DE2334658A1 - Verfahren zum zerteilen von halbleiterscheiben - Google Patents

Verfahren zum zerteilen von halbleiterscheiben

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DE2334658A1 DE19732334658 DE2334658A DE2334658A1 DE 2334658 A1 DE2334658 A1 DE 2334658A1 DE 19732334658 DE19732334658 DE 19732334658 DE 2334658 A DE2334658 A DE 2334658A DE 2334658 A1 DE2334658 A1 DE 2334658A1
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Description

ME-133(193F-I176)
1A-532 " 7. Juli 1973
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA, Tokyo , Japan
Verfahren zum Zerteilen von Halbleiterscheiben
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zerteilen von Halbleiterscheiben.
Verfahren zum Unterteilen von Halbleiterscheiben in eine Vielzahl von Halbleiterelementen sind bekannt. Diese werden.zur Herstellung von Halbleiterbauelementen benötigt. Wenn z. B. eine integrierte Halbleiterschaltung hergestellt wird, so werden eine Vielzahl von integrierten Schaltungselementen auf einer Halbleiterscheibe vorgesehen und danach werden die elektrischen Kenndaten jedes integrierten Schaltelementes getestet, worauf die Halbleiterscheibe in eine Vielzahl getrennter integrierter Schaltelemente zerteilt wird. Auch bei der Herstellung anderer Halbleiterelemente,wie Transistoren, Dioden oder dgl. werden ähnliche Verfahren angewandt.
Das Verfahren zur Unterteilung einer Halbleiterscheibe in eine Vielzahl von Halbleiterelementen umfaßt herkömmlicherweise zwei Stufen. In der ersten Stufe wird eine Nut in der Halbleiterscheibe ausgebildet, entlang welcher die Zerteilung vorgenommen werden soll. In der zweiten Stufe wird sodann die Halbleiterscheibe entlang den Nuten durchschnitten.
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In der ersten Stufe wird ein Verfahren zur Ausbildung von Nuten in der Halbleiterscheibe angewandt, bei dem ein Diamantschneider zur mechanischen Ausbildung der Nuten verwendet wird. Dieser Arbeitsgang zur Ausbildung der Nuten mit einem Diamantschneider wird als Schreiben bezeichnet. Das Diamantschneideverfahren hat jedoch viele Nachteile. Es ist erforderlich, den Diamantschneider entlang jeder einzelnen Nut zu führen. Wenn die Halbleiterscheibe in eine Vielzahl von Halbleiterelementen unterteilt werden soll, so bedarf dies einer äußerst langen Zeitdauer. Bei der Herstellung herkömmlicher integrierter Schaltelemente bedarf es etwa 3 min zur Zerteilung der Halbleiterscheibe. Darüber hinaus sind die Tiefe und Breite dieser Nuten nicht einheitlich, da die Nuten mechanisch mit einem Schneider ausgebildet werden. Wenn nun die Halbleiterscheibe zerteilt wird, so kommt keine präzise Zerteilung zustande und oft zerbrechen die Halbleiterelemente. Darüber hinaus brechen sehr oft Teilbereiche der Halbleiterelemente an den Seiten aus, so daß die Halbleiterelemente an der Peripherie beschädigt sind. Daher ist die Zahl fehlerhafter Halbleiterelemente bei diesem Verfahren mit mehreren Prozent besonders groß. Darüber hinaus sind die Halbleiterschneider gewöhnlich recht teuer und ein Diamant eignet sich lediglich zur Ausbildung von Nuten in 200 bis 300 Scheiben, so daß die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens herabgesetzt ist.
Es ist somit Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Zerteilung von Halbleiterscheiben zu schaffen, welches hoch leistungsfähig und wirtschaftlich ist und nicht zu beschädigten Halbleiterelementen führt.
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß man in einer ersten Stufe durch Beaufschlagung der Halbleiterscheibe mit einem Plasma einer verdampfbaren Fluorverbindung ein Nutenmuster ausgebildet wird, worauf in einer zweiten Stufe die Halbleiterscheibe entlang der Nuten zerteilt wird.
