DE2319995C3 - Verfahren zur Herstellung von SiIiciumtetrachlorid aus Siliciumcarbid mit Chlorwasserstoff - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SiIiciumtetrachlorid aus Siliciumcarbid mit ChlorwasserstoffInfo
- Publication number
- DE2319995C3 DE2319995C3 DE2319995A DE2319995A DE2319995C3 DE 2319995 C3 DE2319995 C3 DE 2319995C3 DE 2319995 A DE2319995 A DE 2319995A DE 2319995 A DE2319995 A DE 2319995A DE 2319995 C3 DE2319995 C3 DE 2319995C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon carbide
- silicon
- chloride
- hydrogen chloride
- reactor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
Description
Die Chlorierung von Siliciumcarbid mit Chlorwasserstoff ist seit langem bekannt und soll bei Rotglut nach
folgender Gleichung verlaufen:
SiC+ 4 HCl = SiCl4+CH4
(E. B r i t ζ k e, Chemiker-Zeitung 33[1909], 1099).
Diese Reaktion konnte bis jetzt nicht im technischen Betrieb realisiert werden, da selbst bei höheren
Temperaturen lediglich sehr geringe Umsetzungen beobachtet wurden.
Weiterhin ist bekannt, Siliciumtetrachlorid aus hochreinem Silicium und Chlorwasserstoff herzustellen,
wobei zur Herabsetzung der Zündtemperatur Metallverbindungen, beispielsweise Eisenchlorid, auf das
Silicium aufgebracht werden. Entsprechend diesem Verfahren können auch Siliciumcarbid enthaltende
Rückstände, wie sie bei der Siliciumcarbidherstellung anfallen, zu Siliciumtetrachlorid verarbeitet werden
(DT-PSIl 05 398).
Es wurde nun ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrachlorid durch Umsetzung von Siliciumcarbid
und/oder Siliciumcarbid enthaltenden Stoffgemischen mit Chlorwasserstoff in Gegenwart von Schwermetallchloriden
gefunden, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Umsetzung in Gegenwart von Cobalt(II)-chlorid
und/oder Nickel(ll)-chlorid bei Temperaturen von 400 bis 10000C durchgeführt wird. Bevorzugt findet
die Reaktion zwischen 600 bis 9000C statt.
Obwohl Schwermetallverbindungen, insbesondere die Chloride nach H. Schäfer (Chemische Transportrektionen,
Verlag Chemie, 1962), sehr »transportaktiv« sind, was einen schnellen Austrag dieser Chlorierungskatalysatoren bedeutet, tritt dieser Effekt unter den
erfindungsgemäßen Maßnahmen bei der Herstellung von Siliciumtetrachlorid aus Siliciumcarbid und Chlorwasserstoff
nicht in Erscheinung, und das eingesetzte Siliciumcarbid läßt sich überraschenderweise fast
vollständig umsetzen. Die Menge an Cobaltchlorid und/oder Nickelchlorid, die die Umsetzung von
Siliciumcarbid mit Chlorwasserstoff katalysiert, beträgt 0,1—30 Gew.-%, vorzugsweise 1 —10 Gew.-°/o, bezogen
auf Siliciumcarbid enthaltendes Ausgangsprodukt, dem der Kontakt bereits zugefügt ist.
Der Chlorierungskatalysator kann in fester Form beispielsweise als Pulver dem Siliciumcarbid zugemischt
werden.
Für gewöhnlich wird die Metallverbindung mit Siliciumcarbid aus einer Lösung aufgezogen. Als
Lösungsmittel wird für diesen Zweck Wasser oder verdünnte Salzsäure benutzt. Der Kontakt kann auch
durch Imprägnierung eines inerten Trägers wie Siliciumdioxid und Aktivkohle im Gemisch mit Siliciumcarbid
in den Rcaktionsruum gebracht werden.
Zur Herstellung von Siliciumtetrachlorid wird fur
gewöhnlich nach den üblichen Verfahren hergestelltes, technisches Siliciumcarbid verwendet, aber auch St.offgemische,
die Siliciumcarbid enthalten, wie keramisch gebundenes Siliciumcarbid, sind geeignet.
