DE2361703A1 - Verfahren zum beschichten eines substrates - Google Patents
Verfahren zum beschichten eines substratesInfo
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Description
Dr. Michael Hann 10. Dezember 1973
Patentanwalt H / W. (600) 5296 '
63 Giessen
Ludwigstrasse 67
Ludwigstrasse 67
PPG Industries, Inc., Pittsburgh, Pa., USA VERFAHREN ZUM BESCHICHTEN EINES SUBSTRATES
Priorität: 15..Dezember 1972 / USA /
Ser. No. 315,384
Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten eines Substrates durch Berühren des Substrates
mit Dämpfen von mindestens einem Beschichtungsreagens. Die Erfindung richtet sich insbesondere auf
die Beschichtung bzw. das Überziehen von Glassubstraten mit Beschichtungen bzw. Überzügen, die in
erster Linie aus Metalloxiden bestehen. Ferner betrifft die Erfindung besonders ein Verfahren, bei
dem eine heisse Glasoberfläche mit den Dämpfen eines Reagens1 in Berührung gebracht wird, das
bei der Berührung mit der heissen Glasoberfläche eine Metalloxidbeschichtung bildet.
409827/09 7 4
23617
Zur Ergänzung der Offenbarung wird auf die gleichzeitig eingereichten Anmeldungen "Aufbringen einer
Beschichtung auf ein Substrat" [eigenes Zeichen (588)J und "Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten
eines Substrates" [eigenes Zeichen (597)J bezug genommen. Ausserdem wird auf die US-Anmeldung,
Ser. No. 183,993 vom 23. September 1971 bezug genommen.
Vor der vorliegenden Erfindung war es bekannt, dass Substrate mit Metalloxidbeschichtungen versehen werden
können, indem man die Substrate mit Lösungen in Berührung bringt, die Metall-beta-diketonate oder
ähnliche Verbindungen, gelöst in geeigneten Lösungsmitteln, enthalten. In diesem Zusammenhang wird auf
die US-PSS 3 202 054, 3 081 200, 3 660 061 und 3 652 246 verwiesen. In diesen Patentschriften ist
eine Vielzahl von chemischen Formulierungen offenbart,
die zum Beschichten von Glas mit Metalloxidüberzügen geeignet sind. Im allgemeinen wird bei den
bekannten Verfahren zum Beschichten von Glas eine flüssige Versprühung der Überzugsmasse gegen die zu
überziehende Oberfläche des Glassubstrats gelenkt. In diesen Patentschriften wird das Aufbringen von
speziellen Metallen oder Metalloxiden auf Glas oder andere Substrate beschrieben, wobei diese Zusammensetzungen
in flüssiger oder dampfförmiger Form an-
4 09827/0974
gewendet werden können, doch wird stets als die .:, .
beste Form der Auftragung der Zusammensetzung die ? '
Berührung des Substrates mit der Zusammensetzung in flüssiger'Form herausgestellt. Bei der Entwicklung i<"
für das Auftragen von dampfförmigen Beschichtungsmassen
auf die erwärmten Substrate bei atmosphärischem Druck ■
ist man auf- gewisse Schwierigkeiten gestossen; So
war es zum Beispiel schwer,.Beschichtungen zu er- . halten, die feinkörnig und gleichförmig in ihrem
Aussehen waren. Dicke Beschichtüngen wurden dadurch hergestellt, dass man das Substrat mit einer flüssigen
Sprühung berührte, doch war es äusserst schwierig, wenn nicht" sogar unmöglich, mit den bekannten Arbeitsweisen zur Ablagerung aus der Dampfphase re-- ■ . ■ lativ
dicke Filme zu erhalten, die eine Durch- '
lässigkeit des sichtbaren Lichtes unterhalb etwa 50% hatten. ;
Verfahren zur Ablagerung aus der Dampfphase sind, ebenfalls bekannt. Bei den meisten kommerziellen ■
Ausführungsformen der' Ablagerung aus der Dampfphase
wird unterhalb atmosphärischem Druck gearbeitet. In
der Vergangenheit wurde die Ablagerungsgeschwindigkeit dadurch gesteuert oder erhöht, dass die Temperatur des zu überziehenden Substrates oder die Temperatur
der Beschichtungszusammehsetzung erhöht
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wurde. Solche Arbeitsweisen haben aber eine Reihe von Nachteilen. Bei den üblicherweise verwendeten
Materialien hört die Zunahme der Abscheidungsgeschwindigkeit
mit zunehmender Temperatur abrupt auf, während die Beschichtungen dünn bleiben. Versuche
zur Erhöhung der Aktivität der Beschichtungsmischung führen im allgemeinen zu einer vorzeitigen Reaktion
und zu einer anscheinend autokatalytisehen Zersetzung
der Reagenzien mit einer im Ergebnis herabgesetzten Beschichtungseffizienz.
Es wurde nun gefunden, dass die Gleichförmigkeit von durch chemische Ablagerung aus der Dampfphase hergestellten
Filmen und die Geschwindigkeit der chemischen Ablagerung von Filmen aus der Dampfphase wesentlich
vergrössert werden kann, wenn man die Reagenzien in einen gasförmigen Träger in einer ausreichenden
Menge verdampft, so dass die Sättigung des Trägers nahezu erreicht wird und dann diese Mischung gegen
das zu überziehende Substrat führt.
Gegenstand der Erfindung ist deshalb ein Verfahren zum Beschichten eines Substrates durch Berühren mit
Dämpfen von mindestens einem Beschichtungsreagens, das durch folgende Massnahmen gekennzeichnet ist:
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a) Verdampfen eines Beschichtungsreageris1 mit einer
Standardverdampfungsentropie von mindestens 40 Clausiüs bei einer Temperatur unterhalb derjenigen,
bei der dieses Reagens pyrolysiert,
b) Mischen dieses" Beschichtungsreagens1 mit einem gasförmigen Träger in derartigen Mengen, dass
die Mischung zu 50 bis 100% mit dem Beschichtungsreagens
bei der Mischtemperatur gesättigt ist,
c) Erwärmen eines Substrates auf eine Temperatur, die ausreichend ist, um das Beschichtungsreagens
zu pyrolysieren,
d) Halten der Mischung aus verdampftem Beschichtungsreagens und gasförmigem Träger oberhalb der Tem-,
peratur, bei der die Mischung mit dem Beschichtungsreagens gesättigt wird und unterhalb der Temperatur,
bei der das Beschichtungsreagens pyrolysiert, und Zuführen dieser bei ihrer Temperatur
gehaltenen Mischung in enge Nachbarschaft des Substrates und
e) Erwärmen dieser Mischung in enger Nachbarschaft zum Substrat auf eine Temperatur, die ausreichend
ist, um die Pyrolyse des Beschichtungsreagens herbeizuführen, wobei eine Beschichtung auf dem
heissen Substrat gebildet wird.
Bei der praktischen Durchführung der Erfindung wird ein verdampfbares Beschichtungsreagens mit einer Ver-
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dampfungsentropie von mindestens etwa 40 Clausius mit einem heissen Trägergas gemischt und durch den
innigen Kontakt mit diesem Trägergas im wesentlichen ohne nennenswerte Zersetzung gemischt, wobei das
heisse Trägergas das verdampfte BeSchichtungsreagens
in Berührung mit einem heissen Substrat bringt, wodurch das Beschichtungsreagens veranlasst wird, sich
als Beschichtung bzw. Überzug auf dem Substrat abzulagern. Das Beschichtungsreagens wird in einer ausreichenden
Menge verdampft, um eine Mischung aus dem Beschichtungsreagens und dem gasförmigen Träger
zu ergeben, die zu etwa 50 bis etwa 100% gesättigt mit dem Beschichtungsreagens ist. Die Vorteile der
vorliegenden Erfindung treten besonders bei Beschichtungsreagenzien zutage, die sich bei Temperaturen,
die nur geringfügig über ihren wirksamen Verdampfungstemperaturen liegen, autokatalytisch zersetzen.
Wenn derartige Reagenzien verwendet wenden, werden sie bevorzugt in ein heisses Trägergas dispergiert
und durch die Wärme des Gases verdampft. Durch das Dispergieren solcher Reagenzien in eine
gasförmige Phase wird der autokatalytische Effekt der isolierten Zersetzung nahezu eliminiert und
durch Verdampfung aus einem Nebel oder Rauch des Reagens1 in Gas wird die Verdampfungseffizienz ausreichend
erhöht, um bei niedrigeren Temperaturen für die Praxis ausreichend zu sein.
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Wie bereits ausgeführt .wurde, lassen sich die bei .
der Erfindung benutzten Beschichtungsreagenzien _.... durch xhre Verdampfungsentropien definieren. Der
hier benützte Ausdruck "Verdampfung11· (vaporization)
schliesst sowohl die Sublimation als auch die eigentliche Verdampfung im engen Sinne (evaporation) ein.
Die Bedeutung dieses Merkmals geht aus der nun folgenden
Diskussion hervor. Beschichtungsverfahren, die auf einer hydrolytischen oder pyrolytischen
Reaktion beruhen, sind in. ihrer Natur topochemisch. Das heisst, die Beschichtungsreaktion an der Oberfläche
des Substrates muss bevorzugt verlaufen gegen-, über Reaktionen in der Nachbarschaft des Substrates,
aber in nicht so enger Nachbarschaft zum Substrat, so dass die Produkte dieser Reaktion nicht an dem
Substrat haften und selbst eine Beschichtung bilden.
Die heterogene Natur von solchen Reaktionen legt
nahe, dass Beschiehtungsreagenzien, deren Reaktionen durch die Reaktionsprodukte katalysiert werden, für
die Beschichtung bevorzugt sind. Der-Nachteil solcher
Reagenzien.besteht-aber darin, dass Reaktionen, die
schon: in Entfernung von dem zu überziehenden Substrat
initiiert werden, sehr schnell voranschreiten und ausser Kontrolle geraten können, wodurch es zu
massiven Zersetzungen kommt, die die gesamte Beschichtungseffizienz
zerstören. Um derartige massive Zersetzungen zu vermeiden, muss eine ausreichende Menge
des Beschichtungsreagens' bei einer so niederen Temperatur wie möglich verdampft werden, so dass man
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eine hohe Konzentration des Beschichtungsreagens* in dem Gas oder Dampf, der das zu beschichtende
Substrat berührt, erhält. Es wird angenommen, dass zu hohe örtliche Konzentrationen des Beschichtungsreagens1
zu einer Rekondensation des Beschichtungsreagens' bei niedrigen Temperaturen von etwa der
Verdampfungstemperatur führen und andererseits
eine massive autokatalysierte Zersetzung bei hohen Temperaturen ergeben. Es wird angenommen, dass
Reagenzien, die sich durch hohe Verdampfungsentropien auszeichnen, so leicht in die als Trägergase in
betracht kommenden Gase diffundieren, dass eine zu hohe örtliche Konzentration vermieden wird. Es wurde
gefunden, dass solche Beschichtungsreagenzien Dampfdrücke besitzen, die sich unter ihren Zersetzungstemperaturen steil erhöhen, so dass der steile Kon- ·
zentrationsgradient in der Nachbarschaft der beabsichtigten Reaktion in Berührung mit dem zu beschichtenden
Substrat herbeigeführt werden kann.
Die bei der Erfindung verwendeten Beschichtungsreagenzien können mit einem Trägergas in grossen Mengen
kombiniert werden, ohne dass sie es bei atmosphärischem Druck und den für die Verdampfung und die
Zuführung der Mischung in Nachbarschaft zum heissen Sub strat verwendeten Temperaturen sättigen. Da aber die Dampfdrücke
dieser Reagenzien mit der Temperatur steil ansteigen, ist ihre Aktivität ungewöhnlich hoch im Hinblick auf
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ihre Konzentration in der unmittelbaren thermischen Grenzschicht neben dem zu überziehenden heissen
Substrat. Es wird infolgedessen die Zersetzungsgeschwindigkeit durch das Zusammenwirken zwischen der
thermischen Grenzschicht in Nachbarschaft des zu überziehenden heissen Substrates' und dem speziell
verwendeten Beschichtungsreagens vergrössert.
Es wird angenommen, dass die thermische Grenz- bzw. Randschicht eine relativ ruhende Schicht von Gas in
Nachbarschaft des zu überziehenden heissen Gases ist, in der die Temperatur asymptotisch von derjenigen
der umgebenden Beschichtungskammer von etwa 200°C
bis etwa 3000C auf die Temperatur der Oberfläche
des Substrates von etwa 400 bis etwa 6000C ansteigt.
Die scheinbare Dicke einer solchen Schicht liegt unterhalb etwa 1 mm. Es wird angenommen, dass Beschichtungsreagenzien,
die durch diese Schicht sich zu dem Substrat bewegen, und Nebenprodukte, die sich
von dem Substrat wegbewegen, in erster Linie durch Diffusion transportiert werden, wie dieses aus der
überlegenen Wirksamkeit des Verfahrens nach der Erfindung hervorgeht.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
enthält ein Trägergas, das ein inertes Gas oder ein sehr reaktionsfähiges Gas, bevorzugt aber Luft sein
kann, ausreichende Dämpfe der reaktionsfähigen Be-
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Schichtungsverbindung, so dass die Mischung zu 85 bis 100%, bevorzugt zu 90 bis 95%, an dieser Verbindung
gesättigt ist. Gegenüber einer vollständigen, 100%igen Sättigung sind die. angegebenen Sättigungsgrade
bevorzugt, da die Menge des Reagens1 kontrolliert variiert werden kann. Bei einer am meisten bevorzugten
Ausführungsform wird das Trägergas bei einer ersten
Temperatur zugeführt und das Beschichtungsreagens in ihm unter solchen Bedingungen dispergiert, dass die
Mischung zu etwa 100% beim Mischen gesättigt ist. Die Mischung wird dann von dem Misch- und Verdampfungspunkt abgeleitet und auf eine geringfügig höhere Temperatur
(5 bis 1O0C höher) erwärmt. Dann kann die
Mischung dem zu beschichtenden Substrat zugeführt werden, ohne dass die Gefahr besteht, dass es zu
einer unerwünschten Kondensation des Reagens1 kommt. Gleichzeitig wird in der Mischung eine genau kontrollierte
Menge des Reagens1 aufrecht erhalten".
