DE2319644A1 - Verfahren zum herstellen eines vier zonen-halbleiterelements - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines vier zonen-halbleiterelements

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DE2319644A1 DE19732319644 DE2319644A DE2319644A1 DE 2319644 A1 DE2319644 A1 DE 2319644A1 DE 19732319644 DE19732319644 DE 19732319644 DE 2319644 A DE2319644 A DE 2319644A DE 2319644 A1 DE2319644 A1 DE 2319644A1
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Description

THE NATIONAL CASH REGISTER COMPANY Dayton, Ohio (V.St.A.) Patentanmeldung Unser Az.: Case 1444/GER VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES VIER ZONEN-HALBLEITERELEMENTS
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines vier Zonen-Halbleiterelementes mit einer ersten, zweiten, dritten und vierten aufeinanderfolgend angeordneten Zone, wobei die erste und die dritte Zone sowie die zweite und die vierte Zone jeweils die gleiche Leitfähigkeit besitzen.
Aus den GB-Patentschriften 1 270 130 und 1 094 336 sind bereits Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen der oben bezeichneten Art bekannt. Diese bekannten Verfahren enthalten jedoch relativ viele Verfahrensschritte. Es ist die Aufgabe der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von vier Zonen-Halbleiterelementen aufzuzeigen, das einfacher ist und das weniger Verfahrensschritte als die bekannten Verfahren aufweist.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Halbleitersubstrat mit einer ersten Leitfähigkeit eine als Maske dienende Schicht aufgebracht wird, in der eine erste und eine zweite Öffnung erzeugt werden und daß in die erste Öffnung eine als erste Dotierungsquelle dienende Schicht, gebracht wird und daß diese Schicht Verunreinigungen vom ersten
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Leitfähigkeitstyp und vom zweiten Leitfähigkeitstyp besitzt, wobei die Verunreinigungen vom zweiten Leitfähigkeitstyp eine höhere Durchdringungsfähigkeit besitzen, daß in die zweite öffnung eine als zweite Dotierungsquelle dienende Schicht gebracht wird, die Verunreinigungen vom zweiten Leitfähigkeitstyp besitzt u.nd daß in einem Diffusionsvorgang diese Verunreinigungen in das Halbleitersubstrat eindiffundieren, wobei die erste und die vierte Zone unterhalb der ersten und zweiten öffnung gebildet werden und die zweite Zone durch einen Abschnitt des an die erste Zone angrenzenden Halbleitersubstrats und die dritte Zone durch einen zwischen der zweiten Zone und vierten Zone befindlichen Teil des Halbleitersubstrats gebildet wird, der durch die Diffusion nicht beeinflußt wurde.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines vier Zonen-Halbleiterelementes weist den Vorteil auf, daß nur ein Diffusionsschritt notwendig ist. Ein weiterer Vorteil ist es, daß das Verfahren selbst in vorteilhafter Weise zur Herstellung von integrierten Schaltungen, z.B. Metalloxidhalbleiterelementen, geeignet ist, da diese im allgemeinen durch einen oder mehrere Diffusionsschritte auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats erzeugt werden.
Im folgenden werden anhand von Zeichnungen zwei Ausflihrungsbeispiele der Erfindung beschrieben. In diesen zeigen:
Fig. 1 eine Schaltung mit einem vier Zonen-Halbleiterelement;
Fig. 2 Spannungs-Stromkennlinien des in Fig. 1 verwendeten Elements;
Fig. 3A bis 3E verschiedene Schritte zur Herstellung des in Fig. 1 gezeigten Elementes und
Fig. 4A bis 4E verschiedene Schritte eines abgewandelten Verfahrens zur Herstellung eines vier Zonen-Halbleiterelements.
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In Fig. 1 ist ein vier Zonen-Halbleiterelement 12 in einer Schaltung 10 gezeigt, das als Schalter verwendet wird. Das Halbleiterelement 12 enthält eine Anode 14, eine Anodenbasiszone 16, eine Kathodenbasiszone 18 und eine Kathode 20. Die Anode 14 und die Kathodenbasiszone 18 bestehen aus P-dotiertem Material und die Anodenbasiszone 16 und die Kathode 20 aus N-dotiertem Material. Die Anode 14 und die Kathode 20 besitzen einen niedrigen Widerstand. Die Anodenbasiszone 16 besitzt einen hohen Widerstand und die Kathodenbasiszone 18 besitzt einen Widerstand, der so groß wie der Materialwiderstand ist.
