DE2348246A1 - Ladungsverstaerker - Google Patents
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Description
7608-73 Ks/Sö
ROA 65, 649 . .
Brit. Ser. No: 44 294 2348-246
Piled: September 25, 1972 '
ROA Corporation
New York, N.Y., V. St. A,
New York, N.Y., V. St. A,
Ladungsverstärker
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Verstärkung von Signalen,
insbesondere von schwachen Signalen. Eines der vielen Gebiete,
wo Signale mit äußerst schwachem Pegel erzeugt werden, sind Ladungsübertragungsschaltungen vom ladungsgekoppelten Typ
oder vom sogenannten Eimerkettentyp* In diesen Schaltungen werden kleine Ladungsbeträge erzeugt oder an Kondensatoren gespeichert,
deren Kapazitätsweit: in der Größenordnung von wenigen Picofarad liegt. Diese "Ladungssignale" können so schwach
sein, daß es zur Ansteuerung einer Last erwünscht und/oder sogar notwendig ist, das Ladungssignal am Ausgang dieser Ladungsübertragungsschaltungen
zunächst zu verstärken.
Außerdem enthalten Ladungsübertragungsschaltungen sehr lange Register, und da beim Durchlaufen der Register Verluste im
Signal auftreten, muß das übertragene Ladungssignal zwischendurch an einzelnen Punkten längs dieser Register verstärkt
werden.·Das Zusammentreffen von kleiner Kapazität und schwachem
Ladungssignal (das in der Größenordnung von Picocoulombs liegen kann) setzt strenge Grenzen an die mit diesen Ladungsübertragungsschaltungen
gekoppelten Verstärkeranordnungen. Die Eingangskapazität der Verstärkeranordnung muß sehr gering (wenige
engl.: "bucket brigade type"
4098 U/12 11
Picofarad) sein, sonst wird das ladungssignal ziemlich stark
gedämpft. Außerdem müssen die Verstärkeranordnungen auf sehr niedrige Leistungen ansprechen können, da das Ladungssignal
einen sehr kleinen Energiegehalt hat. Schließlich sollten die Verstärkeranordnungen einfach sein und (obwohl nicht in jedem
Falle erforderlich) mit Ladungsübertragungsashaltungen unterschiedlichen
Typs kompatibel sein.
Die Figur 1 der beigefügten Zeichnungen zeigt einen bekannten
Ladungsverstärker, der in einem Aufsatz von F.L.J. Sangster u.
K.Teer mit dem Titel "Bucket-Brigade Electronics-New Possibilities For Delay, Time-Axis Conversion and Scanning" beschrieben ist.
Dieser Aufsatz ist veröffentlich in "IEEE Journal of Solid State Oircuits", Juni 1969. Die Figur 1 der beigefügten Zeichnungen
entspricht der Figur 4- dieser Veröffentlichung. Die dargestellte Schaltung enthält einen bipolaren Transistor Q1 , dessen Basis
mit dem Kollektor eines Transistors Q2, einem Ende eines Kondensators 011, der Anode einer Diode D1 und dem Emitter eines
Transietors Q3 verbunden ist. Die Diode D1 liegt mit ihrer Kathodenseite
am Emitter des Transistors Q1 und an* einem Ende eines
Kondensators C1X. Die anderen Enden der Kondensatoren C11 und
C1X sowie der Kollektor des Transistors Q1 und die Basis des Transistors Q2 sind mit Masse verbunden.
Wenn beim Betrieb dieser bekannten Schaltung der Transistor Q2 auf ein Eingangssignal hin leitet, wird der Kondensator C11
um ein gewisses Maß entladen, wodurch das Potential an der Basis des Transistors Q1 niedriger wird. Hierdurch leitet der
Transistor Q1, und zwar als Emitterfolger, und entlädt den
Kondensator C1X. Wenn ein der Basis des Transistors Q3 zugeführtes
Taktsignal positiv xvird, dann schaltet sich der Transistor
Q3 ein und leitet einenStrom von einem Kondensator C13 durch
die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors Q3, wodurch die Kondensatoran 01X und C11 wieder aufgeladen werden. Die den
Kondensatoren 011 und 01X zugeführte Ladungsmenge hat ein ent-
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sprechendes Ladungsdefizit am Kondensator C13 zur Folge.
Das Ladungssignal (d.h. das Ladungsdefizit) am Kondensator 013 ist proportional dem und größer als das Signal, welches
ursprünglich am Kondensator C11 vorhanden war und der Basis
des transistors Q1 zugeführt wird.
Die bekannte Schaltung hat viele vorteilhafte Eigenschaften. Die direkte Verbindung zwischen dem Kollektor des Transistors
Q2 und dem Emitter des Transistors Q3 kann jedoch dann von großem Nachteil sein, wenn der Transistor Q2 der Ausgang eines
Registers und der Transistor Q3 der Eingang eines anderen Registers ist. Diese direkte Verbindung koppelt das Eingangsregister mit dem Ausgangsregister, so daß die beiden Register
nicht voneinander entkoppelt sind. Mit der vorliegenden Erfindung
soll daher eine Verstärkeranordnung geschaffen werden,in welch keine niederohmige Verbindung vom Eingang zum Ausgang der Verstärkeranordnung
vorhanden ist.
Beider bekannten Schaltung wird außerdem der Wiederaufladungsimpuls
über die Diode D1 gleichzeitig dem Emitter des Transistors Q1 und dem einen Ende des Kondensators G1X zugeführt. Im
Gegensatz hierzu itfird bei den erfindungsgemäß ausgebildeten
Schaltungen daher ein die analoge Funktion des Kondensators 01X erfüllender Kondensator verwendet, um den Ladungs-oder Wiederaufladungsimpuls
auf einen Transistor zu koppeln.
