondensator 14 mit der in der Fig. "5 "dargestellten Polarität gespeichert ist, in der Weise, daß die Tor-Kathode des torgesteuerten Schalters 1 rückwärts vorgespannt wird oder der Kondensator 14 wirkt als eine Rückwärts-Vorspannungsquelle geringer Impedanz für den torgesteuerten Schalter 1, damit ein Strom 1? in der in eier i"ig. 5 dargestellten Richtung fließen kann. Somit wird von dem Tor des torgesteuerten Schalters 1 augenblicklich eine elektrische Ladung abgeleitet, und folglich wird der borgesteuerte Schalter 1 sofort abgeschaltet. Obwohl die in dem Kondensator 14 gespeicherte, elektrische Ladung momentan entladen wird, ist die an der Klemme 11 erhaltene Treiberspannung Ej. noch negativ, nachdem der torgesteuerte Schalter 1 abgeschaltet wurde= Dies führt zu dem Ergebnis, daß ein Strom I-, in der in der I-'ig. 5 dargestellten Richtung fließt, um den Kondensator 14 mit der wiederum in der Fig. dargestellten Polarität aufzuladen. Die obigen Zustände sind durch die Wellenformen der i'ig. ^k bis 7D dargestellt. In den Fig. 7-A-bis 7D stellt das Bezugszeichen E^ die Treiberspannung dar, welche an der Klemme 11 erhalten wird, Im bedeutet den Strom, welcher durch die Sekundärspule des Transformators 6 fließt, ' Iq ist der durch den Kondensator 14 fließende Strom und Iq ist der Torstrom des torgesteuerten Schalters 1. Wenn gemäß Fig. 7C der Strom Ic durch den Kondensator 14 fließt, um diesen mit der in der i'ig. 5 dargestellten Polarität aufzuladen, ist der Strom Ip positiv.
Die i'igo 6 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung,, in welcher die Erfindung auf die Horizontalablenkschaltung angewendet ist, wobei die Drosselspule'8 den in der Fig. 4 dargestellten Abgriff aufweist» Demgemäß sind die Elemente in der iig. 6, welche den Elementen in der Fig. 4 entsprechen, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, und ihre nähere Erläuterung erübrigt sich.
9 811/10 5 9
2U2984
In der Ausführungsform gemäß !'ig. 6 ist zwischen der Klemme 11, die an den Verbindungspunkt des Kondensators 9 und der Drosselspule 10 angeschlossen ist, und dem Tor des torgesteuerten Schalters 1 der Widerstand 12 als Vorspannungselement, der Transistor 13 und der Kondensator 14 ähnlich wie in der Ausführungsform gemäß Fig. 5.eingeschaltet. Der in der JB'ig. G verwendete torgesteuerte Schalter 1 wird augenblicklich abgeschaltet.
Wenn bei der oben beschriebenen Erfindung die Treiberspannung den Wert erreicht, bei welchem das Schaltelement abgeschaltet wird, wird der Transistor 13 durch das Vorspannungselement 12 eingeschaltet und der Kondensator 14, der zuvor geladen wurde, dient als eine Konstantspannungsquelle geringer Impedanz, um eine rückwärts gerichtete Vorspannung in bezug auf das Schaltelement oder den torgesteuerten Schalter 1 in der veranschaulichten Ausführungsform zu erzeugen. Somit wird die elektrische Ladung von dem Tor des torgesteuerten Schalters 1 sofort abgeleitet, und somit ist die Speicherzeit sehr kurz, wie aus der Pig. 7D hervorgeht, um den torgesteuerten Schalter 1 sofort abzuschalten und den sicheren und eindeutigen Schaltvorgang zu gewährleisten.
In den oben veranschaulichten Ausführungsformen wird der Widerstand als Vorspannungselement verwendet, es kann jedoch auch anstelle des Widerstandes eine Diode mit derselben Auswirkung verwendet werden.
Weiterhin läßt sich die Erfindung auch derart abwandeln, daß ein Transistor oder ein ähnliches Element anstatt des torgesteuerten Schalters als Schaltelement dient.
Weiterhin ist ersichtlich, daß vom Fachmann viele Abwandlungen und Veränderungen durchgeführt werden können, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.
509811/1059

Claims (3)

Patentansprüche
1. Schaltanordnung, dadurch .gekennzeichnet, daß eine zur Erzeugung eines Treibersignals dienende Einrichtung vorgesehen ist, daß weiterhin ein Schaltelement vorhanden ist, welches wenigstens eine Steuerelektrode aufweist, daß zwischen der zur Erzeugung des Treibersignals dienenden Einrichtung und der Steuerelektrode des Schaltelementes ein Vorspannungselement angeordnet ist, daß weiterhin ein Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor derart geschaltet ist, daß die Basis-Emitter-Strecke des Transistors parallel zu dem Vorspannungselement liegt, und daß ein Kondensator zwischen dem Kollektor des Transistors und einer Bezugsspannung liegt.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, 'daß das Schaltelement eine torgesteuerte Schalteinrichtung ist.
3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Vorspannungselement ein Widerstand ist.
509811/1059
DE2442984A 1973-09-07 1974-09-07 Schaltstromkreis Expired DE2442984C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1973105053U JPS5528060Y2 (de) 1973-09-07 1973-09-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2442984A1 true DE2442984A1 (de) 1975-03-13
DE2442984C2 DE2442984C2 (de) 1983-02-10