Die verdampf bare Fluorverbindung kann eine anorganische und insbesondere eine organische Fluorverbindung sein. Es eignen sich Fluorkohlenwasserstoffe und insbesondere Perfluorkohlenwasserstoffe oder Fluorchlorkohlenwasserstoffe und insbesondere Perfluorchlorkohlenwasserstoffe oder Fluorbromwasserstoffe oder FluorJodwasserstoffe oder fluorierte und gegebenenfalls Chloratome, Bromatome oder Jodatome aufweisende Arylverbindungen oder Alkylarylverbindungen. Die organischen Fluorverbindungen können neben den Halogenatomen noch weitere Substituenten, wie OH, NHpCOOH, CO, OR oder dgl. tragen. Insbesondere handelt es sich um organische Fluorverbindungen mit vorzugsweise 1 - 10, insbesondere 1-7 und speziell 1-4 Kohlenstoffatomen.
Prinzipiell können alle Halbleitermaterialien bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzt werden. Insbesondere bevorzugt sind solche Halbleiter, welche stark mit aktivierten Fluoratomen reagieren, wie Germanium und insbesondere Silicium.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1a einen Schnitt durch eine Halbleiterscheibe, in welcher Nuten ausgebildet werden sollen;
Fig. 1b eine Draufsicht der Halbleiterscheibe gemäß Fig. 1a;
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-A-Fig. 2 einen vergrößerten Teilbereich gemäß Pig. 1a;
Pig. 3 eine schematische Ansicht einer Vorrichtung zur Ausbildung von Nuten im Schnitt;
Pig. 4 einen Schnitt durch eine Halbleiterscheibe mit Nuten und
Pig. 5 einen Schnitt durch eine Vorrichtung zur Zerteilung von Halbleiterscheiben in eine Vielzahl von Halbleiterelementen.
Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt eine erste Verfahrensstufe zur Ausbildung einer Nut oder mehrerer Nuten entlang welchen die Halbleiterscheibe zerteilt wird. Diese Nuten werden durch ein Plasma einer Fluorverbindung ausgebildet. In der zweiten Stufe wird die mit Nuten versehene Halbleiterscheibe entlang diesen Nuten zerteilt.
Die erste Stufe zerfällt vorzugsweise wiederum in drei Unterstufen (a), (b) und (c). In der ersten Stufe (a) wird die Halbleiterscheibe selektiv mit einer Resistmembran gegen das Plasma der Fluorverbindung maskiert. In der zweiten Unterstufe (b) wird die Ätzung der Halbleiterscheibe mit dem Plasma der Fluorverbindung durchgeführt. In der dritten Unterstufe (c) wird die Resistmembran entfernt. Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform einer Halbleiterscheibe nach beendeter Maskierung (a). Fig. 2 zeigt eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer solchen Halbleiterscheibe. In diesen Figuren 1 und 2 ist die Halbleiterscheibe mit 1 bezeichnet. Sie umfaßt ein Siliciumhalbleitersubstrat 10, auf welchem eine Vielzahl von Halbleiterelementen ausgebildet sind. Die Halbleiterelemente sind in einer Vielzahl getrennter Bereiche 11 vorgesehen.
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Eine genauere Beschreibung des Aufbaus der Halbleiterelemente 11 erfolgt nicht, da eine solche zum Verständnis der Erfindung nicht erforderlich ist. Auch die Ausbildung einer Vielzahl von Halbleiterelementen auf einer Halbleiterscheibe ist bekannt. In herkömmlicher Weise geschieht dies durch ein selektives Diffusionsverfahren, durch das Epitaxialverfahren oder Aufwärtsverfahren und durch die Metalldampfabscheidung. Jedes der Halbleiterelemente 11 kann eine integrierte Schaltung tragen oder es kann ein Transistorelement sein, ein Diodenelement oder ein Thyristorelement. Das Halbleitersubstrat 10 weist eine obere Hauptfläche 12 und eine untere Hauptfläche 13 auf, welche im wesentlichen parallel zueinander sind. Die gesamte untere Fläche 13 ist mit einer Resistmembran 14 bedeckt. Die obere Hauptfläche 12 weist in einem Muster an einer Vielzahl von Stellen eine Resistmembran 15 auf. Diese Resistmembran ist in eine Vielzahl von Inselbereiche 15a unterteilt und die einzelnen Inselbereiche^entsprechen den Halbleiterelementen. Zwischen zwei benachbarten Inselbereichen 15a ist jeweils eine Nut 16 vorgesehen. Das Siliciumsubstrat 10 liegt im Bereich der Nuten 16 frei. Die Resistmembranai14· und 15 werden in herkömmlicher Weise ausgebildet und es ist bevorzugt, eine Photoresistmembran aus einem organischen Harz, welches keine anorganischen Verunreinigungen aufweist und insbesondere keine Schwermetallverunreinigungen, zu bilden. Als Photoresist kommen KTTR und MICRO NEGA (hergestellt durch Kodak, U.S.A.), WAY COAT (hergestellt durch Hunt, U.S.A.), AZ-1350 (hergestellt durch Shipley, U.S.A.) und OMR-83 (hergestellt durch Tokyo Oka Kogyo, Japan) in Frage. Die Bildung der Nuten 16 kann nach dem herkömmlichen Photo-Gravur-Verfahren erfolgen.
