DE2230969B2 - Photoresistmaterial - Google Patents
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Description
dadurch gekennzeichnet, daß das Photoresistmaterial als lichthärtbare polymere
Verbindung mindestens ein Cyclisierungsprodukt eines Butadien-Polymerisats oder eines Butadien-Copolymerisates
enthält.
2. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch ao gekennzeichnet, daß es im wesentlichen aus dem
Cych'sierungsprodukt von 1,4-cis-Polybutadien mit
einem Cyclisieningsgrad von 60 bis 75% und einer in Toluol bei 30° C bestimmten Grenzviskosität
von 0,3 bis 0,8, in organischen Lösungsmitteln as
löslichem lichtempfindlichem Vernetzungsmittel und organischem Lösungsmittel besteht
3. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Butadien-Polymerisat
mindestens eines aus der Gruppe des Polybutadiene ist, dessen Mikrostruktur hauptsächlich
aus 1,4-cis-Struktur, 1,4-trans-Struktur, 1,2-Struktur oder Gemischen derselben besteht.
4. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Butadien-Polymerisat
1,4-cis-Polybutadien ist.
5. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Butadien-Copolymerisat
mindestens eines der Copolymerisate aus Butadien und ungesättigten Monomere λ ist, die aus der
Gruppe der vinylaromatischen Verbindungen, Vinyl-cyanid-Verbindungen und äthylenisch ungesättigten
Carbonsäureestern ausgewählt sind.
6. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Grenzviskosität des Cyclisierungsproduktes
von 1,4-cis-Polybutadien zwischen 0,5 und 0,8 liegt.
7. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Cyclisierungsprodukt von
1,4-cis-Polybutadien, das lichtempfindliche Vernetzungsmittel und aas organische Lösungsmittel
in einem Gewichtsverhältnis von entsprechend 5 bis 20 : 0,1 bis 100 gemischt werden.
8. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Cyclisierungsprodukt eine
direkt durch Cyelisierungspolymerisation von Butadien erhaltene Substanz ist.
9. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Photosensibilisator mindestens
ein aus der Gruppe der aromatischen Carbonyl-Verbindungen, wie Benzophenon, Anthrachinon;
1,2-Naphthochinon, 1,4-Naphthochinon, /3-Methyl-anthrachinon, Benzanthron, Violanthron,
9-Anthraldehyd, Benzil, p,p'-Tetramethyldiamino-benzophenon und Chloranil; der aromatischen
Kohlenwasserstoffe, wie Anthracen und Chrysen; der Nitro-Verbindungen, wie Nitrobenzol,
p-Dinitro-benzol, /9-Nitro-naphthalin,
p-Nitro-diphenyl, 2-Nitro-fluoren und 5-Nitroacenaphten;
der Stickstoff-Verbindungen, wie Nitroanilin, 2-Chlor-4-nitro-anilin, 2,6-Dichlor4-nitroanilin
5-Nitro-2-amino-toluol und Tetracyanoäthylen; und der Schwefelverbindungen ausgewählter'
Photosensibilisator ist.
10. Photoresistnmterial nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das lichtempfindliche Vernetzungsmittel mindestens eines der -»s der
Gruppe
4,4'-Diazido-stilben,
p-Phenylen-bisazid,
4,4'-Diazido-benzophenon,
4,4'-Diazido-diphenylmethan,
4,4'-Diazido-calcan,
2,6-Di-(4'-azidobenzal)-cyclohexanon,
2,6-Di-(4'-azidobenzal)-4-methyl-cyclohexanon,
4,4'-Diazido-diphenyl,
4,4'-Diazido-3,3'-dimethyl-diphenyl und
2,7-Diazido-fluoren,
4,4'-Diazido-3,3'-dimethyl-diphenyl und
2,7-Diazido-fluoren,
ausgewähltes Mittel ist.
11. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Lösungsmittel
mindestens eines der aus der Gruppe der aromatischen Kohlenwasserstoffe und halogenierten
Kohlenwasserstoffe ausgewähltes Lösungsmittel ist.
12. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Lösungsmittel
Toluol, Xylol, Äthylbenzol, Trichloräthylen, Perchloräthylen, Tetrachlorkohlenstoff, Tetrachloräthan,
Chlorbenzol oder Dichlorbenzol ist.
Die Erfindung betrifft Photoresistmaterial, bestehend aus
a) einem Cyclisierungsprodukt eines Dien-Polymerisats
oder Dien-Copolymerisats als lichthärtbare polymere Verbindung,
b) einem Photosensibilisator oder einem lichtempfindlichen
Vernetzungsmittel und
c) einem organischen Lösungsmittel.
Es ist bekannt, daß die lichtempfindlichen Massen, welche in der Halbleiterindustrie, insbesondere bei der
Herstellung von Transistoren, integrierten Schaltungen und Integrationen in großem Maßstab, verwendet
werden, durch eine Anzahl von Verfahrensschritten
nfen müssen, ζ. B. der Auftragung von lichtempfind-7J
Ätzgrund, dem Vorhärten, der Belichtung mit V oder Elektronenstrahlen, der Entwicklung, dem
chhärten, dem Ätzen und der Entfernung des lichtnofindlichen
Ätzgrundes. Deshalb wird für die licht- 5 nofindlichen Massen, welche einer solchen Anzahl
η Verfahrensschritten unterwoifen werden müssen,
'fordert, daß sie strengen Anforderungen genügen. um Beispiel müssen sie
1 eine hohe Auflösungs- und Filmbildungs-, neben
leichter Auftragungsfähigkeit besitzen,
2 eine hohe Lichtempfindlichkeit,
3 ausreichende Ätzfestigkeit zeigen, u;.i auf dem
Träger ein klargeschnittenes Bild zu bilden, und
4 eine gute Haftung auf dem Träger haben.
IO
Die als die hochwertigsten lichtempfindlichen Massen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
bekannten Massen bestehen aus »cyclisieitem Kautschuk« oder einem Cyclisierungsprodukt des Polyiso- 25
prens als Grundpolymerisat und einem lichtempfindlichen Vernetzungsmittel, einem Photosensibilisator
und organischen Lösungsmitteln. Bei Verwendung dieser lichtempfindlichen Massen sind jedoch die
Haftung auf einigen Trägern und die Ätzqualität nicht immer zufriedenstellend, und die Ausbeute ist folglich
herabgesetzt. Darüber hinaus ist bei Verwendung mit dem Projektionsdruckverfahren die Lichtempfindlichkeit
nicht ausreichend.
Ein solches Photoresistmaterial ist z. B. aus der britischen Patentschrift 1 182 616 bekannt. Es enthält
einen transparenten oder durchscheinenden Träger, der mit einer Metallschicht und einer Photoresistschicht
beschichtet ist.
Derartige Photoresistmaterialien enthalten natürliehen,
oxidierten, cyclisierten, synthetischen oder cyclisierten synthetischen Kautschuk als Bindemittel
für die Photoresistschicht und cyclische Azide als Sensibilisatoren.
Aus dem Handbuch von Houben—We yl,
»Methoden der organischen Chemie« (Bd. X1V/2, S. 773), sind darüber hinaus Gemische bekannt, die
als wesentlicher Bestandteil ein Cyclisierungsprodukt eines Butadien-Polymerisats oder -Copolymerisats
und ein organisches Lösungsmittel enthalten.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Photoresistmaterial
zu schaffen, das gegenüber den bekannten Photoresistmaterialien eine erhöhte Lichtempfindlichkeit
aufweist.
Der Gegenstand der Erfindung geht aus von lichtempfindlichen Massen der losungsmittelentwickelten
Type und ist dadurch gekennzeichnet, daß das Photoresistmaterial als lichthärtbare polymere Verbindung
mindestens ein Cyclisierungsprodukt eines Butadien-Polymerisats oder eines Biitadien-Copolymerisats
enthält.
Durch die Erfindung werden Photoresistmaterialien erreicht, die mehr als lOmal so lichtempfindlich sind
wie die bekannten cyclisierten Kautschuk enthaltenden lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterialien.
Die lichtempfindliche Masse erweist sich, wenn sie bei Photoätzverfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
verwendet wird, nicht nur als ausgezeichnet hinsichtlich der Filmbildungsfähigkeit und
Haftung auf dem Träger, sondern ist auch in der Lichtempfindlichkeit und Ätzfestigkeit überlegen. Der
erhaltene Film löst sich nicht ab, wenn man ihn in Ätzlösungen taucht. Folglich wird ein scharfes Bild
mit geringer Seitenätzung erhalten. Unter anderen Vorteilen besteht die Möglichkeit, die Masse in einem
Maskenausrichtungsgerät (bekannte »mask alignment apparatus«) zu verwenden, für welches lichtempfindliche
Massen nicht ohne Schwierigkeit verwendet
werden können.
Darüber hinaus weist die Masse der Erfindung eine gute Haftung am Silicium-Plättchen, hohe Festigkeit
gegenüber Fluorwasserstoffsäure und hohe Lichtempfindlichkeit auf. so daß sie ein klar geschnittenes
Muster liefert und zur Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet wenden kann.
Die bei der praktischen Ausführung dieser Erfindung verwendeten lichtempfindlichen Polymerisate
sind die Cyclisierungsprodukte, welche durch Cyclisierung von Butadien-Polymerisaten und -Copolymerisaten
erhalten werden. Es existiert keine spezielle Beschränkung hinsichtlich der Mikrostruktur der
Butadien-Polymerisate, die zu verwenden sind.Namentlich Polybutadien oder Butadien-Copolymerisate,
deren Mikrostrukturen in den Butadien-Einheiten hauptsächlich aus 1,4-cis-, 1,4-trans- oder 1,2-Strukturen
oder Gemischen derselben bestehen, können erfindungsgemäß verwendet werden.
Für die zu verwendenden cyclisierten Butadiencopolymerisate können Copolymerisate von ungesättigten
Monomeren, z. B. vinylaromatischen Verbindungen, wie Styrol und a-Methyl-styrol, Vinylcyanid-Verbindungen,
wie Acrylnitril, oder äthylenisch ungesättigte Carbonsäureester, wie Acrylate und
Methacrylate, mit Butadien verwendet werden. Selbst die Substanzen, welche aus Butadien-Monomeren
direkt durch Cyclisierungspolymerisation ei halten werden, also nicht auf dem Wege über ein Butadien-Polymerisat,
können innerhalb des Erfindungszieles liegen, vorausgesetzt, daß solche Substanzen nicht
wesentlich verschieden von denCyclisierungsprodukten der Butadien-Polymerisate sind. Wenn auch keine
spezifische Grenze bezüglich des Cyclisierungsgrades gesetzt ist, sind jene Cyclisierungsprodukte der Butadien-Polymerisate
oder -Copolymerisate bis zu einem Bereich cyclisiert, der vorzugsweise zwischen etwa
5 und 95% liegt; und noch bevorzugter zwischen etwa 10 und 90%. Die erfindungsgemäß enthaltenen Cyclisierungsprodukte,
welche in organischen Lösungsmitteln löslich sind, sind derart lichtempfindlich, daß
sie schnell der stattfindenden Vernetzung unterliegen, selbst bei Einwirkung von Licht in einem Raum; die
erhaltenen Produkte werden nachfolgend in Substanzen übergeführt, die wenig oder nicht in organischen
Lösungsmitteln löslich sind.