Family

ID=14397231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2442984A Expired DE2442984C2 (de) 1973-09-07 1974-09-07 Schaltstromkreis

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3912945A (de)
JP (1) JPS5528060Y2 (de)
CA (1) CA1020638A (de)
DE (1) DE2442984C2 (de)
FR (1) FR2243560B1 (de)
GB (1) GB1479930A (de)
IT (1) IT1027559B (de)
NL (1) NL7411977A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3927332A (en) * 1975-02-24 1975-12-16 Rca Corp Drive circuit for controlling conduction of a semiconductor device
US4001607A (en) * 1975-06-09 1977-01-04 Rca Corporation Drive circuit for a gate semiconductor device
US4016433A (en) * 1976-01-23 1977-04-05 Rca Corporation GTO circuits
JPS5849706B2 (ja) * 1977-03-07 1983-11-05 国産電機株式会社 多気筒内燃機関用点火装置
JPS60199219A (ja) * 1983-12-20 1985-10-08 フエアチアイルド カメラ アンド インストルメント コ−ポレ−シヨン 飽和したトランジスタの蓄積時間を減少させる方法及び装置
FR2569281B1 (fr) * 1984-08-16 1986-12-05 France Etat Armement Dispositif d'alimentation autonome pour dispositif d'observation, notamment a effet stereoscopique

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1158566B (de) * 1962-07-18 1963-12-05 Telefunken Patent Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgeverstaerker angesteuerten Leistungsschalttransistors
DE1165084B (de) * 1960-02-24 1964-03-12 Siemens Ag Einrichtung zum willkuerlichen An- und Abschalten eines Verbrauchers, der ueber ein Hauptstromtor an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen ist

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3300680A (en) * 1963-08-16 1967-01-24 Zenith Radio Corp Television sweep system with semiconductor switch and energy storage device for expedting its activation
US3569742A (en) * 1968-08-23 1971-03-09 Gen Precision Systems Inc Transistor switching circuit
GB1430637A (en) * 1972-05-15 1976-03-31 Sony Corp Switching circuits comprising a gate controlled switching device
JPS547702Y2 (de) * 1972-10-06 1979-04-10

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1165084B (de) * 1960-02-24 1964-03-12 Siemens Ag Einrichtung zum willkuerlichen An- und Abschalten eines Verbrauchers, der ueber ein Hauptstromtor an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen ist
DE1158566B (de) * 1962-07-18 1963-12-05 Telefunken Patent Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgeverstaerker angesteuerten Leistungsschalttransistors

Also Published As

Publication number Publication date
FR2243560A1 (de) 1975-04-04
JPS5528060Y2 (de) 1980-07-04
GB1479930A (en) 1977-07-13
FR2243560B1 (de) 1979-06-01
IT1027559B (it) 1978-12-20
DE2442984C2 (de) 1983-02-10
JPS5051524U (de) 1975-05-19
NL7411977A (nl) 1975-03-11
US3912945A (en) 1975-10-14
CA1020638A (en) 1977-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1190307B (de) Ultraschallerzeuger
DE1202830B (de) Elektronisches Schaltgeraet, bestehend aus zwei Transistoren, deren Emitter-Kollektor-Strecken gegensinnig in Reihe geschaltet sind
DE2425560C3 (de) Vertikalablenkschaltung
DE3618221C1 (de) Schaltnetzteil mit einem primaer getakteten Gleichspannungswandler
DE1538252A1 (de) Stromkreis mit steuerbaren Gleichrichtern
DE2058631C3 (de) Vertikalablenkschaltung
DE2624018A1 (de) Transformatorgekoppelte ansteuerschaltung fuer eine leistungsschaltvorrichtung
DE3111757A1 (de) Steuerschaltung fuer einen vollsteuergate-thyristor
DE2442984A1 (de) Schaltanordnung
DE2017391C3 (de) Schaltungsanordnung mit einem Hochspannungstransistor
DE3129521A1 (de) Magnetkopplung-ansteuerschaltung
DE1906496A1 (de) Entmagnetisierungs-Schaltungsanordnung
DE1014165B (de) Transistor-Impulsgenerator
DE1539221C3 (de) Zundeinnchtung fur Brennkraft maschinen
DE2606304A1 (de) Treiberschaltung zur steuerung der leitfaehigkeit eines halbleiterbauelements
DE3611297C2 (de)
DE2603949C3 (de) Schaltungsanordnung in einem Fernsehempfänger zum Erzeugen eines horizontalfrequenten Ablenkstromes
DE2431487C2 (de) Triggerschaltung
DE2057520A1 (de) Elektronische Zuendschaltung fuer Verbrennungs-Kraftmaschinen
DE1193992B (de) Schaltungsanordnung zur Beschleunigung der Ein- und Abschaltung von Transistor-Schaltkreisen
DE2415629C3 (de) Schaltungsanordnung zum zeitweiligen, von der Größe der veränderlichen Betriebsspannung abhängigen Blockieren eines Stromzweiges
DE3338627A1 (de) Ansteuerschaltung fuer einen kontaktlosen schalter, der aus der reihenschaltung eines bipolaren transistors und eines feldeffekttransistors besteht
DE2808220A1 (de) Treiberschaltung fuer leistungstransistoren
DE2928227A1 (de) Schutzschaltung fuer dc-wandler
CH653828A5 (en) Pulse transmission circuit for transmission of electrical pulses with potential separation

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
8181 Inventor (new situation)

Free format text: NAKAGAWA, YUTAKA, TOKYO, JP

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee