DE2332949C3 - Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung

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Description

Die Erfindung befaßt sich mit einem Verfahren zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Bei einer Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung wird eine Wechselhaltespannung an Elektroden angelegt und eine Adressenspannung, z. B. eine Schreib-, Lösch- oder Lesespannung, wird an eine ausgewählte Elektrode angelegt, um einen Entladungspunkt in einer Entladungszelle an einem Schnittpunkt der Elektroden zu erzeugen oder zu löschen. Mit dem Anlegen einer solchen Adressenspannung wird eine Spannung auf Elektroden, die an die ausgewählte Elektrode angrenzen, aufgrund der Kapazität zwischen den Elektroden induziert.
Ein Verfahren zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist durch die US-PS 73 542 bekannt.
Bekannt sind auch Ladungsspeicherdioden, die im wesentlichen wie ein reiner Ladungsspeicher wirken und in denen bei Umschaltung in Sperrichtung zunächst ein großer Sperrstrom fließt, bis die gespeicherte Ladung abgeflossen ist (Lehmann, J., »Dioden und Transistoren«, Vogel-Verlag Würzburg 1969, Seiten 44 bis 46). Dabei ist jedoch die Ladungsspeicherdiode nicht in einer Adressier- und Koppelschaltung einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung vorgesehen.
Es ist ferner bekannt, daß der Betriebsbereich für Schreib-, Lösch- und Lesevorgänge einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung erheblich erweitert werden kann, bevor ein parasitäres Leuchten der nichtausgewählten Gasentladungszellen auftritt, indem die nichtausgewählten Adressenelektroden an
ίο ein vorbestimmtes Potential gekoppelt werden (Conference Record of 1970 IEEE Conference on Display Devices, 2.-3.12. 1970, New York, 1970, Seiten 74 bis 84.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zu schaffen, bei dem bei möglichst geringem Leistungsverlust beim Adressieren der Gasentladungszellen ein parasitäres Leuchten von nichtausgewählten Entladungszellen verhindert wird. Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Kennzeichens des Anspruchs 1. Eine Weiterbildung ist im Unteranspruch angegeben.
Die Erfindung wird beispielhaft anhand der Zeichnung beschrieben, in der sind
Fig. 1 und 2 Schaltbilder einer Steuerschaltung zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung,
Fig.3 ein Schaltbild eines anderen Beispiels einer Steuerschaltung, bei der ungeradzahlige und geradzahlige Elektroden miteinander verbunden sind, und
Fig.4 ein Schaltbild eines weiteren Beispiels einer Steuerschaltung für einen Elektrodensatz.
F i g. 1 zeigt ein Schaltbild der Steuerschaltung. Ein Dekodierer 20Λ wird mit Adressensignalen 2°, 21 und 22 gespeist und ein Dekodierer 2OB wird mit Adressensignalen 23, 2* und 25 gespeist Eine Elektrode wird zum Beispiel ausgewählt, indem ein Transistor QIl eingeschaltet, Transistoren Qi2, Qi3, ... und Q31 ausgeschaltet und Transistoren Q32, Q33, ... eingeschaltet werden. 21Λ und 2iB bezeichnen Inverter und 22 bezeichen UND-Tore. Der Ausgang »1« von den UND-Toren 22 schaltet die Transistoren Q 21, Q22,... ein. Demgemäß wird aufgrund des Anlegens eines invertierten Adressensignals »1« und eines Taktsteuerimpulses TPan die beiden Eingänge des UND-Tores 22 der Transistor Q 21 eingeschaltet, um einen Strom in einen Kreis mit dem Transistor QH, einer Diode DP, einer Ladungsspeicherdiode CSD und dem Transistor Q 21 von einer Stromquelle Va fließen zu lassen. Zu dem Zeitpunkt, zu dem der Taktsteuerimpuls TP »0« geworden ist, wird ein Transistor Q 4 eingeschaltet, um einen Strom für eine Sperrerholzeit der Ladungsspeicherdiode CSD fließen zu lassen, wodurch eine Adressenspannung, wie eine Schreib-, Lösch- oder Lesespannung von der Stromquelle V zu der Elektrode 0 angelegt wird. Zu dieser Zeit sind die Elektroden 1 bis 7, 9 bis 15,.., da die Transistoren Q32, Q33,... sich aufgrund des Signals »1« von dem Dekodierer 20/4 im »Ein«-Zustand befinden, über Dioden DN geerdet, um dadurch die Erzeugung einer induzierten Spannung zu verhindern. Elektroden 8, 16, ... sind nicht geerdet, jedoch liegen diese im Abstand von der Elektrode 0 und ergeben deshalb kein Problem.
F i g. 2 zeigt ein Schaltbild der Steuerschaltung, die es rmöglicht, positive und negative Spannungen an die
Elektroden anzulegen, wobei Dioden D\ und D 2 für den Koppelvorgang verwendet werden. In dem Falle
der Auswahl der Elektrode 0 werden Transistoren QPi und QP2 eingeschaltet, um einen Strom in einer Ladespeicherdiode CSD 2 zu einer Stromquelle + Va fließen zu lassen, und dann wird tine positive Adressenspannung an die Elektrode 0 von einer Stromquelle + V angelegt Zu dieser Zeit wird ein Transistor QN eingeschaltet, wodurch nicht ausgewählte Elektroden einschließlich einer benachbarten Elektrode 1 über die Dioden D 2 geerdet werden, in gleicher Weise werden in dem Falle des Anlegens einer negativen Adressenspannung Transistoren QNi und QN2 eingeschaltet, um einen Strom in Ladungsspeicherdioden CSD 1 zu einer Stromquelle — Va fließen zu lassen, und dann wird die negative Adressenspannung von einer Stromquelle — V angelegt Zu dieser Zeit werden die nicht ausgewählten Elektroden einschließlich der angrenzenden Elektrode 1 ar Erdpotential gekoppelt, indem ein Transistor QP 4 eingeschaltet wird. Wenn die Adressens^annung auf diese Weise an die ausgewählte Elektrode angelegt worden ist, werden die nicht ausgewählten Elektroden in der Nachbarschaft der ausgewählten Elektroden geerdet, so daß das Problem einer induzierten Spannung vermieden werden kann.
F i g. 3 zeigt ein weiteres Beispiel einer Steuerschaltung, bei der ungeradzahlige und geradzahlige Elektroden mit flexiblen Anschlußplatten 31Λ und 315 jeweils von beiden Seiten einer Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung 30 angeschlossen sind. Zur Zeit der Adressierung wird ein Transistor Q 5 eingeschaltet und einer der Transistoren Q71 bis ζ)74 und <?91 bis ζ/94 wird selektiv eingeschaltet, um einen Strom in der Ladungsspeicherdiode CSD von der Stromquelle Va über die Diode DP fließen zu lassen, und dann wird eine Adressenspannung von einer (nicht dargestellten) Stromquelle angelegt, indem die Sperrerholungszeit der Ladungsspeicherdiode CSD ausgenutzt wird. Wenn z. B. die Elektrode 4 ausgewählt worden ist, befindet sich ein Transistor ζ) 63 ini »Aus«-Zustand, während Transistoren Q 61, Q62 und Q 64 an der Seite der geradzahligen Elektroden eingeschaltet sind und Transistoren QSi bis Q 84 an der Seite der ungeradzahligen Elektroden oder Transistoren Q 82 und Q 83, die mit den der Elektrode 4 benachbarten Elektroden 3 und S verbunden sind, eingeschaltet sind. Da wenigstens die Elektroden 2,3,5 und 6, die der ausgewählten Elektrode 4 benachbart sind, folglich über die Diode DN geerdet sind, wird eine induzierte Spannung aufgrund der Adressenspannung nicht erzeugt In den Anschlußplatten 31A und 31 β werden auch des weiteren Leitungen an beiden Seiten der Platte, die mit der ausgewählten Elektrode verbunden ist, geerdet, um einen Abschirmeffekt zu erzeugen, so daß das Problem der Induziering einer Spannung in den Anschlußplatten dort, wo die Leitungen sehr lang sind, dadurch überwunden ist. 5s
Bei den vorangehenden Beispielen sind wenigstens die Elektroden, welche an die ausgewählte Elektrode angrenzen, über Dioden aus Erdpotential oder an ein vorbestimmtes Potential koppelt, wodurch die Störung verhindert wird, die sich aus einer Spannung ergibt, die e>o induziert wird, Wenn die Adressenspannung, z. B. die Schreib-, Lösch- Oder Lesespannung, an die ausgewählte Elektrode angelegt wird. Die vorangehenden Beispiele sind des weiteren in Verbindung mit nur einer gegenüberliegenden Elektrode beschrieben worden, jedoch können selbstverständlich dieselben, oben beschriebenen Einrichtungen für die anderen gegenüberliegenden Elektroden verwendet werden.
Anhand von F i g. 4 wird ein weiteres Beispiel einer Steuerschaltung für einen Elektrodensatz einer Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung beschrieben. Der Elektrodensatz ist durch vier *-Elektroden Λ" Ι, Λ" 2, Λ" 3 und X4 dargestellt Die Elektroden Xi, X2, X3 unii X 4 sind jeweils mit ausgewählten Punkten einer Matrixschaltung mit Ladungsspeicherdioden CSDl, CSD2,... CSD4 und Dioden Da 1, Da 2,... Da 4 und Db\, Db2,... DbA verbunden, wobei die Elektroden jeweils durch Steuerstufen Ad 1, Ad2 und Ad 11, Ad 12 ausgewählt werden.
