DE2332949C3 - Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-AnzeigevorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung befaßt sich mit einem Verfahren zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung
zur Durchführung des Verfahrens.
Bei einer Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung wird eine Wechselhaltespannung an Elektroden angelegt
und eine Adressenspannung, z. B. eine Schreib-, Lösch- oder Lesespannung, wird an eine ausgewählte
Elektrode angelegt, um einen Entladungspunkt in einer Entladungszelle an einem Schnittpunkt der Elektroden
zu erzeugen oder zu löschen. Mit dem Anlegen einer solchen Adressenspannung wird eine Spannung auf
Elektroden, die an die ausgewählte Elektrode angrenzen, aufgrund der Kapazität zwischen den Elektroden
induziert.
Ein Verfahren zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1 ist durch die US-PS 73 542 bekannt.
Bekannt sind auch Ladungsspeicherdioden, die im wesentlichen wie ein reiner Ladungsspeicher wirken
und in denen bei Umschaltung in Sperrichtung zunächst ein großer Sperrstrom fließt, bis die gespeicherte
Ladung abgeflossen ist (Lehmann, J., »Dioden und Transistoren«, Vogel-Verlag Würzburg 1969, Seiten 44
bis 46). Dabei ist jedoch die Ladungsspeicherdiode nicht in einer Adressier- und Koppelschaltung einer matrixförmigen
Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung vorgesehen.
Es ist ferner bekannt, daß der Betriebsbereich für Schreib-, Lösch- und Lesevorgänge einer matrixförmigen
Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung erheblich erweitert werden kann, bevor ein parasitäres Leuchten
der nichtausgewählten Gasentladungszellen auftritt, indem die nichtausgewählten Adressenelektroden an
ίο ein vorbestimmtes Potential gekoppelt werden (Conference
Record of 1970 IEEE Conference on Display Devices, 2.-3.12. 1970, New York, 1970, Seiten 74 bis
84.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zu schaffen, bei dem bei möglichst geringem Leistungsverlust beim Adressieren der Gasentladungszellen ein parasitäres Leuchten von nichtausgewählten Entladungszellen verhindert wird. Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Kennzeichens des Anspruchs 1. Eine Weiterbildung ist im Unteranspruch angegeben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zu schaffen, bei dem bei möglichst geringem Leistungsverlust beim Adressieren der Gasentladungszellen ein parasitäres Leuchten von nichtausgewählten Entladungszellen verhindert wird. Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Kennzeichens des Anspruchs 1. Eine Weiterbildung ist im Unteranspruch angegeben.
Die Erfindung wird beispielhaft anhand der Zeichnung beschrieben, in der sind
Fig. 1 und 2 Schaltbilder einer Steuerschaltung zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung,
Fig.3 ein Schaltbild eines anderen Beispiels einer Steuerschaltung, bei der ungeradzahlige und geradzahlige Elektroden miteinander verbunden sind, und
Fig.3 ein Schaltbild eines anderen Beispiels einer Steuerschaltung, bei der ungeradzahlige und geradzahlige Elektroden miteinander verbunden sind, und
Fig.4 ein Schaltbild eines weiteren Beispiels einer
Steuerschaltung für einen Elektrodensatz.
F i g. 1 zeigt ein Schaltbild der Steuerschaltung. Ein Dekodierer 20Λ wird mit Adressensignalen 2°, 21 und 22
gespeist und ein Dekodierer 2OB wird mit Adressensignalen 23, 2* und 25 gespeist Eine Elektrode wird zum
Beispiel ausgewählt, indem ein Transistor QIl eingeschaltet,
Transistoren Qi2, Qi3, ... und Q31
ausgeschaltet und Transistoren Q32, Q33, ... eingeschaltet
werden. 21Λ und 2iB bezeichnen Inverter und
22 bezeichen UND-Tore. Der Ausgang »1« von den UND-Toren 22 schaltet die Transistoren Q 21, Q22,...
ein. Demgemäß wird aufgrund des Anlegens eines invertierten Adressensignals »1« und eines Taktsteuerimpulses
TPan die beiden Eingänge des UND-Tores 22 der Transistor Q 21 eingeschaltet, um einen Strom in
einen Kreis mit dem Transistor QH, einer Diode DP, einer Ladungsspeicherdiode CSD und dem Transistor
Q 21 von einer Stromquelle Va fließen zu lassen. Zu dem Zeitpunkt, zu dem der Taktsteuerimpuls TP »0«
geworden ist, wird ein Transistor Q 4 eingeschaltet, um einen Strom für eine Sperrerholzeit der Ladungsspeicherdiode
CSD fließen zu lassen, wodurch eine Adressenspannung, wie eine Schreib-, Lösch- oder
Lesespannung von der Stromquelle V zu der Elektrode 0 angelegt wird. Zu dieser Zeit sind die Elektroden 1 bis
7, 9 bis 15,.., da die Transistoren Q32, Q33,... sich aufgrund des Signals »1« von dem Dekodierer 20/4 im
»Ein«-Zustand befinden, über Dioden DN geerdet, um dadurch die Erzeugung einer induzierten Spannung zu
verhindern. Elektroden 8, 16, ... sind nicht geerdet, jedoch liegen diese im Abstand von der Elektrode 0 und
ergeben deshalb kein Problem.
F i g. 2 zeigt ein Schaltbild der Steuerschaltung, die es rmöglicht, positive und negative Spannungen an die
Elektroden anzulegen, wobei Dioden D\ und D 2 für den Koppelvorgang verwendet werden. In dem Falle
der Auswahl der Elektrode 0 werden Transistoren QPi
und QP2 eingeschaltet, um einen Strom in einer
Ladespeicherdiode CSD 2 zu einer Stromquelle + Va fließen zu lassen, und dann wird tine positive
Adressenspannung an die Elektrode 0 von einer Stromquelle + V angelegt Zu dieser Zeit wird ein
Transistor QN eingeschaltet, wodurch nicht ausgewählte Elektroden einschließlich einer benachbarten Elektrode
1 über die Dioden D 2 geerdet werden, in gleicher Weise werden in dem Falle des Anlegens einer
negativen Adressenspannung Transistoren QNi und
QN2 eingeschaltet, um einen Strom in Ladungsspeicherdioden
CSD 1 zu einer Stromquelle — Va fließen zu lassen, und dann wird die negative
Adressenspannung von einer Stromquelle — V angelegt Zu dieser Zeit werden die nicht ausgewählten
Elektroden einschließlich der angrenzenden Elektrode 1 ar Erdpotential gekoppelt, indem ein Transistor QP 4
eingeschaltet wird. Wenn die Adressens^annung auf diese Weise an die ausgewählte Elektrode angelegt
worden ist, werden die nicht ausgewählten Elektroden in der Nachbarschaft der ausgewählten Elektroden
geerdet, so daß das Problem einer induzierten Spannung vermieden werden kann.
F i g. 3 zeigt ein weiteres Beispiel einer Steuerschaltung, bei der ungeradzahlige und geradzahlige Elektroden
mit flexiblen Anschlußplatten 31Λ und 315 jeweils
von beiden Seiten einer Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung 30 angeschlossen sind. Zur Zeit der
Adressierung wird ein Transistor Q 5 eingeschaltet und einer der Transistoren Q71 bis ζ)74 und <?91 bis ζ/94
wird selektiv eingeschaltet, um einen Strom in der Ladungsspeicherdiode CSD von der Stromquelle Va
über die Diode DP fließen zu lassen, und dann wird eine Adressenspannung von einer (nicht dargestellten)
Stromquelle angelegt, indem die Sperrerholungszeit der Ladungsspeicherdiode CSD ausgenutzt wird. Wenn z. B.
die Elektrode 4 ausgewählt worden ist, befindet sich ein Transistor ζ) 63 ini »Aus«-Zustand, während Transistoren
Q 61, Q62 und Q 64 an der Seite der geradzahligen Elektroden eingeschaltet sind und Transistoren QSi bis
Q 84 an der Seite der ungeradzahligen Elektroden oder Transistoren Q 82 und Q 83, die mit den der Elektrode 4
benachbarten Elektroden 3 und S verbunden sind, eingeschaltet sind. Da wenigstens die Elektroden 2,3,5
und 6, die der ausgewählten Elektrode 4 benachbart sind, folglich über die Diode DN geerdet sind, wird eine
induzierte Spannung aufgrund der Adressenspannung nicht erzeugt In den Anschlußplatten 31A und 31 β
werden auch des weiteren Leitungen an beiden Seiten der Platte, die mit der ausgewählten Elektrode
verbunden ist, geerdet, um einen Abschirmeffekt zu erzeugen, so daß das Problem der Induziering einer
Spannung in den Anschlußplatten dort, wo die Leitungen sehr lang sind, dadurch überwunden ist. 5s
Bei den vorangehenden Beispielen sind wenigstens die Elektroden, welche an die ausgewählte Elektrode
angrenzen, über Dioden aus Erdpotential oder an ein vorbestimmtes Potential koppelt, wodurch die Störung
verhindert wird, die sich aus einer Spannung ergibt, die e>o
induziert wird, Wenn die Adressenspannung, z. B. die Schreib-, Lösch- Oder Lesespannung, an die ausgewählte
Elektrode angelegt wird. Die vorangehenden Beispiele sind des weiteren in Verbindung mit nur einer
gegenüberliegenden Elektrode beschrieben worden, jedoch können selbstverständlich dieselben, oben
beschriebenen Einrichtungen für die anderen gegenüberliegenden Elektroden verwendet werden.
Anhand von F i g. 4 wird ein weiteres Beispiel einer Steuerschaltung für einen Elektrodensatz einer Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung
beschrieben. Der Elektrodensatz ist durch vier *-Elektroden Λ" Ι, Λ" 2, Λ" 3
und X4 dargestellt Die Elektroden Xi, X2, X3 unii X 4 sind jeweils mit ausgewählten Punkten einer
Matrixschaltung mit Ladungsspeicherdioden CSDl, CSD2,... CSD4 und Dioden Da 1, Da 2,... Da 4 und
Db\, Db2,... DbA verbunden, wobei die Elektroden
jeweils durch Steuerstufen Ad 1, Ad2 und Ad 11, Ad 12
ausgewählt werden.
Der vorstehende Aufbau der Adressenschaltung ist im wesentlichen identisch mit bekannten Adressenschaltungen,
wobei positive und negative Rechteckhaltespannungsimpulszüge mit '/2 Vs abwechselnd an die
Elektroden von den Anschlüssen 1 und 2 angelegt werden. Um die Elektrode auszuwählen, z. B. Xi bei
dem Adressiervorgang innerhalb der Zeitintervalle dieser Haltespannungsimpulszüge, werden Transistoren
Qi und <?11, welche die Adressensteuerstufert Ad\
und Adii bilden, durch die Ausgänge von einem
Dekodierer 3 eingeschaltet, wodurch ein Durchlaßstrom in der Ladungsspeicherdiode CSDl über die Diode
Da 1 von der Stromquelle Va fließt Als Ergebnis wird eine Ladung in der Ladungsspeicherdiode CSDl
gespeichert, um zu ermöglichen, daß diese in Sperrichtung nur während ihrer Erholungszeit leitet Wenn
jeweils ein Transistor Qw oder Qe einer Schreibsteuerstufe 4 oder einer Loschsteuerstufe 5 des weiteren in
seinem »Ein«-Zustand gehalten wird, wird demgemäß eine Schreibadressenspannung Vw oder eine Löschadressenspannung
Ve an die Elektrode X1 nur für die Durchlaßleitungszeit der Ladungsspeicherdiode CSD 1
angelegt, um ein gewünschtes Schreiben oder Löschen in Verbindung mit dem entsprechenden Adressiervorgang
an der Seite der (nicht dargestellten) K-Elektroden auszuführen.
Die Adressenschaltung mit den Ladungsspeicherdioden CSD ist darin vorteilhaft, daß der Leistungsverlust
zum Adressieren gering ist.
Die Auswahlpunkte der Matrixschaltung in Fig.4,
d.h. die Verbindungspunkte mit den Elektroden Xi,
X2, ... X4, sind mit Widerständen Al, Λ2, ... Λ4
jeweils an einem Ende verbunden. Die anderen Enden der Widerstände R 1, R 2,... R 4 sind alle untereinander
und über eine Diode Dc mit dem Kollektor eines Koppeltransistors Qc verbunden. Der Emitter des
Transistors Qc ist mit einer Koppelpotentialquelle Vc verbunden, die sich in diesem Falle auf Erdpotential
befindet. Die Basis dieses Transistors wird mit einem Steuersignal von einer (nicht dargestellten) Steuerschaltung
gespeist, um den Transistor Qc nur zur Zeit der Adressierung einzuschalten.
Bei einer solchen Schaltungsanordnung, wie sie oben beschrieben ist, ist es möglich, daß durch Einschalten des
Koppeltransistors Qc zur Zeit der Adressierung der ausgewählten Elektrode alle Elektroden über die
Widerstände und die Dioden geerdet werden, d. h. mit einer niedrigen Impedanz verbunden werden. Als
Ergebnis erscheint, auch wenn die Adressenspannung Vtv oder Ve an die ausgewählte Elektrode angelegt
wird, eine hohe induzierte Spannung nicht auf den benachbarten Elektroden. Die Widerstände R I, R2,...
A4 können die induzierte Spannung zwar nicht vollständig auf Null reduzieren, sie können aber diese in
einem solchen Umfange verringern, daß keine Fehladressierung bewirkt wird.
In diesem Falle wird ein Teil der Adressensnannunp
W oder Ve, die der ausgewählten Elektrode zugeführt wird, durch den Widerstand an dem Auswahlpunkt
verbraucht, so daß es notwendig ist, die Adressenspannung in Erwartung des zusätzlichen Verbrauchs durch
den Widerstand einzustellen.
H icrzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Verfahren zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung mit zwei
Elektrodensätzen, mit Einrichtungen zum Anlegen eines Adressenpotentials an jeweils eine ausgewählte
Adressenelektrode der beiden Elektrodensätze, mit Koppeleinrichtungen zum Verbinden wenigstens
derjenigen Elektroden, die jeder ausgewählten Adressenelektrode benachbart angeordnet sind, mit
einer Diode zur Koppelung der benachbarten Elektroden wenigstens eines Elektrodensatzes an
ein vorbestimmtes Potential, wobei die Koppeleinrichtungen betätigt werden, wenn das Adressenpotential
über die Anlegeeinrichtungen an die ausgewählten Elektroden angelegt wird, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen die ausgewählte Elektrode und die Anlegeeinrichtungen (Q+ Qw,
Qe) eine Ladungsspeicherdiode (CSD) derart geschaltet wird, daß vor dem Anlegen des Adressenpotentials
(V, Vw, Ve) ein Durchlaßstrom in der Ladungsspeicherdiode (CSD) fließt, wodurch eine
Ladung in der Ladungsspeicherdiode (CSD) vorgespeichert wird, und daß das Adressenpotentia! (V,
Vv, Ve) in Sperrichtung zur Ladungsspeicherdiode
(CSD) angelegt wird, so daß diese nur während ihrer Sperrerholzeit leitet
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen die ausgewählte Elektrode und die Anlegeeinrichtungen (Q*, Qm Qe) eine Ladungsspeicherdiode
(CSD) in Sperrichtung in bezug auf das angelegte Adressenpotential (V, Vm Ve)
geschaltet ist und daß die Koppeleinrichtungen Impedanzelemente zwischen den Elektroden und
der anzukoppelnden Potentialquelle (Vc) aufweisen.
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