DE2442133A1 - Dynamisches drei-transistoren-speicherelement - Google Patents
Dynamisches drei-transistoren-speicherelementInfo
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Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAi1T München, den 3.9.1974
Berlin und München Wittelsbacherplatz
VPA 74/7H6
Dynamisches Drei-Transistoren-Speiehereleojent
Die Erfindung betrifft ein dynamisches Drei-Transistoren-Speieherelement
nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1,
Dynamische Speicherelemente mit drei Transistoren sind bekazuit.
Beispielsweise ist in der Veröffentlichung "New 4}O96~bit MOS
chip is heart of fast, compact computer memory", Electronics December 18, 1972, Seiten 97 ff ein solches Speicherelement
beschrieben.
Ein Nachteil eines solchen dynamischen Speichereleoentes
drei Transistoren besteht darin, daß die gespeicherte Information in bestimmten Zeitabständen, beispielsweise in Zeitabständen
von 10 bis 100 ms, regeneriert werden muß. Außerdem geht beim Abschalten der Versorgungsspannung die Information
verloren.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein dynamisches Drei-Transistoren-Speicherelement anzugeben, bei dem
diese Nachteile vermieden sind.
Diese Aufgabe wird durch ein wie eingangs bereits erwähntes dynamisches Drei-Transistoren-Speicherelement gelöst, das er-"
findungsgenäß durch die in dem Kennzeichen des Patentanspruches 1 aufgeführten Merkmale gekennzeichnet ist.
Ein v/esentlicher Vorteil der Erfindung liegt darin, daß durch
einen einzigen Impuls die in dem dynamischen Drei-Transistoren-Speicherelement
gespeicherte Information in den MNOS-Transistor eingespeichert wird.
VPA 9/710/4093 b vP/Htr 609812/0474
-** 2A42133
Vorteilhafterweise kann die so abgespeicherte Information über
einen längeren Zeitraum, beispielsweise über einen Zeitraum bis zu 10 Jahren, gespeichert werden.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die Funktionsweise des dynamischen Drei-Transistoren-Speichereletoentes
durch den erfindungsgemäßen MNOS-Speichertransistor in keiner Weise gestört und daß nur bei längeren Speicherdauern
die Information in den MNOS-Speichertransistor umgespeichert wird.
Weitere Erläuterungen air Erfindung gehen aus der Beschreibung
und der Figur hervor.
Die Figur zeigt das Schaltbild eines erfindungsgemäßen dynamischen
Drei-Transistoren-Speicherelementes.
In der Figur bilden die Transistoren 1, 2 und 3 und die Kapazität
11 das dynamische Drei-Transistoren-Speicherelenient. Dabei sind
die Transistoren 2 und 3 in der aus der Figur ersichtlichen Weise in Reihe geschaltet und befinden sich zwischen der Bitleitung
und dem Anschluß 9. Vorzugsweise liegt der Anschluß 9 an Massepotential.
Der Transistor 1 ist einerseits mit der Bitleitung 6 und andererseits mit dem Gateanschluß des Transistors 3 verbunden.
Die Gateanschlüsse der Transistoren 1 und 2 sind miteinander
verbunden. Die Gateanschlüsse der Transistoren 1 und
sind mit der Leitung 5, die als Wortleitung dient, verbunden. Erfindungsgemäß ist der MNOS-Speichertransistor 4 in der aus
der Figur ersichtlichen Weise an das dynamische Drei-Transistoren-Speicherelement
angeschaltet. Dabei ist dieser MNOS-Speichertransistor 4 mit seinem Sourceanschluß in der aus der Figur ersichtlichen
Weise mit dem Punkt 10 mit dem Drainanschluß des Transistors 3 und mit dem Sourceanschluß des Transistors 2 verbunden.
Der Drainanschluß des MITOS-Speichertransistors 4 ist mit
der Leseleitung 7 und der Gateanschluß dieses MNOS-Sehalttransistors
4 mit der Gateleitung 8 verbunden. Vorzugsweise liegt die Versorgungsspannung U-^ an der Leitung 6 an. (- 10 V).
Im folgenden soll nun die Punktionsweise des erfindungsgemäßen
VPA 9/710/4093 b 609 812/0474
dynamisches Drei-Transistoren-Speicherelementes beschrieben
werden. Ist in die Kapazität 11 des Speicherelementes eine "1" eingespeichert, so befindet sich der Transistor 3 im leitenden Zustand.