Unter Verwendung einer Gassättigungsmethode werden Dampfdrückt, Gleichgewichtsdampftemperaturen und
Verdampfungsenthalpieri für in betracht kommende Beschichtungsreagenzien
bestimmt. Der Verdampfungsapparat besitzt ein ummanteltes Glasgefäss, das άμ^η zirkulierendes heisses öl thermostatisiert
wird. Die Testsubstanzen werden bei gegebenem Druck
in Stickstoff ströme, die auf die gewünschte Temperatur erwärmt sind, verdampft. Die Fliessgeschwindig-
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keit wird gemessen. Die verdampften Substanzen :
werden auf gefritteten Absorptionsfallen, die mit
Lösungsmittel beschickt sind, niedergeschlagen.. Die einzelnen niedergeschlagenen Substanzen werden
mit Lösungsmittel zu bestimmten Volumina verdampft und aliquote Teile werden durch übliche spektroskopische
Methoden analysiert, um die Menge der über-· führten Substanz zu bestimmen. Die Enthalpie-Werte
wurden durch übliche kalorimetrische Arbeitsweisen bestimmt.
Nach üblichen thermodynamischen Überlegungen gelten
die folgenden Gleichungen:
log P2- log
Verdampf. R
1 -1
; und
ac = Verdampf,
Verdampf. " , - _.- :
in denen -.-.■ ■. ■ -.
, -..■-.
P und P2 Dampfdrücke in Torr bei T1 und T2 sind;
T, T, und T~ absolute Temperaturen in Grad Kelvin sind;
R die Gaskonstante ist;
Δ H die Enthalpie oder die Verdampfungswärme in Kalo-
rien ist;
Δ S die Verdampfungsentropie in Clausius ist.
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Die für die Erfindung geeigneten Beschichtungsreagenzien
werden aus diesen Gleichungen und experimentellen Werten ermittelt. Die Eigenschaften dieser Materialien
und von anderen geprüften Materialien sind in den Tabellen 1 und 2 zusammengefasst.
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TABELLE 1: VERDAMPFUNGSWERTE
Stoff | T evst |
Δ Hevap | evst | evst | m ρ | t - m ρ evst y |
|
0K | kcal | Clausius | 0C | 0C | 0C β ok | ||
Fe(acac)2 * | 569 | 28,6 | 50,3 | 296 | 188 | 108 | |
Fe(acac)3 | 582 | 26,9 | 46,3 | 309 | 190 | 119 | |
Fe(F,acac)3 | 473 | 31,6 | 66,8 | 200 | 120 | 80 | |
Fe(F6acac)3 | 522 | 15,53 | 29,8 | 249 | 55 | 195 | |
O co |
Cr(acac)~ | 588 | 27,4 | 46,6 | 315 | 214 · | 101 |
co PO |
Cr(F3acac)3 | 512 | 25,4 | 49,6 | 239 | 155 | 84 |
■<! | Ni(acac)2 | 698 | 22,9 | 32,8 | 425 | 235 | 190 |
O co |
Co(acac)2 | 643 | 19,5 | 30,3 | 370 | 180 | 190 |
Co(F3acac)2 | .493 | 25,5 | 51,8 | 220 | 110 | 110 | |
Co(acac)3 | 622 | 25,5 | 41,1 | 349 | 210 | 139 | |
Co(F3acac)3 | 523 | 26,2 | 50,1 | 250 | 160 | 90 | |
Mn(acac)2 | 767 | 20,8 | 27,1 | 494 | 60 (Zers.) |
--- | |
Mn(acac)~ | 582 | 26,9 | 46,2 | 309 | 172 | 137 | |
Cu(acac)2 | 614 | 26,45 | 43,4 | 361 | 230 (Zers.) |
(in). |
* acac = Acetylacetonat
TABELLE 2: DAMPFDRÜCKE (TORR)
Stoff | 100°C | ΙΟ"3 | 12O0C | , ! | ΙΟ"3 | 1400C | 10-2 | 1600C | 10-1 | 180°C | lo-i | 200OC | 102 |
Fe(acac)2 * | 1,4 - | 10-3 | 9,5 . | 10-3! | lo-i | 4,9 · | 10-2 | 2,8 . | 10-1 | 1,2 | 102 | 4,5 | 102 |
Fe(acac)3 | 1,1 · | 10-1 | 7,2 · | 10-3' | ΙΟ"3 | 3,7 · | 1,8 - | 1Ol | 7,3 · | ιοί | 2,8 | ||
Fe(F3acac)3 . | 1,1 · | 0,82 | I | 10-2 | 6,0 | ιοί | 3,5 · | 1Ol | 1,7 · | 10-1 | 7,6 . | ιοί | |
Fe(F,acac)3 | 1,9 | 10-3 | 5,2 | lo-i | 1,4 · | 10-2 | 3,4 . | 10-1 | 7,5 - | 1Ol | 1,6 · | lo-i ■ | |
Cr(acac)3 | 1,1 · | 10-2 | 7,0 - | 10-3 | 3,9 · | 1,8 - | 7,0 . | lo-i | 2,6 | ||||
Cr(F3acac)3 | 5,8 . | 10-4 | 3,4 - | lo-i | 1,8 | 10-3 | 7,4 | 10-2 | 2,7 · | 9,5 - | 102 | ||
Ni(acac)2 | 4,8 - | 10-2 | 2,3 · | 995 · | 10-1 | 8,0 · | lo-i | 1,1 - | 3,2 · | ||||
Co(acac)9 | 1,2 · | 10-1 | 4,6 · | 1,6 - | 4,6 - | 1Ol | 1,2 | lo-i | 3,1 | ιοί | |||
1,6 . | 10-4 | 9,6 - | 4,6 | 10-2 | 1,95 - | lo-i | 7,10l | 1Ol | 2,6 - | ||||
Co(acac)o | 8,7 - | 10-2 | 4,8 . | 2,4 · | lo-i | 1,0 · | 3,5 · | 1,2 | |||||
3,4 - | 1,9. | ;9,5 . | 4,3 | 1,5 · | 5,3 · | ||||||||
* acac = Acetylacetonat
23617
Die in Tabelle 1 gezeigten Verdampfungsentropien
liegen bei von weniger als 30 bis nahezu 70 Clausius. Da die Materialien von Tabelle 1 bei Raumtemperatur
fest sind, können sie spezifischer als Sublimationsentropieri charakterisiert werden. Es fällt auf, dass
diese Entropien alle gut oberhalb des Bereichs von 22 bis 25 Clausius, der nicht-assoziierende, nichtdissoziierende
Substanzen umfasst, liegen. Aus dieser Tatsache kann geschlossen werden, dass der
mittlere Grad der Assoziation dieser Verbindungen bei 1,2 bis 3 im festen Zustand liegt, falls 'ihre
Dämpfe unimolekular sind. Von besonderem Interesse sind in der Tabelle die Entropien der Triacetylacetonate
von Chrom, Mangan und. Eisen, die nahezu übereinstimmen.