Die erfindungsgemäß erhaltenen Photosensibilisatoren sind in organischen Lösungsmitteln lösliche
Verbindungen, namentlich aromatische Carbonylverbindungen, wie Benzophenon, Anthrachinon, 1,2-Naphthochincn,
1,4-Naphthochinon, ß-Methyl-anthrachinon,
Benzanthron, Violanthron, 9-Anthraldehyd, Benzil, p.p'-Tetramethyl-diamino-benzophenon und
Chloranil; aromatische Kohlenwasserstoffe, wie Anthracen und Chrysen; Nitroverbindungen, wie Nitrobenzol,
p-Dinitro-benzol, «-Nitro-naphthalin, p-Nitro-Diphenyl,
2-Nitro-fluoren und 5-Nitro-acenaphten; Stickstoffverbindungen, wie Nitroanilin, 2-Chlor-
4-nitro-anilin, 2,6-Dichlor-4-nitro-anilin, 5-Nitro-2-amino-toiuoI
und Tetracyanoäthylen; und Schwefelverbindungen, wie Diphenylsulfid. Es bestehen keine
speziellen Beschränkungen hinsichtlich der Photosensibilisatoren; jeder Photosensibilisator kann verwendet
werden, der sich als wirksam erweist, wenn er mit dem besonderen Cyclhierungsprodukt der Butadien-Polymerisate,
die gemäß der vorliegenden Erfindung verarbeitet werden, kombiniert ist. Diese Photosensibilisatoren können natürlich in Kombination
verwendet werden.
Die Photoresistmaterialien können an Stelle von Photosensibilisatoren lichtempfindliche Vernetzungsmittel
enthalten. Brauchbare lichtempfindliche Vernetzungsmittel, die in organischen Lösungsmitteln
löslich sind, sind nicht spezifisch begrenzt. Brauchbar sind z. B. lichtempfindliche Substanzen vom Diazid-Typ,
wie
4,4'-Diazido-stiIben,
p-Phenylen-bisazid,
4,4'-Diazido-benzophenon,
4,4'-Diazido-diphenylmethan,
4,4'-Diazido-calcon,
2,6-Di-(4'-azidobenzal)-cyclohexanon,
2,6-Di-(4'-azidobenzaI)-4-methylcyciohexanon,
4,4'-Diazido-diphenyl,
35
4,4'-Diazido-3,3'-dimethyldiphenyl und 2,7-Diazido-fluoren.
Diese lichtempfindlichen Vernetzungsmittel können in Kombination verwendet werden.
Brauchbare organische Lösungsmittel, welche nicht speziellen Beschränkungen unterliegen, sind aromatische
Kohlenwasserstoffe, wie Toluol, Xylol und Benzol, halogenierte Kohlenwasserstoffe, wie Trichloräthylen,
Perchloräthylen, Tetrachlorkohlenstoff, Tetrachloräthan, Chlorbenzol und Dichlorbenzol.
Diese Lösungsmittel können in Kombination verwendet werden.
Ein solches lichtempfindliches Cyclisierungsprodukt aus Butadien-Polymerisat oder -Copolymerisate welches
in organischen Lösungsmitteln löslich ist, wird unter Zugabe des Photosensibilisators und/oder des
lichtempfindlichen Vernetzungsmittels, auf eine Metallplatte aus Aluminium, Zink, Kupfer od. ä. oder
auf ein Siliciurn-Plättchen (»wafer«) aufgetragen.
Wenn der so gebildete dünne Film auf der Platte oder dem Silicium-Plättchen ultravioletten (UV-)Strahlen
oder Elektronenstrahlen ausgesetzt wird, findet eine Vernetzungsreaktion statt, wobei der Film in den
belichteten Schichtteilen in eine in organischen Lösungsmitteln unlösliche Substanz übergeführt wird.
Wenn man die beschichtete Oberfläche mit UV- oder Elektronenstrahlen durch eine Schablone hindurch
belichtet und mit dem organischen Lösungsmittel entwickelt, wird so ein Reliefbild gebildet. Das erhaltene
Reliefbild besitzt gegenüber Säuren oder Alkalien eine hohe Resistenz und macht die Metalloberflächen
dem Ätzen, Elektroplattieren oder anderen Metallbearbei111
ngsbehandlungen zugänglich.
Lichtempfindliche Massen, die jeweils im wesentlichen
aus einem Cyclisierungsprodukt des 1,4-cis-Polybutadiens
mit einem Cyclisierungsgrad von 60 bis 75% und einer in Toluol bei 30^C bestimmten Grenzviskosität
(J1) von 0,3 bis 0,8, dem lichtempfindlichen Vernetzungsmittel und dem organischen Lösungsmittel
bestehen, sind bestens zur Herstellung eines Halbleiterbauelemente^) geeignet.
