DE2360974C2 - Verfahren zum Reinigen von Ammoniumfluoridlösungen - Google Patents
Verfahren zum Reinigen von AmmoniumfluoridlösungenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Spurenverunreinigungen, insbesondere Arsen, aus
einer Ammoniumfluoridlosung.
Ammoniumfluoridlösung. normalerweise in Mischungen mit Flußsäure, werden in der Halbleitertechnik in
großen Mengen zum Ätzen eingesetzt. Sie enthalten Spurenverunreinigungen, wie z. B. Kupfer. Arsen. Gold.
Palladium und Silber, die sich während der Herstellungsprozesse aufgrund ihres positiven Elektrodenpotentials
irreversibel auf Halbleiteroberflächen abscheiden und hier schwerwiegende elektrische Störungen, wie z. B.
Inversionen und Kurzschlüsse bei Feldeffekttransistoren, erzeugen können. Besonders störend wirkt sich
Arsen aus. welches durch seine Wertigkeitsstufe V Oberflächeninversionen, insbesondere von den gebräuchlichen
niedrig p-dotierten Schichten bewirkt, was z. B. bei den immer mehr benutzten Isolierschichtfeldcffekttransistoren
sehr häufig zu Ausfällen führt. Es ist deshalb von außerordentlicher Wichtigkeit. Ammoniumfluoridlösungen
zu verwenden, welche die oben erwähnten Spurenverunreinigungen höchstens in Mengen
<2.10 b Gewichtsprozent enthalten, wobei bei
einzelnen Anwendungen Reinheitsgrade unter 10-; Gewichtsprozent Arsen erforderlich sind. Handelsübliche
Ammoniumflijoridlösungen enthalten aber bis zu
10 '•Gewichtsprozent Arsen. Hieraus ergibt sich die
Bedeutung von Verfahren /ur Herstellung von Ammo· niumfluoridlösungen mit der gewünschten Reinheit.
In den folgenden Ausführungen wird im wesentlichen
-auf Arsen Bezug genommen. Dieses Element wirkt sich ""besonders schädlich aus, es läßt'sich im allgemeinen'
schwieriger entfernen als die anderen Spurenverunreinigungen und die Verfahren, die zur Entfernung von
Arsen geeignet sind, eignen sich mindestens ebenso gut
auch für die Entfernung der anderen Spurenverunreinigungen. Die folgenden Ausführungen sind deshalb
üOiVvcnuig i5t, c5 ZUHaCnSi uürCn z.üg5uc VOn wXVuationsmitteln,
wie z. B. Kaliumpermanganat oder Jod, in eine hochsiedende Verbindung der Wertigkeitsstufe V
überzuführen. Ein ähnliches Verfanren wird auch in der deutschen Patentschrift 17 67 548 beschrieben. Wie sich
aus der dieser Patentschrift beigegebenen Zeichnung ergibt, ist eine außerordentlich komplizierte Apparatur
notwendig, um das erwähnte Reinigungsverfahren
J" durchzuführen. Hinzu kommen die Werkstoff- und
Sicherheitsprobleme, die beim Arbeiten mit — insbesondere — heißer Flußsäure auftreten. Ein anderes,
apparativ weniger aufwendiges Verfahren zur Reinigung von Flußsäure wird in der deutschen Patentschrift
J5 12 21614 beschrieben. Bei dem dort beschriebenen
Verfahren macht man sich die Eigenschaft des Arsens zunutze, sich auf Halbleiteroberflächen irreversibel
abzuscheiden. Deshalb wird beim Destillieren der FluQsäure Dampf durch eine Kolonne geleitet, die mit
■"> Füllkörpern aus sehr reinem Halbleitermaterial gefüllt
ist. Diese Füllkörper sind ohne Zweifel sehr teuer, weshalb das Verfahren bestenfalls dann eingesetzt
werden kann, wenn für SpezialUntersuchungen im Labormaßstab kleine Mengen von hochreiner Flußsäu-
·*' re benötigt werden. Außer den beschriebenen Schwierigkeiten
kommt bei den genannten bekannten Verfahren noch hinzu, daß sie sich nur auf die reine Flußsäure,
nicht aber auf Ammoniumfluoridlösungen anwenden lassen. Eine Destillation der Ammoniumfluoridlösungen
>o ist wegen des hohen Salzgehalts unmöglich. Die
genannten bekannten Verfahren sind deshalb ungeeignet,
wenn es darum geht. Verunreinigungen aus Ammoniumfl"oridlösungen zu entfernen, die etwa bei
langer Lagerzeit in die Lösung gelangt sind, wenn es
" darum geht, eine Nachreinigung vorzunehmen, wenn
durch Analyse ein zu hoher Arsengehalt festgestellt worden ist. oder wenn etwa benutzte Ammoniumfluoridlösungen
regeneriert werden sollen.