Eine isolierte Gateelektrode überdeckt den seitlichen Bereich der Kathodenbasiszone 18 vollständige Die Gateelektrode 22 besteht aus einer Metallschicht 26, z.B. einer Aluminiumschicht, die durch eine dünne Isolationsschicht 24 von der Kathodenbasiszone 18 isoliert ist. Die Gateelektrode 22 kann so angeordnet sein, daß sie einen größeren Bereich von der Anodenbasiszone 16 und einen kleineren Bereich von der Kathodenbasiszone 18 überdeckt, wenn dies erwünscht ist·.
Die Schaltung 10 enthält außerdem eine Batterie 28 und eine Batterie 30 und einen Lastwiderstand 32, sowie Schalter 34 und 36. Der Widerstand 32 ist mit seinem oberen Ende mit der Anode 14 verbunden und mit seinem unteren Ende mit dem Schalter 36. Der Schaltungsarm 38 des Schalters 36 -ist mit der positiven Seite der Batterie 30 verbunden, deren negative Seite an Masse liegt. Die Kathode 20 ist ebenfalls mit Masse verbunden. Die Metallschicht 26 der Gateelektrode 22 ist mit dem Schaltungsarm 40 des Schalters 34 verbunden. Wenn der Schaltungsarm 40 mit dem Punkt 42 verbunden wird, wird von der Batterie 28 eine positive Spannung an die Gateelektrode 22 angelegt.-Die negative Seite der Batterie ist ebenfalls mit Masse verbunden. Wenn der Schaltungsarm 40 des Schalters 34 mit dem Punkt 43 verbunden ist,
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liegt an der Gateelektrode 22 Masse.
Die Funktionsweise der Schaltung 10 in Fig. 1 wird im folgenden mit Hilfe von Fig. 2 beschrieben« In Fig. 2 sind die Spannungs-Stromkennlinien des Halbleiterelementes 12 von Fig. 1 dargestellt. Das Element 12 kann einen von zwei Zuständen annehmen.Diese beiden Zustände sind der leitende Zustand und der gesperrte Zustand. Die Linie A in Fig. 2 stellt den leitenden Zustand und die Linie B den gesperrten Zustand dar. Die Linie zwischen den Punkten C und D ist die Lastkennlinie, die durch die Größe des Widerstandes 32 bestimmt wird. Als Haltstrom wird ein Strom am Punkt E festgelegt.
Wenn zu Beginn der Arm 40 des Schalters 34 mit dem Punkt 43 verbunden wird, der an Masse liegt, und wenn der Arm 38 des Schalters 36 offen ist, befindet sich das Element in seinem nicht-leitenden Zustand. Wenn der Schalter 38 dann geschlossen wird und Strom an die Anode 14 geliefert wird, entsteht eine Spannungscharakteristik gemäß der Linie B in Fig. 2, d.h. die Spannung zwischen der Anode 14 und der Kathode 20 wird bei einem geringen Anstieg des Stromes sehr stark ansteigen, Der Arbeitspunkt der Schaltung liegt bei diesen Bedingungen am Punkt D der Lastkennlinie B.
Wenn der Arm des Schalters 34 mit dem Punkt 42 verbunden wird, gelangt eine positive Spannung an die Gateelektrode 22, wodurch das Element 12 in seinen leitenden Zustand geschaltet wird. Dies wird durch die Linie A in Fig» dargestellt. In diesem Fall liegt der Arbeitspunkt der Schaltung 10 an Punkt C. .Nun bewirkt eine kleine Spannungsänderung eine relativ große Stromänderung in dem Halbleiterelement 12. '
Wenn nun der Arm des Schalters 34 wieder mit dem Punkt 43 verbunden wird, bleibt der leitende Zustand so lange erhalten, bis der Strom durch das Element kleiner als der Haltestrom wird, der mit dem Punkt G, Fig. 2, identisch ist. Wenn der Strom durch die Anode für eine ausreichend lange Zeit
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kleiner als der Haltestrom wird, wird das Wärmegleichgewicht wieder hergestellt und wenn die Gateelektrode das gleiche Potential aufweist wie die Kathode 20 (z.B. Masse), wird das Element 12 wieder in seinen nicht-leitenden Zustand zurückgeschaltet.
