DE2240301A1 - Verfahren zum herstellen von halbleitereinkristallstaeben mit zur stabmitte abfallendem spezifischen widerstand - Google Patents

Verfahren zum herstellen von halbleitereinkristallstaeben mit zur stabmitte abfallendem spezifischen widerstand

Info

Publication number
DE2240301A1
DE2240301A1 DE19722240301 DE2240301A DE2240301A1 DE 2240301 A1 DE2240301 A1 DE 2240301A1 DE 19722240301 DE19722240301 DE 19722240301 DE 2240301 A DE2240301 A DE 2240301A DE 2240301 A1 DE2240301 A1 DE 2240301A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rod
single crystal
semiconductor
crystal
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19722240301
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Wolfgang Dr Keller
Alfred Dipl Ing Dr Muehlbauer
Konrad Dipl Chem Dr Reuschel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE19722240301 priority Critical patent/DE2240301A1/de
Priority to NL7305059A priority patent/NL7305059A/xx
Priority to GB1847173A priority patent/GB1374056A/en
Priority to JP8668873A priority patent/JPS4947075A/ja
Priority to IT2766373A priority patent/IT993701B/it
Priority to FR7329665A priority patent/FR2196198B1/fr
Priority to BE134636A priority patent/BE803673A/xx
Publication of DE2240301A1 publication Critical patent/DE2240301A1/de
Priority to JP2218078U priority patent/JPS53118462U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
    • C30B13/30Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
DE19722240301 1972-08-16 1972-08-16 Verfahren zum herstellen von halbleitereinkristallstaeben mit zur stabmitte abfallendem spezifischen widerstand Pending DE2240301A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19722240301 DE2240301A1 (de) 1972-08-16 1972-08-16 Verfahren zum herstellen von halbleitereinkristallstaeben mit zur stabmitte abfallendem spezifischen widerstand
NL7305059A NL7305059A (enrdf_load_stackoverflow) 1972-08-16 1973-04-11
GB1847173A GB1374056A (en) 1972-08-16 1973-04-17 Production of monocrystalline semiconductor rods
JP8668873A JPS4947075A (enrdf_load_stackoverflow) 1972-08-16 1973-08-01
IT2766373A IT993701B (it) 1972-08-16 1973-08-08 Procedimento per fabbricare bac chette monocristalline di materiale semiconduttore con resistenza specifica decrescente verso la mezzeria della bacchetta
FR7329665A FR2196198B1 (enrdf_load_stackoverflow) 1972-08-16 1973-08-14
BE134636A BE803673A (fr) 1972-08-16 1973-08-16 Procede de fabrication de barreaux monocristallins semi-conducteurs avec une resistance specifique decroissant vers le milieu du barreau
JP2218078U JPS53118462U (enrdf_load_stackoverflow) 1972-08-16 1978-02-22

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19722240301 DE2240301A1 (de) 1972-08-16 1972-08-16 Verfahren zum herstellen von halbleitereinkristallstaeben mit zur stabmitte abfallendem spezifischen widerstand

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2240301A1 true DE2240301A1 (de) 1974-02-28

Family

ID=5853716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19722240301 Pending DE2240301A1 (de) 1972-08-16 1972-08-16 Verfahren zum herstellen von halbleitereinkristallstaeben mit zur stabmitte abfallendem spezifischen widerstand

Country Status (7)

Country Link
JP (2) JPS4947075A (enrdf_load_stackoverflow)
BE (1) BE803673A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE2240301A1 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR2196198B1 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1374056A (enrdf_load_stackoverflow)
IT (1) IT993701B (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL7305059A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3148988A1 (de) * 1980-12-15 1982-06-24 Hitachi Chemical Co., Ltd., Tokyo Verfahren zur waermebehandlung eines einkristalls aus wolframat

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56149971U (enrdf_load_stackoverflow) * 1980-04-10 1981-11-11
EP0059593B1 (en) * 1981-03-02 1988-01-13 Imperial Chemical Industries Plc Method of and apparatus for monitoring gaseous pollutants

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3148988A1 (de) * 1980-12-15 1982-06-24 Hitachi Chemical Co., Ltd., Tokyo Verfahren zur waermebehandlung eines einkristalls aus wolframat

Also Published As

Publication number Publication date
NL7305059A (enrdf_load_stackoverflow) 1974-02-19
IT993701B (it) 1975-09-30
FR2196198B1 (enrdf_load_stackoverflow) 1977-02-25
JPS4947075A (enrdf_load_stackoverflow) 1974-05-07
JPS53118462U (enrdf_load_stackoverflow) 1978-09-20
GB1374056A (en) 1974-11-13
BE803673A (fr) 1973-12-17
FR2196198A1 (enrdf_load_stackoverflow) 1974-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3905626B4 (de) Vorrichtung zur Züchtung von Siliziumkristallen
DE112011100596B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid-Einkristalls
DE102009005837B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumdünnstäben
DE2059713A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiter-Einkristallen nach der Czochralski-Methode
DE1034772B (de) Verfahren zum Ziehen von spannungsfreien Einkristallen fast konstanter Aktivatorkonzentration aus einer Halbleiterschmelze
DE112009003601B4 (de) Einkristall-Herstellungsanlage und Verfahren zur Herstellung elnes Einkristalls
DE3805118C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE102008034029A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen in Mehrtiegelanordnungen
DE3111657C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Magnetschichten auf Substraten mit Granatstruktur
DE2240301A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleitereinkristallstaeben mit zur stabmitte abfallendem spezifischen widerstand
DE19922736C2 (de) Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls
DE2234512C3 (de) Verfahren zum Herstellen von (Umorientierten Halbleitereinkristallstäben mit zur Stabmitte abtauendem spezifischem Widerstand
DE1257740B (de) Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen
DE2234515C3 (de) Verfahren zum Herstellen von (111)-orientierten Halbleitereinkristallstäben mit zur Stabmitte abfallendem spezifischem Widerstand
DE2754856B2 (de) Verfahren zur Verhinderung unerwünschter Abscheidungen beim Kristallziehen nach Czochralski in Schutzgasatmosphäre sowie Vorrichtung hierfür
DE2224685A1 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines stabfoermigen koerpers aus kristallinem material, insbesondere aus halbleitermaterial
DE2227750C3 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines stabförmigen Körpers aus kristallinem Material, insbesondere aus Halbleitermaterial
DE1719500A1 (de) Verfahren zur Zuechtung von Einkristallen
DD247235A1 (de) Vorrichtung zur herstellung versetzungsfreier halbleiterkristalle
DE1205949B (de) Verfahren zum Zuechten von Einkristallen aus der Schmelze durch Ziehen oder tiegelloses Zonenschmelzen
DE2110882A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Ziehen strukturell hochwertiger Einkristallstaebe aus der Schmelze eines Halbleitermaterials
DE2037375A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halb leiterknstalles durch tiegelfreies Zone schmelzen und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE2115650C3 (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Silicium
DE1805971C (de) Verfahren zum Verandern der kristal linen Struktur eines rohrförmigen Ausgangs knstalls insbesondere aus Halbleitermate rial, durch Zonenschmelzen
DE2128506A1 (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterstäben, insbesondere aus Silicium, welche frei von Kristallversetzungen, insbesondere in Form von Swirls, sind

Legal Events

Date Code Title Description
OHW Rejection