Dies bedeutet, daß der Sourceanschluß des Transistors auf dem Potential des Anschlusses 3, vorzugsweise an Massepotential
liegt. Bei einer gespeicherten "0" sperrt der Transistor 3 dagegen, was bedeutet, daß der Sourceanschluß des
MNOS-Speichertransistors 4 potentialfrei ist. Wird, nun an die Gateleitung 8 und an die Leseleitung 7, bei der Verwendung
eines p-Kanal-MNOS-Speichertransistors 4» ein negativer
Spannungsimpuls angelegt, so verschiebt sich im Falle einer
gespeicherten "1" die Einsatζspannung des MOS-Transistors
zu negativen Spannungswerten hin, während bei einer gespeicherten 11O" die Einsatz spannung dieses Transistors auf
ihrem ursprünglichen Wert bleibt. Dies rührt daher, daß im Falle
der gespeicherten "1" die volle negative Spannung am Gate des MNOS-Speichertransistors 4 wirksam wird, während dies im Falle
einer gespeicherten "0" nicht der Fall ist. Vorzugsweise wird an die Gateleitung 8 und an die Leseleitung 7 ein negativer
Spannungsimpuls von etwa -30 V/10 /US angelegt.
Beim Auslesen, d.h, wenn die in dem MNOS-Speichertransistor
4 gespeicherte Information in das dynamische Drei-Transistoren-Speichereleraent
zurückgelesen werden soll, wird die Leseleitung 7 an Masse gelegt, während die Gateleitung 8 an die Lesespannung
-U-r gelegt wird. Je nach Art der gespeicherten Information
liegt nun die Bitleitung 6 über den Transistor 2 und über den MNOS-Speichertransistor 4 auf Massepotential oder
an Versorgungsspannung, wenn der Speichertransistor 4 sperrt. Jenachdem, ob der Speichertransistor 4 leitet oder sperrt,
fließt über den Transistor 2 und über den Speichertransistor
4 auf die Leitung 7 ein Lesestrom oder nicht.
Beία Umschreiben der Information aus dem dynamischen Drei-Transistoren-Speichereleraent
in den MNOS-Speichertransistor wird die Information invertiert.
Ein weiterer Vorteil wird dadurch erreicht, daß der Transistor VPA 9/710/4093 b 609812/0 4 74
1 als MHOS-Transistor ausgeführt wird. Dabei soll jedoch nur die
Einsatzspannung des MOS-Transistors 1 negativer gemacht werden als die Einsatzspannung des Transistors 2, um beim Auslesen ein
gleichzeitiges Einschreiben über den Transistor 1 zu verhindern. Somit benötigt man nicht zwei verschiedene Oxyddicken wie sie
in dem in der Veröffentlichung "New 4»O96-bit MOS chip is heart
of fast, compact computer memory" Electronics, December 18, 1972, Seiten 97 bis 103 beschriebenen Speicherelement erforderlich
sind.
Bei der Verwendung eines MNOS-n-Kanal-Transistors als Speichertransistor
4 werden zum Einschreiben und zum Auslesen an die Gateleitung 8 und an die Leseleitung 7 die entsprechenden
Potentiale der entgegengesetzten Polarität angelegt.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung kann das dynamische Drei-Transistoren-Speicherelement
auch so aufgebaut sein, daß die Gateleitung der Transistoren 1 und 2 getrennt herausgeführt
sind. Dies hat den Vorteil, daß diese Tranistoren beim Einschreiben
und Auslesen getrennt angesteuert werden können.
4 Patentansprüche
1 Figur
1 Figur
YPA 9/710/4093 b
609812/0474
Claims (5)
- P atentansprücheDynamisches Drei-Transistoren-Speicherelement, bei dem ein erster und ein zweiter Transistor zueinander in Reihe geschaltet sind, wobei der Sourceanschluß des ersten Transistors mit dem Drainanschluß des zweiten Transistors verbunden ist und wobei der Sourceanschluß des zweiten Transistors mit einem Anschluß und der Drainansbhluß des ersten Transistors mit einer Bitleitung verbunden ist, und wobei ein dritter Transistor vorgesehen ist, dessen Sourceanschluß mit dem Gateanschluß des zweiten Transistors verbunden ist und dessen Drainanschluß mit der Bitleitung verbunden ist, wobei die Gateanschlüsse des dritten und des ersten Transistors miteinander verbunden sind oder getrennt herausgeführt sind und eine Wortleitung oder zwei getrennte Wortleitungen darstellen, dadurch gekennzeichnet , da.ß ein RJ^S-Speichertransistor (4) vorgesehen ist, der in einem Punkt (10) mit dem Drainanschluß des zweiten Transistors (3) und mit dem Sourceanschluß des ersten Transistors (2) verbunden ist und der mit seinem Gateanschluß mit einer Gateleitung (8) und mit seinem Drainanschluß mit einer Leseleitung (7) verbunden ist. ,
- 2. Dynamisches Drei-Transistoren-Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß als erster, als zweiter und als dritter Transistor MOS-Transistoren verwendet sind
- 3· Dynamisches Drei-Transistoren-Speicherelement nach Anspruch T, dadurch gekennzeichnet , daß als erster und als zweiter Transistor MOS-Transistoren verwendet sind und daß als dritter Transistor ein MOS-Transistor verwendet ist.
- 4. Verfahren zum Betrieb eines dynamischen Drel-Transistoren-Speicherebmentes nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß zum Einschreiben an die Gateleitung (8) und an die Leseleitung (7) ein Spannungsimpuls angelegt wird, wobei der Spannungsimpuls bei einem p-Kanal-MNOS-Trarästor (4) negativ und bei einem n~Kanal-VPA 9/710/4093 b 609812/0474MOS-Transistor (4) positiv ist und daß zum Auslesen die
Loseleitung (7) an Masse und die G-ateleitung (8) an die Lesespannung U-r gelegt wird, wobei die Lesespannung IL· "bei der \rerwendung eines p-Kanal-MOS- Tran sis tors (4) negativ und bei der Verwendung eines n-Eanal-MtiOS-Transistors (4) positiv ist. - 5. Verfahren nach Anspruch 45 dadurch gekennzeichnet daß zv/ei verschiedene Informationen, die eine in dem Drei-Transistoren-Speicherelement und die andere in dem MI.. I0S-Transistor, gespeichert werden.VPA 9/710/4093 b609812/0474
Priority Applications (7)
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DE19742442133 DE2442133C3 (de) | 1974-09-03 | Dynamisches Drei-Transistoren-Speicherelement | |
DE2442132A DE2442132C3 (de) | 1974-09-03 | 1974-09-03 | Dynamisches Schieberegister und Verfahren zu seinem Betrieb |
US05/609,622 US4030081A (en) | 1974-09-03 | 1975-09-02 | Dynamic transistor-storage element |
FR7526879A FR2284165A1 (fr) | 1974-09-03 | 1975-09-02 | Element de memoire dynamique a transistors |
JP50106842A JPS5152248A (de) | 1974-09-03 | 1975-09-03 |
Applications Claiming Priority (4)
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DE19742442133 DE2442133C3 (de) | 1974-09-03 | Dynamisches Drei-Transistoren-Speicherelement | |
DE2442132A DE2442132C3 (de) | 1974-09-03 | 1974-09-03 | Dynamisches Schieberegister und Verfahren zu seinem Betrieb |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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DE2442133B2 DE2442133B2 (de) | 1976-07-08 |
DE2442133C3 DE2442133C3 (de) | 1977-02-17 |
Family
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2727147A1 (de) * | 1976-06-16 | 1977-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleiterspeicher |
DE4121081A1 (de) * | 1991-06-26 | 1993-01-14 | Obersteiner Baustoff Gmbh | Bautenschutzelemente aus recyclingmaterial |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2727147A1 (de) * | 1976-06-16 | 1977-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleiterspeicher |
DE4121081A1 (de) * | 1991-06-26 | 1993-01-14 | Obersteiner Baustoff Gmbh | Bautenschutzelemente aus recyclingmaterial |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2442132B2 (de) | 1978-04-27 |
US4030081A (en) | 1977-06-14 |
DE2442134B1 (de) | 1976-02-26 |
DE2442132C3 (de) | 1981-11-05 |
DE2442131B2 (de) | 1976-07-08 |
DE2442132A1 (de) | 1976-03-11 |
DE2442131A1 (de) | 1976-03-18 |
DE2442133B2 (de) | 1976-07-08 |
FR2284165A1 (fr) | 1976-04-02 |
JPS5152248A (de) | 1976-05-08 |
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Legal Events
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E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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