Die erfindungsgemäß ausgebildeten Schaltungen enthalten einen
Kondensator, der in Reihe mit der Arbeitsstrecke,(d.h. dem Leitungsweg)
eines Transistors geschaltet ist. Ein Ende des Kondensators empfängt Impulse, die über den Kondensator auf den
Transistor gekoppelt werden, und zwar im Sinne einer Einschaltung oder Leitendmachung des Transistors. Auf einen Impuls hin
lädt oder entlädt der Transistor den Kondensator um ein Maß, welches proportional dem an seine n Steuerelektrode liegenden
Signalwert ist.
4098 U/1211
_ IL .„
Einzelheiten der Erfindung werden nachstehend anhand von Zeichnungen erläutert, in deren Figuren gleiche oder ähnliche
Teile mit gleichen oder ähnlichen Bezugszeichen versehen sind.
Figur 1 ist das Schaltbild einer Schaltung gemäß dem Stand
der Technik;
Figur 2 ist das Schaltbild einer erfindungsgemäßen Schaltung;
Figur 5 zeigt den Verlauf von der Schaltung nach Figur 2 zugeführten
Taktimpulsen und von an verschiedenen Punkten der Schaltung nach Figur 2 erscheinenden Signalen;
Figur 4- zeigt das Schaltbild einer anderen Ausführungsform
der Erfindung; ' . - .
Figur 5 zeigt in einer Draufsicht die Metallisierung und die
Anordnung der in Figur 4- dargestellten Schaltung;
Figur 6 zeigt den Verlauf von an verschiedenen Punkten der
'Figur 4- auftretenden Signalen;
Figur 7 zeigt eine wiederum andere Ausführungsform der Erfindung;
Figur 8 zeigt in einer Draufsicht das Metallisierungsmuster und die Anordnung für die Schaltung nach Figur 7;
Figur 9 zeigt den Verlauf von in der Schaltung nach Figur
auftretenden Signalen.
Die zur Erläuterung der Erfindung nachstehend beschriebenen Ausführungsformen enthalten Feldeffekttransistoren mit isolierter
Gateelektrode (sogenannte IGFETS). Die Verwendung solcher Transistoren ist nur als Beispiel anzusehen, d.h. es könnenzur
Realisierung der Erfindung auch andere Transistortypen herangezogen werden, die eine Steuerelektrode und eine S£romleitungsstrecke
aufweisen·
4098U/121 1
In der nachstehenden Beschreibung werden IGPETS vom P-Leitfähigkeitstyp
m\t dem Buchstaben P und einem nachgesetzten Bezugszeichen bezeichnet, während IGI1ETS vom N-Leitfähigkeitstyp
mit dem Buchstaben H und einem nachgestellten Bezugszeichen bezeichnet werden. IGFETS haben eine S-^euerelektrods
(Gateelektrode) und zwei '.; "Haupt e'lektr öden" (Sour ce elektrode
und Drainelektrode), welche die Enden einer Stromleitungsstrecke, (im folgenden "Kanal" genannt) bilden. Ein IGB1ET
kann Srom in beiden Richtungen durch seinen Kanal leiten,
und welche der beiden sοgJiauptelektroden jeweils die Sourceelektrode
oder die Drainelektrode ist, hängt von dem diesisn
beiden Elektroden angelegten Potential ab. Für einen P-l@i»
tenden IGFET' ist die Sourceelektrode diejenigen mit dem_höheren Potential, und bei einem N-leitenden IGFEiS ist die
Sourceelektrode diejenigen mit dem niedrigeren Potentiale
Die Figur 2 zeigt eine Ladungsverstärkerstufe 10, d©rer-. Eingang T1 mit dem Ausgang eines Eingangs-Ladunssübtrtragungsregisters
12 verbunden ist· Der Ausgang T2 d©r Stuf© 10 ist
mit dem Eingang eines Ausgangs-Ladungsübertragungsregisters
14 verbunden. Die Register 12 und 14 arbeiten nach dem bekannten Prinzip einer Eimerkette und werden dcf,;f@g®s, «Lsir
mit "Eimerkettenregister" bezeichnet. Das Eingariggs^gister
(von dem nur eine Stufe dargestellt ist) enthält Transistoren P1,
P2 und PF. Die Transistoren PI und PF liegen mit ihren
Gateelektroden an einer Leitung 11, während die Gateelektrode des Transistors P2 mit einer Leitung 13 verbunden ist. Die-Source-Drain-Strecke
des Transistors P1 liegt zwischen der Eingangsklemme 16 und dem Knotenpunkt 18„ die Source-Drain-Strecke
des Transistors P2 liegt zwischen dem Knotenpunkt 18 und der Klemme T1, und die Source-Drain-Strecke des Transistors
PF liegt zwischen der Klemme P1 und der Leitung 11. Zwischen der Gate-und Drainelektrode an jedSiE dsr transistoren
FI und P2 liegt ein Kondensator 01 bzw. C'2V usfi be ids- Kondensatoren
C1, C2 haben im wesentlichen *Li© gl^isfe® Kapazität
4098U/1211 BAD ORIGINAL
Die Verstärkerstufe enthält den Transistor NI , der mit seiner
Gateelektrode an die Eingangsklemme T1, mit seiner ersten Hauptelektrode
20 an die Leitung 13 und mit seiner zweiten Hauptelektrode
23 an die Ausgangsklemme T2 der Verstärkerstuf e angeschlossen ist. Ein Kondensator CX, dessen Kapazität größer
als diejenige von G1 und C2 ist, liegt zwischen,den Klemmen
T2 und TX. ■
Das Ausgangsregister 14 enthält die Transistoren P3 und P4,
deren Source-Drain-Strecken in Reihe zueinander zwischen den Klemmen T2 und T4· liegen.. Die Gateelektrode P3 ist mit der Leitung
11, und die Gateelektrode des Transistors P4 ist mit der
Leitung 13 verbunden. Zwischen der Gate-'.lind: Drainelektrode jedes der beiden Transistoren liegt Jeweils ein Kondensator
03 bzw. CW-. ■
Mit den Leitungen 11 und 13 sind Taktsignalquellen 15 bzw.
