DE2244254C2 - Verfahren zum Herstellen synthetischer Diamanten - Google Patents
Verfahren zum Herstellen synthetischer DiamantenInfo
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- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
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Description
Gruppen von Kohlenstoffatomen freigegeben werden. Man behält diese Bedingungen für eine gewisse
Zeitdauer bei, wo dann die Umwandlung der freigegebenen Kohlenstoffatome oder Kohlenstoffatomgruppen
zu Diamant erfolgt Anschließend hebt man den Druck auf und läßt die Temperatur im wesentlichen auf
Umgebungstemperatur absinken. Schließlich wird der Diamant aus dem Inhalt der Reaktionszone gewonnen.
Bei den genannter. Zusammensetzungen handelt es sich um die Hexahalobenzole der Formel Cs(HaI)6, die
Hexahaloäthane der Formel C2(HaI)6 und die Tetrahalochinone
der Formel CeO^Halji». In all diesen Formeln
steht »Hai« für ein Halogenatom. Im einzelnen haben sich die Chlorderivate dieser Verbindungen, d. h.
Hexachlorbenzol, Hexachloräthan und Tetrachlorchinon (Chloranil) als am besten geeignet erwiesen.
Wenn diese halogenisierten Verbindungen als Kohlenstoffquelle verwendet we/den, wird bei der Zersetzung
eine große Menge Halogengas erzeugt, und es können Explosionen auftreten. Um Explosionen zu
vermeiden, wird ein Fangstoff aus Alkali- oder Erdalkalimetall (z. B. Lithium) für das Halogengas
vorgesehen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und unter Zuhilfenahme der
einzigen Figur ausführlicher erläutert
In der Figur ist als Linie A eine Kurve der Berman-Simon-Linie gezeigt wobei der Druck in
Kilobar über der Temperatur in Grad Celsius aufgetragen ist Wie oben erwähnt ist es mit dem
erfindungsgemäßen Verfahren überraschenderweise möglich, Diamanten unter Temperatur- und Druckbedingungen
unterhalb der Berman-Simon-Linie herzustellen, beispielsweise bei den nachfolgend detaillierter
beschriebenen Bedingungen der Punkte 1 bis 4 in der Figur. Dort ist erkennbar, daß die angewandten
Bedingungen innerhalb eines großen Bereiches schwanken können, wobei allgemein jedoch die Temperaturen
unter 20000C und die Drücke unter 100 Kilobar liegen.
Durch die Kurve B in der Figur sind die Druck- und Temperaturbedingungen beim Stand der Technik
gezeigt
Nach einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung werden die Bedingungen unterhalb der Berman-Simon-Linie
stufenweise hergestellt, wie durch die Linie C gezeigt.
Nachfolgend werden Beispiele zur Erläuterung der Erfindung beschrieben.
Hexachlorbenzolpulver wurde zu Scheiben kompri miert und in einen Pyrophyllitbecher gebracht Der
Becher wurde mit einer Tantalfolie umwickelt und in eine Hochdruckkapsel in einer Belt-Vorrichtung der in
der US-PS 29 41 248 beschriebenen Art gebracht
Die Vorrichtung wurde in bekannter Weise so bedient, daß der Druck in der Reaktionszone rasch auf
ca. 50 Kilobar angehoben wurde. Danach wurde die Temperatur der Reaktionszone allmählich mit einer
Geschwindigkeit von ca. 200C bis 300C pro Minute auf
einen Wert von ca. 16000C angehoben (vgl. Punkt 1 in
der Figur). Die Bedingungen erhöhter Temperatur und erhöhten Drucks wurden ca. 15 bis 30 Minuten
beibehalten. Dann wurde der Druck aufgehoben, und man ließ den Inhalt der Kapsel bis auf Umgebungstemperatur
abkühlen.
Der Inhalt wurde aus der Kapsel entnommen, und unter Anwendung bekannter Gew'nnungstechniken
wurde aus dein Inhalt eine Anzahl kleiner Kristalle gewonnen, die mit Hilfe der Röntgenanalyse als
Diamant identifiziert wurden.