Es können deshalb, wie später gezeigt wird, gemischte Beschichtungen aus diesen Reagenzien
in etwa den gleichen Verhältnissen", wie sie in dem zugeführten Strom vorliegen, erhalten werden-.
Aus Tabelle 1 geht auch hervor,, dass die Verdampfungspunkte die Schmelzpunkte der Triacetylacetonate um
etwa äquivalente Bereiche, die alle niedriger als 1400C liegen, übertreffen. Da die festen Komplexe
genügend wärmebeständig sind, um eine Aufzeichnung der Schmelzpunkte zu ermöglichen, stellt die Verdampfungs-Schmelzpunkt-Differenz
den unge- ■■_■
fähren Bereich dar, indem die thermolabilen Flüs-
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sigkeitsteilchen in den weniger wärmeempfindlichen Dampf zerfallen. Dieser Bereich'kann als ein Bereich
der thermischen Gefahr angesehen werden, das heisst, dass in diesem Temperaturbereich die'Materialien ausreichend
Wärme führen und ausreichend kompakt sind, um eine autokatalytische Zersetzung zu erleiden, bevor
sie als Dampfphase dispergiert werden.
Die Bis-acetylacetonate von Mangan, Nickel und Kobalt
haben deutlich kleinere Verdampfungsentropien als die
anderen Acetylacetonate und haben wesentlich grössere Differenzen zwischen dem Schmelzpunkt und der Verdampfungstemperatur,
so dass eher ein Schmelzen als eine Schnellverdampfung dieser Materialien erfolgt. Das
Eisen-II-acetylacetonat mit seiner Verdampfungsentropie
von 50,3 Clausius und mit einem thermisch gefährlichen Bereich von 1080G ähnelt aber den Triacetylacetonaten,
so dass das Eisen-II-acetylacetonat eine Anomalie zeigt.
Die folgenden Schlüsse stützen sich auf die thermodynamischen
Werte in den Tabellen 1 und 2. Eisen-II-acetylacetonat ist vom Standpunkt des Verdampfungsverhaltens
geringfügig besser für die chemische Ablagerung aus der Dampfphase als Eisen-III-acetylacetonat. Es
hat sowohl eine niedrigere Verdampfungstemperatur als auch eine höhere Verdampfungsentropie als Eisen-III-acetylacetonat,
Im Gegensatz dazu wird Kobalt-III-ace-
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tylacetonat gegenüber Kobalt-II-acetylacetonat bevorzugt.
Das Schmelzen der Materialien ist schädlich für die Dampfbeschichtung, da die Materialien, nachdem sie
einmal geschmolzen sind, als dichte Masse vorliegen bleiben und beim Erhöhen der Temperatur sich eher zersetzen
können als aus der klebenden, geschmolzenen Masse zu verdampfen. Im Gegensatz dazu können Pulver,
die einen engen Abstand zwischen dem Schmelzpunkt und der Verdampfungstemperatur haben, als Pulver in einen
heissen Gasstrom dispergxert werden, wobei ihre Temperatur rasch auf Verdampfungstemperatur erhöht wird.
Dabei tritt möglicherweise ein gewisses·Schmelzen, aber ohne massive Agglomeration der Teilchen zu einer
geschmolzenen Masse ein, bei der die Gefahr besteht, dass ihre Temperatur ohne wesentliche Verdampfung
bis zur Zersetzungstemperatur erhöht wird.
Gemischte Oxidüberzüge werden bevorzugt aus Materialien hergestellt, deren Verdampfungsparameter (Verdampfungsentropie)
und thermisch gefährliche Spanne möglichst nahe beieinander liegen. So haben zum Beispiel die
Triacetylacetonate von Chrom, Mangan, Eisen und Kobalt alle Verdarapfungsentropien von 46 „ 5 Clausius und alle
thermische Gefahrenbereiche von 120 « 200C. Aus dem
gleichen Grund bieten sich auch Nickel- und Kobaltacetylacetonate für solche Kombinationen an.
409 8 27/09 7 4
Trifluoracetylacetonate besitzen recht vorteilhafte Eigenschaften für die chemische Dampfablagerung. Die
Differenz zwischen dem Schmelzpunkt und der Verdampfungstemperatur ist recht klein (nur 800C) und die
Verdampfungsentropie von Eisen-III-trifluoracetylacetonat
ist 66,8 Clausius, was nahezu 50% grosser als die Verdampfungsentropie von fluorfreiem Eisen-Ill-acetylacetonat
ist. Das Eisen-III-trifluoracetylacetonat-Pulver
kann mit guter Wirkung in einem Pulververdampfer verdampft werden und sein Teildruck
wird auf atmosphärischen Druck erhöht, bevor eine Pyrolyse der einzelnen Teilchen festgestellt werden
kann.
In der vorstehenden Diskussion wird in erster Linie die Bedeutung der Verdampfungsentropie der Beschichtungsreagenzien
als Merkmal für ihre Eignung zur chemischen Ablagerung aus der Dampfphase geschildert.
Auf die Bedeutung der Sättigung des Trägergases wird besonders in den folgenden Beispielen hingewiesen.
In den Beispielen werden Platten -aus einem Soda-Kalk-Siliciumdioxidglas
durch Pyrolyse beschichtet und die Wirksamkeit der einzelnen Beschichtungsreagenzien
wird geprüft. In allen Beispielen sind die Glasplatten festgeklemmt auf einer geheizten durchlaufenden
Einrichtung, die innerhalb einer Beschichtungskammer angeordnet ist und unter einem Schlitz
409827/0974
23617
durchläuft, aus dem eine gasförmige Mischung, die
Dämpfe des Beschichtungsreagens.' enthält, austritt
und gegen die .Glasplatten gerichtet ist. In-allen ·
Fällen haben die Platten einen exponierten Besehichtungsbereich
von 154,5 cm^. Die Beschichtungsreagenzien
werden gepulvert und in eine erwärmte Rohrkammer, die zu dem Spalt führt, der der Gläsprobe
gegenüberliegt, geführt. Während der Beschichtung wird die der Kammer zugeführte Menge an Beschichtungsreagens,
die Strömungsgeschwindigkeit des Trägergases, die Dauer der Ablagerung, die Temperatur
des Trägergases in der Kammer und die Temperatur der Glaspfobe gemessen. Nachdem jede Probe beschichtet
worden ist, wird die Beschichtung chemisch von der Probe abgelöst und die Menge des Metalls in der
Beschichtung wird durch übliche Atomäbsorptionsanalyse bestimmt. Die gesamte Zuführung an Metall ist. bekannt
und die Grosse des Spaltes in Relation zu der Glasprobe
ist derartig, dass vorbeigeblasenes Material vernachlässigt werden kann. .
Es wird ein Spalt mit einer Weite von 3 mm und einer
Länge von 5 mm verwendet. Das Trägergas wird mit einer. Geschwindigkeit von 7,6 1 / Min. zugeführt
und die Temperatur der Quelle wird so eingestellt, dass ein konstanter Dampfdruck von 5,7 χ 10"3 Torr
40 9 8 2.7/-0 9.7.4
erreicht wird, wenn pulverförmiges Eisen-II-acetylacetonat
durch eine Schraubenfördereinrichtung einem Rohr, das von einem Widerstandserhitzer umgeben
ist, zugeführt wird. Dieses erwärmte Rohr ist mit dem Spalt verbunden. Die Temperatur des
Substrates wird für jede Probenreihe variiert, indem die Temperatur einer heissen Platte, die die
Proben trägt, kontrolliert wird, um die Wirkung der Substrattemperatur auf die Ablagerungsgeschwindigkeit festzustellen. Bei einer ersten Versuchsreihe
beträgt die Substrattemperatur 3000C und bei jeder folgenden Reihe wird die Substrattemperatur um 200C
erwärmt. Die Analyse der erhaltenen beschichteten Proben zeigt, dass die Zersetzungsgeschwindigkeit,
ausgedrückt durch abgelagerte Mikrogramm-Metall pro Quadratcentime ter, im wesentlichen von der Glas temperatur
unabhängig ist, bei Temperaturen oberhalb von etwa 4000C. Dieses zeigt, dass die Substrattemperatur,
die in der Vergangenheit als wichtig für die
Ablagerungsgeschwindigkeit angesehen wurde, kein limitierender Faktor für die chemische Ablagerung aus der Dampfphase
ist. Das verwendete Beschichtungsreagens muss aufgrund seiner grösseren effektiven Konzentration
in der Nähe des Substrates eine grössere Aktivität haben, um höhere Reaktionsgeschwindigkeiten zu ergeben,
da die Ergebnisse zeigen, dass dieses der wichtigere limitierende Faktor ist. Die vollständigen Ergebnisse
dieses Beispiels sind in Tabelle 3 zusammengestellt.
409827/0974
Die Arbeitsweise von Beispiel 1 wird wiederholt, mit der Ausnahme, dass Eisen-III-acetylacetonat bei
einem Dampfdruck von 2,9 χ 10*" 3 Torr verwendet wird.
Auch in diesem Fall wird festgestellt, dass nicht die Substrattemperatur ein entscheidender Faktor für
die Beschichtungsgeschwindigkeit ist. Die Tabelle 3 zeigt auch die Ergebnisse dieses Versuches.
Die Arbeitsweise von Beispiel 1 wird wiederholt, mit der Ausnahme, dass Nickel-II-acetylacetonat bei einem
Dampfdruck von 3,4 χ 10"^ Torr verwendet wird. Auch
hier wird festgestellt, dass eine Temperatur oberhalb von etwa 450°C nicht entscheidend für das Versuchsergebnis ist. Die Vollständigen Ergebnisse dieses Beispiels
sind ebenfalls aus Tabelle 3 zu ersehen.
4 0 9827/0974
23617
TABELLE 3 | Ablagerungsgeschwindigkeit j Mikrograitim / Centimeter 2 |
'< Fe(acac) | Ni(acac)„ |
Glastempe ratur °C |
Fe(acac)2 ' | 1,95 | ■0,25 |
2,5 | 2,1 | 0,25 | |
300 | 2,65 | 2,3 | 0,25 |
320 | 2,9 | 2,45 | 0,25 |
340 | 3,1 | 2,6 | 0,3 |
360 | 3,3 | 2,7 | 0,55 |
380 | 3,4 | 2,7 | 0,65 |
400 | 3,4 | 2,7 | 0,-9 |
420 | 3,4 | 2,7 | 0,95 |
440 | 3,4 | 2,7 | 1,0 |
460 | 3,4 | 2,7 | 1,0 |
480 | 3,4 | 2,7 | 1,0 |
500 | 3,4 | 2,7 | 1,0 |
520 | 3,4 | 2,7 | 1,0 |
540 | 3,4 | ||
560 | |||
* acac = Acetylacetonat
Die Arbeitsweisen der Beispiele 1, 2 und 3 werden
wiederholt unter Verwendung von Kobalt-II-acetylacetonat,
Kobalt-III-acetylacetonat, Eisen-III-trifluoracetyiacetonat
und Chrom-III-acetylacetonat.
409827/0974
Das Phänomen der Unabhängigkeit von der Temperatur wird auch für die Kobaltverbindungen beobachtet. Wie
aber schon vorher festgestellt wurde, besitzen fluorhaltige Verbindungen und Chromverbindungen eine so
viel grössere Entropie als die anderen Verbindungen, dass innerhalb der Bedingungen des Tests diese Materialien
nicht bis zur Grenze untersucht werden konnten.
Eisen-III-acetylacetonat wird zur Ablagerung von Eisenoxidüberzügen
auf einer Reihe von Proben verwendet, um die Bedeutung der Sättigung des Trägergases auf die Ablagerungsgeschwindigkeit
zu untersuchen. Das Beschichtungsreagens wird als Pulver bei 1160C verdampft und das
Trägergas wird mit zwei verschiedenen Geschwindigkeiten, nämlich bei 7,6 Liter pro Minute oder bei 21,8 Liter pro
Minute, zugeführt. Wenn der Sättigungsgrad kein einflussreicher Faktor wäre, sollte die Leistung des Verfahrens
bei der höheren Gasgeschwindigkeit wesentlich grosser
sein als bei der niedrigeren Gasgeschwindigkeit. Es wurde jedoch gefunden, dass die langsamere Gasgeschwindigkeit
eine wesentliche höhere Dampfkonzentration in der Mischung ergibt und die grösseren^Ausbeuten, die
unter diesen Bedingungen erhalten wurden, demonstrieren die Bedeutung des Sättigungsgrades des Dampfes in der
Mischung mit dem Trägergas. In der folgenden Tabelle 4 sind die Ergebnisse dieses Versuches zusammengefasst.
Das Glas wird relativ zu dem Spalt.. 4für die Abgabe der
409827/0974
Gasmischung bei verschiedenen Geschwindigkeiten bewegt. Die Temperaturen und die günstigsten Konzentrationen
werden auch variiert.
409827/0974
TABELLE 4 EISEN-III-ACETYLACETONAT : ABLAGERUNGSGESCHWINDIGKEITEN UND AUSBEUTEN
Anzahl Glasge- Ablagerung Ablagerungs- Ausbeute Temperatur
der schwind. Mikrogramm/ geschwind. % 0C
Durch- cm.min."1 cm2 Mikrogramm/
laufe cm. min.
Trägergas- geschwind. |
Dampf druck 10-3 Torr |
|
1 min."1 | 4,3 | |
7,6 | 4,3 | |
7,6 | 4,3 | |
7,6 | 4,3 4,3 4,3 |
|
O co co |
7,6 7,6 7,6 |
4,3 4,3 4,3 |
/0974 | 7,6 7,6 7,6 |
4,3 |
7,6 | 4,3 | |
21,8 | 4,3 | |
21,8 | 4,3 | |
21,8 | 4,3 | |
21,8 | 4,3 | |
21,8 | 4,3 | |
21,8 |
5,2
5,2
2,7
5,2
2,7
2,7
1,0
1,0
1,0
0,5
0,5
0,2
0,2
2,7
2,7
1,0
1,0
1,47
1,31
1,63
2,24
3,22
3,78
6,73
6,45
18,6
18,7
2,08
2,39
5,3
3,7
6,73
7,01
1,31
1,63
2,24
3,22
3,78
6,73
6,45
18,6
18,7
2,08
2,39
5,3
3,7
6,73
7,01
7,65 6,82 4,40 6,05 3,22 3,78 3,37 3,23 3,72 3,74 10,4 11,95 14,31
9,98 6,73 7,01
60,7 | 425 |
KJ
40 CD |
54,1 | 425 | ■o |
34,9 | 425 | |
47,9 | 425 | |
25,6 | 425 | |
30,0 | 425 | |
26,7 | 425 | |
25,6 | 425 | |
29,5 | 425 | |
29,7 | 425 | |
28,9 | 415-420 | |
33,2 | 415-420 | |
39,6 | 415-420 | |
27,6 18,6 |
415-420 415-420 |
|
19,4 | 415-420 | |
Fortsetzung
TABELLE 4 EISEN-III-ACETYLACETONAT : ABLAGERUNGSGESCHWINDIGKEITEN UND AUSBEUTEN
Trägergas- Dampfgeschwind, druck 10-3
1 min.
-1
21,8 21,8 21,8 21,8
Torr
4,3 4,3 4,3 4,3
Anzahl Glasge- Ablagerung Ablagerungs- Ausbeute Temperatur
der schwind. Mikrogramm/ geschwind. % 0C
Durch- cm.min.~l cm2 Mikrogramm/
laufe
0,5 0,5 0,2 0,2
14,1 14,3 36,9 32,0
cm. min. | 19,5 | 415-420 |
7,05 | 19,8 | 415-420 |
7,15 | 20,4 | 415-420 |
7,38 | 17,7 | 415-420 |
6,4 | ||
cn
,—A
Unter Verwendung der günstigen Bedingungen von Beispiel 4 wird Eisen-III-trifluoracetylacetonat als
Beschichtungsreagens verwendet. Die Ergebnisse sind aus Tabelle 5 zu ersehen.
9-8.2 77 0 9,7
TABELLE 5 | EISEN-III-TRIFLUORACETYLACETONAT ABLAGERUNG | Anzahl der Durch läufe |
Glasge schwind, cm.min."1 |
Ablagerung Ablagerungs- Mikrogramm/ geschwind. cm2 Mikrogramm/ cm. min. |
87,0 | Ausbeute | Temperatur | I | |
Trägergas- geschwind. 1 min."" |
Dampf druck 10"3 Torr |
1 | 5 | 17,4 | 85,5 | 19,1 | 462 | 00 | |
7,6 | 150 | 1 | 5 | 17,1 | 79,5 | 18,8 | 462 | ||
7,6 | 150 | 1 | 10 | 7,95 | 84,5 | 17,5 | 462 | ||
7,6 | 150 | 1 | 10 | 8,45 | 103,6 | 18,6 | 462 | ||
7,6 | 150 | 1 | 20 | 5,18 | 102,0 | 22,8 | 462 | ||
O CD |
7,6 | 150 | 1 | 20 | 5,10 | 202,0 | 22,4 | 462 | |
OO to- |
7,6 | 150 ■ | 1 | - 42 | 4,81 | 44,6 | 462 | ||
7/09 | 7,6 | 150 | |||||||
Die Erkenntnisse dieser Erfindung können für die DampfbeSchichtung von Stoffen verwendet werden, die
aus dem festen Zustand verdampft werden oder die zuerst in einem geeigneten Lösungsmittel gelöst und
dann verdampft werden. In beiden Fällen ist die Verdampfungsentropie und der Sättigungsgrad in dem Trägergas
für die Beschichtung von grosser Bedeutung.· Dies ist darauf zurückzuführen, dass diese Faktoren
für den scharfen Aktivitätsanstieg des Beschichtungsreagens' in unmittelbarer Nähe des zu beschichtenden
heissen Substrates verantwortlich sind, wodurch die Beschichtung durch eine rasche Ablagerung erfolgt. In
einer noch nahen Gegend zu dem zu überziehenden Substrat,
die aber ausserhalb des thermischen Zerfallsbereichs liegt, sind die Bedingungen der Mischung aus
Dampf und Trägergas derartig, dass eine vorzeitige Pyrolyse oder Zersetzung nicht eintritt. Wenn ein
Beschichtungsreagens aus seinem festen Zustand verdampft
wird, insbesondere, wenn es ohne vorheriges Auflösen in einem Lösungsmittel verdampft wird, sollte
die Spanne der thermischen Gefahr bevorzugt kleiner als etwa 1400C und besonders bevorzugt weniger als 120 C
sein. Dieser Faktor ist von besonderer Bedeutung, wenn zum Beispiel Pulververdampfer verwendet werden, da Materialien,
die dieser Bedingung entsprechen, ohne wesentliche Agglomeration oder Verschmelzung des Reagens verdampft
werden könnenj wogegen bei agglomerierten oder geschmolzenen Materialien die Gefahr besteht, dass sie
409827/097 4
sich vorzeitig zersetzen, wobei eine solche Zersetzung
durch die autokatalytische Wirkung massiv sein würde.
409827/09 7
Claims (11)
- Patentansprüche:f Verfahren zum Beschichten eines Substrates durch Berühren mit Dämpfen von mindestens einem Beschichtungsreagens, gekennzeichnet durch folgende Massnahmen:a) Verdampfen eines Beschichtungsreagens1 mit einer Standardverdampfungsentropie von mindestens 40 Clausius bei einer Temperatur unterhalb derjenigen, bei der dieses Reagens pyrolysiert,b) Mischen dieses Beschichtungsreagens' mit einem gasförmigen Träger in derartigen Mengen, dass die Mischung zu 50 bis 100% mit dem Beschichtungsreagens bei der Mischtemperatur gesättigt ist,c) Erwärmen eines Substrates auf eine Temperatur,. die ausreichend ist,, um das Beschichtungsreagens zu pyrolysieren,d) Halten der Mischung aus verdampftem Beschichtungsreagens und gasförmigem Träger oberhalb der Temperatur, bei der die Mischung mit dem Beschichtungsreagens gesättigt wird, und unterhalb der Temperatur, bei der das Beschichtungsreagens1 pyrolysiert und Zuführen dieser bei ihrer Temperatur gehaltenen Mischung in enge Nachbarschaft des Substrates unde) Erwärmen dieser Mischung in enger Nachbarschaft zum Substrat auf eine Temperatur, die ausreichend ist, um die Pyrolyse des Beschichtungsreagens1 herbeizuführen, wodurch eine Beschichtung auf dem heissen Substrat gebildet wird. 409827/0 974
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichtungsreagens und das Trägergas in solchen Mengen gemischt werden, dass eine Mischung entsteht, die zu etwa 85 bis 100%"bei der Mischungstemperatur gesättigt ist.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichtungsreagens und das Trägergas in solchen Mengen gemischt werden, dass eine Mischung entsteht, die zu etwa 85 bis 95% bei der Mischungstemperatur gesättigt ist.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichtungsreagens und das Trägergas in solchen Mengen gemischt werden, dass die Mischung
mit dem Beschichtungsreagens bei der Mischtemperatur gesättigt ist und die Mischung auf eine Temperatur oberhalb der Mischtemperatur erwärmt wird, um siein enge Nachbarschaft des heissen Substrates zu bringen. - 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat Glas verwendet wird und die Mischung des Beschichtungsreagens1 und des gasförmigen Trägers auf eine Temperatur erwärmt wird, die ausreichend ist, um die Pyrolyse des Reagens1 an der Glasoberfläche durch die Wärme, die der Mischung durch das heisse Glas zugeführt wird, herbeizuführen.4098 2 7/0974
- 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Beschichtung aus einer Oxidmischung hergestellt wird, indem mindestens zwei Beschichtungsreagenzien aus der" Gruppe der Triacetylacetonate von Chrom, Mangan, Eisen und Kobalt verdampft werden und diese Beschichtungsreagenzien mit einem gasförmigen Träger in solchen Mengen gemischt werden, dass eine Mischung entsteht, die zu 50 bis 100% mit der Mischung der Beschichtungsreagenzien gesättigt ist.
- 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der gasförmige Träger Luft ist und das Beschichtungsreagens eine pyrolysierbare Metallverbindung ist, die mit Sauerstoff bei Temperaturen, die ausreichend zur Pyrolyse des Reagens1 sind, reagieren.
- 8. Verfahreh nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichtungsreagens ein Metalltrifluoracetylacetonat ist, das als Pulver verdampft wird.
- 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch * gekennzeichnet, dass die Mischung des verdampften Beschichtungsreagens1 und des gasförmigen Trägers bei einer Temperatur- unterhalb etwa 3Ö0°C gehalten wird, bis sie einem Ort zugeführt wird, der nicht mehr als etwa 5 cm von dem Substrat entfernt ist, und die Mischung dann, in Nachbarschaft zu dem Substrat auf mindestens 40QÖC erwärmt wird.4098 2 7/0974
- 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat Glas verwendet wird und das Beschichtungsreagens ein Triacetylacetonat von Chrom, Mangan, Eisen oder Kobalt ist und die Mischung Luft enthält, die zu 85 bis 95% mit dem Beschichtungsreagens bei etwa 2000C für die Zuführung zu dem Glassubstrat gesättigt ist.
- 11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Mischung nach dem Mischen auf eine Temperatur oberhalb der Mischtemperatur für die Zuführung in enge Nachbarschaft des heissen Substrates erwärmt wird.409827/0974
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00315384A US3852098A (en) | 1972-12-15 | 1972-12-15 | Method for increasing rate of coating using vaporized reactants |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2361703A1 true DE2361703A1 (de) | 1974-07-04 |
DE2361703B2 DE2361703B2 (de) | 1976-05-20 |
DE2361703C3 DE2361703C3 (de) | 1982-09-30 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2361703A Expired DE2361703C3 (de) | 1972-12-15 | 1973-12-12 | Verfahren zum pyrolytischen Beschichten einer Oberfläche, insbesondere von Glas |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3852098A (de) |
JP (1) | JPS5753297B2 (de) |
AU (1) | AU472118B2 (de) |
BE (1) | BE808676A (de) |
CA (1) | CA1009910A (de) |
DE (1) | DE2361703C3 (de) |
FR (1) | FR2210583B1 (de) |
GB (1) | GB1448848A (de) |
IT (1) | IT996911B (de) |
NL (1) | NL7314862A (de) |
SE (1) | SE389496B (de) |
ZA (1) | ZA737355B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2941843A1 (de) * | 1978-10-19 | 1980-04-30 | Bfg Glassgroup | Verfahren zur herstellung einer zinnoxidschicht auf einem heissen glassubstrat |
DE3616332A1 (de) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Hans Joachim Dipl Phys Dr -Ing Kirschning | Fotovoltaisch wirksamer glasbaustein |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE367217B (de) * | 1973-09-17 | 1974-05-20 | Sandvik Ab | |
US4297971A (en) * | 1977-09-23 | 1981-11-03 | Ppg Industries, Inc. | Apparatus for vaporizing solid coating reactants |
US4182783A (en) * | 1977-09-23 | 1980-01-08 | Ppg Industries, Inc. | Method of vapor deposition |
US4359493A (en) * | 1977-09-23 | 1982-11-16 | Ppg Industries, Inc. | Method of vapor deposition |
US4148940A (en) * | 1978-03-20 | 1979-04-10 | Ppg Industries, Inc. | Method for depositing films containing cobalt oxide |
US4382980A (en) * | 1979-03-07 | 1983-05-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Magnesium compositions and process for forming MGO film |
JPS5663844A (en) * | 1979-10-31 | 1981-05-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Forming method of metal oxide coat |
US4344986A (en) * | 1980-08-08 | 1982-08-17 | Ppg Industries, Inc. | Method of delivering powder coating reactants |
US4325988A (en) * | 1980-08-08 | 1982-04-20 | Ppg Industries, Inc. | Deposition of coatings from fine powder reactants |
US4753191A (en) * | 1980-08-08 | 1988-06-28 | Ppg Industries, Inc. | Method of and apparatus for delivering powder coating reactants |
JPS5841722A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
JPS5841720A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
JPS5841724A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
US4374156A (en) * | 1981-11-30 | 1983-02-15 | Ford Motor Company | Method for obtaining a coating of a preferred composition on a surface of a glass substrate |
US4397671A (en) * | 1981-11-30 | 1983-08-09 | Ford Motor Company | Method of placing a metal oxide film on a surface of a heated glass substrate |
BR8207968A (pt) * | 1981-11-30 | 1983-10-04 | Ford Motor Co | Processo de aplicacao de uma pelicula de oxido de metal sobre a superficie de um substrato vitreo aquecido |
US4401695A (en) * | 1982-06-01 | 1983-08-30 | Ppg Industries, Inc. | Method of and apparatus for applying powder coating reactants |
US4393098A (en) * | 1982-07-29 | 1983-07-12 | Ford Motor Company | Process for developing a coating film on a heated glass sheet |
JPS59501311A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-07-26 | フオ−ド モ−タ− カンパニ− | 加熱されたガラス板の上に皮膜を展開する方法 |
US4584206A (en) * | 1984-07-30 | 1986-04-22 | Ppg Industries, Inc. | Chemical vapor deposition of a reflective film on the bottom surface of a float glass ribbon |
US4900110A (en) * | 1984-07-30 | 1990-02-13 | Ppg Industries, Inc. | Chemical vapor deposition of a reflective film on the bottom surface of a float glass ribbon |
US4689247A (en) * | 1986-05-15 | 1987-08-25 | Ametek, Inc. | Process and apparatus for forming thin films |
ES2045849T3 (es) * | 1989-07-21 | 1994-01-16 | Framatome Sa | Procedimiento de realizacion de una capa de aislamiento de oxido de cromo entre las pastillas y la vaina de un elemento combustible nuclear y elemento combustible que comprende dicha capa de aislamiento. |
US5108983A (en) * | 1989-11-21 | 1992-04-28 | Georgia Tech Research Corporation | Method for the rapid deposition with low vapor pressure reactants by chemical vapor deposition |
US6660365B1 (en) | 1998-12-21 | 2003-12-09 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
US6964731B1 (en) | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
US6974629B1 (en) | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
US6921579B2 (en) * | 2000-09-11 | 2005-07-26 | Cardinal Cg Company | Temporary protective covers |
ATE402126T1 (de) | 2000-09-11 | 2008-08-15 | Cardinal Cg Co | Hydrophile oberfläche mit temporären schutzverkleidungen |