Es ist deshalb die Aufgabe der Erfindung, ein
6" Verfahren anzugeben, mit dem Spurenverunreinigungen
direkt aus Ammoniumfluoridlösungen rasch, ohne
größen apparativen Aufwand unter;; fabrikmäßigen
Bedingungen und 'unter besonderer Berücksichtigung des Sicherheitsrisikos reproduzierbar bis auf einen
6S Restgehalt pro Spurenverunreinigung, der unter
2.10"6 Gewichtsprozent, möglichst aber noch um 1 bis 2
Größenordnungen niedriger liegt, entfernt werden können.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß ein Niederschlag von Manganoxidhydrat (MnO(OH)2) erzeugt
wird und dieser Niederschlag in der mit Ammoniak basisch gemachten Ammoniumfluoridlösup.g
(NH4F) eine Zeitlang aufgeschlemmt und dann abfiltriert wird.
Die Spuren verunreinigungen werden an dem Manganoxidhydrat in erster Linie durch Adsorption festgehalten,
obwohl ein hoher Ammoniumfluoridgehait vorliegt. Das Verfahren ist unkompliziert und läßt sich auch bei
größeren Ansätzen mit geringem apparativen Aufwand durchführen. Dadurch ist das Verfahren ökonomisch
und außerdem gerade wegen seiner Einfachheit, und weil bei seiner Anwendung die Ammoniumfluoridlösung
nicht erwärmt wird, mit einem minimalen Sicherheitsristko durchführbar. Das Verfahren ist unmittelbar auf
Ammoniumfluoridlösungen anzuwenden und deshalb zur Nachreinigung zuvor gereinigter und durch
Lagerung schlechter gewordener Ammoniumfluoridlösungen. zur Reinigung von Ammoniumfluoridlösungen
minderer Qualitä: and zum Regenerieren gebrauchter Ammoniumfluoridlösungen und gebrauchter gepufferter
Flußsäure geeignet. Mit dem Verfahren lassen sich bei einmaliger Anwendung Reinheitsgrade von
10~8 Gewichtsprozent Arsen erzielen, wobei es ohne Bedeutung ist, in welcher Wertigkeitsstufe das Arsen in
der Lösung vorliegt. Die erzielte Reinheit ist um 1 '/2 bis
2 Größenordnungen besser als sie in der heutigen Halbleitertechnik im allgemeinen notwendig ist. weshalb
das Verfahren auch dazu benutzt werden kann, gepufferte Flußsäure, d. h. einem Gemisch aus Flußsäure
und einem mehrfachen Überschuß von Ammoniumfluoridlösungen mit einem Arsengehal" herzustellen, der
unterhalb der erlaubten Toleranzgrenze liegt, indem eine mittels des erfindungsgemäKen Verfahrens gereinigte
Ammoniumfluoridlösung mit einer Flußsäure gemischt wird, deren Arsengehalt oberhalb der
erlaubten Toleranzgrenzen liegt. Zwar ist es nicht völlig auszuschließen, daß geringe Mengen Mangan bei der
Anwendung des Verfahrens in die Ammoniumfluoridlösung gelangen, jedoch ist erstens das Löslichkeitsprodukt
des Manganoxidhydrats unter den vorhandenen Bedingungen äußerst gering und zweiten ist das
Elektrodenpotential des Mangans negativer als das der Halbleitermaterialien, so daß beim Ätzen von Halbleitermaterialien
eine Abscheidung des Mangans auf der Halbleiteroberfläche nicht zu befürchten ist. Es sei noch
darauf hingewiesen, daß das erfindungsgemäße Verfahren sich auch zur Abscheidung von Arsen aus
Ammoniumfluoridlösungen für die anaiv tische Bestimmung eignet.