Der für diese Charakteristik verantwortliche Mechanismus liegt in der Bildung einer Inversionsschicht an der Oberfläche der Kathodenbasiszone, wenn eine geeignete positive Spannung an die Gateelektrode 22 angelegt wird. Wenn an der Anode 14 ein positives Potential in Bezug auf die Kathode anliegt und wenn die Inversionsschicht gebildet wird, können Elektronen von der Anodenbasis .16 durch die Inversionsschicht zu der Kathode 20 fließen, da ein Nebenschluß zu dem N-P Obergang zwischen der Anodenbasiszone 16 und der Kathodenbasiszone 18 besteht. Durch den Stromfluß in Vorwärtsrichtung zwischen der Anode 14 und der Anodenbasiszone 16 werden Löcher in der Anodenbasiszone 16 erzeugt. Diese Löcher werden in Richtung des Unikehrbereiches zwischen der Anodenbasiszone 16 und der Kathodenbasiszone 18 diffundieren. Dadurch wiederum wird bewirkt, daß ein Strom in Vorwärtsrichtung durch die Kathodenbasiszone 18 zur Kathode 20 fließt, wodurch Elektronen in die Kathodenbasiszone 18 injiziert werden. Diese Elektronen diffundieren in die Anodenbasiszone 16 und dann zu dem übergang der Anodenbasiszone 16 und der Anode 14. Dadurch wird bewirkt, daß in der Anodenbasiszone 16 noch mehr Löcher injiziert werden, so daß sich dieser Vorgang selbständig aufrecht erhält. Wenn die Anode 14, die Anodenbasiszone 16 und die Kathodenbasiszone 18 als Teile eines PNP-Transistors und die Kathode 20, die Kathodenbasiszone 18 und die Anodenbasiszone als NPN-Transistor betrachtet werden und wenn die Summe der gesamten Basisstromverstärkung dieser beiden Transistoren größer als 1 ist, erhält sich der Stromfluß selbst aufrecht, auch wenn
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keine Inversionsschicht mehr vorhanden ist, durch die dieser
Stromfluß eingeleitet wurde. Die Verstärkung der Ströme ist
hier eine Funktion der geometrischen Abmessungen, und der
Höhe des Stromes. Bei einem sehr niedrigen Pegel wird die Stromverstärkung kleiner, so daß ihre Summe kleiner als 1
wird und das Element 12 in einem stabilen Sperrzustand verbleibt.
Wenn der Strom beim Vorhandensein einer Inversionsschicht
ansteigt, wird die Stromverstärkung größer, so daß die Summe größer als 1 wird und das Element in seinen stabilen leitenden Zustand gelangt. Es wird nur gesperrt, wenn der
Strom für eine genügend lange Zeit unterbrochen wird, so daß
die im Überfluß vorhandenen Minoritätsträger in den Basisbereichen durch Rekombination verschwinden oder durch eine negative
Spannung an der Anode 14 aus den Basisbereichen abgezogen
werden.
In den Fig. 3A bis 3E ist eine erste Methode zur Herstellung des in Fig. 1 verwendeten Halbleiterelements 12 gezeigt. In Fig. 3A ist ein Substrat 40 dargestellt, das aus einer Isolationsschicht besteht, z. B. einem Spinell, auf den in herkömmlicher Weise eine einkristalline Schicht aus einem Halbleitermaterial 42 erzeugt wurde. Die Stärke der Schicht 42 liegt zwischen 1 ,u und 10.u. Sie kann z.B. aus N-dotiertem Silizium bestehen, das einen hohen Widerstand aufweist. Auf der Schicht 42 ist eine Isolationsschicht '44 angeordnet, die als Diffusionsmaske und zur Passivierung der Oberfläche der Halbleiterschicht dient. Diese Schicht kann entweder thermisch aufgewachsen sein oder durch herkömmliche Ablagerungstechniken erzeugt werden. Die Schicht 44 kann z.B. aus Siliziumoxid bestehen. In die Schicht 44 ist eine Kathodenöffnung 46 und eine Anodenöffnung 48 in den Bereichen eingeätzt, wo die Kathode und die Anode erzeugt werden sollen. In Fig. 3B ist auf der Schicht 44 eine als Dotierungsquelle dienende Schicht 50,
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z.B. eine Glasschicht aufgebracht, die sowohl Verunreinigungen vom P-Typ als auch vom N-Typ enthält. Diese Schicht 50 erstreckt sich über die Schicht 44 und durch die Ausnehmungen der Kathodenöffnung 46 und der Anodenöffnung 48. Die Schicht 50 kann z.B. durch ein Kathodenstrahlablagerungsverfahren erzeugt v/erden. Die Verunreinigungen vom P-Typ in der Schicht 50 sind so ausgewählt, daß sie eine hohe Durchdringung besitzen. Die Verunreinigungen vom N-Typ sind in einer höheren Konzentration vorhanden als die Verunreinigungen vom P-Typ. Zur Erzeugung der Verunreinigungen vom N-Typ kann Arsen und zur Erzeugung von Verunreinigungen vom P-Typ kann Bor verwendet werden.