1? verbunden, welche Taktsignale H1 und H2 liefern. Ein zwischen
die Leitung 13 und die Klemme TX geschalteter Verstärker 21 versorgt die Klemme TX mit H2B-Taktsignalen, di· mit
den H2-TaktSignalen phasengleich sind. Der Verstärkungsfaktor
des Verstärkers 21 sei veränderbar, um die Amplitude der
H2B-Signale größer oder kleiner als diejenige der H2-Signale
zu machen. Eine Veränderung der Amplitude der H2B-Taktsignale
führt zur Zunahme oder Abnahme der konstanten Grundladung, die gemeinsam mit dem Eingangssignal übertaagen wird. Durch
Verstellung der Amplitude der H2B-Taktsignale kann man auch Abweichungen der Snhwellenspannung des Verstärkertransistors
von einem angenommenen Wert Null korrigieren, wodurch ein modifiziertes
Hintergrundsignal im Verstärkerausgang entsteht. In manchen Fällen kann der Verstärker 21 fortgelassen werden
und die Klemme TX mit der Leitung 13 verbunden werden. Eine Eingangssignalquelle 19» die. irgendein zur Ansteuerung einer
"Eimerkettenstufe" geeigneter Wandler sein kann, ist mit der Klemme 16 verbunden. Die Kombination der Quelle 19 mit dem Eingangsregister
12 kann auch durch irgendeine Signalquelle er-
A098U/121 1
setzt werden, mit der der Verstärkereingang direkt ansteuerbar ist. .
Die Arbeitsweise der in Figur 2 gezeigten Schaltung sei nnn
anhand der Signalverläufe nach Figur 3 erläutert. Die Taktsignale
ΗΊ und H2 sind im vorliegenden Beispiel als komplementäre
und symmetrische Signale dargestellt, deren Amplitude zwischen +V und -V wechselt, wobei V einen typischen Wert von
3 Volt haben kann. 51Ur die nachfolgende Beschreibung sei vorausgesetzt,
daß erstens das H2B-TaMsignal phasen- und amplitudengleich
mit dem H2-Cl}akt signal ist, und daß zweitens die Schwellenspannüng
der Transistoren Null ist.
Mittels der Taktsignale H1 und H2 wird ein Ladungssignal
längs den Registern 12 und 14 weitergegeben. Wenn sich H1 in negativer Richtung ändert, (von +V auf -V Volt), dann werden
die"ungeradzahlig bezifferten Transistoren der Register 12 und 14 sowie der Transistor PF eingeschaltet,und die geradzahlig
bezifferten Transistoren werden gesperrt. Wenn sich H2 ins Negative ändert, dann werden die geradzahlig bezifferten
Transistoren der Register eingeschaltet und die ungeradzahlig bezifferten Transistoren gesperrt.
Wenn also H1 negativ wird, dann wird der Transistor P1 eingeschaltet,
und irgendein Signal am Knotenpunkt 16, welches positiver als -V Volt ist, wird zum Knotenpunkt 18 gegeben.
Kurz bevor H1 positiv und ti2 negativ wird, hat das ,Potential
am Knotenpunkt 18 den Wert (-3 V +e„) Volt, wobei· e„ die Sig-
s s
nalspannung entsprechend dem in C1 gespeicherten Ladungssignal
ist. Das Potential an der Klemme T1 liegt bei —V Volt. Während des Übergangs von H1 ins Positive und von H2 ins Negative
steigt das Potential am Knotenpunkt 18 um 2-V ¥olt auf
(-V + eo) Volt an, und das Potential an der Elemme T1 geht
von -V auf -3V Volt. VQ? Transistor P2 empfängt also an seiner
Gateelektrode die Spannung -V, an seiner Sourceelektrode
(Knotenpunkt 18) die Spannung (-V + e_) und as. seiner Drain-
A098H/121.1
elektrode (T1) die Spannung -3V Volt. Nach dem Übergang von H2 ins Negative leitet der Transistor P2 und überträgt ein
Ladungssignal eo vom Knotenpunkt 18 zur Klemme T1. Das beim
negativen Ausschlag von H2 an der Klemme T1 liegende Potential ist dann (-3V +e_) Volt. Wie aus Figur 3 ersichtlich, bleibt
für e_ =0 das Potential bei T1 auf -3V Volt, während dieses
s %
Potential für-Werte von e , die von 0 abweichen, positiver
als -3V Volt ist.
Die Verstärkerstufe wird durch H2-Taktimpulse und H2B-Taktimpulse
gesteuert' und wird dann eingeschaltet, wenn H2 negativ ausschlägt. Im folgenden sei angenommen, daß der Verlauf von
H2B gleich ist dem Verlauf von H2. Wenn das H2-Taktsignal
einen negativ gerichteten Wechsel beschreibt, koppeln die Kondensatoren 02 und GX die H2-und H2B-Taktsignale zu den
Klemmen T1 bzv. Φ2, wodurch das Potential an diesen beiden
Klemmen sofort von -V auf -3V Volt geht. Bei negativem H2-Taktsignal
ist die mit der Leitung 13 verbundene Elektrode 20 des Transistors FI auf -V Volt und wirkt als Drainelektrode, während
die mit der Klemme T2 verbundene Elektrode 23 auf -3V Volt liegt und als Sourceeleürode wirkt. Die Gateelektrode dieses Transistors
empfängt dann (-3V + e_) Volt. Mit -diesen Vorspannungen arbeitet der Transistor· N1 als Sourcefolger. Jedes Signal e_ an
der Gateelektrode des Transistors FI, welches die Gatespannung
positiver als -3V werden läßt, bewirkt einen Stromfluß von der Dpainelektrode zur Sourceelektrode des Transistors N1 in
dem Kondensator CX. Der Strom fließt in- einer solchen Richtung,
daß der Kondensator OX positiv aufgeladen wird, bis das Potential an der Sourceelektrode (T2) den Wert (-3 V Volt + e ) Volt
hat.'Wenn das Potential an der Klemme T2 gleich ist dem Potential
an der Klemme T1, dann hört der Stromfluß auf. Das Potential an der Klemme T2 ist daher phasengldch mit dem Signal
an der Klemme TI, wie es mit den Signalverläufen für die Klemmen
TI und T2 in Figur 3 gezeigt ist. Der negativ gerichtete H2B-Impuls
wird somit über den Kondensator OX weitergegeben und schal-
A098U/121 1
tet den Transistor N1 ein, und zwar so, daß seine Elektrode
23 als Sourceelektrode wirkt und ein Stromfluß über die Source-Drain-Stcecke
erfolgt, -womit der Kondensator CX um einen der Signaiamplitude
an der Eingangsklemme T1 gleichen Betrag eg aufgeladen wird.