In vorteilhafter Weise wird das Manganoxidhydrat
erzeugt, indem eine wäßrige Mangan(II)-Salzlösung. vorzugsweise Manganhydrofluorid und eine wäßrige
Mangan(VlI)-Salzlösung, vorzugsweise ^mmoniumpermanganat unter Einhaltung eines Molverhältnisses von
3 : 2 in einem schwach basischen Medium zusammengegeben werden. Es ist sehr wichtig, daß weder das
Mangan(H)-Salz noch das Mangan(Vll)-Salz im Überschuß, d. h. abweichend vom Molverhältnis 3 :2.
zugegeben wird, weil ein suldier Überschuß die fur die
Absorption der Spulenverunreinigungen benotigten
■ aktiven Zentren des Manganoxidhydrats blockieren
wurde.
Es ist vorteilhaft, wenn entweder das ausgefällte Manganoxidhydrat abfiitriert und anschließend unter
Rühren zu der zuvor mit einer wäßrigen Ammoniumhydroxidlösurig
basisch gemachten Ammoniumfluoridlösung gegeben wird oder wenn zu dieser basischen
Ammoniumfluoridlösung die beiden Salzlösungen unter Rühren gegeben werden. Wird das Manganoxidhydrat
direkt in der Ammoniumfluoridlösung erzeugt, so ist der
ϊ apparative Aufwand geringer, man spart eine zusätzliche
Ritration und das so erzeugte Manganoxidhydrat zeichnet sich durch eine besonders hohe Adsorptionsfähigkeit
für Spurenverunreinigungen aus.
Wird von einer handelsüblichen 40%igen Ammoni-
i" umfluoridlösung ausgegangen, so ist es vorteilhaft, wenn
zwischen 1,5 und 10 g Manganoxidhydrat zu einem Liter Lösung gegeben bzw. in ihr erzeugt wird. Wird weniger
zugesetzt, so werden insbesondere bei außerhalb der Ammoniumfluoridlösung gefälltem Manganoxidhydrat
> die aktiven Zentren nicht mit Sicherheit ausreichen, den Arsi;ngehalt unter 10~7 Gewichtsprozent zu bringen.
Mit Mengen von 4 g werden in den meisten Fällen Reinheitsgrade erreicht, die allen heutigen Erfordernissen
genügen, abgesehen davon, daß es schwierig ist, die dann noch vorhandenen Arsenmengen analytisch
nachzuweisen. Da jedoch die Zahl der aktiven Zentren im Mangaiiüxidhydiai schwankt, isi es günstig, in den
Fällen, in denen es auf ganz extreme Reinheit ankommt, bis zu 10 g Manganoxidhydrat pro Liter Ammonium-
2t fluoridlösung zuzusetzen. Noch größere Mengen von
Manganoxidhydrat schaden übrigens nicht, nur das Abfiltrieren des Niederschlags dauert etwai länger.
Bei Ammoniumfluoridlösungen mit Arsengehalten,
die wesentlich höher als 10~s Gewichtsprozent liegen,
i" oder wenn die Reinigung mit einem möglichst geringen
Zusatz von Manganoxid erreicht werden soll, ist es vorteilhaft, wenn dieselbe Ammoniumfluoridlösung
mehrmals der Behandlung mit Manganoxidhydrat unterworfen wird. Mehrere Zusätze von kleinen
i"> Mengen Manganoxidhydrat haben eine bessere Reinigungswirkung
als der Zusatz einer großen Menge Manganoxidhydrat, die gleich der Summe der kleinen
Mengen ist.
Es ist vorteilhaft, wenn als Mangan(II)-SaIz das im
·»" Handel leicht erhältliche Mangansulfa. (MnSO4) oder
Manganhydrofluorid (MnF2 ■ HF) verwendet wird,
wobei das letztere den Vorteil hat. daß bei seiner Zugabe kein zusätzliches Anion in die Lösung gebracht
wird, was jedoch — unter der Annahme einer äußerst
->> selten zu erwartenden Störung durch das Sulfation —
allenfalls dann eine Rolle spielen würde, wenn das Manganoxidhydrat in der Ammoniumfluoridlösung
erzeugt wird.