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Pig. 3 zeigt eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung, welche zur Durchführung der Unterstufe (b) zum Ätzen der Halbleiterscheibe unter Ausbildung der Nuten herangezogen wird. Zum Ätzen dient ein Plasma einer' Fluorverbindung und insbesondere eines fluorhaltigen Kohlenwasserstoffs (z. B. Preon). Die Vorrichtung ist mit einem Rohr 20 zur Plasmaerzeugung ausgerüstet. Ein Ende des Plasmaerzeugungsrohrs 20 ist über eine Leitung 21 mit einer Vakuumpumpe 22 verbunden. Das andere Ende des Plasmaerzeugungsrohrs 20 ist durch eine Kappe 23 über einen Dichtungsring (O-Ring) 24, welcher aus Silikongummi besteht, verschlossen. Die Abmessungen des Plasmaerzeugungsrohrs 20 sind nicht wichtig. Bei einer Ausführungsform hat das Rohr 20 einen Innendurchmesser von 110 mm und eine Länge von 300mm. Durch das Rohr 20 wird eine Kammer 25 gebildet. Um nun zu verhindern, daß diese Kammer 25 des Plasmaerzeugungsrohrs 20 verunreinigt wird, sind das Rohr 21 und die Kappe 23 vorgesehen. Diese bestehen aus Quarz. Ein Gaseinlaßrohr 26 ist an der Innenwandung des Plasmaerzeugungerohrs 20 vorgesehen. Vier Gaseinlaßrohre 26 dieser Art sind um die Innenperipherie des Plasmaerzeugungsrohres 20 verteilt, und zwar mit gleichem Winkel und gleichem Abstand zueinander. Diese Rohre sind in Axialrichtung des Plasmaerzeugungsrohrs 20 langgestreckt. Das in Pig. 3 rechte Ende des Gaseinleitungsrohrs 26 ist an einem Ende verschlossen und an der Innenfläche des Plasmaerzeugungsrohrs 20 befestigt. Eine Vielzahl von Gasdüsen 26a sind an jedem Gaseinleitungsrohr in Längerichtungverteilt vorgesehen. Das andere Ende eines jeden Gaseinleitungsrohrs 26 links in Fig. 3 ist durch die Wandung des Plasmaerzeugungsrohrs 20 geführt und mit einem Gasmischer 27 verbunden. Gasmischer dieser Art sind bekannt. Derjenige Bereiche dee Plasmaerzeugungsrohrs, in dem das Gaseinleitungsrohr 26 durchgeführt wird, ist sorgfältig mit einer Dichtungsmasse abgedichtet. Zwei Rohre 28, 29 sind
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mit dem Gaemischer 27 verbunden. Fluorkohlenwasseretoff oder Chlorkohlenwasserstoff oder dgl. wird durch das Rohr 28 zugeführt und ein Inertgas wird durch das Rohr 29 zugeführt. Als Inertgas kann ein Edelgas dienen, wie Helium, Neon, Argon, Krypton, Xenon oder aber auch Stickstoff oder dgl. Ein Elektrodendraht 30 zum Anlegen einer Hochfrequenz ist um da's Plasmaerzeugungsrohr 20 herumgewickelt. Der Elektrodendraht 30 ist mit einer Hochfrequenzquelle 31 verbunden. Die Hochfrequenzquelle 30 arbeitet bei einer Frequenz von 13,56 MH„ (vorzugsweise im Bereich von 5-50 HH2) und bei mehreren zehn bis mehreren hundert Watt. In der Kammer 25 ist ein Quarz-Boot vorgesehen und eine Vielzahl von Scheiben 1 befinden sich auf dem Quarz-Boot. Die Scheiben 1 sind in der beschriebenen Weise mit einer Resistmembran maskiert. Der Abstand zwishen den Scheiben 1 beträgt vorzugsweise 5 - 15 mm und insbesondere etwa 10 mm. Bei einem derartigen Abstand arbeitet das Verfahren am wirtschaftlichsten.
Zur Durchführung der Ätzoperation wird das Boot mit den Halbleiterscheiben 1 in die Kammer 25 gegeben und die Kammer 25 wird durch die Kappe 23 verschlossen und durch die Vakuumpumpe 22 bis auf einen Druck von unterhalb 10 Torr evakuiert.
Sodann wird eine Mischung eines Gases einer fluororganischen Verbindung und von Argongas vom Gasmischer 27 zu den Gasauslässen 26a geführt. Danach strömt die Gasmischung in die Kammer 25 aus. Die Strömungsgeschwindigkeit der Gasmischung wird vorzugsweise auf 10 - 500 cm /min und insbesondere auf etwa 100 cm'/min eingestellt. Der Druck in der Kammer 25 wird durch das Einleiten der Gasmischung erhöht, jedoch vorzugsweise auf etwa 0,4 - 0,8 Torr gehalten.
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Die Hochfrequenzquelle 31 wird sodann betätigt und der Elektrodendraht 30 wird mit Hochfrequenz beaufschlagt. Durch Anwendung der Hochfrequenz wird das fluorhaltige organische Gas der Gasmischung in der Kammer 25 in ein Plasma verwandelt. Das so hergestellte Plasma wird als schwach ionisiertes Plasma bezeichnet, bei dem geringe Mengen von Ionen und Elektronen vorliegen und bei dem eine große Menge von F* vorliegt. Die Fluorform F* ist kein Ion, sondern ein angeregtes Fluoratom. Das Fluoratom kann verschiedenste Anregungszustände (singulett, duplett, triplett oder dgl.) haben. Die Energie des F* liegt im Bereich von 500 - 1000 0K. Dieses angeregte Fluor wirkt auf die Halbleiterscheibe 10 ein. Sodann findet im Falle einer Siliciumhalbleiterscheibe die Reaktion Si + F* —> SiF
4 (Gas) statt, so daß die freiliegenden Bereiche des Siliciumsubstrats 10 allmählich geätzt werden, wobei die Temperatur der Halbleiterscheibe 1 in der Kammer etwa vorzugsweise bis 200 0C, insbesondere 80 - 150 0G und speziell 100 - 120 0C beträgt. Die Resistmembranen 14 und 15 werden durch das Plasma nicht geätzt.
Die Ätzgeschwindigkeit kann durch Auswahl des Drucks in der Kammer 25 und das Verhältnis von fluorhaltigem Gas zu Argongas oder durch die Hochfrequenzenergiezufuhr gesteuert werden. Vorzugsweise beträgt die Ätzgeschwindigkeit maximal 1 Jü/min. Die Menge des Argongases in der Gasmischung liegt im Bereich von 0-40 Volumenprozent. Die Zumischung von Argongas zu dem fluorhaltigen Gas ist nicht nur günstig für die Steuerung der Ätzgeschwindigkeit, sondern auch zur Erhöhung der Korrosionsfestigkeit der Resistmembranen 14 und 15 gegenüber dem Gasplasma. Es ist jedoch möglich, lediglich fluorhaltiges Gas durch das Gaseinlaßrohr 26 in die Kammer 25 einzuleiten ohne Zumischung von Argongas.
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Nach Beendigung des Ätzens durch das Gasplasma werden die Resistmembranen 14 und 15 entfernt. Dies kann durch herkömmliche chemische Behandlung erfolgen. Ferner kann man ein Sauers to ff gasplasma in der Apparatur gemäß Pig. 3 "bilden. In diesem EaIl wird lediglich Sauerstoffgas durch das Gaseinleitungsrohr 26 in die Kammer 25 geführt, wobei ein Sauerstoffgasplasma gebildet wird. Das Sauerstoffgasplasma enthält 0*. Dieser aktivierte Sauerstoff führt zu einer Entfernung der Resistmembran 14 und 15. Die Resistmembranen 14 und 15 bestehen aus organischem Harz, welches gewöhnlich eine Hauptkomponente der Formel CH enthält. Wenn der ak-
x y
tivierte Sauerstoff auf CH einwirkt, so findet die fol-
x y
gende Reaktion statt:
CxHy + 0* ^CO2 + H2O.
Zur Entfernung der Resistmembranen durch das Sauerstoffgasplasma wird die Kammer 25 vorzugsweise unter einem Druck von 1-5 Torr gehalten und Sauerstoff wird in einer Menge von
•z
500 - 2000 cm /min und insbesondere von etwa 1 l/min unter Anwendung einer Hochfrequenz von 300 - 400 Watt eingeleitet.
Pig. 4 zeigt eine vergrößerte Teilansicht einer Halbleiterscheibe 1 nach der Entfernung der Resistmembranen 14 und Die Nut 17 dient zur Zerteilung der Scheibe 1. Wenn die Dicke des Substrats 10 etwa 300 ρ beträgt, so kann die Tiefe der Nut etwa mehrere 10 ρ betragen, wie 10-2Op. Wenn die Nut eine Tiefe von 10 - 20 ρ haben soll, so genügt ein 10-20 miniitiges Ätzen mit dem Gasplasma. Die Weite der Nut liegt vorzugsweise im Bereich von 2 - 15 p. Nach Bildung der Nut 17 wird die zweite Stufe zur Zersteilung der Scheibe 1 entlang der Nuten 17 durchgeführt. Die Scheibe 1 kann von Hand zerteilt werden. Hierbei kann sie jedoch verunreinigt werden. Dememgemäß ist es bevorzugt, die Scheibe 1 ohne direkte Berührung durch Anwendung von Druck zu zerteilen.
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Pig. 5 zeigt einen Schnitt durch eine Vorrichtung zur Durchführung der zweiten Stufe. In einem Metalltank 41 ist Wasser 42 enthalten. Am Boden des Tanks 41 ist ein Ultraschallschwinger 40 vorgesehen. Der Glasbehälter 43 schwimmt auf dem Wasser und eine Vielzahl von Scheiben 10 liegen auf dem Boden des Glasbehälters 43. Eine leicht verdampfende Flüssigkeit 44 wird in den Glasbehälter 43 gegeben. Es kann sich um eine organische Flüssigkeit, wie Alkohol, Trichloräthan, Aceton oder dgl. handeln. Wenn eine Ultraschallschwingung von etwa 100 Watt mit dem Ultraschallschwinger 40 erzeugt wird, so wird der Schwingungsimpuls über das Wasser 42 und den Glasbehälter 43 auf die Scheibe 41 übertragen und die Scheibe 1 zerbricht entlang der Nut 17. Innrhalb 10 see ist die Scheibe 1 vollständig zerteilt. Es ist ferner möglich, die Scheibe anstatt durch Ultraschallschwingungen durch eine Vakuumsaugwirkung zu zerteilen. In diesem Fall wird die Scheibe 1 derart angeordnet, daß sie eine Wand,einer Vakuumkammer bildet, und in der Kammer wird ein Vakuum aufgebaut, so daß die Scheibe 1 entlang der Nut 17 durch den Unterdruck zerteilt wird.
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Claims (5)

PATENTANSPRÜCHE'
1. Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe durch Ausbildung von Nuten und durch Zertrennen der Scheibe entlang der Nuten, dadurch gekennzeichnet, daß man Nuten durch Beaufschlagung der Halbleiterscheibe mit einem Plasma einer verdampfbaren Fluorverbindung ausbildet, worauf in einer zweiten Stufe die Halbleiterscheibe entlang der Nuten zerteilt wird.
2. Verfahren zur Zerteilung einer Halbleiterscheibe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in einer geschlossenen Kammer aus einer Gasmischung aus Inertgas und dem Gas einer fluorhaltigen Verbindung ein Gasplasma gebildet wird.
3. Verfahren zur Zerteilung einer Halbleiterscheibe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Inertgas Argon ist.
4. Verfahren zur Zerteilung einer Halbleiterscheibe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß vorbestimmte Bereiche der Scheibe mit einer Resistmembran, welche gegenüber dem Gasplasma korrosionsfest ist, beschichtet werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Scheibe entlang der Nuten durch Ultraschallschwingungsbehandlung oder durch Vakuumunterdruck zerteilt wird.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0644592B2 (ja) * 1984-10-25 1994-06-08 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6642127B2 (en) * 2001-10-19 2003-11-04 Applied Materials, Inc. Method for dicing a semiconductor wafer
CN103341692A (zh) 2013-06-26 2013-10-09 京东方科技集团股份有限公司 切割不规则图形基板的方法和显示装置
JP7102065B2 (ja) * 2018-06-20 2022-07-19 株式会社ディスコ チップの製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615956A (en) * 1969-03-27 1971-10-26 Signetics Corp Gas plasma vapor etching process

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JPS523775B2 (de) 1977-01-29

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