Die lichtempfindlichen Massen, die unter Verwendung des Cyclisierungsproduktes von 1,4-cis-PoIybutadien
innerhalb bestimmter Bereiche des Cyclisierungsgrades
und von (?;) als Grundpolymerisat Ihtgestellt
werden und das lichtempfindliche Vernetzungsmittel und das organische Lösungsmittel enthalten,
genügen allen Eigenschaften, die von den lichtempfindlichen Massen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
gefordeit werden.
Die spezifische bevorzugten Bereiche für das Cyclisierungsprodukt (von) 1,4-cis-Polybutadien als Grundpolymerisate
der lichtempfindlichen Massen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen gemäß der Erfindung
sind ein (η) von 0,3 bis 0,8 und bevorzugter 0,5 bis 0,8 und ein Cyclisierungsgrad zwischen 60
und 75%.
Die obenerwähnten Grundbestandteile ergeben, wenn sie in einem Verhältnis von Grundpolymerisat
zu lichtempfindlichem Vernetzungsmittel zu organischem Lösungsmittel von 5 bis 20 Gewichtsteilen
zu 0,1 bis 1,0 Gewichtsteilen zu 100 Gewichtsteilen homogen gemischt werden, lichtempfindliche Massen
mit besonders geeigneten Eigenschaften zur Herstellung von Halbleiterbauelementen.
Beispiele 1 bis 5 und Vergleichsbeispiele 1 bis
40 1 g jeder Testprobe wurde in 80 ml Toluol gelöst, und unlösliche Materie wurde abfiltriert. Die auf diese
Weise hergestellten Proben aus Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 wurden direkt als lichtempfindliche
Lösungen verwendet, während jene der Beispiele 2 bis 5 und der Vergleichsbeispiele 2 bis 9 nach Zugabe
von jeweils 0,04 g ρ,ρ'-Tetramethyl-diamino-benzophenon verwendet wurden. Jede dieser Testlösungen
wurde auf eine Aluminiumplatte mittels des Rotationsauftragverfahren
aufgebracht, dann mit UV-Strahlung durch einen photographischen Stufenteil mit 21 Stufen belichtet. Nach Entwicklung mit Toluol
wurde die Anzahl der als unlösliche Stufen (Ätzgrundstufen) hinterlassenen Stufen als Maß der Lichtempfindlichkeit
ausgezählt. Die auf diese Weise bestimmten Lichtempfindlichkeitswerte und die Werte
der spezifischen Empfindlichkeit (je größer die Zahl der Stufen ist, um so höher ist die Lichtempfindlichkeit)
sind in Tabelle 1 zum Vergleich gegenübergestellt.
Aus einem Vergleich der Beispiele 1 bis 3 und des Vergleichsbeispiels 1 wird deutlich, daß, um die gleiche
Zahl von Ätzgrundstufen zu erhalten, die PoIybutadien-Cyclisierungsprodukte
nur Vi0 bis V60 jener
Belichtungszeit erfordern, welche von dem Polyisopren-Cyclisierungsprodukt
benötigt wird. Mit anderen Worten sind die photochemischen Reaktionsgeschwindigkeiten
der erstercn 10- bis 60mal größer als die der letzteren.
Beispiel 1
Beispiel 2
Beispiel 3
Beispiel 4
Beispiel 5
Beispiel 2
Beispiel 3
Beispiel 4
Beispiel 5
Vergleichsbeispiel 1
Vergleichsbeispiel 2
Vergleichsbeispiel 3
Vergleichsbeispiel 4
Vcrgicichsbeispiel 5
Vergleichsbeispiel 6
Vergleichsbeispiel 7
Vergleichsbeispiel 8
Vergleichsbeispiel 9
Cyclisierungsprodukt von
1,4-cis-Poly butadien
Cyclisierungsprodukt von 1,2-Polybutadien
Cyclisierungsprodukt von 1,4-cis-Poly butadien ...
Cyclisierungsprodukt von 1,2-1,4-Polybutadien ..
Cyclisierungsprodukt von Styrol-Butadien-Kautschuk
Cyclisierungsprodukt von 1,4-cis-Polyisopren
Cyclisierungsprodukt von 1..4-cis-Polyisopren
Cyclisierungsprodukt von 3,4-Polyisopren
Cyclisierungsprodukt von 1,2-Polybutadien
1,4-cis-Polybutadien
Styrol-Butadien-Kautschuk (Styrolgehalt 25%)
Kautschuk mit viel Styrol (Styrolgehalt 85%) ....
1,4-cis-Polyisopren
Nitrilkautschuk (Nitrilgehalt 35%)
♦*) Photosensibilisator nicht zugegeben.