Als Mangan(Vll)-Sa'z bieten sich Kaliumpermanga-
'" nat (KMnO4) oder Ammoniumpermanganat
((NH4)MnO4) an. wobei das letztere sich besonders
empfiehlt, wenn, wie im Fall von Isolationsschicht-Feldeffek'transistoren.
ein Zusatz von Alkaliionen vermieden werden soll.
'"' Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen
beschrieben.
Eine wichtige Eigenschaft des bei dem beschriebenen Verfahren benutzten Mangenoxidhydrats ist seine
Oberflächenaktivität. Ein Manganc-yidhydrat mit guter
t>n Oberflächenaktivität läßt sich dadurch herstellen, daß
neutrale oder schwachbasische Lösungen eines Mangan(II)-Salzes, wie z.B. Mangansulfat; und eines
, Mnngan(Vil)-Salzes, wie z. B. Kalium-töderBÄmmoniumpermanganai,
zusammengegeben werden. Dabei
65. spielt sich folgende Reaktion ab:
3 Mn*+ +2 MnO,- +3 H2O+4 OH-- 5 MnO(OH)2
Die Reaktion verläuft praktisch quantitativ, weshalb
Die Reaktion verläuft praktisch quantitativ, weshalb
es einfach ist, die zum Ausfallen einer bestimmten Manganoxidhydratmejige notwendigen Mengen an
Mangan(H)-Salz und an Mangan(VII)-Salz zu berechnen.
Dazu ist allerdings Voraussetzung, daß weder das Maiigan(ll)- noch das Mangan(VlI)-SaIz im Oberschuß
eingesetzt wird. Dazu ist notwendig, wie sich aus der
Reaktionsgleichung ergibt, daß das Mangan(II)- und das
Mangan(VH}-Salz immer im Molverhältnis 3 :2 zusammengegeben
werden. Ein Überschuß eines der beiden Salze würde, wie gesagt, die aktiven Zentren des
Manganoxidhydrats blockieren und dieses dadurch teilweise unwirksam machen. Das Molverhältnis 3 :2
sollte jedoch nicht nur für die Bilanz der Gesamtreaktion gelten, sondern es ist auch günstig, wenn die beiden
SaJze während der Reaktion in diesem Molverhältnis zugegeben werden, damit ein Einschließen von Mn2+-
bzw. Mn(X--Ionen in das ausfallende Manganoxidhydrat
mit Sicherheit ausgeschlossen wird. Zur Erleichterung
der Dosierung ist es deshalb günstig, Lösungen der beiden Salze herzustellen, die in gleichen Volumina
einander äquivalente Salzmengen enthalten.
Das Manganoxidhydrat wird entweder direkt in der zuvor schwach basisch gemachten Arar. onium.iuoridlösung
erzeugt oder zunächst in einem schwach ammoniakalischen Medium separat erzeugt und dann zu
der schwach basischen Ammoniumfluoridlösung gegeben. Die Zugabe des Manganoxidhydrats bzw. der
beiden Salzlösungen zu der Ammoniumfluoridlösung kann entweder auf einmal bzw. kontinuierlich oder
portionsweise erfolgen. Es kann auch günstig sein, nach der Zugabe einer oder mehrerer Portionen vor der
nächsten Zugabe zu filtrieren. Dies empfiehlt sich insbesondere bei Atnmoriiumfluoridlösungen, deren
Arsengehalt wesentlich über 10-'Gewichtsprozent liegt. Allgemein ist bei mehrmaliger Zugabe die Summe
der notwendigen Manganoxidhydratmengen kleiner, als wenn das Manganoxidhydrat auf einmal zugegeben
wird.
Die Fremdionen, nämlich Mn4*·, NH4 + . K+ und
SCV". die durch die beiden Salzlösungen in die
Ammoniumfluoridlösung gebracht werden, sind im allgemeinen unkritisch, zur Sicherheit sollte jedoch,
wenn mit der gereinigten Ammoniumfluoridlösung FET-Bauteile geätzt werden sollen, auf alle Fälle
Ammoniumpermanganat anstelle von Kaliumpermanganat verwendet werden.