Anschließend wird die Schicht 50 von der Isolationsschicht 44 entfernt mit Ausnahme der Bereiche für die Kathodenöfinung 46 und die Anodenöffnung 48, wie in Fig. 3C dargestellt ist. Nun wird eine zweite Dotierungsquelle in Form einer 'weiteren Schicht 52 z.B. aus Glas aufgebracht, die lediglich Verunreinigungen vom P-Typ aufweist. Wie aus Fig. 3C ersichtlich, erstreckt sich die Schicht 52 über die Schicht 44, die Kathodenöffnung 46 und die Anodenöffnung 48 und über Teile der Schicht 50 in der Kathodenöffnung 46. Auch in der Schicht 52 besitzen die Verunreinigungen vom P-Typ einen hohen Durchdringungsgrad. Sie können z.B. durch Borzusätze erzeugt werden.
i^lun kann der Diffusionsprozeß durchgeführt werden, in dem die Anordnung von Fig. 3C in einen Ofenjgebracht wird, so daß in herkömmlicher Weise die P- und N-Verunreinigungen in die Halbleiterschicht ,42 eindiffundieren können. Wenn der Diffusionsvorgang durchgeführt ist, weist die Halbleiterschicht 42 folgende Bereiche auf:
Einen P-dotierten Bereich 54, einen N-dotierten Bereich 56, einen P-dotierten Beriech 58 und einen einen N-dotierten Bereich 60 und einen P-dotierten Bereich 62. Der Bereich 60 ist identisch mit der Halbleiterschicht 42. Die Bereiche 54 und 58 weisen die gleiche leitfähigkeit auf und werden miteinander verbunden. Dies ist jedoch in Fig: 3C nicht dargestellt. Der P-dotierte Bereich
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58 und derN-dotierte Bereich 56 werden gleichzeitig gebildet, da sowohl Verunreinigungen vom P-Typ als auch vom N-Typ in der Kathodenöffnung 46 vorhanden sind. Dies ist möglich, da die P-Verunreinigungen ein wesentlich höheres Durchdringungsvermögen besitzen als die N-Verunreinigungen.
Der N-Bereich 56 besitzt eine höhere Konzentration von N-Verunreinigungen und weist daher einen niedrigeren Widerstand auf. Er wi'rd deshalb als Kathode verwendet. Der P-dotierte Bereich 58 besitzt die gleiche Dotierungskonzentration wie die Halbleiterschicht und weist deshalb auch den gleichen Widerstand auf wie diese. Er wird deshalb als Kathodenbasisbereich verwendet. In der gleichen Weise wird der Bereich 60, der in seiner Beschaffenheit identisch mit der Halbleiterschicht 42 ist, wie letztere einen hohen Widerstand aufweisen und als Anodenbasiszone verwendet werden. Der Bereich 62 besitzt eine hohe Konzentration von P-Verunreinigungen und besitzt deshalb einen niedrigen Widerstand. Er wird als Anode Verwendet. Als nächster Schritt bei der Herstellung des Halbleiterelements 12 ist die Erzeugung der Gateelektrode über den Bereich 58 vorgesehen. Dieser Schritt ist bei Fig. 3D gezeigt. Zur Erzeugung der Gateelektrode wird ein Teil der Isolationsschicht 44 mit einer geeigneten Tiefe freigelegt. Dies kann durch einen Ätzvorgang vorgenommen werden. Diese Vertiefung liegt über dem Bereich 58. Durch weitere thermische Vorgänge kann dann die endgültige öffnung 64 mit einer geeigneten Stärke erzeugt werden. Durch diese Technik ist eine genauere Herstellung möglich, jedoch wird ein zusätzlicher Schritt benötigt. Die Schicht 66 sollte 500 bis 2000 Angström dick- sein. Der letzte Herstellungsschritt ist in Fig. 3E dargestellt. Hier wird über der Anode, der Kathode und der Gateelektrode jeweils eine leitende Schicht aufgebracht. Diese Schicht kann z.B. aus Aluminium bestehen. Wie aus Fig. 3E ersichtlich, werden
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die Schichten 68, 70 und 72 in den Öffnungen 46, 64 und 48 erzeugt, so daß sie in Verbindung mit dem als Kathode dienenden Bereich 56 mit der Gateisolationsschicht 66 und mit dem als Anode dienenden Bereich 62 verbunden sind. Die Aluminiumschichten 68, 70 und 72 können mit anderen Punkten in einer integrierten Schaltung (nicht gezeigt) verbunden werden, um einen kompletten Schaltkreis zu bilden.