Beispiele 2bis4
Es wurde das gleiche Verfahren wie beim Beispiel 1 angewandt außer daß folgende Temperatur- und
Druckbedingungen angewandt wurden und ein stufenweiser Weg, wie ihn die Linie C in der Figur zeigt,
befolgt wurde, um die Reaktionszone auf die festgelegten Bedingungen zu bringen (vgl. Punkte 2 bis 4 in der
Figur 1).
Druck (Kilobar)
Temperatur (°C)
25
30
40
800
1000
1100
1000
1100
In jedem Fall wurden Diamantkristalle, die mit Hilfe
der Röntgenanalyse als solche identifiziert wurden, aus dem Inhalt der Reaktionskapsel gewonnen.
Hierzu I Blatt Zeichnungen
Claims (4)
- Patentansprüche:L Verfahren zum Herstellen synthetischer Diamanten, bei dem ein halogenierter Kohlenwasserstoff zersetzt und der erhaltene elementare Kohlenstoff in Diamant umgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der halogenierte Kohienwassersioif ein Hexahalöbenüoi, ein Hexahäioäthan oder Tetrahalochinon ist, und daß dieser in Gegenwart von Alkali oder Erdalkalimetall solchen unter der Berman-Simon-Linie liegenden Temperatur- und Druckbedingungen ausgesetzt wird, daß die Zersetzung des Kohlenwasserstoffes und die Umsetzung zum Diamant erfolgt
- 2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die unterhalb der Berman-Simon-Linie liegenden Temperatur- und Druckbedingungen durch stufen-veises Anheben der Temperatur und des Druckes eingestellt werde"
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß folgende Druck und Temperatur-Werte eingestellt werden:Druck (Kilobar)Temperatur (0C)25oder 30
oder 40800
1000
1100 - 4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur mit einer Geschwindigkeit von 200C bis 30° C pro Minute angehoben wird.Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen synthetischer Diamanten, bei dem ein halogenierter Kohlenwasserstoff zersetzt und der erhaltene elementare Kohlenstoff in Diamant umgesetzt wird.Ein derartiges Verfahren ist aus der DE-OS 19 06 719 bekanntgeworden. Dort wird eine kohlenstoffhaltige Zusammensetzung aus halogeniertem Kohlenstoff mit Lösungen von Alkali- oder Erdalkalimetallen auf elektrolytischem Wege zersetzt und der erhaltene elementare Kohlenstoff auf einem Substrat zu einem Diamanten gezüchtet. Das Substrat besitzt hierbei eine Struktur, die das richtungsorientierte Wachstum des Diamanten gestattet, wie z. B. Halogenkohlenstoffe mit einem Kohlenstoffskelett, kristallisierte Stoffe, die ein dem Diamanien isomorphes Gitter besitzen sowie auch Diamanten selbst, z. B. in Form einer polykristallinen Masse aus Diamantpulver. Für die elektrolytische Zersetzung der kohlenstoffhaltigen Zusammensetzungen wurde Wechselstrom bzw. impulsförmiger Gleichstrom verwendet Nachteilig an diesem Verfahren ist die Verwendung eines Substrates, auf dem die Diamanten gezüchtet werden und weiterhin die Tatsache, daß die Elektrodenspannung sehr schwierig aufrechterhaltenίο werden kann und es schwierig ist eine Polarisierung oder Vergiftung der Elektroden zu verhindern.Ein weiteres Verfahren zum Herstellen synthetischer Diamanten ist aus der DE-AS 11 45 151 bekannt Dort wird kohlenstoffhaltiges Material in Gegenwart eines bestimmten Metalles (ζ. B. Platin) Druck- und Temperaturbedingungen unterworfen, die oberhalb der Berman-Simon-Linie (vgl. »Zeitschrift für Elektrochemie«, 59, S. 333, 1955) liegen. Die Berman-Simon-Linie in einem Druck-Temperatur-Diagramm trennt nach herrschender Meinung ein diamantstabiles Gebiet von einem diamant-instabilen Gebiet Das diamantstabile Gebiet liegt dabei oberhalb der Berman-Simon-Linie, d. h. bei hohen Drücken und hohen Temperaturen. Bei der DE-AS 1145 151 wurden beispielsweise Drücke von über 88 Kilobar und Temperaturen von über 2050° C verwendet Bei der US-PS 29 47 609 wurden Drücke über 55 Kilobar und Temperaturen im Bereich von 1200° C bis 2500° C vorgeschlagen.Eine Vorrichtung .aim Ausführen der Diamantsynthese, mit der diese hohen Drücke und Temperaturen erreicht werden können, ist in der US-PS 29 41 248 beschrieben.Abweichend von der DE-AS 11 45 151, bei der die Diamantsysthese in Gegenwart eines bestimmten Metalls erfolgt, wird bei der US-PS 34 88 153 vorgeschlagen, das kohlenstoffhaltige Material in Abwesenheit der metallischen Lösungsmittel unter Anwendung äußerst hoher Drücke und Temperaturen von beispielsweise 120 Kilobar und 3500° C umzuwandeln.All diesen mit hohen Temperaturen und hohen Drücken arbeitenden Verfahren ist ,f^meinsam, daß die verwendeten Vorrichtungen sehr schweren technischen Bedingungen unterworfen sind, was ihre Lebensdauer verkürztAufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, das Verfahren der eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, daß eine Umwandlung von kohlenstoffhaltigem Material zu synthetischen Diamanten bei deutlich niedrigeren Temperaturen und Drücken möglich istso Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale gelöstGrundgedanke der Erfindung ist es somit unter Verwendung von Hexahalobenzol, Hexahaloäthan oder Tetrahalochinon mit Drücken und Temperaturen auszukommen, die unter der Berman-Simon-Linie liegen, wobei dieser Vorgang in Gegenwart von Alkali oder Erdalkalimetall durchgeführt wird.Die genannten kohlenstoffhaltigen Zusammensetzungen sind hierbei frei von kovalenten Kohlenstoff-Wasserstoff-Bindungen.Die Herstellung der synthetischen Diamanten erfolgt dann im wesentlichen mit folgenden Schritten: Man schafft eine Reaktionszone, bringt eine Zusammensetzung, wie sie oben beschrieben wurde, in dieseb5 Reaktionszone und setzt sie solchen unterhalb der Berman-Simon-Linie liegenden Temperatur- und Druckbedingungen aus, daß die Zersetzung der Zusammensetzung erfolgt und Kohlenstoffatome oder
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722244254 DE2244254C2 (de) | 1972-09-08 | 1972-09-08 | Verfahren zum Herstellen synthetischer Diamanten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722244254 DE2244254C2 (de) | 1972-09-08 | 1972-09-08 | Verfahren zum Herstellen synthetischer Diamanten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2244254A1 DE2244254A1 (de) | 1974-03-14 |
DE2244254C2 true DE2244254C2 (de) | 1982-09-23 |
Family
ID=5855855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722244254 Expired DE2244254C2 (de) | 1972-09-08 | 1972-09-08 | Verfahren zum Herstellen synthetischer Diamanten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2244254C2 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2721644C3 (de) * | 1977-05-13 | 1981-11-05 | Woermann, Eduard, Prof.Dr., 5100 Aachen | Verfahren zur Synthese von Diamanten |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1145151B (de) * | 1959-09-09 | 1963-03-14 | Gen Electric | Verfahren zur Synthese von Diamanten |
CH487799A (fr) * | 1968-02-08 | 1970-03-31 | Battelle Memorial Inst Interna | Procédé de fabrication de diamants synthétiques |
-
1972
- 1972-09-08 DE DE19722244254 patent/DE2244254C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2244254A1 (de) | 1974-03-14 |
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