Der vorstehende Aufbau der Adressenschaltung ist im wesentlichen identisch mit bekannten Adressenschaltungen, wobei positive und negative Rechteckhaltespannungsimpulszüge mit '/2 Vs abwechselnd an die Elektroden von den Anschlüssen 1 und 2 angelegt werden. Um die Elektrode auszuwählen, z. B. Xi bei dem Adressiervorgang innerhalb der Zeitintervalle dieser Haltespannungsimpulszüge, werden Transistoren Qi und <?11, welche die Adressensteuerstufert Ad\ und Adii bilden, durch die Ausgänge von einem Dekodierer 3 eingeschaltet, wodurch ein Durchlaßstrom in der Ladungsspeicherdiode CSDl über die Diode Da 1 von der Stromquelle Va fließt Als Ergebnis wird eine Ladung in der Ladungsspeicherdiode CSDl gespeichert, um zu ermöglichen, daß diese in Sperrichtung nur während ihrer Erholungszeit leitet Wenn jeweils ein Transistor Qw oder Qe einer Schreibsteuerstufe 4 oder einer Loschsteuerstufe 5 des weiteren in seinem »Ein«-Zustand gehalten wird, wird demgemäß eine Schreibadressenspannung Vw oder eine Löschadressenspannung Ve an die Elektrode X1 nur für die Durchlaßleitungszeit der Ladungsspeicherdiode CSD 1 angelegt, um ein gewünschtes Schreiben oder Löschen in Verbindung mit dem entsprechenden Adressiervorgang an der Seite der (nicht dargestellten) K-Elektroden auszuführen.
Die Adressenschaltung mit den Ladungsspeicherdioden CSD ist darin vorteilhaft, daß der Leistungsverlust zum Adressieren gering ist.
Die Auswahlpunkte der Matrixschaltung in Fig.4, d.h. die Verbindungspunkte mit den Elektroden Xi, X2, ... X4, sind mit Widerständen Al, Λ2, ... Λ4 jeweils an einem Ende verbunden. Die anderen Enden der Widerstände R 1, R 2,... R 4 sind alle untereinander und über eine Diode Dc mit dem Kollektor eines Koppeltransistors Qc verbunden. Der Emitter des Transistors Qc ist mit einer Koppelpotentialquelle Vc verbunden, die sich in diesem Falle auf Erdpotential befindet. Die Basis dieses Transistors wird mit einem Steuersignal von einer (nicht dargestellten) Steuerschaltung gespeist, um den Transistor Qc nur zur Zeit der Adressierung einzuschalten.
Bei einer solchen Schaltungsanordnung, wie sie oben beschrieben ist, ist es möglich, daß durch Einschalten des Koppeltransistors Qc zur Zeit der Adressierung der ausgewählten Elektrode alle Elektroden über die Widerstände und die Dioden geerdet werden, d. h. mit einer niedrigen Impedanz verbunden werden. Als Ergebnis erscheint, auch wenn die Adressenspannung Vtv oder Ve an die ausgewählte Elektrode angelegt wird, eine hohe induzierte Spannung nicht auf den benachbarten Elektroden. Die Widerstände R I, R2,... A4 können die induzierte Spannung zwar nicht vollständig auf Null reduzieren, sie können aber diese in einem solchen Umfange verringern, daß keine Fehladressierung bewirkt wird.
In diesem Falle wird ein Teil der Adressensnannunp
W oder Ve, die der ausgewählten Elektrode zugeführt wird, durch den Widerstand an dem Auswahlpunkt verbraucht, so daß es notwendig ist, die Adressenspannung in Erwartung des zusätzlichen Verbrauchs durch den Widerstand einzustellen.
H icrzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Betreiben einer matrixförmigen Gasentladungszellen-Anzeigevorrichtung mit zwei Elektrodensätzen, mit Einrichtungen zum Anlegen eines Adressenpotentials an jeweils eine ausgewählte Adressenelektrode der beiden Elektrodensätze, mit Koppeleinrichtungen zum Verbinden wenigstens derjenigen Elektroden, die jeder ausgewählten Adressenelektrode benachbart angeordnet sind, mit einer Diode zur Koppelung der benachbarten Elektroden wenigstens eines Elektrodensatzes an ein vorbestimmtes Potential, wobei die Koppeleinrichtungen betätigt werden, wenn das Adressenpotential über die Anlegeeinrichtungen an die ausgewählten Elektroden angelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die ausgewählte Elektrode und die Anlegeeinrichtungen (Q+ Qw, Qe) eine Ladungsspeicherdiode (CSD) derart geschaltet wird, daß vor dem Anlegen des Adressenpotentials (V, Vw, Ve) ein Durchlaßstrom in der Ladungsspeicherdiode (CSD) fließt, wodurch eine Ladung in der Ladungsspeicherdiode (CSD) vorgespeichert wird, und daß das Adressenpotentia! (V, Vv, Ve) in Sperrichtung zur Ladungsspeicherdiode (CSD) angelegt wird, so daß diese nur während ihrer Sperrerholzeit leitet
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die ausgewählte Elektrode und die Anlegeeinrichtungen (Q*, Qm Qe) eine Ladungsspeicherdiode (CSD) in Sperrichtung in bezug auf das angelegte Adressenpotential (V, Vm Ve) geschaltet ist und daß die Koppeleinrichtungen Impedanzelemente zwischen den Elektroden und der anzukoppelnden Potentialquelle (Vc) aufweisen.
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