DE2259267A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- YTCQFLFGFXZUSN-BAQGIRSFSA-N microline Chemical compound OC12OC3(C)COC2(O)C(C(/Cl)=C/C)=CC(=O)C21C3C2 YTCQFLFGFXZUSN-BAQGIRSFSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20480971A | 1971-12-06 | 1971-12-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2259267A1 true DE2259267A1 (de) | 1973-06-28 |
Family
ID=22759521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19722259267 Pending DE2259267A1 (de) | 1971-12-06 | 1972-12-04 | Halbleiteranordnung |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS555699B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
| CA (1) | CA984061A (enrdf_load_stackoverflow) |
| DE (1) | DE2259267A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
| FR (1) | FR2162657B1 (enrdf_load_stackoverflow) |
| GB (1) | GB1363815A (enrdf_load_stackoverflow) |
| NL (1) | NL7216472A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2655937A1 (de) * | 1975-12-31 | 1977-07-14 | Ibm | Verfahren zum planaren isolieren von leitungsmustern, durch chemischen niederschlag aus der dampfphase |
| DE2832740A1 (de) * | 1977-07-27 | 1979-02-01 | Fujitsu Ltd | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4960870A (enrdf_load_stackoverflow) * | 1972-10-16 | 1974-06-13 | ||
| FR2284981A1 (fr) * | 1974-09-10 | 1976-04-09 | Radiotechnique Compelec | Procede d'obtention d'un circuit integre semiconducteur |
-
1972
- 1972-11-06 GB GB5102172A patent/GB1363815A/en not_active Expired
- 1972-11-07 CA CA155,827A patent/CA984061A/en not_active Expired
- 1972-11-30 JP JP12027472A patent/JPS555699B2/ja not_active Expired
- 1972-12-04 DE DE19722259267 patent/DE2259267A1/de active Pending
- 1972-12-05 FR FR7243921A patent/FR2162657B1/fr not_active Expired
- 1972-12-05 NL NL7216472A patent/NL7216472A/xx unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2655937A1 (de) * | 1975-12-31 | 1977-07-14 | Ibm | Verfahren zum planaren isolieren von leitungsmustern, durch chemischen niederschlag aus der dampfphase |
| DE2832740A1 (de) * | 1977-07-27 | 1979-02-01 | Fujitsu Ltd | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1363815A (en) | 1974-08-21 |
| NL7216472A (enrdf_load_stackoverflow) | 1973-06-08 |
| FR2162657A1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1973-07-20 |
| JPS4866381A (enrdf_load_stackoverflow) | 1973-09-11 |
| FR2162657B1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1977-07-22 |
| CA984061A (en) | 1976-02-17 |
| JPS555699B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1980-02-08 |
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