Da CX wesentlich größer als C2 ist und weil an diesen beiden
Kondensatoren dieselbe-Spannung (eo) liegt, ist die in CX ge-
speicherte Ladung (Qv) im entsprechenden Verhältnis größer
als die in C2 gespeicherte Ladung (Q1). Wenn also beispielsweise CX=1O-C1, dann ist Q= 10·Q1. Mittels des MOS-Transistors
NI, des Kondensators CX (dessen Kapazität größer ist als diejenige
der Kondensatoren C1, C2 des Eingangsregisters) und mit .. Hilfe einer geeigneten Taktsteuerung des Kondensators CX und des
Transistors N1 wird also eine Ladungsverstärkung erzielt.
Wenn das H2-Taktsignal positiv wird, dann- wird das Potential
an den Klemmen T1 und T2 um 2V Volt von (-3V +eo) auf (-V +eo)
Volt angehoben. Gleichzeitig wird HI negativ von +V auf -V Volt,
wodurch der Transistor P3 eingeschaltet wird. Der Transistor P3 leitet als Sourcefolger und überträgt das Ladungssignal vom
Kondensator CX zum Kondensator C3. Der Betrag des an der Klemme
T2 liegenden Ladungssignals (e_), der oberhalb -V Volt liegt, wird zur Klemme T3 übertragen, und das Potential an der Klemme
T2 sinkt auf -V Volt ab. Am Ende jedes Verstärkungszyklus wird
also das Potential an der Klemme T2 von -V wieder hergestellt,, Gleichzeitig schaltet der Transistor PF durch und äellt das
Potential -V Volt- an der Klemme T1 wieda? her. Daher wird, wenn-H2
auf +V und HI auf -V Volt geht, der Transistor N1 gesperrt;,
weil seiner Gateelektrode (T1) und seiner Sourceelektrode (llali:-
trode 23) -V Volt angelegt wird und ansiner Drainelektrode
(Elektrode 21) +V Volt erscheinen.
Das an der Klemme T3 herrschend? Potential wird zur /Hamms äP
4098 U/1211
übertragen, wenn das H2-Taktsignal negativ wird. Auf diese
Weise wird das am Kondensator CX liegende verstärkte Ladungssignal entlang dem Ausgangsregister weitergegeben. Die Eapazitätswerte
der Kondensatoren G3 und C4 können im wesentlichen gleich der Kapazität des Kondensators CX gemacht werden. Andererseits
ist es jedoch auch möglich, die bei T2 vorhandene verstärkte Ladung O in eine Spannungsverstärkung bei T3 um-
JL
zusetzen, indem man den Kondensator C3 kleiner als den Kondensator
CX macht.
Die Verwendung eines Ausgangsregisters 14 ist nur ala Beispiel
anzusehendes kann statt dessen auch irgendeine andere Ntfzschaltung
an den Ausgang T2 des Ladungsverstärkers angeschlossen werden.
. . '
Die als Sourcefolger arbeitende Verstärkerschaltung (N1 und CX)
ist linear, stabil und in integrierter Bauweise herstellbar. Weda? an seinem Eingang noch an seinem Ausgang ist eine ohmsche
Belastung erforderlich, die als Quelle für thermisches Rauschen wirken würde. Ein Nachteil der Schaltung nach Figur 2 besteht
ebenso wie bei der bekannten Schaltung nach Figur 1 darin, daß der Verstärkertransistor N1 von einem anderen Leitfähigkeitstyp als die Transistoren im Register 12 sein muß, damit er als
Sourcefolger arbeitet. Dies bringt möglicherweise Probleme bei
der Herstellung monolithischer integrierter Schaltungen mit sich, die gleichzeitig das Register und den Verstärker enthalten.
Komplementäre Transistoren erfordern gesonderte Verfahrensr
schritte, womit die Kosten erhöht und der Ausstoß bei der Herstellung verringert wird. In den Figuren 4· und 7 sind zwei Ladungsverstärker
dargestellt, mit denen sich diese Schwierigkeiten überwinden lassen, da sie Transistoren vom selben Leitfähigkeitstyp
wie die angeschlossenen Register enthalten.
Bei der in Figur 4 gezeigten Schaltung enthält die Verstärkerstufe
ein Transistor PA,dessen Gateelektrode mit der Eingangsklemme T1, dessen erste Hauptelektrode 41 mit der Klamme Ί?5
4 O 9 8 U / 1 2 ,11
- 11 -
BAD
und dessen zweite Hauptelektrode 4-3 mit der Ausgangsklemme ü?2 verbunden ist. ^er transistor PA ist vom selben Leitfähigkeitstyp
wie die Transistoren der Register 12 und 14-, die eingangsseitig bzw- ausgangsseitig angekoppelt sind.
Die Register 12 und 14 sind genauso aufgebaut wie die entsprechenden
Register in Figur 2 und brauchen daher nicht nochmals ausführlich beschrieben zu werden. Ein Kondensator
CX4·, dessen Kapazität größer ist als diejenige des Kondensators
C1 bzw. G2 liegt zwischen der Klemme T2 und der Leitung 13· Eine verstellbare Vorspannung VB, die bei der Beschreibung
der Arbeitsweise der Schaltung mit -V Volt angenommen wird, ist an der Klemme T5 zugeführt.
In der dargestellten Anordnung arbeitet der Transistor PA
als Inverter und liefert an der Klemme T2 ein Signal, welches größer ist als das Signal an der Klemme T1 und gegenüber
diesem umgekehrt ist. Das Signal an. der Klemme T2 kann,
wie gezeigt, auf ein Ausgangsregister gekoppelt werden,oder es kann irgendeiner anderen Kutzschaltung zugeführt werden.
Die Schaltungsanordnung nach Figur 4- läßt sich in integrierter Bauweise herstellen, wie es in Figur 5 gezeigt ist. In
Figur 5 sind die Diffusionszonen-mit gestrichelten Linien
angedeutet, während metallene Leiter mit ausgezogenen Linien gezeichnet sind. Wie in Figur 5 zu erkennen ist, kann der.
Kondensator GX4 durch eine relativ große Metallfläche realisiert werden, die sich über die diffundierte Soureezone des
Transistors PA erstreckt." Die Kondensatoren G3 rand G4 können
auf ähnliche V/eise wie der Kondensator GX4· realisiert verden«
Die Kapazitätswerte dieser Kondensatoren lassen sish ziemlich genau einstellen, weil sie von der Größe der feiells von deas
Mletall überdeckten Fläche und von der Dicke der Cfej&schicht
abhängen.
Die Arbeitsweise der Schaltimg nach Figur 4 läßt;"sich am
besten anhand der in Figur S gezeigten Signalver-ltnfe verfolgen.
Zur Vereinfachung der Beschreibung sei angenommen,,. daB
4Q9SH/1211 '
das Potential an der Klemme T1 gleich ist dem entsprechenden Potential im Falle der Figur 3· Wpnn beispielsweise zum ZaLtpunkt
t. das H2-Taktsignal negativ wird, dann wird irgendein
am Knotenpunkt 18 vorhandenes Ladungssignal zur Klemme TI übertragen,
deinen Potential sich dann durch (-3V +es) ausdrücken
läßt. Gleichzeitig wird ein negativer Impuls mit einer Amplitude von 2V VÖlt über den Kondensator CX4 zur Klemme T2 gegeben,
und das Potential an dieser Klemme ändert sich von -V auf -3V Volt. Dies hat zur Folge, daß zum Zeitpunkt t^ der
Transistor PA folgendermaßen vorgespannt ist: An seiner Elektrode
41 (Klemme 5) liegen -V Volt (VB), so daß diese Elektrode
die Rolle der Sourceelektrode übernimmt; die Elektrode 43
(Klemme T2) liegt auf -3V und wirkt als Drainele&rode; die
Gateelektrode (Klemme TI) liegt auf (-3V +e VVolt. Mit diesen
Vorspannungen ist der Transistor PA durchgeschaltet, und während der Zeit t^;bis t2 fließt ein Strom von der Klemme T5 über
die Source-Draiii-Strecke des Transistors PA in den Kondensator
CX4. Die.Höhe des Stroms ist umgekehrt proportional dem Signal
an der Klemme T1. Das heißt, Je niedriger dieses Signal ist,
desto größer ist die Leitfähigkeit des Transistors und desto mehr wird der Kondensator CX4 positiv aufgeladen. Der durch
den Kondensator CX4 gekoppelte~ negativ gerichtete H2-Impuls
erzeugt also eine Potentialdifferenz zwischen den Enden des Kanals des Transistors PA, de diesen Kanal zum Leiten bringt
und einen Source-Drain-Strom zur Folge hat, der den Kondensator CX4 auf einen Betrag auflädt, der umgekehrt proportional des
am Kondensator C2 liegenden Signals e_ist.
Auf einen positiv gerichteten Zustandswechsel des H2-Taktsignals.
hin wird der Transistor PA gesperrt, und der Verstärkende Teil des Zyklus beendet. Die Gateelektrode des Transistors
PA wird auf (-V +e_) Volt gebracht, das Potential an der Elektrode 4-3 geht in positiver Richtung auf -V Volt
plus dem am Kondensator 0X4 angesammelten verstärkten Ladnngssignal,
und die Elektrode 41 bleibt auf -V Volt. Die mit der
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Klemme Τ2 verbundene Elektrode 43 des Transistors PA wirkt nun als Sourceelektrode, und die mit der Klemme T5 verbundene
Elektrode 41 wirkt als -Drainelektrode. Wenn H2 positiv wird, dann wird HI negaitv, und der Transistor P3 wird eingeschaltet,
so daß er das verstärkte Ladungssignal- von der Klemme T2 zur Sienme T3 überträgt. Die Potentiale an den Klemmen TI, T2 und
T3 für drei verschiedene Signalzustände (es^i» e ρ un(3· e s^) Bi-n&
in Figur 6 dargestellt.
Obwohl die Schaltung nach Figur 4- der Schaltung nach Figur 2
sehr ähnlichist, arbeitet sie zwangsläufig auf andere Weise, weil der verwendete Verstärkertransistor PA nunmehr denselben
Leitfähigkeitstyp hat wie die Transistoren im Eingangsregister. Der Kondensator (0X4) virkt als Last an der Drainelektrode des
Verstärkertransistors (PA), so daß eine Signalumkehr erfolgt. HUnG Spannungsverstärkung und die 'Grundladung am Ausgang läßt
sich im gewissen Maß durch Verstellung der- Vorspannung VB steuern. Bei der Schaltung nach Figur 4 müssen die ' Betriebsspannungen
sorgsam gewählt werden, um eine Sättigung des Transistors und eine Begrenzung der Signale zu vermeiden.