Die Anwendung des Verfahrens ist nicht auf
Ammcriiumfluoridlösungen beschränkt. Auch mit Ammoniumfluorid gepufferte Flußsäure, ζ. B. eine zum
Siliciumdiocidätzen in der Halbleitertechnik eingesetzte Mischung aus 1 Teil Flußsäure und 10 Teilen
Ammoniumfluoridlösung. läßt sich reinigen. Zum Beispiel kann verbrauchte gepufferte Flußsäure regeneriert
werden, indem sie zunächst durch Zugabe von Ammoniak schwach basisch gemacht wird, dann mit
Manganoxidhydrat behandelt wird und schließlich durch Zugabe frischer Flußsäure wieder eingestellt
wird. Dabei darf die frische Flußsäure einen Arsengehalt
haben, der über 2.10b Gewichtsprozent liegt. Mittels
des erfindungsgemäßen Verfahrens läßt sich nämlich auch eine gepufferte Flußsäure mit einem Arsengehalt
<2 ■ 10-b Gewichtsprozent, die mindestens 1 Teil
handelsübliche 40%ige Flußsäure auf 10 Teile 40'Yoige
Ammoniumfluoridlösung enthält, herstellen. Dabei wird eine gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren gereinigte
Ammoniumfluoridlösung, die ein Volumen von 1180 cm' hat, mit 160 cm3 handelsüblicher Flußsäure mit
einem Arsengehalt von etwa 10-5 Gewichtsprozent vermischt. Von der zugesetzten Flaßsäuremenge sollen
etwa 60cmJ noch vorhandenes Ammoniumhydroxid
neutralisieren. Die Rechnung ergibt, daß bei der Mischung eine gepufferte Flußsäure erhalten wird,
deren Arsengehalt bei 1,5 - 10"Gewichtsprozent liegt, d. h. die gepufferte Flußsäure hat die geforderte
Reinheit.
Im folgenden werden vif- Ausführungsbeispicle
beschrieben, die die Durchfühl eng und die Leistungsfähigkeit
des beschriebenen Verfanrens deutlicher machen-
Beispiele 1-4
Aus der Tabelle sind die Art und die eingesetzten !'«engen der verwendeten Chemikalien und der
Arsengehalt der Ammoniumfluoridlösung vor und nach der Reinigung zu ersehen.
Zur Bestimmung des Reir.igungseffekts wurde die Menge des mit dem Manganoxidhydrat ausgefällten
Arsens radiochemisch bestimmt. Bei Beispiel 1 wurden die zur Aubfäilung der festgelegten Manganoxidhydratmengen
benötigten Mengen von Mangansulfat und von Ammoniumpermanganat in wäßriger Lösung unter
Rühren in schwach ainmoniakalischem Medium miteinander
gemischt. Anschließend wurde der gebildete Niederschlag abfiltriert und noch feucht zu der zu
reinigenden und zuvor durch Zugabe einer wäßrigen Ammoniumhydroxidlösung basisch gemachten Ammoniumfluoridlösung
gegeben, die sich in einem Polyäthylengefäß befand, und mit Hilfe eines Magnetrührer
gerührt wurde. Nach der vollständigen Zugabe wurde 10 Minuten gewartet und schließlich wurde das
« Manganoxidhydrat durch Zentrifugieren abgetrennt.
Bei den Beispielen 2—4 wurde die zu reinigende
Ammoniumfluoridlösung. die sich in einem Polyäthylenbehälter befand und mit Hilfe eines Magnetrührers
gerührt wurde, zunächst mit einer wäßrigen Ammoniak-
>o lösung basisch gemacht und anschließend wurde die
wäßrige Mangansulfat- und die Ammoniumpermanganatlösung zugegeben. Nach der vollständigen Zugabe
der Salzlösungen wurde mit dem Rühren aufgehört und nach etwa 10 Minuten wurde der gebildete Manganoxid-
^' hydratniederschlag durch Zentrifugieren abgetrennt.
