DE2851496C3 - Stromspiegelverstärker mit programmierbaren Stromverstärkungen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft Slromspiegelverstärker mit programmierbaren Stromverstärkungen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Aus der amerikanischen Patentschrift 40 64 506 sind Stromspiegelverstärker bekannt bei denen Feldeffekttransistoren des Anreicherungstyps eingesetzt sind. In j der genannten Druckschrift wird die Verwendung einer Drain-Gate-Verbindung eines Haupt-Spiegeltransistors beschrieben, die eine direkt gekoppelte Drain-Gate-Rückkopplung zur Einstellung der Source-Gate Spannung dieses Transistors liefert, damit der Transistor in einen Zustand versetzt wird, bei dem er als Drainstrom einen zwischen seinen Source- und Kollektorelektroden angelegten Eingangsstrom leitet Es wird weiter beschrieben, daß diese Source-Gate-Spannung zwischen die Source-Elektrode und die Gate-Elektrode eines Hilfs-Spiegeltransistors angelegt wird, um diesen in einen Zustand zu versetzten, bei dem er zwischen seiner Drain-Elektrode und seiner Source-Elektrode einen Ausgangsstrom leitet, der zum Eingangsstrom im selben Verhältnis steht, wie die Drainstrom/Source-Gate-Spannungs-Kenngröße (I₀ über Vcs) des Slave-Spiegeltransisiors zu der des Haupt-Spiegeltransistors. Eine Programmierbarkeit wird hierbei dadurch erzielt daß die Sourcc-Elektroden der Spiegeltransistoren ständig auf demselben Potential gehalten werden und daß wahlweise das Gate-Potential des Haupt-Spiegeltransistors an das Gate des Hilfs-Spiegeltransistors angelegt wird. Dieses wahlweise Anlegen wird mit Hilfe einer Einrichtung ausgeführt, die einen weiteren Feldeffekttransistor aufweist, der als ein Tor zwischen die Gaie-Elektroden dewr Spiegeltransistoren geschaltet ist. Der Vorteil der Verwendung eines Feldeffekttransistors im Schaltglied ergibt sich daraus, daß das zur Steuerung der Signalübertragung über den Kanal dieses weiteren Feldeffekttransistors dienende Steuersignal nicht in die Source-Gate-Kreise eines der Spiegeltransistoren gekoppelt wird.

Beim bekannten Stromspiegelverstärker ist der ohmsche Spannungsabfall am Kanal des weiteren Feldeffekttransistors vernachlässigbar klein, insbesondere verglichen mit den Source-Gate-Spannungen der Spiegeltransistoren, die ohne weiteres über 1 Volt liegen können. Dieser ohmsche Spannungsabfall von im wesentlichen 0 Volt ergibt sich, da der Hilfs-Spiegeltransistor ein Feldeffekttransistor ist, dessen Gate-Strom im wesentlichen den Wert Null hat. Auch würde eine Offsetspannung von einigen Millivolt am Kanal des weiteren Feldeffekttransistors nur einen geringen Einfluß auf die Stromverstärkung des bekannten Slromspiegelverstärkers haben, da die Spiegeltransistoren Feldeffekttransistoren sind, die verglichen mit einem bipolaren Transistor zu relativ niedrigen Transkonduktanzen neigen.

Aus einer Anzahl von Gründen ist es oft erwünscht, anstelle von Feldeffekttransistoren bipolare Transistoren als Spiegeltransistoren zu verwenden. Bei Betrieb mit niedriger Spannung sind die Emitter-Basis-Spannungen (Viii) von bipolaren Transistoren bei herkömmlicher Fertigung geringer als die Source-Gate-Spannungen (Vas) von Feldeffekttransistoren. Bei vorgegebener Chipflache (einer integrierten Schaltung) ergibt sich für bipolare Transistoren ein besserer Verlauf des Ausgangsstroms über der Eingangsspannung, als dies bei Feldeffekttransistoren der Fall ist. Die Transkonduktanzen bipolarer Transistoren sind bei vorgegebenem Wert einer Streukapazität höher, so daß die Bandbreite von Stromspiegelverstärkern, die bipolare Transistoren enthalten, größer sein kann. Der »Early-Effekt« ist mehr ein Problem herkömmlicher Feldeffekttransistoren mit

Aluminium-Gate als bipolarer Transistoren, so daß die Stromverstärkungen von Stromspiegelverstärkern mit bipolaren Transistoren von Änderungen der Spannungen über ihren Ausgangskreisen weniger beeinflußt werden. Es ist gleichzeitig erwünscht, einen Feldeffekttransistor als Schaltglied beizubehalten, um die Programmierbarkeit sicherzustellen, da dieser eine Isolation des Steuersignals von dem am Stromspiegelprozeß beteiligten Strömen ergibt.