US6902813B2 (en) * | 2001-09-11 | 2005-06-07 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic surfaces carrying temporary protective covers |
US6997018B2 (en) * | 2003-06-02 | 2006-02-14 | Ferro Corporation | Method of micro and nano texturing glass |
US7294404B2 (en) | 2003-12-22 | 2007-11-13 | Cardinal Cg Company | Graded photocatalytic coatings |
US7939129B2 (en) * | 2004-01-26 | 2011-05-10 | Pilington North America, Inc. | Deposition of iron oxide coatings on a glass substrate |
JP2008505841A (ja) | 2004-07-12 | 2008-02-28 | 日本板硝子株式会社 | 低保守コーティング |
US8092660B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
US7923114B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
WO2007124291A2 (en) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Cardinal Cg Company | Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances |
US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
US7670694B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-03-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Media for recording devices |
JP5474796B2 (ja) | 2007-09-14 | 2014-04-16 | 日本板硝子株式会社 | 低保守コーティングおよび低保守コーティングの製造方法 |
MX2014013233A (es) * | 2014-10-30 | 2016-05-02 | Ct Investig Materiales Avanzados Sc | Tobera de inyeccion de aerosoles y su metodo de utilizacion para depositar diferentes recubrimientos mediante deposito quimico de vapor asistido por aerosol. |
EP3387163B1 (de) | 2015-12-11 | 2020-04-29 | Cardinal CG Company | Verfahren zur beidseitigen beschichtung eines substrats |
EP3541762B1 (de) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Statisch-dissipative beschichtungstechnologie |
CN110272278B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-11-05 | 东华大学 | 热障涂层用高熵陶瓷粉体及其制备方法 |
CN110903084B (zh) * | 2019-11-12 | 2021-02-02 | 西安交通大学 | 一种高熵氧化物亚微米粉体及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1080275B (de) * | 1957-11-04 | 1960-04-21 | Philips Nv | Verfahren zum UEberziehen von aus Glas, Quarz, keramischen Stoffen oder Metall bestehenden Gegenstaenden mit Metalloxydschichten |
AT255049B (de) * | 1964-10-16 | 1967-06-26 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Wärmereflexionsfilters |
AT258503B (de) * | 1962-10-19 | 1967-11-27 | American Can Co | Verfahren zur Erhöhung der Ritzfestigkeit der Oberfläche von Glasgegenständen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE2047813B2 (de) * | 1970-09-29 | 1971-10-07 | Battelle Institut e V , 6000 Frank fürt | Verfahren zur abscheidung von ueberzuegen |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2430520A (en) * | 1945-03-06 | 1947-11-11 | Glass Science Inc | Deposition of metal on glass from metal formates |
US2556316A (en) * | 1948-03-19 | 1951-06-12 | Cornell Aeronautical Labor Inc | Method of preparing a manganese chelated compound |
US2694651A (en) * | 1951-10-08 | 1954-11-16 | Ohio Commw Eng Co | Deposition of copper oxides on heat insulating material |
GB787076A (en) * | 1954-10-20 | 1957-12-04 | Ohio Commw Eng Co | Improvements in or relating to gas plating |
US2933475A (en) * | 1955-09-20 | 1960-04-19 | Du Pont | Chelates and methods of making the same |
US2898227A (en) * | 1957-02-01 | 1959-08-04 | Ohio Commw Eng Co | Zinc gas plating |
US3410710A (en) * | 1959-10-16 | 1968-11-12 | Corning Glass Works | Radiation filters |
US3356527A (en) * | 1964-04-23 | 1967-12-05 | Ross W Moshier | Vapor-plating metals from fluorocarbon keto metal compounds |
US3438803A (en) * | 1965-05-18 | 1969-04-15 | Anchor Hocking Glass Corp | Method and means for vapor coating |
US3658568A (en) * | 1969-08-11 | 1972-04-25 | Ppg Industries Inc | Method of forming metal oxide coatings on refractory substrates |
-
1972
- 1972-12-15 US US00315384A patent/US3852098A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-09-17 ZA ZA00737355A patent/ZA737355B/xx unknown
- 1973-09-20 CA CA181,495A patent/CA1009910A/en not_active Expired
- 1973-10-10 FR FR7336210A patent/FR2210583B1/fr not_active Expired
- 1973-10-24 AU AU61753/73A patent/AU472118B2/en not_active Expired
- 1973-10-30 NL NL7314862A patent/NL7314862A/xx unknown
- 1973-11-05 IT IT70239/73A patent/IT996911B/it active
- 1973-12-10 GB GB5706173A patent/GB1448848A/en not_active Expired
- 1973-12-12 SE SE7316814A patent/SE389496B/xx unknown
- 1973-12-12 DE DE2361703A patent/DE2361703C3/de not_active Expired
- 1973-12-14 JP JP48141146A patent/JPS5753297B2/ja not_active Expired
- 1973-12-14 BE BE138904A patent/BE808676A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1080275B (de) * | 1957-11-04 | 1960-04-21 | Philips Nv | Verfahren zum UEberziehen von aus Glas, Quarz, keramischen Stoffen oder Metall bestehenden Gegenstaenden mit Metalloxydschichten |
AT258503B (de) * | 1962-10-19 | 1967-11-27 | American Can Co | Verfahren zur Erhöhung der Ritzfestigkeit der Oberfläche von Glasgegenständen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
AT255049B (de) * | 1964-10-16 | 1967-06-26 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Wärmereflexionsfilters |
DE2047813B2 (de) * | 1970-09-29 | 1971-10-07 | Battelle Institut e V , 6000 Frank fürt | Verfahren zur abscheidung von ueberzuegen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Die gesetzlichen Einheiten in der Technik, Köln 1972 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2941843A1 (de) * | 1978-10-19 | 1980-04-30 | Bfg Glassgroup | Verfahren zur herstellung einer zinnoxidschicht auf einem heissen glassubstrat |
DE3616332A1 (de) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Hans Joachim Dipl Phys Dr -Ing Kirschning | Fotovoltaisch wirksamer glasbaustein |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2361703B2 (de) | 1976-05-20 |
BE808676A (fr) | 1974-06-14 |
JPS4989718A (de) | 1974-08-27 |
US3852098A (en) | 1974-12-03 |
CA1009910A (en) | 1977-05-10 |
GB1448848A (en) | 1976-09-08 |
DE2361703C3 (de) | 1982-09-30 |
FR2210583A1 (de) | 1974-07-12 |
AU472118B2 (en) | 1976-05-13 |
FR2210583B1 (de) | 1978-11-10 |
JPS5753297B2 (de) | 1982-11-12 |
IT996911B (it) | 1975-12-10 |
NL7314862A (de) | 1974-06-18 |
SE389496B (sv) | 1976-11-08 |
AU6175373A (en) | 1975-04-24 |
ZA737355B (en) | 1975-04-30 |
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