Anmerkung:
1. Die Cyclisierungsprodukte der Polymerisate wurden hergestellt,
indem eine 0,6%ige Toluol-Lösung jedes Testpolymeiisats
der Wirkung eines aus Diäthylaluminiumchlorid und Trichloressigsäure bestehenden Katalysators
ausgesetzt wurde. Die Herstellung von Cyclisierungspro-
M | Cycli- sierungs- grad |
1,9 | 31 |
0,79 | 53 |
0,66 | 63 |
0,54 | — |
0,53 | — |
0,53 | — |
0,62 | — |
2,30 | |
2,99 | |
2,5 | |
5 |
Anzahl der Ätzgrundstufen
(Spezifische Empfindlichkeit)
(Spezifische Empfindlichkeit)
Belichtungszeit
I 20 I 30 I 60 | 300 | 600 |
Sekunden
Sekunden
— 0
— 0
— 0
— 0
0 | 0 | 0 |
8 | 10 | 12 (22) |
8 | 10 | 12 (22) |
8 | 10 | 12 (22) |
2 | 4 | 6 (3) |
0 | 0 | 0 |
0 | 0 | 3 (1,0) |
0 | 0 | 0 |
0 | 0 | 1 |
0 | 0 | 2 |
0 | 0 | 1 |
0 | 2 | 4 |
0 | 1 | 2 |
(0,13)
18
(52)
(52)
16
(26)
(26)
17
(36)
(36)
11
(4)
(4)
21
(140)
(140)
19
(25)
(25)
20
(35)
13
(3)
(3)
(1.0)
10
(1.0)
(1.0)
8
8
8
dvkten direkt durch Cyclisierungspolymerisation von Butadien
ist beschrieben in der GB-PS 969 826 sowie im Journal of Polymer Science Part A 2, S. 3969 (1964).
2. Der Cyclisierungsgrad der cyclisierten Polymerisate wurde
aus NMR-Spektrum ermittelt.
3. Die in Klammern gegebenen Zahlen stellen spezifische Empfindlichkeitswerte dar, berechnet aus den in Journals,
the Technical Association of Graphic Arts of Japan, Bd. 6, Ni. H, S. 65 bis 68 (1963) gegebenen Formeln.
Beispiele 6 bis 8 und Veigleichsbeispiele 10 bis
Rotationsauftragungsverfahren aufgebracht. Der Film
wurde getrocknet und dann mit UV durch den Stufenkeii belichtet. Nach Entfernung der nichtbelichteten
Teile durch Trichloräthyien wurde die Zahl der zurück-
1 g jeder Testprobe wurde in 80 ml Trichloräthyien 6S gelassenen Stufen als Ätzgrundstufen mit denen
gelöst, Verunreinigungen abfiltriert und 0,04 g Benz- anderer Beispiele verglichen. Die Ergebnisse und die
anthron zugegeben. Die erhaltene lichtempfindliche Werte der spezifischen Empfindlichkeit der Test-Lösung wurde auf eine Aluminiumplatte nach dem proben sind in Tabelle 2 gegeben.
509 507/330
(ο
Vergleichsbeispiel 10
Vergleichsbeispiel 11
Vergleichsbeispiel 12
Vergleichsbeispiel 13
Vergleichsbeispiel 14
Vergleichsbeispiel 15
Vergieichsbeispiel 16
Vergleichsbeispiel 17
Cyclisierungsprodukt von 1,2-Polybutadien
Cyclisierungsprodukt von 1,4-cis-Polybutadien
Cyclisierungsprodukt von Styrol-Butadien-Kautschuk
Cyclisierungsprodukt von 1,4-cis-Polyisopren
Cyclisierter Kautschuk
Cyclisierungsprodukt von 3,4-Polyisopren
1,4-cis-Polybutadien
Styrol-Butadien-Kautschuk Kautschuk mit viel Styrol .
1,4-cis-Polyisopren
Nitrilkautschuk
Aus einem Vergleich der Beispiele 5 und 6 und der Vergleichsbeispiele 9 und 10 geht hervor, daß ungeachtet
der Art des verwendeten Photosensibilisators die Cyclisierungsprodukte verschiedener Polybutadiene
photochemische Reaktionsgeschwindigkeiten haben, die 10- bis 60mal größer sind als jene der Polyisopren-Cyclisierungsprodukte
und des cyclisierten Kautschuks.
In diesem Beispiel wurde der Einfluß des Cychsiemngsgrades
des Cyclisierungsproduktes aus 1,4-cis-PolybSen
auf die Lichtempfindlichkeit untersucht.
In völlig gleicher Weise wie im Beispiel 3 beschreiben,
mit der Ausnahme, daß Cyclisierung*- produkte von 1,4-cis-Polybutadien mit verschiedenem
Cycüsierungsgrad verwendet wurden, wurde die Lichtempfindlichkeit der Produkte verglichen. D.e
Ergebnisse sind in Tabelle 3 zusammengefaßt
10
Anzahl der Ätzgrundstufen (Spezifische Empfindlichkeit)
10
20
Belichtungszeit 30 I 60 I 300 Sekunden
10
12
12
17
(50)
(50)
16
(35)
(35)
7
(1,4)
(1,4)
6
(1.0)
(1.0)
5
(0,7)
(0,7)
7
(1,4)
(1,4)
600
19
(51)
(51)
Nr. der | Ätzgrund-Stufcn | 30 | Sekunden | 12 | |
Cyclisierungsgrad | 10 | I | 13 | ||
(%) | 9 | ||||
20 | 10 | 7 | |||
30 | 6 | 7 | |||
65 | 7 | ||||
70 | 4 | ||||
73 | 4 |
Beispiele 10 bis 16
und Vergleichsbeispiele 18 und 19
und Vergleichsbeispiele 18 und 19
g jeder Testprobe wurde in 80 ml Toluol g Verunreinigungen abfiltriert und 0,04 g 2,6-Di-(^
dobenzal)-4-methylcyclohexanon zugegeben, urr lichtempfindliche Lösung herzustellen. Diese
sungen wurden eingesetzt, und die Lichtempfin keit wurde in derselben Weise wie in Beispiel
stimmt. Die Vergleichsergebnisse und Werti spezifischen Empfindlichkeit wurden in Tal
tabellarisch wiedergegeben.
_ Anzahl der Ätzgrundstufen
(Spezifische Empfindlichkeit)
5 I 10 Sekunden
Beispiel 10
Beispiel 11
Beispiel 12
Beispiel 13
Beispiel 14
Beispiel 15
Beispiel 16
Beispiel 11
Beispiel 12
Beispiel 13
Beispiel 14
Beispiel 15
Beispiel 16
Vergleichsbeispiel 18
Vergleichsbeispiel 19
Vergleichsbeispiel 19
Cyclisierungsprodukt von
1,4-cis-Polybutadien ... Cyclisierungsprodukt von
1,4-cis-Polybutadien ... Cyclisierungsprodukt von
1,4-cis-Polybutadien ... Cyclisierungsprodukt von
1,2-Polybutadien
Cyclisierungsprodukt von 1,2-Polybutadien
Cyclisierungsprodukt von Styrol-Butadien-Kautschuk
Cyclisierungsprodukt von Styrol-Butadien-Kautschuk
Cyclisierter Kautschuk
Cyclisierungsprodukt von 1,4-cis-Poly isopren
0,87
0,86
0,90
0,46
2,3
0,54
1,03
Ü,49
61
62
56
62
56
13 13 13
15 (13) 15(13) 15 (13)
11 (3) 17 (26)
12 (4) 15(13)
8 (1,0)
11 (3)
Anmerkung:
1. Die Cyclisierungsprodukte der Polymerisate wurden hergestellt, indem eine 0,6%ige Lösung jedes Polymerisats der Wirkung
eines aus Diäthylaluminiumchlorid und Trichloressigsäure bestehenden Katalysators ausgesetzt wurde.
Ein lichtempfindliches Material gemäß der Erfindung, das durch Kombination eines Cyclisierungsproduktes
von 1,4-cis-Poiybutadien (Cyclisierungsgrad: 63 %) mit 2,6-Di-(4'-azidobenzal)-cyclohexanon
hergestellt war, wurde mit zwei im Handel erhältlichen lichtempfindlichen Materialien verglichen. Nach der
gleichen Arbeitsweise wie im Beispiel 1 wurden die nicht belichteten Teile durch einen Xylol-Entwickler
entfernt und die Zahl der als Ätzgrund zurückgelassenen
Stufen ausgezählt. Die Ergebnisse waren wie folgt:
Polybutadien mit verschiedenem Cyclisierungsgrad verwendet wurden. Die Lichtempfindlichkeitswerte der
verglichenen Testproben sind unten tabellarisch wiedergegeben.
Lichtempfindliches Material | Zahl der Ätzgrundstufen |
Cyclisierungsprodukt von 1,4-cis-Polybutadien »FSR« |
18 12 11 |
»KTFR« |
Zahl | der Ätzgrundstufen | Sekunden | 16 | |
Cycüsierungsgrad | 10 | 16 | ||
(%) | 10 | 17 | ||
20 | 12 | 18 | ||
30 | 13 | 18 | ||
45 65 | 15 | 15 | ||
70 | 13 | |||
73 | 14 | |||
80 | 11 |
Dies bedeutet, daß die spezifische Empfindlichkeit des lichtempfindlichen Materials, das das Cyclisierungsprodukt
von 1,4-cis-Polybutadien gemäß der Erfindung verwendet, 8,4- bis 12mal größer als jene
der handelsüblichen Photoresistmaterialien ist.
Der Einfluß des Cyclisierungsgrades des Cyclisierungsprodukts
von 1,4-cis-Polybutadien auf die Lichtempfindlichkeit des erhaltenen lichtempfindlichen
Materials wurde in diesem Beispiel ermittelt.
Dieselbe Arbeitsweise, wie sie für die Beispiele 10 bis 12 verwendet wurde, wurde nachvollzogen, mit
der Ausnahme, daß Cyclisierungsprodukte von 1,4-cis-
1 g eines Cyclisierungsproduktes (Cyclisierungsgrad: 66 °o) von 1,4-us-Polybutadien wurde in 100 ml Xylol
gelöst und nach Entfernung der Verunreinigungen durch Filtration wurden vorgegebene Mengen an
2,6-Di-(4'-azidobenzal)-4~methyl-cyclohexanon (I) und
1,9-Benzanthron (II) zur Lösung gegeben. Jede der
auf diese Weise hergestellten lichtempfindlichen Lösungen wurde tropfenweise über einer Aluminiumplatte
aufgetragen, um einen lichtempfindlichen Film nach dem Rotationsauftragungsverfahren zu bilden.
Der Film wurde getrocknet und dann 30 Sekunden durch einen Stufenkeil mit UV belichtet. Die nicht
belichteten Teile wurden durch einen Toluol-Entwickler
entfernt und die spezifische Empfindlichkeit bestimmt. Die Ergebnisse sind unten tabellarisch
wiedergegeben.
Licht | Photo- | Spezifische | CD | (H) ; (D + (H) | _ | |
empfind | sensibilisator | Empfindlichkeit | 13,73 | 0 | 13,73 | |
ηΛΙ" | liches | 9,64 | 0 | 9,64 | ||
rtei- | Ver | 6,46 | 1,00 | 9,64 | ||
spicl | netzungs | (II) | 6,46 | 1,00 | — | |
mittel | Og | o | 1,41 | |||
(D | 0,01g | |||||
1 | 0,03 g | 0,02 g | ||||
2 | 0,02 g | 0,025 g | ||||
3 | 0,01g | 0,03 g | ||||
4 | 0,005 g | |||||
5 | Og | |||||
Die Arbeitsweise vom Beispiel 19 wurde wiederholt, mit der Ausnahme," daß ein Cyclisierungsprodukt von
1,4-cis-Polybutadien mit einem Cydisierungsgrad von
70% verwendet und ρ,ρ'-Dimethyl-amino-benzophenon an Stelle von 1,9-Benzanthron verwendet wurde
und die beschichtete Oberfläche 10 Sekunden der UV- Strahlung ausgesetzt war. Die Ergebnisse waren wie
in der folgenden Tabelle angegeben:
Beispiel
Lichtempfindliches
Vernetzungs
mittel
mittel
(D
0,005 g
Og
Photosensibilisator
(ΠΙ)
0,025 g
0,03 g
0,03 g
Spezifische Empfindlichkeit
(I) I (III) I (I)+ (III)
7,51 0
1,00 1,00
Licht | Ph oto- | Spezifische | (D | (III) I (I)+ (HI) | ||
empfindliches | sensibilisatoi | Empfindlichkeit | 30,40 | 0 | 43,43 | |
Bei spiel |
ver- netzungs- |
30,40 | 0 | 43,43 | ||
mittel | (ΙΠ) | 30,40 | 1,00 | — | ||
O) | Og | 0 | 1,00 | |||
8 | 0,03 g | 0,01g | ||||
9 | 0,02 g | 0,02 g | ||||
10 | 0,01g | 0,03 g | ||||
11 | Og | |||||
10,77 —
Die Arbeitsweise aus Beispiel 19 wurde wiederholt, mit der Ausnahme, daß das Cyclisierungsprodukt von
1,4-cis-Polybutadien durch ein Cyclisierungsprodukt (Cydisierungsgrad: 56%) aus kautschukartigem
1,2-Polybutadien (1,2-, 85%, cis-1,4 15%) ersetzt und UV-Strahlung für eine Zeitspanne von 10 Sekunden
verwendet wurde. Die Ergebnisse waren wie folgt: einem herkömmlichen Maskenausrichtungsgerät de!
Kontakttype, wurde in 8 Sekunden ein entsprechendes Muster kopiert. Nach dem Härten wurde das Plättcher
durch Eintauchen in eine gepufferte Flußsäure 10 Minuten
bei 25"C geätzt. Es trat eine schwerwiegende Seitenätzung ein, selbst mit einer 20^-Schablone war
das Bild kleiner als die gedruckte Mustergröße. Mit einer ΙΟ-μ-Schablone löste sich der Film ab, und die
Oberfläche wurde teilweise weggeätzt.
10 Vergleichsbeispiel 21
10 g Cyclisierungsprodukt von 1,2-Polybutadien mit einem Cydisierungsgrad von 60% und einem (?;)
von 0,80 wurden in 100 mi Xylol gelöst und 0,5 g 2,6-Di-(4'-azidobenzal)-cyclohexanon hinzugegeben.
Die erhaltene Lösung wurde in der gleichen Weise wie im Vergleichsbeispiel 20 weiter verarbeitet. Eine
Zeitspanne von 5 Sekunden war erforderlich, um ein ordentlich gedrucktes Muster zu erhalten. Nach dem
Härten wurde das Plättchen durch Eintauchen in gepufferte Flußsäure 10 Minuten bei 25°C geätzt. Wie
in Vergleichsbeispiel 20 trat eine schwerwiegende Seitenätzung ein und der Film auf einer 20^-Schablone
löste sich teilweise ab.
10 g Cyclisierungsprodukt von 1,4-cis-Polybutadien mit einem Cydisierungsgrad von 63 % und einem (?/)
von 0,66 wurden in 100 ml Xylol gelöst und 0,5 g 2,6-Di-(4'-azidobenzal)-cyclohexanon hinzugegeben.
Die erhaltene Lösung wurde in der gleichen Weise wie in den Vergleichsbeispielen 20 und 21 verarbeitet.
In einer halben Sekunde wurde ein ordentliches Muster kopiert. Nach dem Härten wurde das Plättchen
durch Eintauchen in gepufferte Flußsäure 10 Minuten bei 250C geätzt. Selbst mit einer 5-u-Schablone löste
sich der überzogene Film nicht ab, die Seitenätzung war zu vernachlässigen, und es wurde ein klargeschnittenes
Bild erhalten.
55
10 g Cyclisierungsprodukt von Polyisopren mit einem Cydisierungsgrad von 65 % und einem (77) von
0,6 wurden in 100 ml Xylol gelöst und in dieser Lösung 0,5 g 2,6-Di-(4'-Azidobenzal)-cyclohexanon gelöst. Die
erhaltene Lösung wurde durch Filtration gereinigt und mittels einer Polierscheibe auf ein Silirium-Plättchen mit 10 000 A Silidumdioxid (SiO2) aufgeschichtet. Wenn das beschichtete Plättchen duich
eine Maske mit UV belichtet wurde, und zwar auf
10 g Cyclisierungsprodukt von 1,4-cis-Polybutadien mit einem Cyclisierungsgrad von 66% und einem (η)
von 0,78 wurden in 100 ml Xylol gelöst und 0.5 g 2,6-Di-(4'-azidobenzaI)-4-methyl-cyclohexanon zugegeben.
Die erhaltene Lösung wurde auf ein Silicium-Plättchen in der gleichen Weise aufgezogen wie im
Vergleichsbeispiel 20 und das beschichtete Plättchen auf einem im Handel erhältlichen Maskenausrichtungsgerät der Projektionstype mit UV belichtet. In 3 Sekunden wurde ein ordentliches Muster gedruckt. Zu
Vergleichszwecken wurae ein handelsübliches Photoresistmaterial mit UV auf demselben Maskenausncmuiigsgerät belichtet. Es waren 20 Sekunden nötig,
um ein ordentlich kopiertes Muster zu erhalten.
Nach dem Härten wurde das Plättchen durch Eintauchen in gepufferte Flußsäure 10 Minuten bei 25 0C
geätzt. Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Masse zeigte selbst mit einer 5^-Schablone kein Ablösen des
Filmes und vernachlässigbare Seitenätzung, womit ein klargeschnittenes Bild geliefert wurde, während
ein handelsübliches PhotoiesistmateriaJ schwerwiegende Seitenätzung und ein Ablösen des Filmes mit
einer ΙΟ-μ-Schablone zeigte und folglich kein klares
10 g Cyclisierungsprodukt von 1 4-cis-Polybutadien
mit einem Cyclisierungsgrad von 60% und einem {η)
zeigte sich wesentliche Seitenätzung, und ein 5-μ-Muster
war schwierig zu erhalten. Beispiel 25
von 10 g Cyclisierungsprodukt Cyclisierungsgrad
Weise wie im Veigleichsbeispiel 20 beschrieben aufgezogen
und das überzogene Plättchen unter Verwendung
desselben Maskenausnchtungsgerates wie
es im Beispiel 23 verwendet wurde mit UV belichte . Ein ordentliches Muster wurde in 3 Sekunden kopiert.
Nach dem Härten wurde die Oberfläche durch Emtauchen in gepufferte Flußsäure während 20 Minuten
bei 25°C korrodiert. Wie in den Beispielen 22 und 23
löste sich der Film mit einer ^-Schablone n.cht ab,
und es wurde ein klargeschnittenes Bild erhalten. Andererseits zeigte ein käufliches lichtempfindliches *o
Harz mit guter Haftung eine optimale Belichtungszeit von 25 Sekunden. Wenn 15 Minuten lang geätzt wurde,
erhalten.
Unter Verwendung des Cyclisierungsproduktes von 1,4-cis-Polybutadien mit einem Cyclisierungsgrad von
63% und einem (η) von 0,66 als Grundpolymerisat wurden Versuche mit einem Azidostilben, Phenylazid
als lichtempfindliche Ver- und dabei entsprechend ff-, Tetrachloräthan-,
_ J11IV. „w organische Lösungsmittel
verwendet. Bei allen diesen Versuchen waren die erhaltenen Ergebnisse ähnlich denen der Beispiele
22 bis 25.
netzu
Claims (1)
1. Phototesistmaterial, bestehend aus
a) einem Cych'sierungsprodukt eines Dien-Polymeiisats
oder Dien-Copolymerisates als lichthärtbare, polymere Verbindung,
b) einem Photosensibilisator oder einem lichtempfindlichen
Vernetzungsmittel und
c) einem organischen Lösungsmittel,
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JP46044991A JPS5011285B1 (de) | 1971-06-22 | 1971-06-22 | |
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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DE2230969A1 DE2230969A1 (de) | 1972-12-28 |
DE2230969B2 true DE2230969B2 (de) | 1975-02-13 |
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ID=27292010
Family Applications (1)
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DE (1) | DE2230969C3 (de) |
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GB (1) | GB1392236A (de) |
IT (1) | IT958468B (de) |
NL (1) | NL169234C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3014261A1 (de) * | 1979-04-24 | 1980-10-30 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Photoresistmasse |
-
1972
- 1972-06-21 CH CH929072A patent/CH571730A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-06-21 DE DE19722230969 patent/DE2230969C3/de not_active Expired
- 1972-06-21 GB GB2899772A patent/GB1392236A/en not_active Expired
- 1972-06-21 FR FR7222420A patent/FR2143224B1/fr not_active Expired
- 1972-06-21 NL NL7208520A patent/NL169234C/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-06-21 IT IT5104372A patent/IT958468B/it active
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DE3014261A1 (de) * | 1979-04-24 | 1980-10-30 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Photoresistmasse |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL169234C (nl) | 1982-06-16 |
NL169234B (nl) | 1982-01-18 |
DE2230969A1 (de) | 1972-12-28 |
IT958468B (it) | 1973-10-20 |
GB1392236A (en) | 1975-04-30 |
CH571730A5 (de) | 1976-01-15 |
FR2143224B1 (de) | 1978-03-03 |
DE2230969C3 (de) | 1975-09-25 |
FR2143224A1 (de) | 1973-02-02 |
NL7208520A (de) | 1972-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |