DE2236298C2

DE2236298C2 - Fotografisches Aufzeichnungsmaterial und dessen Verwendung

Info

Publication number: DE2236298C2
Application number: DE2236298A
Authority: DE
Inventors: Eiichi Tokio Inoue; Hiroshi Tokio Kokado; Hiraku Musashino Sakuma; Isamu Fuchu Shimizu
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1971-07-23
Filing date: 1972-07-24
Publication date: 1982-09-16
Also published as: DE2236298A1; US3907566A; GB1404828A

Description

Die Erfindung betrifft ein fotografisches Aufzeichnungsmaterial enthaltend In einer lichtempfindlichen Schicht

a) eine lichtempfindliche Verbindung aus einem Chalkogenglas, Oxid, Halogenid, Sulfid. Selenid, Arsenld oder Tellurld von Cu, Zn, Cd, Hg. Ga. In. TI. Pb. Sn. Sb. Bl oder Verbindungen dieser Elemente und

b) Ag. Cu oder einer Legierung dieser Metalle, sowie deren Verwendung

Wird ein fotografisches Aufzeichnungsmaterial, das aus einer Metallschicht und einer Chalkogenglasschlcht zusammengesetzt Ist. Licht ausgesetzt, diffundiert das Metall In den belichteten Teil der Chalkogenglasschlcht in molekularem Ausmaß unter Bildung einer Diffusionsschicht ein.

I.i der Diffusionsschicht wird eine Substanz, die von dem Metall und dem Chalkogenglas verschieden Ist. gebildet, und diese derart gebildete Substanz besitzt gegenüber der Metallschicht und der Chalkogenglasschlcht unterschiedliche chemische und physikalische Eigenschatten

An unterschiedlichen physikalischen Eigenschaften wird eine Verringerung der optischen Dichte, eine Erniedrigung des elektrischen Widerstandes, ein Anwachsen der Fololeltfählgkelt, eine Abhängigkeit der fotoelektrischen Motivation und des elektrischen Widerstandes von der Spannung (sogenanntes Abschattphänomen oder Gedächlnlsphänomen) und eine Änderung verschiedener anderer physikalischer Eigenschaften hervorgerufen.

Weiterhin werden an chemischen Veränderungen, Änderungen der Säureresistenz, der Elution mit Basen und der Kristallisation verursacht. Vom kommerziellen Standpunkt sind diese Veränderungen der physikalischen und chemischen Eigenschaften für fotografische Aufzeichnungsmateriallen verwertbar.

Bisher bestand ein derartiger Typ eines vorstehend beschriebenen fotografischen Aufzeichnungsmaterials normalerweise aus einer Chalkogenglasschlcht und einer

ίο Metalischicht. Dieser Schichtstoff wird Im allgemeinen durch Dampf-Abscheldung Im Vakuum erzeugt, wobei die Schichten dünn sind.

Dieser Schichistofftyp des fotografischen Aufzeichnungsmaterials wird durch Dampf-Abscheidung einer Chalkogenglasschicht auf einer Auflage und anschließend einer Metallschicht auf einer Chalkogenglasschicht oder umgekehrt hergestellt. Während des Dampfabscheideverfahrens wird in unterschiedlichem Ausmaß eine Diffusion des Metalls und des Chalkogenglases, d. h., eine Belichtung durch eine Strahlung von der Dampfquelle oder einer Strahlung, die durch den geschmolzenen Zustand des dampferzeugenden Materials selbst hervorgerufen wird, bewirkt.

Insbesondere wenn die Kombination von Metall und Chalkogenglas ein hochempfindliches fotografisches Aufzeichnungsmaterial ergeben kann. Ist eine derartige Belichtung während der Dampf-Abscheldung beträchtlich. Demnach kann ein hochempfindliches Material bei der Herstellung des fotografischen Aufzeichnungsmaterial) als vom Schichtstofftyp nicht verwendet werden.

Die Empfindlichkeit (Ausmaß gegenseitiger Diffusion) des fotogra'Nchen Aufzeichnungsmaterial ist von der Kombination von Chalkogenglas und Metall, nicht jedoch von jedem einzelnen, abhängig Beispielswelse erzeugt eine Kombination von As₂ Te₃ und Ag w.ihrend der Dampf-Abscheldung gegenseitige Diffusion wodurch die Empfindlichkeit des resultierenden fotografischen Aulzeichnungsmaterials verringert wird. Im Gegensatz dazu bewirkt eine Kombination von As₂ Te, und Mn während der Dampf-Abscheldung keine gegenseitige Diffusion, wodurch ein fotografisches Aufzeichnungsmaterial mit wünschenswerter Empfindlichkeit entsteht. Im allgemeinen besitzt eine Kombination eines Metalls und eines Chalkogenglases. das Se oder Te enthält, eine NeI-gung zur Erzeugung hoher Empfindlichkeit Darüber hinaus bewirkt ein Zusatz von Halogen oder Thallium oft eine Erhöhung der Empfindlichkeit.

I der Schmelzpunkt eines Metalls höher als 400" C", sollte die Temperatur der Dampfquelle gewöhnlich auf mehr als 500°C für das Dampf-Absc'.2lden erhöht werden und das Dampf-Abscheldeverfahren wird normaler ws'se während eines langen Zeitraumes In einem Zustand hoher thermischer Strahlung ausgeführt Demnach übersteigt JIe Strahlungsenergie, die Innerhalb des spektralen Fmpllndllchkeltsberekhes des fotografischen Auf/elihnungsmaterlals liegt. 10 erg/cm' Diese Strah lungsenergle von 10' erg/cm entspricht dem niedrigsten F.mpfindllchkeltsnlveau eines hochempfindlichen lote, grafischen Aufzeichnungsmaterial l'nter den fomgrall sehen Aul/elchnjngsmatcrKillen, die Im wesentlichen ai'S ξ!Π?Γ Metaljst hjcht und vlner (Jhä!kog;ng!äS5th!ch.i zusammengesetzt sind, beginnen die kommerziell wertvollen und weithin verwendeten fotografischen Aufzeichnungsmaterlallen normalerweise mit der Diffusion des Metalls, das heißt, Belichtung, bei einer Bestrahlung mit einer Strahlungsenergie von 10·' erg/cm². Im Gegensatz hierzu kann ein fotografisches Aufzeichnungsmaterial, das bei dieser Erterglehöhe nicht empfindlich Ist,

nicht In eine Klasse der hochempfindlichen fotografischen Aufzeichnungsmaterialien eingestuft werden.

Die herkömmlichen Schichtstofftypen können angesichts Ihrer Struktur keine flexiblen fotografischen Aufzeichnungsmaterlallen ergeben. Der konventionelle Schichtstofftyp eines fotografischen Aufzeichnungsmaterial erfordert eine Oberflächengleichförmigkeit und Dicke und eine extrem dünne Schichtstruktur, weshalb die Dampf-Abscheldungsbedlngungen streng und kompliziert sind und es schwierig Ist, eine große Anzahl derartiger fotografischer Aufzeichnungsmaterialien kommerziell und wirtschaftlich herzustellen.

In einem fotografischen Aufzeichnungsmaterial, das aufgrund der Diffusionswirkung eines Metalles und eines Chalkogenglases arbeitet, kann die Metallmenge im Vergleich mit der Chalkogenglasmenge eine katalytlsche Menge sein, es wird jedoch eine beträchtliche Metallmenge zur Erzeugung einer gleichförmigen Schicht in dem Schichtstofftyp dampfabgeschieden. Deshalb ist der Schichtstofftyp vom Standpunkt der Herstellungstechnik _>o und der Wirtschaft·* Jikeit her nicht befriedigend

Unter den mit einem Metal! fotochemisch reagierenden Substanzen, In die das Metall hineindiffundiert, sind kristalline Materlallen, die keinen Glasübergangspunkt wie Halogenide, Sulfide und Selenide von Cu, Pb, Ga und Zn, unterschiedlich zu Chaikogenglas, besitzen. Diese Metallverbindungen weisen ebenfalls die gleichen Nachtelle wie das Chaikogenglas auf.

Aus der DE-OS 15 97 606 Ist ein fotografisches Aufzeichnungsmaterial bekannt, das aus einer zum Beispiel aus Glas bestehenden Unterlage, einer auf der Unterlage angeordneten, dünne· Schicht mit einer Dicke von etwa 0.1 bis 10 μΓΡ auf einer oder mehreren sllberfrelen lichtempfindlichen Verbindungen oder Harnleitern wie PbJ, oder TIJ und einer In direktem Kontakt mit dieser Schicht befindlichen, über dieser angeoi^neten, dünnen Metallschicht aufgebaut Ist, wobei das Metall der Metallschicht aus Ag und Cu ausgewählt sein kann beispielsweise In einer Menge von 10 ⁷ g/cm² aufgetragen wird. Als weitere Beispiele für die lichtempfindlichen Verbindüngen werden Halogenide. Oxide, Selenide. Sulfide und Telluride von Pb. TI und den Metallen der Gruppe I und II des Perlodensystems sowie die Intermetallischen Verbindungen der Elemente der Gruppe III und V. vorzugsweise die Halogenide von Cu, Pb und TI, die Oxide des Cd. Cu und Ίη sowie GaAs. GaSb. CdTe. InSb und PbS genannt

Aus der DE-OS 15 97 644 Ist ein strahlen- b/w. lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial bekannt, das aus einer metallischen Schicht und einer Schicht aus einem w lichtempfindlichen Material aufgebaut Ist. wobei das Material der Deckschicht aus einem oder mehreren der Stoffe Halogen. Schwefel. Jod. Arsen. Selen. Tellur. Thallium. Metallhalogenld. Metallsulfid. Metalljodld. Metallarsenit! Metallselenld und Metalllellurld besteht is

Die beulen ius den Offenlegungsschrlften bekannten fotografischen Aut/elchnungsmaterlallen weisen I amlnatstruktur aiiT. was die bereits e^rläuterten Nachteile mit sich bring! UIc bekannten Aul/clthnungsmaterlalien sind tür \ IeIe Anwendungs/wccke noch nicht vnlKtändip &n befriedigend

Die Aufgabe der Erfindung besteht In der Bereltslelfürig eines fotografischen Aufzeichnungsfnäteflals rillt höherer Empfindlichkeit ürtd besserer Festigkeit und Haltbarkeit, wobei das Aufzeichnungsmaterial auf eine einfachere und wirtschaftlichere Welse hergestellt werden kann, als die bekannten Materlallen. Ferner Ist es Aufgabe der Erfindung, das fotografische Aufzeichnungsmaterial zur Herstellung eines Musters bereitzustellen.

Die Lösung der erflndungsgemülJen Aufgabe erfolgt gemäß den Patentansprüchen 1 und 6.

Die lichtempfindlichen Teilchen können durch Zufügung von Ag, Cu oder einer Legierung dieser Metalle zu einem Teilchen aus einer lichtempfindlichen Verbindung erzeugt werden. Die Teilchen aus der lichtempfindlichen Verbindung können durch herkömmliche Hersiellungsverfahren, beispielsweise durch Schmelzen eines EIementgemlsches in einem Ofen, nachfolgende Abkühlung und Vermahlung erzeugt werden. Als Zufügungs- bzw. Anhaftungsverfahren des Metalls auf die Oberfläche der lichtempfindlichen Verbindungsteilchen, können verschiedene physikalische oder chemische Wege eingeschL gen werden. Beispielsweise können die Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung mit einem Metall durch Dampf-Abscheidung Oberzogen werden. Die Abscheidung des Metalls aus flüssiger Phase ist jedoch weit mehr bevorzugt. Die Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung werden In einer Flüssigkeit suspendiert und Silberoder Kupferlon^n und sofern gewünscht, ein ReduRtions mittel, werden -ier Flüssigkeit zugefügt, um einen Metallfilm auf den Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung abzuscheiden.

Die Teilchenoberfläche der meisten lichtempfindlichen Verbindungen zeigt Reduktionswirkung, sofern die Teilchen frisch hergestellt slid. Deshalb werden sobald die zugefügten Ag- oder Cu-Ionen die Oberfläche der lichtempfindlichen Verbindung berühren, die Ionen sofort unter Abscheidung reduziert und überziehen die Oberfläche der lichtempfindlichen Verbindung. Darüber hinaus erleichtert in den meisten Fällen die Gegenwart eines anorganischen oder organischen Reduktionsmittels die glatte Reduktionsaoscheidung

Als Reduktionsmittel wird ein Reduktionsmittel mit milder Wirkung bevorzugt. Typische Reduktionsmittel milder Wirkung sind anorganische Reduktionsmittel, beispielsweise Eisen (ID-Salze \z. B Eisen (II) Sulfat). Sulfite, Hydrazine und Hydroxylamine J^rifi organische Reduktionsmittel, beispielsweise mehrere Hydroxylgruppen enthaltende Phenole. 1 B Hydrochinon und Pyrogallol. Amlnophencle wie 1-Methylamino-phenol und Ascorbinsäure

Beispiele der Erzeugung lichtempfindlicher Teilchen sind nachstehend gezeigt

Herstellungsbeispiel I

10 g AsjSrPulver wurden mit einer Kugelmühle mit 300 ml Wasser während 3 Stunden gemahlen Stickstoffgas wurde In die resultierende Emulsion unter Rührung mit einem wirksamen Rührer eingeleitet und 10 ml einer 5^ige" Lösung von Silbernitrat hierzu ?ugefugt und anschließend während 3 Stunden gerührt Nach Abtrennung durch Zentrifugleren wurden die Teilchen wiedeigewnnnen und anschließend ausreichend mit Wasser nachgewaschen

Die resultierenden lichtempfindlichen Telkhen ent hielten die folgende Silbermenge
Analysewert des Silbers 3.8 mg per 1,0 g As.S,

Hei'stellungsbelsplel 2

10 g As₂Sj-Pulver wurden mittels einer Kugelmühle In ähnlicher Welse wie bei Herstellung Beispiel I gemahlen. Der resultierenden Emulsion wurden unter Rührung 10 g Hydrochinon und wässriger Ammoniak zugefügt, bis der pH der Lösung 8,5 erreichte. 10 ml einer l%lgen Silber* nltfatlösung wurden tropfenweise eingegeben, wobei der

p!l bei ungefähr 8,5 bis 9,0 durch Zusatz von wiißrigem Ammoniak gehalten wurde. Nach erfolgter Zugabe der Silbernitrptlüsung wurde die Emulsion wflhrend 30 Minuten gerührt, mit einem Zenlrifugaltrenngeräl ausgefüllt, und die resultierenden Teilchen wurden mit Wasser gewaschen.

Die resultierenden lichtempfindlichen Teilchen enthielten die folgende Silbermenge:
Analysenwert des Silbers: 7.0 mg per 10 g As₃S₃

Verschiedene anorganische Verbindungen wurden nach den vorstehend erwähnten Verfahren behandelt, wobei die folgenden Ergebnisse erhalten wurden.

Nr der Probe	lichtempfindliche Verbindungen	Ag. mg/g der lichtempfindlichen Verbindungen
1	As₂₅ S₃₈	12.0
2	As₃₅ S₃₀SeI₀	5.0
3	As, s S;,ι Se₃₀	7.0
4	As., 5 Te_: 5	7.0
5	As₂, Be₂, Te₁₀	7.0
6	PbI,	20.C
7	PbS	12.0
8	CuI	28 0
9	CdCI₂	130

Hersteüungsbeisptel .'

10 g As₂Sj-PuIver wurden mit einer Kugelmühle gemahlen, in 300 ml Wasser verteilt und in eine Fehllngsehe Lösung eingetaucht Eine l%ige wäßrige Glukose-Lösung wurde zugefügt und gelegentlich umgeschüt'elt. Nach einer Stunde wurde der Niederschlag mit Wasser gewaschen und getrocknet. Die resultierenden lichtempfindlichen Teilchen enthielten die folgende Kupiermenge:
Kupferanalysewert: 15 mg per 1 g As₂S,

Die Bildung des Metallüberzuges auf den Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung wird im allgemeinen vor der Formung der lichtempfindlichen Schicht bewirkt. Alternativ werden die Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung in einem hydrophilen Bindemittelharz, beispielsweise Gelatine und Casein dlspei'giert und eine Metallionenlösung. die gemäß der Herstellung der Beispiele 1 bis 3 erhalten wurde, wurde der resultierenden Harzdtsperslonsflüsslgkelt zur Abscheidung des Metalles auf den Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung zugefügt. In diesem Fall kann die derart erhaltene llarzdisperslon direkt auf die Oberfläche einer Auflage zur Bildung einer lichtempfindlichen Schicht aufgebracht werden Ein weiteres Beispiel besteht darin, daß eine Schicht, die aus den In einem hydrophilen Bindemittelharz disperglerten Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung zusammengesetzt Ist. auf eine Auflage gebracht und mit einer Metallionenlösung gemäß der Herstellung der Beispiele I bis 3 getränkt wird, um das Menll den Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung anzuhaften In einem derartigen Fall wird die lichtempfindliche Schicht direkt nach dem Durchtränken gebildet Das hydrophile Blndemlttelharz erlaubt es dem Metalllon. hierin einzudringen.

Stellt die lichtempfindliche Verbindung ein Chalko* gengtas dar, kanri die lichtempfindliche Schicht durch andere Verfahren erzeugt werden. Das Chalkogenglas wird In einer Bascn*Lösung eines hydrophilen Blndemlttelharzes aufgelöst und anschließend wird der Basen· Lösung eine Säure zugefügt. Beim Fortschreilen der Neutralisation der Basen-Lösung mit der Säure scheidet sich das Chalkogenglas In Form von Teilchen ab, wobei die sich ergebenden Chalkogenglasteilchen in einem hydrophilen Blndemlttelharz disperglert werden Die ä resultierende Dispersion wird mit einer Metallionen enthaltenden Lösung gemäß den Beispielen 1 bis 3 zur Bildung lichtempfindlicher Teilchen behandelt, die In dem hydrophilen Blndemlttelharz dlspergiert sind.
In einem derartigen Verfahren wird, wie vorstehend,

ίο wenn die Behandlung mit der metalllonenhaltlgen Lösung auf einen hydrophilen Bindemittelharzfilm, der auf einer Auflage gebildet lsi und dlsperglertc Chalkogenglastellchen enthält, angewandt wird, eine lichtempfindliche Schicht direkt auf der Auflage erzeugt.

Gemäß einem weiteren Alternativ-Verfahren wird eine Vorstufe die zur Bildung von Chalkogenglas durch Reaktion mit einer spezifischen Verbindung fähig ist, in einem hydrophilen Blndemlttelharz aufgelöst und die spezifische Verbindung hierzu zur Abscheidung der Chalkcgenglasteilchen zugefügt, und anschließend mit einer r.ietallior.enhaltigen Lösung zur Abscheidung des Metalls auf der Oberfläche de Chalkügenglasteilchen behanue:t, wodurch iichtempfindsic^; 2 Teilchen entstehen

In diesem Fall wird, wenn das hydrophile Bindemlttelharz dlsperglerte Chalkogenglastellchen enthält, ein Film auf 'Iner Unterlage gebildet, dem eine Behandlung mit einer metalllonenhaltigen Lösung zur direkten Erzeugung einer lichtempfindlichen Schicht nachfolgt. Chalko-

jn genglastellchen können beispielsweise durch eine Reaktion von AsCIi mit Hp Gas oder Na₃S. was zur Bildung von As₂S₃ führt, ausgefällt werden. Die Form der lichtempfindlichen Schicht stellt normalerweise ein Blndemlttelharz dar, worin die lichtempfindlichen Teilchen

js disperglert werden

Eine weitere Form besteht darin, daß eine lichtempfindliche Schicht mit den lichtempfindlichen Teilchen allein gebildet wird. Beispielsweise werden die lichtempfindlichen Teilchen In einem bestimmten Fall zur BH-dung einer lichtempfindlichen Schlch. dlcS.¹. gepackt, oder die lichtempfindlichen Teilchen werden auf einer Auflage In geeigneter Dicke zur Bildung einer lichtempfindlichen Schicht angeordnet und anschließend wird eine Schutzschicht hierauf zur Fixierung der llchtempflndllchen Teilchen aufgebracht. Als Schutzfilm kann ein geeigneter Har/fllm verwendet werden. Der Harzschutzfilm kann durch Erzeugung eines Überzugsfilms mit einer Ilarziösung auf einer lichtempfindlichen Schicht gebildet werden

Gemäß einem weiteren Verfahren werden die lichtempfindlichen Teilchen auf einer Auflage, wie einem Inenmetall. ζ B Chrom, und Glas aufgestreut und zum Sc¹ nelzen erhitzt, wobei die lichtempfindlichen Teilchen aui der Auflage anhaften Dieses Verfahren ist Insbesond".e bei einem Chalkogenglas vorteilhaft, das Halogen eines niedrigen Schmei/punkies enthält In diesem fall kann eine selb-.tragende Form von IlL-h'empfindllchen Teilchen unter Verwendung eines Chalkogenglases und einer Auflage, auf der das Chalkogenglas kaum anhaftet, und durch Schmelzen der lichtempfindlichen Teilchen zu deren Bindung und nachfolgender Freisetzung der derart gebundenen lichtempfindlichen Teilchen von der Auflage, erzeugt werden.
Was die Funktion des fotografische« Aufzelchnungsmaterials der Erfindung betrifft, so genügt eine geringe Menge von Cu₁ Ag oder einer Legierung dieser Metalle, die auf die Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung aufgebracht Ist. Weiter kann das Verhältnis von Metall

zu Chalkogenglas wahlweise beim Schritt des Überziehens mit einem Meiallfllm eingestellt werden Normaler* weise lsi eine extrem kleine Metallmenge pro Einheit verglichen mit einem fotografischen Aufzeichnungsmaterial des Schichtstofftypus ausreichend. Es ist nicht % nötig, daß die Anhaftung des Metalls auf den Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung mikroskopisch gleichförmig Ist. weshalb kein aufwendiges Verfahren erforderlich lsi.

Da das fotografische Aufzeichnungsmaterial gemäß m der Erfindung eine Aggregation von lichtempfindlichen Einheiten darstellt, die aus lichtempfindlichen Teilchen zusammengesetzt sind. Ist die Lichtempfindlichkeit beträchtlich vergrößert. Verglichen rnlt dem Schichtstofftypus Ist das Oberflächengeblel der (Iren/fläche In einem π großen Ausmaß angewachsen und die Diffusion wird nach allen Richtungen bewirkt. Deshalb wird die Lichtempfindlichkeit am Stärksten vergrößert, wenn die llchtsfn^rtfindiich2 Schicht su¹? !!ch*?n>ⁿnnd!!^r^?ⁿ T?iifi'^ii?n allein besieht

Die lichtempfindlichen Verbindungen als Bestandteil der lichtempfindlichen Teilchen haben die Funktion Ag oder Cu In Ag' oder Cu' durch Fotooxidation überzuführen, wobei Ag' oder Cu" In die genannten Verbindungen hineindiffundiert Die lichtempfindliche Verbindung ist r> ein C hdlkogenglas Oxid. Halogenid. Sulfid. Selenld. Arsenld. Tellurld von Cu. Zn. Cd. Hg. Ga. in. Tl. Pb. Sn. Sb. Bi oder Verbindungen der vorstehend genannten Elemente

Ein Chalkogenglas stellt ein amorphes Material dar. das zumindest eines der Elemente der Schwefelgruppe (S. Se und Te) enthäh. wobei die repräsentativen Beispiele, die In der vorliegenden Verbindung Verwendung finden, binäre Chalkogengläser sind, wie beispielsweise das As-Se-System. Ge-S-System. S-Sl-System. Se-S-System. Se- « Te-System. Sb-Se-System, Sb-Te-System. Bl-Se-System. Bi-S-System. Ge-S-System. Bi-Te-System und dergleichen, ternäre Chalkogengläser wie beispielsweise As-S-Te-System. As-Se-Te-System. Sb-A'-S-System. As-S-Se-System. As-S-Ge-System. S-Se-Ge-System. As-Se-Ge-System und dergleichen und quarternäre Chalkogengläser wie beispielsweise As-S-Se-Te-System. As-S-Se-Ge-System und dergleichen.

Manchmal wird e«n Element wie ζ B ein Halogen. Germanium. Silizium, dem Chalkogenglas als Aktivator « zugefügt.

Weitere geeignete lichtempfindliche Verbindungen sind CuJ. PbJ₂. PbCl... CdCl₂. CuCI. SbJ,, PbS. CdS. AuS. PbSe. CdTe. GaAs. InAs. ZnO und InSb

Der Metallüberzug der lichtempfindlichen Teilchen 5n besteht aus Ag oder Cu oder Legierungen, die Ag und/oder Cu enthalten. Legierungen mit niedrigem Schmelzpunkt sind sehr gut verwendbar, beispielsweise Ag-Bi (BI mehr als 80%), Ag-Cd (Cd mehr als 95%),
Ag-Ga (Ga mehr als 55%), Ag-Hg (FIg 90 bis 95%), Ag-In fin mehr als 10%), Ag-Li (Li mehr als 9%).
Ag-Pb (Pb mehr als 98%), Ag-Te (Te 62 bis $6%),
Ag-Tl (TI mehr als 92%), Cu-Ga (Ga mehr als 87%).
Cu-Hg (Hg mehr als 95%), Cu-In On mehr als 95%),
Cu-Sn (Sn mehr als 93%), Cu-Te (Te 78 bis 86%,. &>

Die lichtempfindlichen Teilchen können in einem Bindemittelharz durch irgendeines der herkömmlichen Verfahren, beispielsweise mittels einer Kugelmühle, einem Hochgeschwindigkeitsmischer und dergleichen, dispergiert werden.

Die derartig erzeugte iicntempfhidHche Schicht kann ein selbsttragendes Aufzeichnungsmaterial durch Einsteilung der Dicke auf ein bestimmtes Dickenniveau oder ein fotografisches Aufzeichnungsmaterial bilden, das aus einer lichtempfindlichen Schicht, die auf einer Auflage aufliegt, gebildet wird.

Das fotografische Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung kann ohne Anwendung einer llochtemperaturhelzung erzeugt werden und deshalb kann wahlweise ein Ausgangsmaterial, das zur Bildung eines hochempfindlichen Materials fähig lsi, Verwendung finden, beispielsweise Chalkogengläser aus As-S-Se, As-S-Te, As-Se, As-Te und As-Se-Te-Systeme.

Darüber hinaus kann das fotografische Aufzeichnungsmaterial gemäß der 1 rflndung leicht bei niedrigen Kosten Im Vergleich zu dem Schichtstofftypus erzeugt werden, wodurch dessen Massenherstellung begünstigt ist. Es Ist gemäß vorliegender Erfindung nicht erforderlich, daß die gesamte Oberfläche der Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung mit dem Metall überzogen wird sondern selbst ein tellwelser Überzug des Metalls auf den Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung Kt ausreichend

Das gemäß der Erfindung verwendete Blndemltielhar/ kann hydrophil oder oleophll sein. Im Falle einer erforderlichen Hxlerungsbehandlung wird, wie später ausge führt, ein hydrophiles Blndemltielharz verwendet.

Als olenphlle Blndemlttelharze können Polystyrol. Polyvinylbutyral. Polyvinylacetat. Polyvinylchlorid. Polyvinylidenchlorid. Celluloseacetat, Nitrocellulose. Äthylcelluloj· und dergleichen verwendet werden. Als hydrophiles Bindemittelharz können Gelatine, Casein. Hydroxyäthylcellulose. Äthylcellulose. Polyvinylalkohol und dergleichen angeführt werden

Das Kompositionsverhältnis der lichtempfindlichen Teilchen »Ird in geeigneter Welse In Abhängigkeit von der Verwendung der zu erzeugenden Muster ausgewählt Im allgemeinen werden 0.01 bis 50 Gewichtstelle Msiall für 100 Gewichtstelle des lichtempfindlichen Teilchens vorzugsweise verwendet.

Die Teilchengröße der lichtempfindlichen Teilchen wird in Abhängigkeit von dem Auflösungsvermögen bzw der Abhildekraft. die bei der jeweiligen Verwendung des fotografischen Aufzeichnungsmaterials erforderlich 1st. gewählt Die Teilchengröße beträgt 0.01 bis 20 μην Die Dicke der lichtempfindlichen Schicht Ist nicht kritisch, bewegt sich jedoch vorteilhaft von 3 bis 50 pm Als für die Belichtung verwendete Strahlung können ultraviolette Strahlung, sichtbares Licht, nahe Infrarotstrahlung und weiter Korpuskularstrahlen, beispielsweise Elektronen- und Ionenstrahlen Verwendung finden.

Bei Dlspergierung der lichtempfindlichen Teilchen in einem Bindemittelharz werden 0.1 bis 300 Gewichtsteile der lichtempfindlichen Teilchen vorzugsweise für IC'· Teile eines Bindemittelharzes im Hinblick auf die lichtempfindlichkeit vorzugsweise verwendet.

Mit Hilfe des fotografischen Aufzeichnungsmaterials gemäß der Erfindung können Muster lediglich durch Musterbelichtung erzeugt werden. Das fotografische Aufzeichnungsmaterial ergibt an dem belichteten Teil eine Farbveränderung unter Bildung eines sichtbaren Bildes, weshalb es als Aufnahmemateriat verwendet werden kann Da der elektrische Widerstand an dem belichteten Teil abnimmt, kann das fotografische Aufzeichnungsmaterial zur Herstellung verschiedener Widerslandsmuster verwendet werden. Die Fotoleitiahigkeit wird an dem belichteten Teil erhöht, so daß das fotografische Aufzeichnungsmaterial zur Herstellung verschiedener Licht-JeitfähigkeitSTncoier Verwendung finden kann. Darüber hinaus variiert die Widerstands-Spannungsabhängigkeit (sogenanntes Abschaltphänomen oder Gedächtnisphäno-

men) In großem Ausmaß, wodurch das fotografische Aufzeichnungsmaterial In verschiedenartigen Aufzelchnungs- bzw. Gediichlrtlselemenlen verwendet werden kann. Der Gebrauch des fotografischen Aufzeichnungsmaterials als Gerät zur Bildung von Mustern Ist Insbesondere dann vorteilhaft, wenn das fotografische Aufzeichnungsmaterial nur aus lichtempfindlichen Teilchen '♦sstelit.

Jede der zuvor erwähnten verschiedenen Strukturen der lichtempfindlichen Schicht, kann Iri dem Verfahren der Bildung von Mustern lediglich durch Musterbellchtung verwendet werden.

Beispielsweise wird das Muster nach der Musterbellchlung einer physikalischen Behandlung zur Umwandlung des resultierenden Musters In ein Muster hohen Kontrastes ausgesetzt. An dem belichteten Teil der lichtempfindlichen Schicht nimmt das an einer Oberfläche der lichtempfindlichen Verbindung anhaftende Metall an der Diffusion teil und wird hierdurch verbraucht Im Gegensatz hierzu wirkt das «in unbelichteten Stellen zurückbleibende Metall bei physikalischer Entwicklung, bzw Behandlung als Entwicklungskern, auf dem Silber abgeschieden wird Als Ergebnis wird die optische Dichte In dem unbelichteten Teil erhöht und der Kontrast wird unter Bildung eines Positiv-Musters vergrößert Die Anwendung einer physikalischen Entwicklung nach der Musterbellchtung ergibt ein wirksameres Ergebnis, wenn die lichtempfindlichen Teilchen In dem hydrophilen Bindemlttelharz dlsperglert werden, da das Sllberlon In das hydrophile Blndemlttelharz unter Abscheidung selbst auf dem zurückbleibenden Metall, das In dessen Innerem Teil vorliegt, eindringt Enthält die lichtempfindliche Schicht die lichtempfindlichen Teilchen in einem oleophllen Bindemittelharz dlsperglert oder Ist die lichtempfindliche Schicht lediglich aus lichtempfindlichen Teilchen zusammengesetzt, ist die Wirksamkeil der physikalischen Entwicklung gering, da die Konzentration des belichteten Metalls auf der Oberfläche gering Ist.

Das durch physikalische Entwicklungsbehandlung gebildete Muster kann mit einer Basen-Behandlung fixiert werden. Wenn die lichtempfindlichen Teilchen als lichtempfindliche Verbindung Chalkogenglas, das In Base auflösbar Ist, entfallen, kann die lichtempfindliche Schicht mit einer alkalischen Lösung zur Auflösung und Entfernung der Chalkogenglastellchen an den unbelichteten Teilen behandelt werden. Das Metall (einschließlich beispielsweise bei physikalischer Entwicklung abgeschiedenes Ag), das auf dem Chalkogenglas haftet, verbleibt in der lichtempfindlichen Schicht und lediglich Chalkogenglas wird durch die Löcher zwischen den anhaftenden Metallteilchen herausgelöst. Im Gegensatz dazu enthalten die Chalkogenglastellchen an dem belichteten Teil die Metalltellchen (beispielsweise Ag und Cu), die hierin elndlfiundlert und schwer alkalilöslich sind. Deshalb ergibt Basenbehandlung ein Muster, das durch Auflösung und Entfernung der Chalkogenglasteilchen von dem unbelichteten Teil fixiert wird.

Die Umwandlung eines Musters, das durch Musterbelichtung erzeugt wurde, kann durch eine Säurebehandlung bewirkt werden. In diesem Fall unterscheiden sich die resultierenden Muster voneinander in Abhängigkeit von dem Typ der anorganischen Verbindung, die in dem hydrophilen Bindemittelharz disperglert Ist. Stellt die lichtempfindliche Verbindung ein Chalkogenglas dar, so löst und entfernt die Säurebehandlung nach der Muster-Benchtung das Metaii, das an den ncniernpnndiicheü Teilchen an dem unbelichteten Teil anhaftet unter Bildung eines fixierten Musters. In dem resultierenden Musler liegt das Metall nicht oder kaum an dem unbelichteten Teil vor, während an dem belichteten Teil Chalkogenglastellchen zurückbleiben, die hierin elndlffundlerles Metall enthalten. Deshalb stellt das resultle· ί fende Musler ein Negativ-Musler dar. Das resultierende Negativ-Muster kann einer Basenbehandlung zur Auflösung und selektive« Entfernung des unbelichteten Chal· kogcnglases mit dem Ziel angesetzt werden, den Kon· trasl zu erhöhen. Stellt jedoch die lichtempfindliche Ver>

in bindung eine der im Anspruch 1 aufgeführten MelallveN bindung dar, führt Säurebehandlung nach der Musterbe* Ikhtung /ur vorzugsweisen Auflösung unci Entfernung der Metallverblndungstellchen. die das hierin elndlffundiene Metall an dem belichteten Teil enthalten, welche

Ii In Säure besser löslich sind, wodurch ein Posltlv-Muster gebildet wird

Als Verfahren zur Umwandlung eines durch Musterbe llchtung erzeugten Musters, kann eine Basenbehandlung nach der Belichtung des Musters angewandt werden Die Basenbehandlung wird durchgeführt, soiern die anorganische Verbindung, die die lichtempfindlichen Teilchen bildet, basenlöslich ist Nach Anwendung einer I.lchtmusterprojektlon auf eine lichtempfindliche Schicht, die aus einem hydrophilen Blndemlttelharz. das llchlempflndll-

H ehe Teilchen dlspergtert enthält, zusammengesetzt Ist. wird das resultierende Muster mit einer Basenlösung zur Auflösung der Teilchen der lichtempfindlichen Verbindung an dem unbelichteten Teil behandelt, wobei das Metall unter Bildung eines fixierten Musters zurück-

jo bleibt. Nach erfolgter Basenbehandlung kann hiermit eine physikalische Entwicklung erfolgen, um das Muster welter umzuwandeln Als Ergebnis der physikalischen Entwicklung scheidet sich Ag auf dem zurückbleibenden Metall an dem unbelichteten Teil als Entwlckiungskern ab An dem belichteten Teil Ist das Metall in die lichtempfindliche Verbindung eindiffundiert, weshalb sich Ag nicht auf dem belichteten Teil abscheidet Als Ergebnis wird ein Posltlv-Muster mit vergrößertem Kontrast erhalten.

-to Ist die lichtempfindliche Schicht aus lichtempfindlichen Teilchen, die in einem Foto-Abdecklackhi¹ ζ als Blndemlttelharz dlsperglert sind, zusammengesetzt, kann ein Muster durch Ätzen und Entfernung des belichteten oder unbelichteten Teils mit einem Foto-Abdecklack-

•»5 Ätzmittel nach erfolgter Musterbellchtung erhalten werden. In diesem Fall formt nur der belichtete oder unbellchtete Teil Muster. Es hängt von dem verwendeten Typus des Foto-Abdecklacks ab, welches der belichteten oder unbelichteten Muster entfernt wird. Repräsentative Foto-Abdecklacke stellen Zimtsäure vlnylpolyphere. cyclislerte Kautschuke und Chinondiazidharze dar. Die Entfernung und Auflösung des Foto-Abdecklacks von dem unbelichteten Teil kann mit Trlchloräthylen, Methylenchlorid, einem chlorierten Kohlenwasserstofflösungsmittel und heißer konzentrierter Schwefelsäure durchgeführt werden. Wird ein Foto-Abdecklack als Bindemittelharz verwendet, kann ein sogenannter umgekehrter Foto-Abdecklack verwendet werden und der belichtete Teil der lichtempfindlichen Schicht wird entfernt und sofern erwünscht, kann die optische Dichte an dem unbelichteten Teil durch physikalische Behandlung vergrößert werden.

Das unter Verwendung des fotografischen Aufzeichnungsmaterials der Erfindung erhaltene Muster kann als Fotomaske, Widerstandsmuster, elektrisches Stromelenicnt und anders, ebenso wis als AufnahmsTnBsisr verwendet werden.
Üblicherweise wird zur Erzeugung eines Musters eine

ti

alkalische Lösung verwendet. Dieses sind wäßrige oder alkoholische Lösungen von Alkalimetallhydroxide!!, beispielsweise Lithium-, Natrium- und Kaliumhydroxide oder organische Basen, beispielsweise Piperidin. Der pll der alkalischer! Lösung Ist vorzugsweise nicht höher als 13.

Als saure Lösung zur Entfernung des Metalls kann ein Chrom-Säure-Gemlsch (K₂Cr₂O₇-H₂So₄), ein Kupfersul· fauGemlsch und Schwefelsäure (CuSo₄-H₂So₄), eine Elsen-(IIl)'nltrat-LÖsung und eine Lösung von Kalium* Elsen-(III)-cyanld und Kaliumbromid (anschließende Verwendung einer Natrlumihlosulfatlösung) für Ag und Cu und eine Elsen-Ulh-chlorld-Losung für Kupfer Verwendung finden.

Darüber hinaus kann das Metal! an dem unbelichteten Teil mit HjS oder H₂O, zur Umwandlung des Metalls In ein Sulfid oder Oxid zur Passivierung unter Fixierung des Musters umgewandelt werden. Die Behandlung mit einer Säure- oder Basenlösung kann wirksam durch das hydrophile Bindemittelharz hindurch ausgeführt werden

Die nachfolgenden Beispiele veranschaulichen die vorliegende Erfindung, ohne diese einzuschränken

Beispiel 1

10 g mit Silber überzogenes As,Si-Pulver. welches ■·> gemäß vorstehendem Herstellungsbelsplel I erzeugt wurde, wurde In 100 ml einer 5%lgen Gelatinelösung mittels einer Kugelmühle dlsperglert Die dlsperglerte Lösung wurde auf eine Glasplatte In einer Dicke von IO um (nach Trocknung) aufgetragen, zur Verfestigung «ι der Gelatine abgekühlt, und hiernach mit Luft bis zu 50° C getrocknet

Die vorstehend beschriebene Glasplatte wurde mit einem Negativorlglnal In nahen Kontakt gebracht und einem Hochdruck-Quecksllberllcht (500 W) während ;> 5 Minuten In einer Entfernung von 30 cm ausgesetzt. Die optische Dichte betrug an dem belichteten Teil 0.12 und an dem unbelichteten Teil 2,3. Das Silber des unbelichteten Teiles der Platte wurde durch Eintauchen in eine 20%lge Elsen-dlD-nltrat-Lösung während 30 Sekunden u> entfernt und anschließend mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei ein dunkelbraunes Bild auf dem belichteten Teil erzeugt wurtfe. D_mM betrug 1,2 und die Dichte des Hintergrundes betrug 0.7 (gemessen unter Verwendung eines Gelbfilters).

Das Chalkogenpulver des unbelichteten Teiles wurde aufgelöst und durch Eintauchen in eine 3%lge wäßrige Natriumhydroxidlösung während 3 Minuten, nachfolgendes Waschen und Trocknen entfernt, wobei als Ergebnis die Dichte des Hintergrundes auf 0,10 reduziert wurde. D_ro„ jedoch kaum betroffen war.

Beispiel 2

1 g mit Silber überzogenes As₂S₁-PuIVeF, das gemäß dem Herstellungsbeispiel 1 erzeugt war, wurde In 30 ml einer 3%lgen Toluol-Polystyrol-Lösung dlsperglert und auf eine Aluminiumfolie in einer Dicke von ca. 10 μτη (nach Trocknung) aufgetragen. Die resultierende fotografische Platte wurde unter den gleichen Bedingungen wie In Beispiel 1 belichtet, wobei als Ergebnis der elektrische &⁰ Widerstand des belichteten Teils bemerkenswert verringert und ein Widerstandsmuster gebildet wurde. Diese Platte kann als elektrostatische Druckplatte Verwendung finden.

In diesem Beispiel wurde CdS-Pulver In einer dem ^6Ϊ Hersteiiuiigsbeispisi i ähnlichen Weise, unter Erzeugung von mit Silber (15 mg Ag per 1 g CdS) überzogenen Cadmiumsulfidpulvers behandelt

Das resultierende CdS-Pulver (1 g) wurde In einer 3%igen Polystyrol-' Osung in Toluol disperglerl und auf eine Aluminiumfolie in einer Dicke von etwa 10 μηι aufgeschichtet. Die resultierende fotografische Platte wurde unter den gleichen Bedingungen wie In vorstehendem Beispiel 1 unter Bildung eines sichtbaren Bildes niedriger optischer Dichte an dem belichteten Teil belichtet.

Beispiel 3

As, S und J wurden In einem Verhältnis von 2:3: 0,1 (Alomverhältnls) vermischt und In einem Quarzrohr bei 300^r C verschmolzen Nach erfolgter Abkühlung wurde die resultierende lichtempfindliche Verbindung mit einer Kugelmühle gemahlen, auf eine Glasplatte aufgestreut (10 g/100 cm > und In einem elektrischen Ofen bei 150" C ertiit/i [Ine lichtempfindliche Schicht mit rauher Oberflici „■ wurde auf einer Glasplatte gebildet Die Platte wurde ir einer wäßrigen, animnniak.illschen Silbernitrnt-Losung im Dunkeln während 3 Stunden getränkt, mit Wasser gewaschen und zur Bildung einer fotografischen Platte getrocknet Bei Glukosezusati' zu der wäßrigen amnnnlaKalisthen Sllberniiratlösung wurde die C'halkogenschlcht In etwa 10 Minuten In eine lichtempfindliche Schicht umgewandelt Durch Belichtung der resultierenden fotografischen Platte mit einer Lichtstrahlung In ähnlicher Welse wie in Beispiel I, wurde ein braunes B'ld erhalten. Nach Tränkung der derart belichteten, lichtempfindlichen Platte In einer ?%igen Eisen-(III)-nitrat-Lösung für 3 Minuten, wurde der Hintergrund durch Licht nicht mehr verändert.

Beispiel Ί

Verschiedene Chalkogenglaspulver. die nach dem Verfahren des Beispieles 1 mit Silber überzogen waren, wurden in Gelatine disperglert und auf eine Glasplatte zur Bildung fotografischer Platten aufgeschichtet. Die zum Erhalt eines Dichteunterschiedes von 0,10 zwischen dem Bild und dem Hintergrund erforderliche Belichtungszeit wurde bei einer Belichtung mit einer 500-W-Xenonlampe in einer Entfernung von 30 cm gemessen. Das Ergebnis ist In nachstehender Tabelle wiedergegeben. Die Empfindlichkeit wurde durch einen Kehrwert der Leuchteten Zeit wiedergegeben.

Probe Nr. nach Herstellungs	Empfindlichkeit
belsplel 2
1	110
2	300
3	800
4	2000
5	1500
Kontrolle	100

Die Kontrolle stellt eine fotografische Platte, die durch aufeinanderfolgende Beschichtung von As₃S₃ in einer Dicke von 2,0 μΐη und Silber in einer Dicke von 30 nm auf eine Glasplatte erzeugt wurde, dar, deren Empfindlichkeit als 100 angenommen wurde.

Beispiel 5

In 100 ml einer 5«igen wäßrigen Gelatinelösung wurden 0,10 g Arsentrisulfid disperglert und eine 4«ige wäßrige NaOH-Lösung wurde zu obiger Lösung unter Rührung bei 40" C zugefügt, bis das Arsentrisulfid vollständig aufgelöst war. Die Temperatur wurde sodann auf 35° C abgesenkt, und 4%ige Essigsäure allmählich zugegeben, bis der pH der vorstehenden Lösung 4,5 zur Bildung einer kolloidalen Lösung von Arsentrisulfid

erreichte. Sodann wurden 0 5g Ascorbinsäure unter Rührung und 10 ml einer .Wigen wäßrigen AgNO,-Lösung '.ugefügt. Nach erfolgtem elnslündlgem Rühren wurde die vorstehende Lösung gekühlt, geliert, geschnitten und mit Wasser gewaschen Das resultierende Gel wurde durch Erwärmen aufgelöst, auf eine Glasplatte mit einer Gelatlneunterschlcht aufgeschichtet, zur Verfestigung gekühlt und mit heißer Luft getrocknet. Die vorstehend behandelte Glasplatte wurde einer Xenonlampe durch ein Original ausgesetzt und einer physikalischen Entwicklung unter Verwendung der folgenden Lösung A und Lösung B ausgesetzt. Die Zusammensetzungen der Lösung A und B sind nachstehend wiedergegeben.

Zusammensetzung der Lösung A
Metall 8,3 g
Zitronensäure 8,3 g
Essigsäure 4,2 g
Gelatine 0,9 g
wasser Q.S. bis i Liier

Zusammensetzung der Lösung B
Silbernitrat 30 g
Wasser Q.S. bis 45 ml

In diesem Beispiel wurden 50 ml der Lösung A und I ml der Lösung B kurz vor der Verwendung vermischt. Nach der physikalischen Entwicklung wurde die f latte mit einer 4%lgen NaOH-Lösung während 3 Minuten behandelt (fixiert), mit Wasser gewaschen und getrocknet Als Ergebnis wurde ein positives schwarzes Muster ·. ml! D_n,.,, 1,7 und D_m,_n0,ll erhallen.

Beispiel 6

Zu 100 ml einer 8%lgen wäßrigen Lösung eine* wasserlöslichen Acrylharzes wurden 2 ml einer 5%igen wäßrl-

ic gen Lösung von Bleljodld und anschließend 25 ml iso propylalkohol unter Rühren zugefügt. Der derart erhaltenen hellgelben trüben Lösung wurden 1 ml einer l%lgen wäßrigen Silbernitratlösung und eine Lösung von Hydrochinon (0,1 g) in 10 ml Wasser zugefügt und während

ι > 2 Stunden gerührt. Die Temperatur der Lösung wurde bet 35" C und der pH bei etwa 8,0 durch Zugabe wäßrigen Ammoniaks gehalten. Die Lösung wurde auf einen hydrophilen Polyesterfilm zur Bildung eines dünnen 5 jim dicken (nach Trocknung) Filmes aufgetragen und

jo bei einer Temperatur bis zu 7(r C geirocknei. Der resultierende Film wurde einer Xenonlampe ausgesetzt und mit einer physikalischen Entwicklungslösung (wie sie in Beispiel 5 verwendet wurde) behandelt und mit Wasser gewaschen, wobei ein hellgelber Hintergrund und ein

r> schwarzes Positivbild erzeugt wurden. D„_a, betrug 2,0 D_mln betrug 0,30.

Claims

Patentansprüche:

1. Fotografisches Aufzeichnungsmaterial enthaltend In einer lichtempfindlichen Schicht

a) eine lichtempfindliche Verbindung aus einem Chalkogenglas, Oxid, Halogenid, Sulfid, Selenid, Arsenld oder Teilurid von Cu, Zn, Cd, Hg, Ga, In, Tl, Pb, Sn, Sb, Bi oder Verbindungen dieser Elemente und

b) Ag, Cu oder einer Legierung dieser Metalle,
dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche Verbindung in Teilchen der Größe 0,01 bis 20 μΐη vorliegt und das Ag, Cu oder die Metallegierung an der Oberfläche der Teilchen haftet.

2. Fotografisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtempfindliche Teilen 0,01 bis 50 Gewichtsteile Ag, Cu oder der Legierung dieser Metalle auf 100 Gewichtsteile der lichtempfindlichen Verbindung enthält.

3. Fotografisches Aufzeichnungsmaterial nach Ansprach !, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche Verbindung CuJ, PbJ,, CdCI₂, CuCl, SbJ₁, PbS, Cd-S, ZnS, PbSe, CdTe, GaAs, InAs, ZnO und InSb ist.

4. Fotografisches Aufzeichnungsmaterial nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindlichen Teilchen gleichförmig In einem Bindemittelharz dlsperglert sind

: Fotografisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Bindemittelharz ein hydrophiles Bindemlttelhar? Ist.

6. Verwendung eines fotografischen Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1 zur Herstellung eines Musters.