Erwünscht ist also ein Stromspiegelverstärker, der die Vorteile dps erläuterten bekannten Stromspiegelverstärkers aufweist, in Form einer BIMOS-integrierten Schaltung, einer integrierten Schaltung also, bei der bipolare Transistoren und Feldeffekttransistoren auf demselben monolithischen Träger vorhanden sind.

Es erwies sich, daß der einfache Austausch der beim bekannten Stromspiegelverstärker mit programmierbarer Stromverstärkung als Spiegeltransistoren verwendeten Feldeffekttransistoren durch bipolare Transistoren zu einer schlecht definierten Stromverstärkung führte, wenn der als Schaltglied verwendete Feldeffekttransistor leitend war. Der Grund hierfür ist im Wesensunterschied zwischen Feldeffekttransistor und bipolarem Transistor zu sehen. Obwohl beide Transistorarten Transkonduktanzverstärker sind, deren Ausgangsstrom abhängig von Eingangsspannungsänderungen steuerbar ist, handelt es sich beim bipolaren Transistor um einen Stromverstärker, beim Feldeffekttransistor hingegen nicht. Um im Ausgangskreis eines bipolaren Transistors zwischen seinem Emitter und seinem Kollektor einen Kollektorstrom aufrecht zu erhalten, muß seinem Eingang Basisstrom zugeführt werden. Der Basisstrom des bipolaren Hilfs-Spiegeltransistors verursacht einen ohmschen Spannungsabfall am Kanal des Schaltglied-Feldeffekttransistors, wenn dieser in vollem Leitzustand ist. Dies führt dazu, daß sich die Basispotentiale von Haupt-Spiegeltransistor und Hilfs-Spiegeltransistor voneinander unterscheiden.

Da der Kollektorstrom des Hilfs-Spiegeltransistors mit jeder Verringerung seiner Emitter-Basis-Spannung um 18 Millivolt halbiert wird, kann selbst ein ohmscher Spannungsabfall am Kanal des Schaltglied-Feldeffekttransistors in der Größenordnung von 1 Millivolt einen erheblichen Fehler in der Stromverstärkung des Stromspiegelverstärkers verursachen. Da die Basisströme bipolarer Transistoren eine Funktion ihrer Vorwärtsstromverstärkung in Emittergrundschaltung (HiJ ist, und dieser Wert normalerweise zwischen 50 und 200 liegt, wird der Spannungsabfall am Kanal des Schaltglieds auf die Stromverstärkung des Slromspiegelverstärkers eine Wirkung haben, die durch das einfache Hilfsmittel der justierung der relativen /,/VarKennwerte der Spiegeltransistoren nicht zufriedenstellend kompensiert werden kann (diese Justierung wird gewöhnlich über die Bemessung des Verhältnisses der wirksamen Flächen der Emitter-Basis-Übergänge der Spiegeltransistoren im Fall vertikal aufgebautei transistoren und über die Bemessung des Verhältnisses der wirksamen Kollektorflächen der Spiegeltransistoren zur Beeinflussung ihrer relativen Kollektorwirkungsgrade im Fall lateral aufgebauter Transistoren ausgeführt).

Aufgabe der Erfindung ist es, Stromspiegelverstärker in Form einer integrierten BIMOS-Schaltung mit programmierbarer und exakt bestimmter Stromverstärkung zu schaffen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 gelöst

Bipolare Haupt- und Hilfs-transistoreri arbeiten in einem Stromspiegelverstärker bei demselben Kennwert von Stromdichte über Emitter-Basis-Spannung sowie bei derselben Temperatur; sie werden außerdem gleichzeitig in einem monolithischen Aufbau hergestellt Intel essanterweise besteht daher eine starke statistische Tendenz dahin, daß ihre Werte hf_e im wesentlichen gleich sind, selbst wenn ihre I₀I VWKennwerte unterschiedlich sind. Die Verfügbarkeit gleicher Stromverstärkungen bei den Spiegeleinrichtungen macht die vorliegende Erfindung möglich.

Die Erfindung wird beispielsweise als Stromspiegelverstärker der bekannten Art abgesehen davon ausgeführt, daß die Spiegellransistoren stromverstärkend sind und daß eine Gleichstrom-Gegenkopplung des. Haupt-Spiegeltransistors vorgesehen ist in einer Weise, daß ein geeigneter Widerstand, vorzugsweise ein zweites Tor vor den Eingangskreis des Haupt-Spiegeltransistors in Reihenschaltung eingesetzt ist. Die infolge der Gegenkopplung über dieser Reihenschaltung auftretende Spannung ist die Spannung, die wahlweise über das erste Tor dem Eingangskreis des Hilfs-Spiegeltransistors zugeführt wird, um die Programmierbarkeit der Stromverstärkung zu erzielen. Das zweite Tor, falls es als der genannte geeignete Widerstand benutzt wird, ist so angeordnet, daß es wenigstens immer dann leitend ist, wenn das erste Tor leitend ist und kann beispielsweise ununterbrochen leitend sein. Da die Stromverstärkungen der Spiegeltransistoren einander gleich gemacht werden können, können auch die ohmschen Spannungsabfälle am ersten Tor und an dem geeigneten Widerstand einander gleich gemacht werden und Unterschiede der an die Eingangskreise der Spiegeltransistoren angelegten Potentiale verhindern, die andernfalls die Stromverstärkung der Stromspiegelverstärkers beeinflussen würden. Dies ist speziell dann einfach zu erreichen, wenn der geeignete Widerstand als zweites Tor ausgebildet ist.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand von Ausführungsbeispielen unter Bezug auf die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 einen erfindungsgemäßen Stromspiegelverstärker bei dem einfache Feldeffekttransistoren als Tore verwendet werden, und

F i g. 2 und 3 Stromspiegelverstärker mit alternativen Torschaltungen.

Der in F i g. 1 gezeigte Stromspiegelverstärker (SSV). dessen Stromverstärkung programmierbar ist. ist ein SSVmit Doppelausgang, der von einer Stromquelle IS 1 einen Eingangsstrom /\ erhält. Die Stromquelle /.V 1 ist zwischen ein positives Betriebspotential B + führenden Punkt und den Eingang IN des SSV geschaltet. Der gemeinsame Anschluß COMMON des SSV ist mit Masse als Bezugspotential verbunden. Die mehreren Ausgänge OUTX und OLJT2 sind über jeweilige Lasten LDl und LD 2 mit dem Punkt des Betriebspotentials B + verbunden. MMQ ist der Hauptspiegeltransistor, der in einen solchen Zustand zu versetzen ist, daß er im wesentlichen den gesamten Strom I/m leitet. SMQ 1 und SMQ 2 sind ein erster bzw. ein zweiter Hilfs-Spiegeltransibtor. die dazu dienen, von den Ausgängen OUT\ bzw. OUT2 Strom zu ziehen. Es sind auch SSVs möglich, bei denen weitere Ausgänge und zugehörige Hilfs-Spiegeltransistoren vorgesehen sind. Jegliche dieser SSVs, wie sie in F i g. 1 gezeigt sind oder alternativ noch beschrieben werden, können mit ihren Ausgängen so angeschlossen werden, daß die Hilfs-

Spiegeltransistoren eine gemeinsame bzw. geteilte Last versorgen. Dies führt zu einem SSV mit einem einzigen Ausgang, der für verschiedene Ausgangsstromwerte programmierbar ist. Anordnungen dieser Art, bei denen jedoch der Anschluß COMMON zur Versorgung einer gemeinsamen Last entweder direkt oder zusammen mit anderen Anordnungen dieser Art angeschlossen ist, sind ebenfalls möglich.

Solange der Feldeffekttransistor FETX leitet, ist der Haupt-Spiegeltransistor MMQ mit einer galvanischen Kollektor-Basis-Rückkopplung versehen, die über eine direkte Verbindung FB zwischen dem Eingang IN und einem Schaltungsknoten N und dem Kanal des Feldeffekttransistors FETX verläuft. Die Rückkopplung dient dem Anlegen eines Basispotentials an den Transistor MMQ, das diesen in den Zustand versetzt, den gesamten Strom Im außer denjenigen Anteilen zu leiten, die zur Aufrechterhaltung der Basisströme zu den Transistoren MMQ, SMQX und SMQ 2 erforderlich sind. Es ist bekannt, daß man die direkte Verbindung FB durch einen Verstärker, z. B. einen Emitterfolgertransistor oder einen Sourcefolgertransistor ersetzen kann, um einen nicht durch die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors MMQ fließenden Teil des Eingangsstroms zu vermindern oder auszuschließen. Der Feldeffekttransistor FETX kann so eingesetzt sein, daß er wahlweise leitend ist, wie dies in Fig. 1 beispielsweise gezeigt ist, wo der Kollektorlastwiderstand R 1 des Schalttransistors SWQX das Gate-Potential des Feldeffekttransistors FETX auf ein Vorspannpotential C+ hochzieht, sobald der Schalttransistor SWQX gesperrt ist. Der Feldeffekttransistor FETX kann jedoch auch dauernd leitend sein, was durch Schließen des Schalters SW herbeigeführt werden kann. Hierbei wird an das Gate des Feldeffekttransistors FETX ununterbrochen das Vorspannpoteniial C + angelegt. Zur Vereinfachung der folgenden Beschreibung der Arbeitsweise sei zunächst angenommen, daß der Schalter SVKgeschlossen ist.

Der ohmsche Spannungsabfall über dem Kanal des leitenden Feldeffekttransistors ist infolge dessen Widerstand und des Basisstroms des Transistors MMQ gering. Die Spannung V\ zwischen dem Schaltungsknoten N und Masse wird gleich der Emitterbasis-(Offset)-Spannung des Transistors MMQ bei einem Kollektorstrom von im wesentlichen gleich Im plus diesem ohmschen Spannungsabfall sein. Dieser ohmsche Spannungsabfall über dem Kanal des Feldeffekttransistors FETX wird dazu verwendet, das Potential am Schaltungsknoten N zu erhöhen, um die Spannungsabfälle zu kompensieren, die über den Toren mit den Feldeffekttransistoren FET2 bzw. FET3 auftreten, wenn diese leitend sind. Dadurch wird erreicht daß die an die Hilfs-Spiegeltransistoren SMOl und SMO2 angelegten Emitter-Basis-Spannungen im wesentlichen gleich der Emitter-Basis-Spannung des Haupt-Spiegeltransistors MMQ sind.

Die von den Feldeffekttransistoren FET2 und FET3 gebildeten Tore werden leitend, wenn die Schalttransistoren SWQ X und SWQ 2 gesperrt sind. Die Widerstände R 2 und R 3 werden die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors FET2 bzw. die des Feldeffekttransistors FETZ auf das Vorspannpotential C + ziehen, wodurch beide Feldeffekttransistoren FET2 und FET3 in ihren linearen Widerstandsbereich kommen und leitend sind. Die /t7V_s£-Kennwerte der Transistoren MMQ. SMQ X und SMQ 2 verhalten sich wie p:m:n. Dies ist durch die umkreisten Buchstaben p, m und η nahe der jeweiligen Emittern dieser Transistoren in der Zeichnung angedeutet. Wenn an die Transistoren SMQ X und SMQ2 die gleiche Emilter-Basis-Spannung wie an den Transistor MMQ angelegt wird, dann führen diese Transistoren SMQ X und SMQ 2 Kolleklorströme (mIiN)/p bzw. (nliN)/p.

Die jeweiligen Basisströme der Transistoren MMQ, SMQX und SMQ 2 werden gleich ihren jeweiligen Kollektorströmen geteilt durch ihren jeweiligen Kennwert hrc Wenn diese Transistoren gleichartig hergestellt

ίο und bei derselben Temperatur betrieben werden, sind ihre Kennwerte h[_c im wesentlichen gleich. Dann verhalten sich aber die Basisströme der Transistoren MMQ, SMQX und SMQ2 wie ihre jeweiligen Kollektorströme, nämlich wie ρ: m : n. Damit die

Ii Spannungsabfälle über den Feldeffekttransistoren FETX. FET2 und FETZ gleich sind, ist es nötig, daß die Leitwerte ihrer Kanäle im leitenden Zustand dieser Transistoren im Verhältnis p.: m : η stehen. Dies ist der Fall, wie durch die eingekreisten Buchstaben p, m und η nahe ihren jeweiligen Source-Elektroden angedeutet.

Die Techniken zur entsprechenden Bemessung der Leitwerte der Feldeffekttransistor-Kanäle sind bekannt. Beispielsweise können die Kanalbreiten der Feldeffekttransistoren FETX, FET2 und FETZ gleich sein, während ihre Kanallängen im Verhältnis p-.m-.n stehen.

Um den Stromabfluß eines Stroms (πιΙιν)Φ vom Ausgang OUTX durch den Transistor SMQX zu beenden, wird der Basis eines mit seinem Emitter an Masse liegenden Transistors SWQ2 Strom von einer Stromquelle /52 zugeführt. Hierdurch wird der Transistor SWQ2 leitend und klemmt das Gate des Feldeffekttransistors FET2 an ein Potential nahe dem Massepotential. Der Leitungszustand des Feldeffekttransistors FET2 wird dadurch unterbrochen und das durch ihn gebildete Tor gesperrt. Dadurch wird die Reaktion auf die Spannung V/v, welche an der Basis des Transistors SMQX erscheint, infolge des hohen Kanalwiderstands des gesperrten Feldeffekttransistors FET2 im Verhältnis zur Basiseingangsimpedanz des Transistors SMQ X erheblich abgeschwächt. Der Abfluß des Stroms (n///v)/p vom Ausgang OUT2 durch den Transistor SMQ2 kann analog unterbrochen werden, indem der Basis eines Schalttransistors SWQ 3 Strom von einer Stromquelle /53 zugeführt wird. Dieser Schalttransistor klemmt dann das Gate des Feldeffekttransistors FET3 an Masse, so daß dieser Feldeffekttransistor gesperrt wird und das durch ihn gebildete Tor geöffnet wird.

Der soweit beschriebene Stromspiegelverstärker mit programmierbarer bzw. einstellbarer Stromverstärkung nimmt ständig Eingangsstrom auf da der Transistor MMQ (voraussetzungsgemäß) ununterbrochen mit der galvanischen Kollektor-Basis-Rückkopplung versehen ist Bei einigen Anwendungen ist es erwünscht daß der SSV keinen zugeführten Eingangsstrom aufnimmt solange ihm kein Ausgangsstrom abgefordert wird. Dies kann beispielsweise dem Zweck einer Verringerung des Leistungsverbrauchs dienen. Diese Betriebsart kann durch Öffnen des Schalters SW erhalten werden oder dadurch, daß dieser Schalter überhaupt nicht benutzt wird und eine Stromquelle /54 vorgesehen wird, die den mit seinem Emitter an Masse liegenden Schalttransistor SWQ1 so vorspannt, daß er das Gate des Feldeffekttransistors FETX an Masse klemmt diesen Feldeffekttransistor dadurch sperrt und das von ihm gebildete Schaltglied öffnet

Die Fig.2 und 3 zeigen die Verwendung von

Stromspiegelverstärkern (CMA-X, CMA-2, CMA-3), die so angeordnet sind, daß die Transkonduktanz von Feldeffekttransistoren (FETl, FET2, FETi) mit der Stromverstärkung des SSV multipliziert wird. Ein Vorteil hiervon liegt darin, daß man in einem monolithisch integrierten Schaltungsaufbau Fläche sparen kann, wenn das Verhältnis p:m,p:n oder m : η sich wesentlich von Eins unterscheidet. Die Feldeffekttransistoren FETl, FET2, FET3 können alle als Feldeffekttransistoren mit einer Minimalfläche ausgebildet werden. Die /p/Vcs-Kennwerte der Feldeffekttransistoren FETl, FET2 und FET3 werden dann durch die einzelnen SSV CMA I₁ CMA 2 bzw. CMA 3 in Fi g. 2 und CMA Γ, CMA 2' bzw. CMA 3' in F i g. 3 um die Faktoren (p— 1). (m— 1) bzw. (n—U erhöht. Die Erhöhungs- oder Maßstabsfaktoren p, m und η sollten alle größer oder gleich Eins sein. Vorzugsweise hat einer oder haben zwei dieser Faktoren den Wert Eins, so daß ein Ausgangstransistor der SSV-Komponente, die zur Erzielung des Erhöhungsfaktors dient, überhaupt keinen Kollektorstrom zu liefern brauchte. Dieser Ausgangstransistor könnte folglich entfallen, so daß nur der selbst vorspannende Transistor übrig bliebe, welcher der Eingangstransistor der SSV-Komponente gewesen wäre. Dieser selbst vorgespannte Transistor arbeitet als eine in Durchlaßrichtung geschaltete Diode und könnte gewünschtenfalls durch einen einfachen Halbleiterübergang ersetzt werden.

Im Rahmen der voranstehenden Offenbarung sind leicht auch andere Ausführungsformen möglich. Beispielsweise könnten die Schaltglieder Feldeffekttransistoren mit gegenüber den bipolaren Spiegeltransistoren komplementärer Leitfähigkeit anstelle der gleichen Leitfähigkeit verwenden. Auch könnten als Torschaltungen bei entsprechender Änderung der Steuerspannung Verarmungs- anstatt Anreicherungs-Feldeffekttransistoren verwendet werden. Ferner könnten die Spiegeltransistoren beispielsweise mit jeweiligen Emitterwiderständen oder Schaltungen zur Verringerung des Basispotential versehen werden, deren Wirkleitwerte im ähnlichen Verhältnis zu ihren jeweiligen /_c> VWKennwerten stehen. Es ist auch möglich, beispielsweise die bipolaren Spiegeltransistoren durch Verbundtransistoranordnungen, ζ. Β. Transistoren in Darlington-Schaltung, zu ersetzen, die den bipolaren Spiegeltransistoren insoweit im wesentlichen funktionell äquivalent sind, als sie Stromverstärker darstellen. Soweit in diesen Unterlagen von »Haupt-Spiegeltransistor« und »Hilfs-Spiegeltransistor« die Rede ist, soll dies solche Verbund-Transistoranordnungen einschließen.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Stromspiegelverstärker mit einem Haupt- und einem Hilfstransistor gleichen Leitungstyps und gleicher Stromverstärkungskennwerte, deren jeder eine durch eine erste und eine zweite Elektrode begrenzte Hauptstromstrecke aufweist, deren Leitfähigkeit direkt von der Spannung zwischen der zweiten Elektrode und einer Steuerelektrode abhängt, bei welchem die erste Elektrode des Haupttransistors an eine Eingangsklemme und an einen Schaltungsknoten angeschlossen ist, die erste Elektrode des Hilfstransistors an eine Ausgangsklemme angeschlossen ist und die zweiten Elektroden des Haupt- und Hilfstransistors an eine Bezugsklemrne angeschlossen sind, und bei welchem die Steuerelektrode des Hilfstransistors mit dem Schaltungsknoten über einen ersten steuerbaren Schalter verbunden ist, der bei Anlegen eines ersten Pegels eines Steuersignals an seine Steuerelektrode durchlässig ist, wobei an seiner Leitungsbahn aufgrund des zur dritten Elektrode des Hilfstransistors fließenden Stromes ein Spannungsabfall auftritt, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode des Haupttransistors (MMQ) über eine zumindest immer bei geschlossenem ersten Schalter (FET2, 3) wirksame Impedanz (FET\) mit dem Schaltungsknoten (N) verbunden ist, deren Wert so bemessen ist, daß der zur Steuerelektrode des Haupttransistors (MMQ) fließende Strom an ihm einen im wesentlichen gleichen Spannungsabfall verursacht, wie er an der Leitungsbahn (Kanal des ΓΕΤ2, 3) des durchgeschalleten ersten Schalters (FET2,3) auftritt.

2. Stromspiegelverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz ein zweiter steuerbarer Schalter (FET X; FETX, CMA X) derselben grundsätzlichen Art wie der erste steuerbare Schalter (FET2, 3; F£T2,3, CMA 2) ist und bei Anliegen des ersten Pegels (C+) des Steuersignals an seiner Steuerelektrode den Schaltungsknoten (N) mit der Steuerelektrode (Basis) des Haupttransistors (MMQ) verbindet.

3. Stromspiegelverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Pegel (C+) des Steuersignals wenigstens immer dann an der Steuerelektrode des zweiten Schalters (FETt) anliegt, wenn er auch an der Steuerelektrode des ersten Schalters (FETZ, 3) anliegt.

4. Stromspiegelverstärkcr nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite steuerbare Schalter jeweils einen ersten Feldeffekttransistor (FET2. 3) bzw. /weiten Feldeffekttransistor (FETi) gleichen Kanallyps (n-leitend) aufweisen, deren Kanäle die Leitungsbahn bilden.

5. .Stromspiegelverstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe mit dem Kanal jedes der Feldeffekttransistoren (FElTX, FET2, 3) jeweils der Eingangskreis eines zugehörigen Stromspiegelverstärkers (CMA X, CMA 2) liegt, dessen Ausgangskreis parallel zu dieser Reihenschaltung liegt.