Beispiel Nr Zugabe /u I I 4(>"„iger NIUF-Lösung mit einem
Arsengehalt ■ on ca. Kl ' Gewichtsprozent
MnOlOlIh in g 25'..ige NH4OH- 0,5 η Mn(II)-SaI/- 0,5 η Mn(VII)-SaIz-Lüsung
in eem lösung in ecm lösung in ecm
Arsengehalt nach der
Reinigung
in Gewichtsprozent
2
3
4
80 80 80 80
10 25 50 10
25
50
25
50
4 · 10"8
2 · 10"7
2 · 10"7
~ 1 · 10""7
~ 10"8
Die Beispiele zeigen die ausgezeichnete Reinigungswirkung des Verfahrens, die — wie oben erwähnt —
nicht auf Arsen beschränkt ist, sondern gleichzeitig die anderen Spurenverunreinigungen erfaßt. Der etwas
bessere Reinigungseffekt, der erzielt wird, wenn die Salzlösungen direkt in die Ammoniumfluoridlösung
gegeben werden, ist teilweise darauf zurückzuführen, daß eine Alterung verbunden mit einer Desaktivierung
vermieden wird.
Claims (4)
1. Verfahren zum Entfernen von Spurenverunreinigungen, insbesondere Arsen, aus einer Ammoniumfluoridlösung,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Niederschlag von Manganoxidhydrat erzeugt wird und dieser Niederschlag in der mit
Ammoniak basisch gemachten Ammoniumfluoridlösung
eine Zeitlang aufgeschlämmt und dann abfiltriert wird.
Z Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung des Manganoxidhydrats
eine wäßrige Mangan(I!)-Salzlösung, vorzugsweise Manganhydrofluorid (MnF2 - HF) und eine
wäßrige Mangan(VII)-Salzlösung, vorzugsweise Ammoniumpermanganat unter Einhaltung eines
Molverhältnisses von 3:2 in einem schwach basischen Medium zusammengegeben werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Salzlösungen zu der zuvor
mit einer wäßrigen ArnrnGniurnhydroxidiösüng basisch
gemachten Ammoniumfluoridlösung unter Rühren hinzugegeben werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen 1.5 und lOgr Manganoxidhydrat
zu einem Liter einer 40%igen Ammoniumfluoridlösung gegeben werden.
sinngemäß auch auf die anderen Spurenverunreinigungen
anzuwenden.
Normalerweise wird Ammoniumfluorid hergestellt aus Ammoniak und Flußsäure und die meisten der
bekannten Verfahren zum Herstellen hochreiner Ammoniumfluoridlösungen beruhen auf Verfahren, die
Ausgangsmaterialien in hochreiner Form herzustellen. Hochreiner Ammoniak läßt sich leicht gewinnen, jedoch
ist es um so schwieriger, Flußsäure mit Arsengehalten unter 2.10"b Gewichtsprozent herzustellen, wenn bereits
der Flußspat (CaF2), aus dem Flußsäure gewonnen
wird, viel Arsen enthält. Zwar gibt es Flußspatlagerstätten,
deren Arsengehalt bereits so niedrig liegt, daß die daraus hergestellte Flußsäure ohne zusätzliche Reinigungsschritte
bereits die geforderte Reinheit hat jedoch steht nicht immer Flußspat dieser Reinheit zur
Verfügung. In der deutschen Patentschrift 12 90 529 wird ein Verfahren zum Entfernen von A r~enverunreinigungen
in Flußsäure beschrieben, bei dem die Verunreinigungen durch Destillation der Flußsäure
abgetrennt werden, wobei es im Fall des Arsen
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---|---|---|---|
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JP13969074A JPS536120B2 (de) | 1973-12-07 | 1974-12-06 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2360974A DE2360974C2 (de) | 1973-12-07 | 1973-12-07 | Verfahren zum Reinigen von Ammoniumfluoridlösungen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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DE2360974C2 true DE2360974C2 (de) | 1983-08-18 |
Family
ID=5900140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2360974A Expired DE2360974C2 (de) | 1973-12-07 | 1973-12-07 | Verfahren zum Reinigen von Ammoniumfluoridlösungen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4000251A (de) |
JP (1) | JPS536120B2 (de) |
DE (1) | DE2360974C2 (de) |
FR (1) | FR2253710B1 (de) |
GB (1) | GB1498627A (de) |
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EP0331231B1 (de) | Verfahren zum Regenerieren von ZrF4 enthaltenden Beizlösungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OD | Request for examination | ||
8181 | Inventor (new situation) |
Free format text: BRISKA, MARIAN, DIPL.-CHEM., 7030 BOEBLINGEN, DE HOFFMEISTER, WOLFGANG, DIPL.-CHEM., 7031 GAERTRINGEN, DE |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |