DE2329915A1 - Halbleiteranordnung mit schottky-uebergang und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Halbleiteranordnung mit schottky-uebergang und verfahren zu deren herstellung

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Frits Landheer
Hermanus Josephus Henr Wilting
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/64—Electrodes comprising a Schottky barrier to a semiconductor
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US4141020A (en) * 1976-12-29 1979-02-20 International Business Machines Corporation Intermetallic aluminum-transition metal compound Schottky contact
US4543442A (en) * 1983-06-24 1985-09-24 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration GaAs Schottky barrier photo-responsive device and method of fabrication
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