Figur 7 zeigt eine Ladungsverstärkerschaltung 10, die als
Sourcefolger arbeitet, ohne daß ein komplementärer Transistor
erforderlich ist.Die Ladungsverstärkerschaltung 1o enthält
Transistoren PA1, PA2 und einen Kondensator 0X7. Die Gateelektrode
des Transistors PAI ist mit der -klemme T1 verbunden,
und die Gateelektrode des Transistors' P.A2 ist an die Klemme T2 angeschlossen. Die Source-Drain-S1iecken der Transistoren
PA1 und PA2 legen parallel zueinander zwischen den Klemmen T6
und T2. Der Kondensator 0X7 ist zwischen die Klemme T2 und die Klemme T7 geschaltet.Der Kondensator 0X7 hat eine größere Kapazität
als der Kondensator 02. Eine Signalquelle 70, die ein Signal des in Figur 9 mit der Wellenform"O-Takt" dargestellten
Typs liefert;, ist mit der Klemme T7 verbunden, während an die Klemme T6 eine Gleichvorspannung von -3V Volt gelegt ist.
409814/121 1 - 14 -
BAD ORIGINAL
Der Eingang TI und der Ausgang T2 des LadungsVerstärkers
ist mit jeweils einem Register (Eingangsregister 12, Ausgangsregister 14) verbunden. Die Register 12 und Ά entsprechen
denoben im Zusammenhang mit Figur 2 beschriebenen Rgistemund werden daher nicht im einzelnen 'erläutert. Es
sei jedoch bemerkt, daß das Eingangsregister 12 von den H1-und H2-Takt impuls en auf den Lotungen 10 und 13 gesteu-.ert
wird, und daß das Register 14 von Taktimpulsen H1' und
H2! gesteuert wird, die den Leitungen 11' und 13' zugeführt
werden. Es sei nur noch erwähnt, daß die Verstärkertransistoren und die Transistoren des Eingangs- und Ausgangsregisters alle
vom selben Leitfähigkeitstyp sind.
Die Figur 8 zeigt in einer Draufsicht den möglichen Aufbau der Schaltung nach Figur 7· In Figur 8 stellen die gestrichelten
Linien Diffusionszonen dar, während die ausgezogenen Linien leitende Metallisierungsbereiche darstellen. Wie gezeigt, lassen
sichdie Transistoren PA1 und PA2 mit einer gemeinsamen Sourcezone' realisieren, der die Gleichvorspannung zugeführt wird.
Überder gemeinsamen Sourcezone der beiden Transistoren PA1 und PA 2 befindet sich ein Metallbelag, mit dem der Transistor
0X7 gebildet wird und dem das C-Taktsignal zugeführt wird.
Die Arbeitsweise der Schaltungnach Figur 7 läßt sich am beäsn
anhand der in Figur 9 gezeigten Signalverläufe verfolgen. Es
sei erstens angenommen, daß die Taktsignale H1' und H21 den
Taktsignalen H1 und H2 gleich sind und gemeinsam mit diesen
auftreten. Ferner sei angenommen, daß zum Zeitpunkt tQ das H2-Taktsignal ins Negative wechselt und das H1-Taktsignal·
ins Positive wechselt. Schließlich sei angenommen, daß die
Spannung an der Klemme T^ zum Zeitpunkt tn den Wert (-3V +e )
t ι υ s
Volt hat. Kurz vor dem Zeitpunkt t.^ liegt der Transistor PA1
mit seiner Gateelektrode (Klemme T1) auf (-3V +eo) Volt und
mit seinen Drain-und Sourceelektroden (KlemmenT2 und T6) auf
-3V Volt (für e =0 ist das Gatepotential ebenfalls -3V Volt).
40981A/1211
- 15 -BAD ORIGINAL
Der Transistor PAI ist gesperrt, weil das Potential an seiner
Dpain-und seiner Sourceelektrode negativer ist als das Potential
an seiner Gateelektrode.
Zum Zeitpunkt t^ wechselt das dem einen Ende des Kondensators
CX7 angelegte- C-Taktsignal in positiver Richtung von -3V auf
-V YoIt. Der Kondensator CX7 koppelt diese Spannungsänderung
gWolt) auf die Klemme T2, und das Potential an dieser Klemme
geht von -3V auf -Y YoIt über. Zum Zeitpunkt t^ liegen daher
am Transistor PA1 folgende Potentiale vor: die Elektrode. 71
liegt adf -Y YoIt und wirkt nun als Sourceelektrode ; die
Drainelektrode (Elektrode 73) liegt auf -JY YoIt; und die
Gateelektrode liegt auf (-3V +eß) Volt. Vom Zeitpunkt t1 bis
zum Zeitpunkt t2 leitet der Transistor PA1 als Sourcefolger.
Durch den Kondensator GX? und von der Klemme T2 fließt Strom über'die Source-Drain-Strecke des Transistors PA1 zur Klemme
T6. Der Transistor PAI leitet solange Strom, bis das Potential
an der Klemme T2 von -V Volt auf (-3V +eo) Volt gesunken ist.
Das he£>fc,der Transistor PA1 leitet solange, bis sein Sourcepotential
(T2) dem Gatepotential (T1) gleich ist. Sobald dieser Zustand erreicht ist, sperrt der Transistor PA1 (wie im
vorhergehenden Pail sei angenommen, daß alle Transistoren
eine Schwellenspannung vonO haben). Der positiv.· gerichtete
C-Taktiiapuls wird also über den Kondensator 0X7 gekoppelt_und
schaltet denTcansistor PA1 ein, wobei die Elektrode 71 als
Sourceelektrode wirkt und ein Strom über die Source-Drain-Strecke
fließt, der den Kondensator CX? so weit auflädt, bis
das Sourcepotential gleich dem Gatepotential ist. Da der Kondensator
-CX? größer ist als der Kondensator C2 :?findet eine
Ladungsverstärkung statt, weil an den Kondensatoren 02 und CX7'dasselbe Ladungssignal (e_) liegt. -
Zum Zeitpunkt t2 wird der H1-Taktimpuls negativ und der
E2-Taktimpuls positiv. Während dieser Phase der H1-und H2-Takt-
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. ■:■-/-:·■■: 'ν. v- ' ■ - 16 -
signale v/erden die Transistoren Pi, PF und P3 eingeschaltet
und die Transistoren P2 und P4 gesperrt. Vom Zeitpunkt t2
zum Zeitpunkt t7 wird das an der Klemme Tp vorhandene Signal
zur Klemme T3des Ausgangsregisters übertragen. Diese Übertragung des Ladungssignals geschieht in folgender Weise: Zum
•Zeitpunkt t^ wechselt <das C-Taktsignal (wiederum) in positiver
Mchtung von' -V auf +V Volt. Dieses der Klemme T4 angelegte
Impulssignal wird über den Kondensator CX7 zur Klemme T2
gegeben und hebt deren Potential um 2 V Volt auf (-V +e V Volt
an. Der Transistor P3 (der durch ein 'H1-Taktsignal von -V Volt eingeschaltet wird) leitet daher und "entlädt" das Potential
an der Klemme T2 auf -V Volt und überträgt die dem Signal
e entsprechende Ladung zur Klemme T3· Das an der Klemme T3
s
erscheinende Ladungssignal kann dann längs dem Ausgangsregister weiter übertragen werden.
Zum Zeitpunkt t'2 ändert sich das Gatepotential des Transistors
PAI, welches gleich dem Potential an der Klemme Ti ist, von
(-3V +e„) auf (-V +eo) Volt infolge der positiv gerichteten
s s
über 2V Volt gehenden Änderung des Signals H2. Gleichzeitig liegt die Drainelektrode (Klemme T6) des- Transistors PA 1
auf -3V Volt und die Sourceelektrode (Klemme T2) auf (-V +eo)
Volt. Vom Zeitpunkt to zum Zeitpunkt t-, fällt das Gatepotential
und das Sourcepotential des Transistors PA1 von (-V +eo) Volt
auf -V Volt ab, und der Transistor PAI wird während dieser Zeitspanne gesperrt. Es zeigt sich somit, daß mit Hilfe eines
Transistors PA1, der denselben Leitfähigkeitstyp wie die snderen
Transistoren der Register hat, eine Ladungsverstärkung möglich,
ist und daß der Ausgang des Transistors mit einem Ausgangsregister oder einer anderen Nutzschaltung gekoppelt werden
kann, wo Transistoren\".des3elben Leitfähigkeitstyps vorhanden
sind.
Es bleibt noch aufzuzeigen, daß der Anfangszustand von -3V Volt an der Klemme T2 wieder hergestellt werden kann. -
4098U/1 21 1
- 17 -
Zum Zeitpunkt t^ geht das 0-Taktsignal in negativer Richtung
von +V auf -3V Volt über. Dieser negative Ausschlag mit einer Amplitude von 4V Volt wird sofort über den Kondensator CX7
auf die Klemme T2 gekoppelt. Hiermit wird der Transistor PAI sofort gesperrt, weil sein Gatepotential -V Volt ist.
Der Transistor PA2, dessen Gatelektrode mit der Klemme T2 verbunden ist, wird eingeschaltet. Er leitet in Sourceschaltung
und klemmt die Klemme T2 auf -3V Volt. Der Transistor PA2 übernimmt daher die Aufgabe, den Ausgang des Verstärkers
(Klemme T2) auf den ursprünglichen Spannungswert von -3V Volt zurückzustellen.
Während des Zeitintervalls t7-t(- wird der Kondensator CX7
wieder aufgeladen, so daß beim nächsten Taktzyklus das ganze Spiel von Neuem beginnen kann. Während der Zeitspannen t·,-^
und ΐ?'"^ wurde Ladung von der Klemme T2 fortgenommen, und
während der Zeitspanne t^vtc wird der Zustand ander Klemme
Ϊ2 über den Tranästor PA2~wieder hergestellt, wobei der
Transistor PA2 eingeschaltet wird, wenn das Potential an der Klemme T2 von -V auf -5V Volt durch den negativen Auschlag
des G-Taktsignals umgeschaltet wird. Während der Zeitspanne
t-z-t,, wächst das Potential an der Klemme T2. von -5V auf -3V
an, wodurch dort der gleiche Zustand wie zum Zeitpunkt t^
wieder hergestellt wird. Die Grundladung im Ausgangssignal kann gegenüber der Grundladung im Eingangssignal vergrößert
oder verkleinert v/erden, indem man die Amplitude des C-Takt«
signals verändert.
Hinsichtlich der Stabilität, der Linearität und der leichten Steuerbarkeit ist die Schaltung nach Figur 7 mit der Schaltung
nach Figur 2 gleichwertig.
Die Unterteilung des Taktzyklus in drei Abschnitte mittels der Wellenform des C-Taktsignals ermöglicht sinen\Scurcefolgerbärieb
mit einem Verstärkertrans is tos?, d©ss@n Lei4;»
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fähigkeitstyp derselbe wie derjenige des Eingangsregisters ist. Obwohl für die erste und zweite Entladung des kondensator
s CX7 nur ein Viertel jedes Zyklus zur Verfügung steht, hat das Fehlen einer totalen Entladung nur einen praktisch
vernachlässigbaren Einfluß auf die Betriebsgeschjvindigkeit
und den Verstärkungsfalttor. Zur Wiederherstellung der Ladung am Kondensator CX7 steht die gesamte Hälfte eines Zyklus
(t;z - te) zur Verfügung, so daßdie Verstärker stufe ebenso
schnell arbeiten kann wie die Eingangs- und Ausgangsregister.
Um mit den in den Figuren 2 und 7 gezeigten Sourcefolgerschaltungen
eine Ladungsverstärkung zu erzielen, muß man nicht unbedingt den Kondensator CX7 größer machen als den Kondensator
0X2, sondern man kann statt dessen auch den Kondensator CX7 während jedas Taktzy.klus mehr als einmal aufladen. Beispielsweise
sei davon, ausgegangen, daß bei der1 Schaltung nach Figur
7 das·Eingangsregister 12 durch die HI-und H2-Taktsignale
und das Ausgangsregister 14· durch die H1!-und H2f-Taktsignale
gesteuert wird. Die Frequenz der Taktsignale H1' und H21 sei
höher als diejenige der _Taktsignale H1 und H2. Der Ladungsverstärker
"vervielfältigt" dann am Kondensator CX7 jedes Ladungspafee$..".., &as an der Klemme Q?1 des Eingangsregsters
vorhanden ist. Die dem Kondensator CX7 angelegte G-iaktwelle
müßte dann die Frequenz des Ausgangstaktsignals haben, ihre Form müßte jedoch abhängig von den gewünschten Spannungspegeln
im Auggangsregister modifiziert werden.
Eine große Anzahl von im Sourcefolgerbetrieb arbeitenden
Ladungsverstärkern, die eine solche "Vervielfältigung" durchführen, könnte in einem Fernsehsystem eingesetzt v/erden, wo
eine mehrmalige Wiederholung einer gegebenen Signalkette erwünscht ist. In diesem Fall könnte eine Reihe von im Sourcefolgerbetrieb
^arbeitenden Ladungsverstärkern herangezogen werden, wobei in jeder vertikalen Spalte eines Bildfühlers oder einer
409814/1211 19
Serien-Parallel-Serien-Verzögerungsleitung ein solcher Verstärker
vorzusehen wäre. Als Soürce/folger arbeitende Verstärker
sind besonders geeignet für parallelbetriebene Kanäle, weil ihr Verstärkungsfaktor nicht eine strenge Punktion der ·
Transkonduktanz (Steilheit bzw. Gegenwirkleitwert) des jeweiligen
Verstärkertransistors ist.
A098U/1211
Claims (1)
- PatentansprücheLadungsverstärker zur Verstärkung des einem kapazitiven ■ Eingangsanschluß zugeführten Signals, mit einem Transistor, dessen Steuerelektrode mit dem Eingangsanschluß verbunden ist und dessen beide Hauptelektroden die Enden eines Lei-■ tungsweges durch den Transistors darstellen, ferner mit einem Kondensator, der mit einem Ende an einen Ausgangsanschluß und an die erste Hauptelektrode angeschlossen ist und eine größere Kapazität als die Kapazität am Eingangsanschluß hat, und schließlich mit einer Einrichtung zum Anlegen elektrischer Impulse an das andere Ende des Kondensators,- dadurch gekennzeichnet, daß der Kondensator (CX; CX4-; CX7) in Reihe zumLeitungsweg des Transistors (N; Pi; PA1) geschaltet ist; und daß die elektrischen Impulse (H2-oder C-Takt) über den Kondensator zum Transistor gegeben werden und eine solche Polarität und Amplitude haben, daß der Transistor beim Vorhandensein eines Eingangssignals leitet und am Kondensator eine Ladung erzeugt, die proportional dem am Eingangsanschluß (T1) zugeführten Signal ist.Ladungsverstärker nach Anspruch^, dadurch gekennzeichnet, daß der , Transistor als Folger betrieben ist und die Spannung am Ausgangsanschluß der Spannung am Eingangsanschluß folgt, und· daß mit der zweiten Hauptelektrode (20 in Figur 1) des Transistors eine Leitung (13 in Figur 2 ) verbunden ist, der elektrische Impulse derselben Polarität zuführbar sind, wie sie die dem Kondensator zugeführten Impulse haben.4098U/121 13. Ladungsverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Eingangsanschluß (TI) und die Leitung (13) ein Kondensator (02 in Figur 2) geschaltet ist.4. Ladungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator (02 in Figur 2 oder ^'igur 7) zwischen den Eingangsanschluß (Tl) und eine Quelle für elektrische Impilse geschaltet ist, und daß der zweiten Hauptelektrode (41 in Figur 4 oder 73 in Figur 7) &es Transistors ein festes Potential (VB oder -3V) zugeführt ist.5. Ladungsverstärker nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen zweiten Transistor (PA2 inFigur 7)» dessen Leitungsweg parallel zum Leitungsweg des erstgenannten Transistors (PA1) liegt und dessen Steuerelektrode mitdem Ausgangsanschluß (T2) verbunden ist.6. Ladungsverstärker nach Anspruch 5> dadurch gekennzeichnet, daß die dem Kondensator (0X7) zugeführten elektrischen Impulse aus drei Abschnitten bestehen, .wobei der erste Abschnitt das Ladungssignal am Kondensator ©rsö«gt5 m:d wö~ ■ bei der zweite Abschnitt den Wert des Ladungssignals am Ausgangsanschluß verschiebt, und wobei der dritte .Abschnitt den zweiten Transistor einschaltet, um den Wesrfe des Ladungs· signals am Ausgangsanschluß auf einen vorgegebenen Wert zurückzustellen.0 9 8 14/121:
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Families Citing this family (7)
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---|---|---|---|---|
DE2539205A1 (de) * | 1975-09-03 | 1977-03-17 | Siemens Ag | Regenerierverstaerker fuer ladungsverschiebeanordnungen |
DE2541686A1 (de) * | 1975-09-18 | 1977-03-24 | Siemens Ag | Regenerierschaltung fuer ladungsgekoppelte elemente |
IT1073440B (it) * | 1975-09-22 | 1985-04-17 | Seiko Instr & Electronics | Circuito elevatore di tensione realizzato in mos-fet |
FR2731569B1 (fr) * | 1995-03-07 | 1997-04-25 | Thomson Tubes Electroniques | Dispositif de recopie de tension a grande linearite |
US8164362B2 (en) * | 2000-02-02 | 2012-04-24 | Broadcom Corporation | Single-ended sense amplifier with sample-and-hold reference |
US8385498B2 (en) * | 2006-05-31 | 2013-02-26 | Kenet, Inc. | Boosted charge transfer circuit |
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Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6615058A (de) * | 1966-10-25 | 1968-04-26 | ||
BE755785A (fr) * | 1969-09-06 | 1971-03-04 | Philips Nv | Memoire capacitive |
US3789239A (en) * | 1971-07-12 | 1974-01-29 | Teletype Corp | Signal boost for shift register |
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1972
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CA981796A (en) | 1976-01-13 |
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GB1435708A (en) | 1976-05-12 |
US3900743A (en) | 1975-08-19 |
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Legal Events
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