In den Fig. 4A bis 4E ist eine etwas abgewandelte Herstellungsmöglichkeit aufgezeigt, bei der die Herstellung des Halbleiterelementes 12 auf einem Epitaxial träger dargestellt ist. Ausgegangen wird von einem P-dotiertem Siliziumsubstrat 80, auf das ein SiIiziumepitaxialsubstrat 82 aufgewachsen wird, das einen hohen Widerstand aufweist und N-dotiert ist. Anschließend wird eine Isolationsschicht 83 in der gleichen Weise wie die Isolationsschicht 44 Fig. 3A auf der Schicht 82 aufgewachsen. Die Bereiche 84 und 86 werden in die Epitaxialschicht 82 durch Öffnungen 88 und 90 in der Isolationsschicht 83 in herkömmlicher Technik eindiffundiert, wie in Fig. 4A gezeigt ist. Anschließend werden gemäß Fig. 4B Öffnungen 92 und 94 in der Isolationsschicht 83 in den Bereichen erzeugt, in denen die Anode und die Kathode des Elementes entstehen sollen. Nun wird eine Dotierungsquelle mit P- und N-Verunreinigungen als Schicht 96 auf die Schicht 83 aufgebracht. In Fig. 4C wurde die erste als Dotierungsquelle dienende Schicht 96 wieder entfernt mit Ausnahme des in der öffnung 92 liegenden Bereiches. Eine zweite Dotierungsquelle wird anschließend in Form einer Schicht 98 aufgebracht, die die Verunreinigungen enthält. Dieser Vorgang erfolgt ebenfalls wie im Zusammenhang mit Fig. 3C beschrieben. An diesem Punkt erfolgt der Diffusionsvorgang. Bei diesem Verfahren muß der Diffusionsvorgang so gesteuert werden, daß die P- und N-Regionen, die in die Epitaxialschicht 82 eindiffundiert werden, nicht durch die Epitaxialschicht 82 hindurchgehen. Durch den Diffusions-
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Vorgang sind folgende Bereiche entstanden: N-Bereich 100,
P-Bereich 102 und P-Bereich 104. Diese drei Bereiche bilden zusammen mit einem Bereich der Epitaxialschicht 82 die vier Zonen der Halbleitervorrichtung 12.
In Fig. D wird die Gateelektrode über dem Bereich 102 erzeugt, in dem eine öffnung 106 in der gleichen Weise
wie im Zusammenhang mit Fig. 3D beschrieben wurde, gebildet wird. In Fig. 4E wird ebenfalls wie im Zusammenhang mit Fig. bereits beschrieben, die Erzeugung der Metallschichten 108, 110 und 112 in den vorangehend für den Diffusionsvorgang
und für die Gateelektrode erzeugten öffnungen dargestellt.
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Claims (1)

  1. 23196U
    Patentansprüche:
    ΊΓΓ) Verfahren zur Herstellung eines vier Zonen-Halbleiterelementes mit einer ersten, zweiten, dritten und vierten aufeinanderfolgend angeordneten Zone, wobei die erste und die dritte Zone sowie die zweite und die vierte Zone jeweils die gleiche Leitfähigkeit besitzen, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Halbleitersubstrat (42) mit einer ersten Leitfähigkeit eine als Maske dienende Schicht (44) aufgebracht wird, in der eine erste (46) und eine zweite 'Öffnung (48) erzeugt werden und daß in die erste 'Öffnung (46) eine als erste Dotierungsquelle dienende Schicht (50) gebracht wird und daß diese Schicht (50) Verunreinigungen vom ersten Leitfähigkeitstyp und vom zweiten Leitfähigkeitstyp besitzt, wouei die Verunreinigungen vom zweiten Leitfähigkeitstyp eine höhere Durchdringungsfähigkeit besitzen, daß in die zweite öffnung (48) eine als zweite Dotierungsquelle dienende Schicht (52) gebracht wird, die Verunreinigungen vom zweiten Leitfähigkeitstyp besitzt und daß in einem, Diffusionsvorgang diese Verunreinigungen in das Halbleitersubstrat (42) eindiffundieren, wobei die erste (56) und die vierte Zone (62) unterhalb der ersten (46) und zweiten öffnung (48) gebildet werden und die zweite Zone (58) durch einen Abschnitt des an die erste Zone (56) angrenzenden Halbleitersubstrats (.42) und die dritte Zone (60) durch einen zwischen der zweiten Zone (58) und vierten Zone (62) befindlichen Teil des Halbleitersubstrats (42) gebildet wird, der durch die Diffusion nicht beeinflußt wurde.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration der Verunreinigungen vom ersten Leitfähigkeitstyp in der als erste Dotierungsquelle dienenden
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    Schicht (50) größer als die Konzentration der Verunreinigungen vom zweiten Leitfähigkeitstyp sind.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zur Ablagerung einer als ersten Dotierungsquelle dienenden Schicht (50) in die erste öffnung (46) einen Schritt zur Ablagerung einer durchgehenden Schicht enthält, die in die erste (46) und zweite öffnung (48) der als Maske dienenden Schicht (44) aufgebracht wird und daß die Schicht (50) mit Ausnahme des in der ersten öffnung (46) liegenden Teils wieder entfernt wird.
    4o Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zur Ablagerung einer als zweite Dotierungsquelle dienenden Schicht (52) in die zweite öffnung (48) einen Schritt zum Ablagern einer durchgehenden Schicht enthält, die in der zweiten öffnung (48), auf der als Maske dienenden Schicht (44) und auf der als erste Dotierungsquelle dienenden Restschicht in der ersten öffnung (46) aufgebracht wird.
    5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, . dadurch gekennzeichnet, daß eine Gateelektrode (70) über der zweiten Zone (58) erzeugt wird, die sich von der ersten Zone (56) bis zur dritten Zone (60) erstreckt und daß die Gateelektrode (70) durch eine Isolationsschicht (66) von dem Halbleitersubstrat (42) getrennt ist und daß mit der ersten Zone (56) eine Kathode (68) und mit der vierten Zone (62) eine Anode (72) verbunden ist.
    6. . Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zur Erzeugung der Gateelektrode (70) einen Schritt zum Entfernen eines Teils der als Maske dienenden
    28.3.1973
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    Schicht (44) enthält, so daß die Stärke der Schicht an dieser Stelle (64) reduziert wird und daß auf diese Stelle die Gateelektrode (70) als leitende Schicht aufgebracht wird.
    7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (42) auf einer Schicht (40) aus einem Isolationsmaterial angeordnet ist und daß die Zonen (56, 58, 60, 62) durch die gesarate Stärke des Halbleitersubstrats (42) verlaufen (Fig. 3A 3E).
    8. Verfahren nach Anspruch 1 bis Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (82) aus einer epitaxial gewachsenen Schicht auf einem Substrat (80) aus Halbleitermaterial erzeugt wird, das eine zweite Leitfähigkeit aufweist und daß die vier Zonen sich nur teilweise durch das epitaxial aufgewachsene Substrat (82) erstrecken (Fig. 4A bis 4E).
    9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Leitfähigkeit eine N-Leitfähigkeit und die zweite Leitfähigkeit eine P-Leitfähigkeit ist und daß die Verunreinigungen der ersten Leitfähigkeit durch Arsenatome und die Verunreinigungen der zweiten Leitfähigkeit durch Boratome hervorgerufen werden.
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    Λ.
    Leerseite
DE19732319644 1972-04-20 1973-04-18 Verfahren zum herstellen eines vier zonen-halbleiterelements Pending DE2319644A1 (de)

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