DE1158566B - Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgeverstaerker angesteuerten Leistungsschalttransistors - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgeverstaerker angesteuerten Leistungsschalttransistors

Info

Publication number
DE1158566B
DE1158566B DET22481A DET0022481A DE1158566B DE 1158566 B DE1158566 B DE 1158566B DE T22481 A DET22481 A DE T22481A DE T0022481 A DET0022481 A DE T0022481A DE 1158566 B DE1158566 B DE 1158566B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
emitter
follower amplifier
time
emitter follower
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET22481A
Other languages
English (en)
Inventor
Klaus-Dietrich Moser
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority to DET22481A priority Critical patent/DE1158566B/de
Publication of DE1158566B publication Critical patent/DE1158566B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04126Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/02Shaping pulses by amplifying

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgeverstärker angesteuerten Leistungsschalttransistors Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Einitterfolgerverstärker angesteuerten Leistungssehalttransistors.
  • Bekanntlich wird insbesondere bei einem hohe Ströme schaltenden Leistungssehalttransistor infolge der sogenannten Speicherwirkung des Transistors der Abschaltzeitpunkt des Schaltstromes gegenüber demjenigen des Steuerstromes recht wesentlich verzögert. Die Größenordnung dieser Verzögerungszeit liegt bei typischen Leistungsschalttransistoren für einen zu schaltenden Strom von beispielsweise 10A bei etwa 20Mikrosekanden, was in vielen Anwendungsfällen sehr unerwünscht ist; deshalb ist es Aufgabe der Erfindung, eine Schaltungsanordnung anzugeben, die diese Nachteile wesentlich vermindert.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß eine Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgerverstärker angesteuerten Leistungsschalttransistors vorgeschlagen, die dadurch gekennzeichnet ist, daß diesem Emitterfolgerverstärker ein zu seinem Transistor komplementär dotierter Transistor eines weiteren Emitterfolgerverstärkers parallel geschaltet ist, derart, daß die Emitter-Kollektor-Strecke dieses komplementär dotierten Transistors dem Emitterwiderstand und die Emitter-Basis-Strecke dieses komplementär dotierten Transistors der Emitter-Basis-Strecke des erstgenannten Emitterfolgerverstärkers parallel geschaltet ist.
  • Im folgenden sei an Hand der Figuren ein besonders vorteilhaftes Ausführungsbeispiel der Erfindung zur näheren Erläuterung derselben im einzelnen beschrieben. Hierbei zeigt Fig. 1 ein vorteilhaftes Ausführungsbeispiel der Erfindung und Fig. 2 ein zur Erläuterung der Wirkungsweise der Anordnung nach Fig. 1 dienendes Diagramm.
  • Bei der Anordnung nach Fig. 1 wird der Leistungsschalttransistor 1 mit dem Arbeits- bzw. Kollektorwiderstand 2, welcher auch durch einen Transformator oder eine Induktivität gebildet sein kann, über den erstgenannten Emitterfolgerverstärker mit dem Transistor 3 und dem Emitterwiderstand 4 aus dem Steuergenerator 5 mit einer vorzugsweise im wesentlichen rechteckförmigen Steuerspannung beaufschlagt, welche im Diagramm nach Fig. 2 mit der Zeitachse t als Abszisse und der Spannungsachse -U als Ordinate durch die, durchgezogen gezeichnete Kurve 6 dargestellt ist. Im Zeitpunkt to liegt an der Basis des Transistors 3 eine positive Sperrspannung, so daß sowohl der Transistor 3 des einen Emitterfolgerverstärkers als auch der Leistungsschalttransistor 1 gesperrt sind. Die an der Basis des Leistungsschalttransistors 1 auftretende Spannung ist in Fig. 2 durch die gestrichelt dargestellte Wellenform 7 symbolisiert. Das Potential dieser Spannung liegt gegenüber dem Potential der Spannung an der Basis des Transistors 3 um die steuernde Basis-Emitter-Spannung in positiver Richtung verschoben. Im Zeitpunkt t, springt die Steuerspannung des Transistors 3, welche dem eine Rechteckwellenform abgebenden Steuergenerator 5 entstammt, vom Wert + U, auf - U, Da der Transistor 3 noch bei relativ geringem Leistungspegel arbeitet, weil er im wesentlichen nur die erforderliche Steuerleistung für den Leistungstransistor 1 aufzubringen hat, folgt die Steuerspannung 7 für den Leistungstransistor 1 diesem Stromanstieg fast ohne Verzögerung. Im Zeitpunkt t#., der beispielsweise 400 Mikrosekunden nach dem Zeitpunkt t, liegt, springt die Spannung gemäß der Wellenform 6, d. h. die Steuerspannung für den Transistor 3 vom Wert - U., auf den Wert + U, zurück, die Spannung an der Üasis des Leistungsschalttransistors 1 folgt jedoch infolge der bekannten Speicherwirkung eines hohe Ströme in der Größenordnung von 10 A schaltenden Leistungsschalttransistors nicht sofort, sondern erst im Zeitpunkt t. nach etwa 20 Mikrosekunden Verzögerung.
  • Die bisher beschriebene Schaltungsanordnung ist bekannt. Um jedoch die Zeitdifferenz zwischen t, und t# zu vermindern, wird nunmehr erfindungsgemäß vorgeschlagen, dem Emitterfolgerverstärker mit dem Transistor 3 einen zu diesem komplementär dtl me4141 11 Transistor 8 derart parallel zu schalten, de-, Emitter-Kollektor-Strecke, dieses letztgenannten!7ran'-" sistors dem Emitterwiderstand 4 und die Ernitter-Basis-Strecke dieses Transistors' der Emitter-Basis-Strecke des Transistors 3 parallel liegt. Durch Zuführung der positiven Steuerspannung + U, des Generators 5 im Augenblick t2 auf die Basis des komplementär dotierte-ii Transistors 8- wird dieser Transistor vom Sperrzustand in den4eitenden Zustand versetzt, wodurch seine relativ niederehmige Emitter-Kollektor-Strecke praktisch einen Kurzschluß über den Emitterwiderstand 4 darstellt, der beispielsweise eine Größenordnung von 1 kOhm besitzt. Dieser Emitterwiderstand 4 selbst kann im Interesse einer hohen Nutzleisiung und niedriger Verluste für den Emitterfolgerverstärker mit dem Transistor 3 bekanntlich nicht derart klein gemacht werden, daß er die infolge der Speicherwirkung des Transistors 1 im Transistor 1 befindlichen Ladungsträger in der an sich erforderlichen Schnelligkeit absaugt. Diese Ladungsträger können nunmehr jedoch über die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors, 8 derart schnell abfließen, daß die Abschaltverzögerung des Leistungsschalttransistors 1 im bisher betrachteten, auch praktisch ausgeführten Beispiel der Erfindung gemäß Fig. 1 an Stelle der bereits oben erwähnten 20 Mikroseekunden ohne Hinzuschaltung des Transistors 8 nach erfolgter erfindungsgemäßer Ausgestaltung der Schaltung -nur noch maximal 2 Mkrosekunden beträgt, was den meisten praktischen Erfordernissen ausreichend Rechnung trägt. Für den Transistor 8 stellt während der Zeit, in der er leitet, der in Serie mit der Basis-Kollektor-Strecke des Transistors 1 liegende Widerstand2 im wesentlichen den Arbeitswiderstand dar, in Verbindung mit welchem dieser Transistor 8 einen weiteren Emitterfolgerverstärker bildet. Da der Transistor8 nur für eine relativ sehr kurze Zeit leitend ist, entstehen an ihm auch nur sehr geringe Verluste, so daß ein Typ mit niedriger Verlustleitung und hoher Schaltgeschwindigkeit verwendet werden kann.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen EmitterfolgerverstärkerangesteuertenLeistungsschalttransistors, dadurch gekennzeichnet, daß diesem Emitterfolgerverstärker ein zu seinem Transistor komplementär dotierter Transistor eines weiteren Emitterfolgerverstärkers parallel geschaltet ist, derart, daß die Emitter-Kollektor-Strecke dieses komplementär dotierten Transistors dem Emitterwiderstand und die Emitter-Basis-Strecke dieses komplementär dotierten Transistors der Emitter-Basis-Strecke des Transistors des erstgenannten Emitterfolgerverstärkers parallel geschaltet ist.
DET22481A 1962-07-18 1962-07-18 Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgeverstaerker angesteuerten Leistungsschalttransistors Pending DE1158566B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET22481A DE1158566B (de) 1962-07-18 1962-07-18 Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgeverstaerker angesteuerten Leistungsschalttransistors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET22481A DE1158566B (de) 1962-07-18 1962-07-18 Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgeverstaerker angesteuerten Leistungsschalttransistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1158566B true DE1158566B (de) 1963-12-05

Family

ID=7550560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DET22481A Pending DE1158566B (de) 1962-07-18 1962-07-18 Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgeverstaerker angesteuerten Leistungsschalttransistors

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1158566B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1274182B (de) * 1965-05-24 1968-08-01 Motorola Inc Integrierter Halbleiterschaltkreis mit kurzer Abschaltzeit
DE2231932A1 (de) * 1971-06-29 1973-02-08 Nippon Electric Co Transistorschaltung mit tandemanordnung
DE2442984A1 (de) * 1973-09-07 1975-03-13 Sony Corp Schaltanordnung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1274182B (de) * 1965-05-24 1968-08-01 Motorola Inc Integrierter Halbleiterschaltkreis mit kurzer Abschaltzeit
DE2231932A1 (de) * 1971-06-29 1973-02-08 Nippon Electric Co Transistorschaltung mit tandemanordnung
DE2442984A1 (de) * 1973-09-07 1975-03-13 Sony Corp Schaltanordnung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69311921T2 (de) Anordnung zum Ein- und Ausschalten eines Leistungstransistors
DE2718696C3 (de) Halbleiterschalterkreis
DE1537972C3 (de) Schaltanordnung zur Verbesserung der An- und Abschalteigenschaften eines Schalttransistors einer binären Schaltung
DE3237141C1 (de) Steuervorrichtung für einen Schalttransistor
DE2558489A1 (de) Speicher
DE1158566B (de) Schaltungsanordnung zur Erzielung einer kurzen Abschaltzeit eines durch einen Emitterfolgeverstaerker angesteuerten Leistungsschalttransistors
DE2643935C2 (de) Halbleiter-Schalteinrichtung
DE3611297C2 (de)
DE3645008C2 (de)
DE3215728C2 (de)
DE3333653C1 (de) Elektronische Schaltvorrichtung
DE2530288C3 (de) Inverter in integrierter Injektionslogik
DE1762326A1 (de) Schaltungsanordnung mit einem Hochspannungsleistungstransistor
DE2444833B2 (de) Klasse-b-leistungsverstaerker
EP0226725B1 (de) Stabilisierungsschaltung für einen Mikrocomputer
DE68919115T2 (de) TTL-Schaltung mit rampenförmigem Ausgangsstrom.
DE2237764A1 (de) Schaltung zum bevorrechtigten inbetriebsetzen einer stufe einer elektronischen folgeschaltung mit halteschaltung
DE2940139C2 (de) Halbleiterschalter
DE1181278B (de) Transistor-Schaltverstaerker, insbesondere zur Anwendung bei sich selbst steuernden Uhren-antrieben
DE3506957C2 (de)
DE2539233A1 (de) Schaltungsanordnung zur erzeugung von schaltspannungen
DE1257842B (de) Saettigungsschutz fuer Schalttransistoren
DE1208764B (de) Bistabiler Kippschalter hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltleistung
EP0208911A1 (de) Elektronischer Halbleiterschalter
DE2357641B2 (de) Spannungsstabilisationsschaltung