Das Siliciumcarbid wird in Form von Körnern in einem Festbettreaktor oder vorzugsweise als Pulver
bzw. Feinkorn im Wirbelschichtreaktor kontinuierlich chloriert. Vor der Umsetzung wird die Reaktorfüllung
ίο durch Inertgas beispielsweise mit Stickstoff getrocknet
und bis auf die Reaktionstemperatur aufgeheizt Zweckmäßigerweise wird auch der Chlorwasserstoff
vor seiner Anwendung getrocknet Für das Anheizen des Reaktors auf die Betriebstemperatur
können geeignete »Brennstoffe« wie Silicium-Metall, Ferrosiliciumi, Suizide oder ähnliche Verbindungen
eingesetzt werden. Die Chlorierungsreaktion verläuft exotherm und kann deshalb autotherm
betrieben werden. Treten dennoch Wärmeverluste auf, so können diese durch Zugabe der genannten
Brennstoffe ausgeglichen werden. Das Verfahren kann wie folgt durchgeführt werden:
Der Aufbau der Versuchsanordnung ist in der Abbildung skizziert. Die Gasversorgung besteht aus
einer Chlorwasserstoff- 1, einer Stickstoffgasflasche 2, einem Manometer 3„ das gleichzeitig als Überdruckventil
wirkt, wenn ein Druckstau im Reaktor auftritt, einem mit Calciumchlorid gefüllten Trockenturm 4 und einem
Rotameter S. In dem senkrechtstehenden Reaktorrohr 6
jo aus quarz- oder aluminiumoxidhaltigem Material, das
von außen elektrisch beheizbar ist, wird die Temperatur über einen Regler 7 konstantgehalten. Die Temperatur
wird sowohl vor als auch in der Reaktionszone mit den Thermoelementen 8 und 9 überwacht. Durch die
i'i Siliciumcarbid-Schültung 10 im Reaktor, von einem
Graphitpolster U gehalten, strömt der getrocknete Chlorwasserstoff. D;as in den Reaktionsgasen enthaltene
Siliciumtetrachlorid wird dabei in einer mit Aceton und Kohlensäure gekühlten Falle 12 isoliert.
Zur Ausführung dieses Beispiels dient oben beschriebene Versuchsanordnung.
45 g Siliciumcarbid (Körnung 1—3 mm) werden mit
4) 5g Cobalt(II)-chlorid · 6 H2O aus einer wäßrigen
Lösung (50 ml) aufgezogen. Der Reaktor wird mit diesem getrockneten Siliciumcarbid gefüllt und eine
Stunde im N2-Strom von 50 l/h auf 7000C erhitzt.
Anschließend wird Chlorwasserstoffgas durch die Reaktorfüllung geleitet.
Betriebsdaten und Ergebnis der Umsetzung sind in der nachfolgenden Tabelle zusammengestellt.
HCl-Durch- | Reaktor | HCl-Umsatz | Umsatz von |
satz | temperatur | Si zu SiCU | |
in 4 Std. |
50 l/h
700° C
60,7%
95 Gew.-%
45 g Siliciumcarbid (Körnung 1—3 mm) werden mit
3,5 g gekörnter Kohle (Körnung 1 —3 mm), die mit 5 g Cobalt(ll)-chlorid · II2O imprägniert wurden, vermischt
und im Reaktor gernäß Versuchsanordnung Beispiel 1 zur Umsetzung gebracht.
Betriebsdaten und das Ergebnis der Umsetzung sind in nachfolgenderTabelle zusammengestellt.
HCI-Durchsatz
Reaktorlemperatur
HCI-Umsatz
Umsatz von Si zu SiCU in 4 Std.
700-C
59,2%
92 Gew.-%
Anstatt Cobalt(II)-chIorid - 6 H2O werden 5 g Nikkel(II)-Chlorid
- 6 H2O in dem Festbettreaktor eingesetzt und die Chlorierung gemäß Beispiel 1 durchgeführt
Betriebsdaten und Ergebnis der Umsetzung sind in der nachstehenden Tabelle zusammengestellt.
HCI-Durch- Reak'torsatz temperatur
HCI-Umsatz
Umsatz von Si zu SiCU in 24 Std.
700 c:
48%
90 Gew.-%
43 g Siliciumcarbid (Körnung 180—200 mμ) werden
mit 7 g Cobalt{ll)-chlorid · 6 HiO aus einer wäßrigen
Lösung imprägniert und nach einstündiger Trocknung im N2-Strom von 50 l/h (Aufheiztemperatur bis 7000C)
gemäß Versuchsanordnung Beispiel 1 chloriert. Die Umsetzung mit Chlorwasserstoff wird in Wirbelschicht
1 und unter Rühren II im Reaktor durchgeführt.
Betriebsdaten und das Ergebnis der Umsetzung sind in nachstehender Tabelle zusammengestellt.
HCI-Durchsatz
Reaktortemperatur
HCI-Umsatz
Umsatz von Si zu SiCU
i.i 4 Std.
i.i 4 Std.
Wirbelschicht-
Reaktor 1
Reaktor 1
50 l/h 7000C
Rührreaktor Il
Rührreaktor Il
25 l/h 7000C
80% 99.5 Gew.-%
92% 99.5 Gew.-%
50 g Siliciumcarbid (Körnung 1—3 mm) werden mit
2,7 g G)balt(ll)-chlorid und 2,7 g Nickel(II)-chlorid
· 6 H2O aus einer wäßrigen Lösung (50 ml) aufgezogen
und das Gemisch in der Versuchsanordnung gemäß Beispiel 1 nach einstündigem Trocknen im N2Strom
(Aufheiztemperatur 6000C) mit Chlorwasserstoff zur Umsetzung gebracht.
Betriebsdaten und Ergebnis der Umsetzung sind in nachstehender Tabelle zusammengestellt.
HCI-Durchsatz
Reaktorten.peratur
HCi-Umsatz
Umsatz von Si zu SiCU
in 4 Std.
in 4 Std.
50 l/h
700°C
64%
99,6 Gew.-%
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrachlorid durch Umsetzung von Siliciumcarbid und/oder Siliciumcarbid enthaltenden Stoffgemischen mit Chlorwasserstoff in Gegenwart von Schwermetallchloriden, dadurch gekennzeichnet, daß die Umsetzung in Gegenwart von Cobalt(ll)-chlorid und/oder Nickel(ll)-chlorid bei Temperaturen von 400 bis 1000° C durchgeführt wird.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2319995A DE2319995C3 (de) | 1973-04-19 | 1973-04-19 | Verfahren zur Herstellung von SiIiciumtetrachlorid aus Siliciumcarbid mit Chlorwasserstoff |
JP49043209A JPS5026520B2 (de) | 1973-04-19 | 1974-04-17 | |
IT50427/74A IT1005976B (it) | 1973-04-19 | 1974-04-17 | Procedimento ed apparecchiatura per produrre tetracloruro di silicio |
GB1703274A GB1445226A (en) | 1973-04-19 | 1974-04-18 | Manufacture of silicon tetrachloride |
NL7405276A NL7405276A (de) | 1973-04-19 | 1974-04-18 | |
NO741397A NO136186C (no) | 1973-04-19 | 1974-04-18 | Fremgangsm}te ved fremstilling av siliciumtetraklorid fra siliciumcarbid og hydrogenklorid. |
US462072A US3920799A (en) | 1973-04-19 | 1974-04-18 | Process for preparing silicon tetrachloride from silicon carbide with hydrogen chloride |
FR7413712A FR2226359B1 (de) | 1973-04-19 | 1974-04-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2319995A DE2319995C3 (de) | 1973-04-19 | 1973-04-19 | Verfahren zur Herstellung von SiIiciumtetrachlorid aus Siliciumcarbid mit Chlorwasserstoff |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2319995A1 DE2319995A1 (de) | 1974-11-07 |
DE2319995B2 DE2319995B2 (de) | 1977-12-08 |
DE2319995C3 true DE2319995C3 (de) | 1978-09-07 |
Family
ID=5878697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2319995A Expired DE2319995C3 (de) | 1973-04-19 | 1973-04-19 | Verfahren zur Herstellung von SiIiciumtetrachlorid aus Siliciumcarbid mit Chlorwasserstoff |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3920799A (de) |
JP (1) | JPS5026520B2 (de) |
DE (1) | DE2319995C3 (de) |
FR (1) | FR2226359B1 (de) |
GB (1) | GB1445226A (de) |
IT (1) | IT1005976B (de) |
NL (1) | NL7405276A (de) |
NO (1) | NO136186C (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5120262B2 (de) * | 1972-08-31 | 1976-06-23 | ||
US7147713B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-12-12 | Cree, Inc. | Phase controlled sublimation |
US7247513B2 (en) * | 2003-05-08 | 2007-07-24 | Caracal, Inc. | Dissociation of silicon clusters in a gas phase during chemical vapor deposition homo-epitaxial growth of silicon carbide |
CN116395702A (zh) * | 2023-03-24 | 2023-07-07 | 四川纳毕硅基材料科技有限公司 | 一种短流程制备高纯四氯化硅和多晶硅的装置及方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1939647A (en) * | 1930-07-23 | 1933-12-19 | Du Pont | Method of impregnating porous materials |
US2686819A (en) * | 1949-09-01 | 1954-08-17 | Kellogg M W Co | Synthesis of methane |
US2843458A (en) * | 1955-10-20 | 1958-07-15 | Cabot Godfrey L Inc | Process for producing silicon tetrachloride |
-
1973
- 1973-04-19 DE DE2319995A patent/DE2319995C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-04-17 IT IT50427/74A patent/IT1005976B/it active
- 1974-04-17 JP JP49043209A patent/JPS5026520B2/ja not_active Expired
- 1974-04-18 GB GB1703274A patent/GB1445226A/en not_active Expired
- 1974-04-18 NO NO741397A patent/NO136186C/no unknown
- 1974-04-18 NL NL7405276A patent/NL7405276A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-04-18 US US462072A patent/US3920799A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-04-19 FR FR7413712A patent/FR2226359B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2226359B1 (de) | 1976-06-25 |
JPS509595A (de) | 1975-01-31 |
NO136186C (no) | 1977-08-03 |
IT1005976B (it) | 1976-09-30 |
NO136186B (de) | 1977-04-25 |
JPS5026520B2 (de) | 1975-09-01 |
NO741397L (no) | 1974-10-22 |
GB1445226A (en) | 1976-08-04 |
DE2319995B2 (de) | 1977-12-08 |
FR2226359A1 (de) | 1974-11-15 |
US3920799A (en) | 1975-11-18 |
DE2319995A1 (de) | 1974-11-07 |
NL7405276A (de) | 1974-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1567788C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Chlor aus Chlorwasserstoff | |
DE60017055T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Ammoniak | |
DE2319995C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von SiIiciumtetrachlorid aus Siliciumcarbid mit Chlorwasserstoff | |
DE1542132B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kupfersilikat enthaltenden Katalysators fuer Oxychlorierungs-,Deacon- und Dehydro- chlorierungsreaktionen | |
DE2546919A1 (de) | Verfahren zum herstellen von methylchlorsilanen | |
US2271056A (en) | Oxidation of hydrogen chloride | |
DE1518729C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Gemisches aus Acrylsäure und Acrolein | |
DE1222914B (de) | Verfahren zur Herstellung von Trichloraethylen und Perchloraethylen | |
DE2538158A1 (de) | Verfahren zur herstellung von monochlorbenzoylchlorid | |
DE1232126B (de) | Verfahren zur Herstellung von Ketonen durch Isomerisierung von Aldehyden | |
DE2132569C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Organochlorsilanen | |
US1843196A (en) | Manufacture of hydrochloric acid | |
DE1964786C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Acrylnitril aus Propan | |
DE2826747A1 (de) | Verfahren zur kontinuierlichen darstellung von borhalogeniden | |
DE800663C (de) | Verfahren zur Herstellung von Guanidinrhodanid | |
DE1284411B (de) | Verfahren zur Herstellung von Monochloraethan und Vinylchlorid neben 1, 2-Dichloraethan | |
DE1152391B (de) | Verfahren zur Herstellung von 1, 2-Dichloraethan durch Umsetzung von AEthylen mit Chlorwasserstoff in Gegenwart von Sauerstoff | |
DE1242595B (de) | Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorid | |
DE2328536A1 (de) | Verfahren zur herstellung von phosphornitrilchlorid | |
AT256797B (de) | Verfahren zur Herstellung von chlorierten Kohlenwasserstoffen | |
DE1618030C (de) | Verfahren zur Herstellung von 1,2 Dichlorathan durch Umsetzung von Äthylen, Chlorwasserstoff und Sauerstoff | |
DE1161870B (de) | Verfahren zur Herstellung von Cyanwasserstoff | |
DE2161725A1 (de) | Verfahren zur Chlorierung von Halogenäthanen | |
DE1228598B (de) | Verfahren zur Herstellung von 1, 2-Dichloraethan | |
DE1112727B (de) | Verfahren zur Herstellung von Tetrachlorkohlenstoff durch Erhitzen von Phosgen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |