DE2948324A1 - Lichtempfindliche masse und ihre verwendung - Google Patents

Lichtempfindliche masse und ihre verwendung

Info

Publication number
DE2948324A1
DE2948324A1 DE19792948324 DE2948324A DE2948324A1 DE 2948324 A1 DE2948324 A1 DE 2948324A1 DE 19792948324 DE19792948324 DE 19792948324 DE 2948324 A DE2948324 A DE 2948324A DE 2948324 A1 DE2948324 A1 DE 2948324A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
group
cyclized
diazidodiphenyl
photosensitive composition
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19792948324
Other languages
English (en)
Other versions
DE2948324C2 (de
Inventor
Yoshio Hatano
Takao Iwayanigi
Takahiro Kohashi
Saburo Nonogaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP14787278A external-priority patent/JPS5574538A/ja
Priority claimed from JP11418579A external-priority patent/JPS5639538A/ja
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE2948324A1 publication Critical patent/DE2948324A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2948324C2 publication Critical patent/DE2948324C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/008—Azides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/128—Radiation-activated cross-linking agent containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

DEA-25064
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft eine lichtempfindliche Masse oder Zusammensetzung und ein Verfahren zur Bildung von Mustern unter Verwendung dieser Masse.
Bei der derzeitigen fortschreitenden Entwicklung der Miniaturisierung und der Packungsdichte von Festkörperbausteinen ist es erforderlich, feine Muster mit hoher Effizienz zu bilden. Wenn man eine für Elektronenstrahlung empfindliche Masse verwendet, ist es möglich, Muster zu bilden, die eine Breite von beispielsweise etwa 1 um aufweisen. Wenn die für Elektronenstrahlung empfindliche Masse mit dem Elektronenstrahl belichtet wird, ist es erforderlich, den Elektronenstrahl zu fokussieren und den fokussierten Elektronenstrahl von einer Seite der Oberfläche zur anderen zu führen. Demzufolge ist zur Belichtung eines Werkstücks mit einem Elektronenstrahl eine hohe Belichtungsdauer erforderlich. Beispielsweise sind etwa 20 bis etv/a 50 Minuten notwendig, um ein Werkstück mit einer Oberfläche von 10 χ 10 cm zu belichten, wenngleich diese Zeit in gewissem Ausmaß von der Empfindlichkeit der verwendeten Masse und der Art des zu bildenden Musters abhängt. Weiterhin sollte die Bestrahlung im Vakuum erfolgen, so daß, wenn man das Einbringen der Werkstücke ins Vakuum berücksichtigt, die Belichtung mit einem Elektronenstrahl nicht bevorzugt ist, wenn solche Bauteile in großer Stückzahl in technischem Maßstab her gestellt werden sollen.
Wenn man eine lichtempfindliche Masse verwendet und das Werkstück durch eine Maske mit Licht belichtet, kann man in kurzer Zeit ein Muster bilden. Die herkömmlichen lichtempfindlichen Massen sind normalerweise für eine Strahlung im Spektralbereich von 320 bis 500 nm empfindlich. Wenn
030023/0880
DEA-25064
man ein Werkstück mit einem Licht einer in diesem Be- reich liegenden Wellenlänge durch eine Maske hindurch belichtet, ist es wegen Beugungs- und Interferenzeffekten des verwendeten Lichtes schwierig, ein Muster mit einer Breitevon 1 bis 2 μΐη zu bilden.
Als Möglichkeit zur Erzeugung derart feiner Muster wurde bereits eine Methode vorgeschlagen, die ultraviolette Strahlung einer kürzeren Wellenlänge im Spektralbereich von 200 bis 320 nm und vorzugsweise im Bereich von bis 300 nm (die im folgenden als "fernes Ultraviolettlicht" oder "ferne Ultraviolettstrahlung" bezeichnet wird) verwendet. In diesem Fall werden die Beugungsund Interferenzeffekte vermindert und es können feinere Muster erzeugt werden. Als für dieses ferne Ultraviolett- licht empfindliche Verbindungen sind Poly(methylmeth- acrylat) und Poly(methylisopropenylketon) bekannt. Es hat sich jedoch gezeigt, daß die Empfindlichkeit dieser Verbindungen für fernes Ultraviolettlicht sehr gering und für die praktische Anwendung ungeeignet ist.
Bezüglich dieses Standes der Technik sei auf die US-PS 2 852 379 verwiesen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht nun darin, eine lichtempfindliche Masse, die eine hohe Empfindlichkelt für ferne Ultraviolettstrahlung besitzt und die Er zeugung eines feinen Musters in kurzer Zeit ermöglicht, sowie ein Verfahren zur Erzeugung von Mustern unter Verwendung dieser Masse zu schaffen.
Diese Aufgabe wird nun mit der lichtempfindlichen Masse
gemäß Hauptanspruch und dem Verfahren gemäß Anspruch 6 gelöst.
030023/0880
DEA-25064
29A8324
Die Unteransprüche betreffen besonders bevorzugte Ausführungsformen dieses Erfindungsgegenstandes.
Die Erfindung betrifft somit ein Verfahren zur Erzeugung von Mustern, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man
1. auf einem Substrat eine Schicht aus einer lichtempfindlichen Masse bildet, die eine Bisazidverbindung der allgemeinen Formel
in der
A ein Sauerstoffatom, ein Schwefelatom,
eine CH2~Gruppe, eine CF0CH2-Gruppe, eine SO2-Gruppe und/oder eine S2-Gruppe,
X ein Wasserstoffatom oder eine Azidogruppe (N3)
und
Z eine Azidogruppe (N3), wenn X ein Wasser-Stoffatom darstellt, oder ein Wasserstoff
atom oder ein Chloratom, wenn X eine Azidogruppe (N3) darstellt,
bedeuten, und eine polymere Verbindung enthält, die mit dem Produkt einer photochemischen Reaktion der Bisazidverbindung vernetzbar ist,
2. die Schicht mit ferner Ultraviolettstrahlung mit dem vorbestimmten Muster belichtet und
3. die unbelichteten Bereiche der Schicht durch einen Entwicklungsvorgang entfernt.
Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Masse enthält als Bisazidverbindung vorzugsweise 4,4'-Diazidodiphenyläther, 4,4I-Diazidodiphenylsulfid, 4,4·-Diazidodiphenylsulfon, 3,3'-Diazidodiphenylsulfon, 4,4'-Diazidodiphenylmethan, 3,3'-Dichlor-4,4·-diazidodiphenylmethan, 4,4'-Diazidodi-
030023/0880
DEA-25064
phenyldisulfid und/oder 4,4■-Diazidobibenzyl. Diese Verbindungen können einzeln oder in Form von Mischungen aus zwei oder mehreren Verbindungen dieser Art eingesetzt werden.
Diese Bisazidverbindungen sind mit Ausnahme von 4,4'-Diazidodiphenylmethan neue Verbindungen. 4,4'-Diazidodiphenylmethan ist in der US-PS 2 852 379 beschrieben; jedoch ist ein Verfahren zur Erzeugung von Mustern unter Verwendung einer lichtempfindlichen Masse, die diese Verbindung enthält und mit ferner Ultraviolettstrahlung belichtet wird, in dieser US-PS nicht beschrieben.
Die bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten Bisazidverbindungen sind jene der oben angegebenen allgemeinen Formel. Wenn jedoch in der obigen allgemeinen Formel A für eine CH^-Gruppe und X für eine Azidogruppe (N-.) stehen, wird lediglich die Verbindung, in der Z ein Chloratom darstellt, für die neue erfindungsgemäße lichtempfindliche Masse verwendet.
Diese Bisazidverbindungen erhält man dadurch, daß man eine entsprechende Diaminoverbindung in wäßriger Lösung einer Diazotierungsreaktion mit Chlorwasserstoffsäure und Natriumnitrit unterwirft und dann die erhaltene Diazoniumsalζlösung mit Natriumazid versetzt, um das Diazoniumsalz in das Bisazid umzuwandeln.
Beispielsweise erhält man, wenn man 4,4'-Diaminodiphenyläther in der oben beschriebenen Weise umsetzt, 4,4'-Diazidodiphenyläther mit einem Schmelzpunkt von 77 0C. In gleicher Weise erhält man durch Umsetzen der entsprechenden Amine, nämlich 4,4'-Diaminodiphenylsulfid, 4,4'-Diaminodiphenylsulfon, 3,3'-Diaminodiphenylsulfon, 4,4'-Diamino-
030023/0880
DEA-25064
- 10 -
diphenylmethan, 3,3'-Dichlor-4,4'-diaminodiphenylmethan, 4,4'-Diaminodiphenyldisulfid bzw. 4,4'-Diaminobibenzyl, 4,4'-Diazidodiphenylsulfid mit einem Schmelzpunkt von 90 0C, 4,4'-Diazidodiphenylsulfon mit einem Schmelzpunkt von 163 0C, 3,3'-Diazidodiphenylsulfon mit einem Schmelzpunkt von 116 0C, 4,4'-Diazidodiphenylmethan mit einem Schmelzpunkt von 44 0C, 3,3'-Dichlor-4,4'-Diazidodiphenylmethan mit einem Schmelzpunkt von 128 0C, 4,4'-Diazidodiphenyldisulfid mit einem Schmelzpunkt von 37 0C bzw. 4,4'-Diazidobibenzyl mit einem Schmelzpunkt von 80 0C.
Als polymere Verbindung, die mit einem photochemischen Reaktionsprodukt der oben genannten Bisazidverbindung vernetzbar ist, kann man in organischen Lösungsmitteln lösliche polymere Verbindungen verwenden, wie beispielsweise Naturkautschuk, denaturierter Naturkautschuk, wie cyclisierter Naturkautschuk, synthetische Kautschuke, wie Polybutadien, Polyisopren, cyclisiertes Polybutadien, cyclisiertes Polyisopren, Polychloropren, Styrol-Butadien-Kautschuk und Nitrilkautschuk, und synthetische Polymere, wie Polystyrol, Polyamid (Nylon), Novolakharze, Poly(vinylphenol) und Poly (vinylbutyral). Man kann auch eine Mischung aus zwei oder mehr dieser polymeren Verbindungen verwenden. Von diesen polymeren Verbindungen sind die kautschukartigen Verbindungen bevorzugt, da sie Schichten oder überzüge mit ausgezeichneten Eigenschaften ergeben.
Man kann die erfindungsgemäße lichtempfindliche Masse mit Hilfe verschiedener bekannter Methoden in die Schicht oder den überzug überführen. Beispielsweise kann man eine Lösung der lichtempfindlichen Masse durch Schleuderbeschichtung, Spritzbeschichtung oder dergleichen aufbringen und dann trocknen.
Die in dieser Weise gebildete Schicht wird mit ferner Ultraviolettstrahlung im Spektralbereich von 200 bis
030023/0880
DEA-26064
320 nm und vorzugsweise von 200 bis 300 nm belichtet. Vorzugsweise bewirkt man die Belichtung durch eine Maske mit einem vorbestimmten Muster.
Die Entwicklung erfolgt in üblicher Weise. Genauer erreicht man die Entwicklung dadurch, daß man ein Lösungsmittel verwendet, das die nichtbelichtete lichtempfindliche Masse löst, jedoch die vernetzte Schicht nicht löst. Man kann auch eine Mischung aus zwei oder mehreren Lösungsmitteln dieser Art verwenden.
-] 5 Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Masse kann unter normalem weißem Licht verwendet werden, wie dem weißen Licht von Leuchtstoffröhren.
Die üblicherweise für lichtempfindliche Massen verwendeten Bisazidverbindungen sind 2,6-Di-(4'-azidobenzal)-cyclohexanon und 2,6-Di-(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanon. Eine lichtempfindliche Masse, die eine derartige Bisazidverbindung und cyclisierten Kautschuk enthält, besitzt eine Empfindlichkeit im Spektralbereich von 300 bis 500 nm und zeigt unter dem Einfluß von weißem Licht eine Schleierbildung bzw. eine Zersetzung. Wenn man demzufolge eine solche lichtempfindliche Masse verwendet, sollte man vorsichtshalber in einer Dunkelkammer mit gelbem Licht arbeiten. Die Arbeitsbedingungen in einer solchen Dunkelkammer mit gelbem Licht unterscheiden sich erheblich von den Arbeitsbedingungen unter normalem Tageslicht, wobei zu bemerken ist, daß das in Dunkelkammern mit gelbem Licht arbeitende Personal an physiologischen Störungen leiden kann.
Andererseits zeigt die erfindungsgemäße lichtempfindliche Masse unter dem Einfluß von weißem Licht bzw. Tageslicht weder eine Schleierbildung noch eine Zersetzung. Damit können bei Verwendung der erfindungsgemäßen lichtempfind-
030023/0880
DEA-26064
- 12 -
lichen Masse sämtliche Schritte der Erzeugung des Musters, nämlich die Beschichtung des Substrats mit der lichtempfindlichen Masse, das Trocknen der aufgebrachten Masse, das Belichten der erhaltenen Schicht mit ferner Ultraviolettstrahlung und das Entfernen der unbelichteten Bereiche durch Entwicklung unter normalem weißem Licht bzw. Tageslicht, durchgeführt werden.
Ein weiterer Vorteil cu - erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen, daß bei der Verwendung einer Bisazidverbindung der obigen allgemeinen Formel kein Sauerstoffeffekt verursacht wird. Normalerweise zeigen lichtempfindliche Massen, die eine Bisazidverbindung als Vernetzungsmittel enthalten, einen Sauerstoffeffekt. Dies bedeutet, daß, wenn die Belichtung in einer sauerstoffgashaltigen Atmosphäre durchgeführt wird, die Reaktion beeinträchtigt und das Vernetzen der Oberfläche der Schicht inhibiert werden oder die Vernetzung der Schicht in Bereichen geringer Intensität des belichtenden Lichtstrahles inhibiert wird. Demzufolge ist es kaum möglich, das gewünschte Muster zu erzeugen. Zur Vermeidung dieses Nachteils wurde bislang eine Methode angewandt, die darin besteht, die Belichtung in einer Inertgasatmosphäre, wie unter Stickstoffgas, durchzuführen.
Die erfindungsgemäße lichtempfindliche Masse, die eine Bisazidverbindung der obigen allgemeinen Formel enthält, in der A für eine SO_-Gruppe steht, zeigt keinen solchen Sauerstoffeffekt. Demzufolge erzielt man selbst dann, wenn man die Belichtung an der Luft durchführt, die gleichen Ergebnisse, die man auch in Stickstoffgas erreicht. Damit lassen sich mit der erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Masse aber erhebliche technische Vorteile erzielen.
030023/0880
DEA-26064
- 13 -
Als eine solche wirksame Bisazidverbindung kann man 4,4'-Diazidodiphenylsulfön und 3,3'-Diazidodiphenylsulfon nennen.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der Erfindung.
10
Beispiel 1
Man löst 10g cyclisierten Polyisoprenkautschuk und 0,1 g 4,4'-Diazidodiphenylsulfid unter Bildung einer lichtempfindlichen Lösung in 90 g Xylol. Diese lichtempfindliche Lösung trägt man durch Schleuderbeschichtung auf ein Siliciumplättchcn auf, das auf seiner oberen Oberfläche mit einer Oxidschicht versehen worden ist, und trocknet das Material unter Bildung einer lichtempfindlichen Schicht mit einer Dicke von etwa 0,9 um. Dann belichtet man das Substrat während 2 Sekunden durch eine Maske aus Chrom auf einem Quarzsubstrat mit Hilfe einer 500-W-Xenon-Quecksilber-Lampe in einer Stickstoffgasatmosphäre. Zur Eliminierung der Einflüsse von Strahlen größerer Wellenlänge und zur Verhinderung der thermischen Ausdehnung des Siliciumplättchens durch Infrarotstrahlung schaltet man zwischen die Lichtquelle und die Maske einen Kaltspiegel ein, der für Strahlen mit einer Wellenlänge von mehr als 300 nm durchlässig ist. Damit enthält das von dem Kaltspiegel reflektierte Licht keine Strahlung mit einer Wellenlänge von mehr als 300 nm. Das in dieser Weise mit ferner Ultraviolettstrahlung mit einer Wellenlänge von 200 bis 300 nm belichtete Substrat wird mit einem flüssigen Entwickler entwickelt, der n-Heptan und Xylol enthält, wodurch die lichtempfindliche Schicht in den unbelichteten Bereichen entfernt wird und ein Muster mit einer Breite von 1 μπι mit Abständen von 2 μπι ergibt.
030023/0880
DEA-26064
- 14 -
Man wiederholt die gleiche Verfahrensweise unter Verwendung von Poly(methylmethacrylat) und Poly(methylisopropenylketon) als bekannten lichtempfindlichen Lacken für fernes Ultraviolettlicht. Die zur Erzeugung guter Muster erforderliche Belichtungszeit beträgt im Fall des ersteren lichtempfindlichen Lacks 400 s und im Fall des letzteren Lacks 80 s. Die Empfindlichkeit der erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Masse ist damit um den Faktor 200 bzw. 40 größer als die Empfindlichkeit von Poly(methylmethacrylat) bzw. Poly(methylisopropenylketon).
Beispiele 2 bis 8
Man wiederholt die Verfahrensweise von Beispiel 1, verwendet jedoch anstelle von 4,4'-Diazodiphenylsulfid die im folgenden angegebenen Bisazidverbindungen. In jedem Fall erzeugt man bei der in Klammern angegebenen Belichtungszeit gute feine Muster.
3,3'-Diazidodiphenylsulfon (12 s) 4,4'-Diazidodiphenyläther (4 s) 4,4'-Diazidodiphenylsulfon (6 s) 3,3l-Dichlor-4,4'-diazidodiphenylmethan (6 s) 4,4'-Diazidodiphenyldisulfid (10 s) 4,4'-Diazidodiphenylmethan (6 s)
4,4'-Diazidobibenzyl (4 s).
30
Beispiel 9 und 10
Man wiederholt die Verfahrensweise der Beispiele 2 und 4, das heißt, man verwendet eine lichtempfindliche Masse, die 3,3'-Diazidodiphenylsulfon und cyclisierten Polyisoprenkautschuk bzw. 4,4·-Diazidodiphenylsulfon und cyclisierten Polyisoprenkautschuk enthält, bewirkt jedoch die Belichtung an der Luft. Man erhält ebenso gute Ergebnisse wie bei den Beispielen 2 und 4, bei denen die Belichtung in
030023/0880
DEA-2 6 064
29A832A
- 15 -
Stickstoffgas durchgeführt worden ist. 5
Zu Vergleichszwecken verwendet man eine lichtempfindliche Masse, die 4,4'-Diazidodiphenylmethan und cyclisierten Polyisoprenkautschuk enthält, und bewirkt die Belichtung an der Luft. Es zeigt sich, daß die Oberfläche der Schicht nicht vernetzt ist und die Filmdicke nicht ausreicht .
Beispiel 11
Man löst 3 g Poly(vinylbutyral) und 0,2 g 4,4'-Diazidodiphenyläther in 97 g Cyclohexanon und führt unter Verwendung der in dieser Weise erhaltenen Lösung die Verfahrensweise von Beispiel 1 durch. Nach der Belichtung während 4 Sekunden erhält man gute Muster.
Beispiel 12
Man löst 10g cyclisierten Polyisoprenkautschuk und 0,3 g 4,4'-Diazidodiphenyläther in 90 g Xylol unter BiI-dung einer lichtempfindlichen Lösung. Man trägt die Lösung auf zwei Siliciumplättchen, die auf ihrer Oberseite mit einer Oxidschicht versehen worden sind, auf und trocknet das Material. Dann belichtet man eines der Siliciumplättchen in für die Bildung von Halbleitern üblicherweise durch eine Maske mit einer Xenon-Quecksilberdampflampe und entwickelt das erhaltene Substrat mit Xylol. Dann bestimmt man die Dicke der entwickelten Photolackschicht. Man läßt das andere beschichtete Siliciumplättchen während 6 Stunden unter normalem Tageslicht von Leuchtstoffröhren stehen. Dann führt man die Entwicklung und Belichtung in der obigen Weise unter Anwendung der gleichen Bedingungen durch und bestimmt die Dicke der entwickelten Photolackschicht. Es zeigt sich, daß sich die entwickelten Photolackschichten in ihrer Dicke nicht
030023/0880 . ^
DEA-26064
- 16 -
unterscheiden und daß die erhaltenen Muster in jedem Fall gut sind.
Zu Vergleichszwecken führt man ein Experiment in gleicher Weise durch, wobei man jedoch übliches 2,6-Di-(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanon anstelle von 4,4'-Diazidodiphenylether verwendet. Wenn man das beschichtete Siliciumplättchen während 6 Stunden unter dem normalen Tageslicht von Leuchtstoffröhren stehenläßt, zeigt die entwickelte Photolackschicht eine Dicke von 0 und man erhält keine Schicht, die den Nachbehandlungen zu widerstehen vermag.
Es ist vielmehr zu erkennen, daß die genannte herkömmliche Diazidverbindung durch Photozersetzung unter dem Einfluß des weißen Lichts der Leuchtstoffröhren unterliegt und daß die Lichtempfindlichkeit durch den Einfluß von Sauerstoff vermindert wird.
20
Aus diesen experimentellen Ergebnissen ist ersichtlich, daß die herkömmlichen lichtempfindlichen Massen in einer Dunkelkammer mit gelbem Licht behandelt werden müssen, während es bei Verwendung der erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Massen nicht erforderlich ist, in einer Dunkelkammer mit gelbem Licht zu arbeiten, da man die erfindungsgemäße Masse unter normalem Tageslicht oder dem Tageslicht von Leuchtstoffröhren verwenden kann.
Beispiele 13 bis 20
Man führt die Behandlung nach der in Beispiel 12 beschriebenen Verfahrensweise durch, mit dem Unterschied, daß man anstelle des dort verwendeten 4,4'-Diazidodiphenyläthers 4,4'-Diazidodiphenylsulfid, 4,4'-Diazidodiphenylsulfon, 3,3'-Diazidodiphenylsulfön, 4,4'-Diazidodiphenylmethan, 3,3'-Dichlor-4,4·-diazidodiphenylmethan, 4,4'-Dlazidodiphenyldisulfid bzw. 4,4'-Diazidobibenzyl einzeln einsetzt.
030023/0880
DEA-26064
- 17 -
In allen Fällen erzeugt man gute Muster, unabhängig davon, ob man das Material während 6 Stunden stehenläßt oder nicht.
690023/0880

Claims (14)

  1. PATENTANWÄLTE
    SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS FINCK
    MARIAHILFPLATZ 2 * Γ, MaNCHEN POSTADRESSE: POSTFACH 95 016O, D-8OOO MÖNCHEN
    HITACHI, LTD. 30. November 19
    DEA-25064
    Lichtempfindliche Masse und ihre Verwendung
    PATENTANSPRÜCHE
    V1. Lichtempfindliche Masse, dadurch gekennzeichnet , daß sie eine Bisazidverbindung der allgemeinen Formel
    in der
    ein Sauerstoffatom, ein Schwefelatom, eine
    CH2-Gruppe, eine CH2CH2-Gruppe, eine SO2-Gruppe und/
    oder eine S2-Gruppe,
    ein Wasserstoff atom oder eine Azidogruppe (N.,)
    und
    eine Azidogruppe (N,), wenn X ein Wasserstoffatom
    030023/0880
    DEA-25064
    darstellt, oder ein Wasserstoffatom oder ein Chloratom, wenn X eine Azidogruppe (N3) dar
    stellt,
    mit der Maßgabe bedeuten, daß, wenn A eine CH2~Gruppe und X eine Azidogruppe (N3) darstellen, Z ein Chloratom bedeutet und eine polymere Verbindung, die mit einem photochemischen Reaktionsprodukt der Bisazidverbindung vernetzbar ist, enthält.
  2. 2. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, d a -
    durch gekennzeichnet, daß sie als Bisazidverbindung mindestens einen Vertreter der 4,4'-Diazidodiphenylather, 4,4'-Diazidodiphenylsulfid, 4,4'-Diazidodiphenylsulfön, 3,3'-Diazidodiphenylsulfön, 3,3'-Dichlor-4,4'-diazidodiphenylmethan, 4,4'-Diazidodiphenyldi.sulf id und 4, 4'-Diazidobibenzyl umfassenden Gruppe enthält.
  3. 3. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie als Bisazidverbindung 4,4'-Diazidodiphenylsulfid enthält.
  4. 4. Lichtempfindliche Masse nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie als polymere Verbindung mindestens einen Vertreter der Naturkautschuk, cyclisierten Naturkautschuk, Polybutadien, Polyisopren, cyclisiertes Polybutadien, cyclisiertes Polyisopren, Polychloropren, Styrol-Butadien-Kautschuk, Nitrilkautschuk, Polystyrol, Polyamid (Nylon), Novolakharze, Poly(vinylphenol) und Poly(vinylbutyral) umfassenden Gruppe enthält.
  5. 5. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß sie als
    030023/0880
    DEA-25064
    polymere Verbindung mindestens einen Vertreter der Naturkautschuk, cyclisierten Naturkautschuk, Polybutadien, Polyisopren, cyclisiertes Polybutadien,
    cyclisiertes Polyisopren, Polychloropren, Styrol-Butadien-Kautschuk und Nitrilkautschuk umfassenden Gruppe enthält.
    10
  6. 6. Verfahren zur Bildung von Mustern, dadurch gekennzeichnet , daß man
    1. auf einem Substrat eine Schicht aus einer lichtempfindlichen Masse bildet, die eine Bisazidverbindung der allgemeinen Formel
    in der
    A ein Sauerstoffatom, ein Schwefelatom, eine CH~-Gruppe, eine CH2CH2-Gruppe, eine SO„-Gruppe und/oder eine S~-Gruppe X ein Wasserstoffatom oder eine Azidogruppe (N ) und
    Z eine Azidogruppe (N3), wenn X ein Wasserstoffatom darstellt, oder ein Wasserstoffatom oder ein Chloratom, wenn X eine Azidogruppe (N3) darstellt,
    bedeuten, und eine polymere Verbindung, die mit einem photochemischen Reaktionsprodukt der Bisazidverbindung vernetzbar ist, enthält,
    2. die Schicht in dem gewünschten Muster mit Strahlen des fernen Ultravioletts belichtet und
    3. durch Entwicklung die unbelichteten Bereiche der Schicht entfernt.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch g e -
    023023/0 Π8D
    DEA-25064
    kennzeichnet , daß die verwendete lichtempfindliche Masse als Bisazidverbindung mindestens einen Vertreter der Gruppe enthält, die 4,4'-Diazidodiphenylather, 4,4'-Diazidodiphenylsulfid, 4,4'-Diazi- dodiphenylsulfon, 3,3'-Diazidodiphenylsulfon, 4,4'-Diazidodiphenylmethan, 3,3'-Dichlor-4,4'-diazidodiphenylmethan, 4,4'-Diazidodiphenyldisulfid und 4,4'-Diazidobibenzyl umfaßt.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß man eine lichtempfind- liehe Masse verwendet, die als Bisazidverbindung 4,4'-Diazidodiphenylsulfid enthält.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß man eine lichtempfind- liehe Masse verwendet, die als polymere Verbindung mindestens einen Vertreter der Gruppe enthält, die Naturkautschuk, cyclisierten Naturkautschuk, Polybutadien, Polyisopren, cyclisiertes Polybutadien, cyclisiertes Polyisopren, Polychloropren, Styrol-Bu tadien-Kautschuk, Nitrilkautschuk, Polystyrol, Poly amid (Nylon), Novolakharze, Poly(vinylphenol) und Poly(vinylbutyral) umfaßt.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch g e -
    kennzeichnet, daß man eine lichtempfindliche Masse verwendet, die als polymere Verbindung mindestens einen Vertreter der Gruppe enthält, die Naturkautschuk, cyclisierten Naturkautschuk, Polybutadien, Polyisopren, cyclisiertes Polybutadien, cyclisiertes Polyisopren, Polychloropren, Styrol-Butadien-Kautschuk und Nitrilkautschuk umfaßt.
  11. 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, d a -
    030023/0880
    DEA-25064
    durch gekennzeichnet, daß man die Belichtung der Schicht mit der fernen Ultraviolettstrahlung in einer Inertgasatmosphäre bewirkt.
  12. 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß man eine lichtempfindliche Masse verwendet, die als Bisazidverbindung 4,4'-Diazidodiphenylsulfon und/oder 3,3'-Diazidodiphenylsulfon enthält, und die Belichtung der Schicht mit der fernen Ultraviolettstrahlung in einer sauerstoffgashaltigen Atmosphäre bewirkt.
  13. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß man mindestens eine der drei Stufen des Verfahrens unter normalem weißem Licht durchführt.
  14. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß man als ferne Ultraviolettstrahlen jene verwendet, die von einem Kaltspiegel reflektiert werden, der die Strahlung hindurchläßt, die eine längere Wellenlänge besitzt als die vorbestimmte Wellenlänge.
    030023/0880
DE2948324A 1978-12-01 1979-11-30 Lichtempfindliches Gemisch, enthaltend eine Bisazidverbindung, und Verfahren zur Bildung von Mustern Expired - Lifetime DE2948324C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14787278A JPS5574538A (en) 1978-12-01 1978-12-01 Photosensitive composition
JP11418579A JPS5639538A (en) 1979-09-07 1979-09-07 Pattern forming method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2948324A1 true DE2948324A1 (de) 1980-06-04
DE2948324C2 DE2948324C2 (de) 1993-01-14

Family

ID=26453006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2948324A Expired - Lifetime DE2948324C2 (de) 1978-12-01 1979-11-30 Lichtempfindliches Gemisch, enthaltend eine Bisazidverbindung, und Verfahren zur Bildung von Mustern

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4469778A (de)
DE (1) DE2948324C2 (de)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2486259A1 (fr) * 1980-07-03 1982-01-08 Rca Corp Procede pour la realisation de configurations en relief de surface, en vue d'applications micro-lithographiques
EP0045639A2 (de) * 1980-08-01 1982-02-10 Hitachi, Ltd. Verfahren zum Herstellen eines mikroskopischen Musters
DE3134158A1 (de) * 1980-08-29 1982-04-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa "zusammensetzung und verfahren zur ultrafeinen musterbildung"
EP0083078A2 (de) * 1981-12-25 1983-07-06 Hitachi, Ltd. Lichtempfindliche Harzzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung feiner Bildmuster damit
EP0103800A2 (de) * 1982-09-16 1984-03-28 MERCK PATENT GmbH Neue Bisazidoverbindungen, diese enthaltende lichtempfindliche Zusammensetzungen und Verfahren zur Erzeugung von Reliefstrukturen
DE3337315A1 (de) * 1982-10-13 1984-04-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Zweifach-lichtempfindliche zusammensetzungen und verfahren zur erzeugung bildmustergemaesser photoresistschichten
EP0135900A2 (de) * 1983-09-16 1985-04-03 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Wasserentwickelbare negative Schutzschichtzusammensetzung
EP0326314A2 (de) * 1988-01-25 1989-08-02 Hoechst Celanese Corporation Photolack-Zusammensetzung mit Acetoxystyrencopolymeren
EP0326315A2 (de) * 1988-01-25 1989-08-02 Hoechst Celanese Corporation Photolackzusammensetzungen mit Hydroxystyrencopolymeren
US5486447A (en) * 1990-03-29 1996-01-23 Siemens Aktiengesellschaft Negative resists with high thermal stability comprising end capped polybenzoxazole and bisazide

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56162744A (en) * 1980-05-19 1981-12-14 Hitachi Ltd Formation of fine pattern
JPS5872139A (ja) * 1981-10-26 1983-04-30 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感光性材料
JPS6042425A (ja) * 1983-08-17 1985-03-06 Toray Ind Inc 化学線感応性重合体組成物
US4571375A (en) * 1983-10-24 1986-02-18 Benedikt George M Ring-opened polynorbornene negative photoresist with bisazide
US4702990A (en) * 1984-05-14 1987-10-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive resin composition and process for forming photo-resist pattern using the same
KR930010248B1 (ko) * 1984-09-14 1993-10-15 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 패턴 형성 방법
JP2566098B2 (ja) * 1992-05-01 1996-12-25 東京応化工業株式会社 ネガ型放射線感応性レジスト組成物
US5854302A (en) * 1993-04-29 1998-12-29 The Dow Chemical Company Partially polymerized divinylsiloxane linked bisbenzocyclobutene resins and methods for making said resins
WO2000058275A1 (fr) * 1999-03-31 2000-10-05 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Compose photosensible et composition photosensible

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2435389A1 (de) * 1973-07-23 1975-02-13 Fuji Photo Film Co Ltd Lichtempfindliche beschichtungsmasse
DE2824083A1 (de) * 1977-06-02 1978-12-14 Polychrome Corp Mehrschichtiger aufbau zur positiven und negativen reproduktion eines transparenten bildes

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE907739C (de) * 1949-07-23 1954-02-18 Kalle & Co Ag Verfahren zur Herstellung von Kopien, besonders Druckformen, mit Hilfe von Diazoverbindungen und dafuer verwendbares lichtempfindliches Material
BE540601A (de) * 1950-12-06
US2937085A (en) * 1954-01-11 1960-05-17 Ditto Inc Composite photosensitive plate, and method of making printing plate therefrom
US2852379A (en) * 1955-05-04 1958-09-16 Eastman Kodak Co Azide resin photolithographic composition
US3287128A (en) * 1963-04-22 1966-11-22 Martin Mariatta Corp Lithographic plates and coatings
US3767409A (en) * 1971-08-02 1973-10-23 Eastman Kodak Co Photographic triorganophosphine-azide dye forming composition and article
US4191573A (en) * 1974-10-09 1980-03-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive positive image forming process with two photo-sensitive layers
US4347300A (en) * 1977-06-02 1982-08-31 Polychrome Corporation Imaging peel apart element employing two photohardenable layers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2435389A1 (de) * 1973-07-23 1975-02-13 Fuji Photo Film Co Ltd Lichtempfindliche beschichtungsmasse
DE2824083A1 (de) * 1977-06-02 1978-12-14 Polychrome Corp Mehrschichtiger aufbau zur positiven und negativen reproduktion eines transparenten bildes

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Photograph. Sc. A. Eng. Vol. 17,4 1973, S. 390-393 *
US-B.: KOLLER: Ultraviolett Radiation, WILEY-VERLAG, 2. Auflage 1965, S. 80 *

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2486259A1 (fr) * 1980-07-03 1982-01-08 Rca Corp Procede pour la realisation de configurations en relief de surface, en vue d'applications micro-lithographiques
EP0045639A2 (de) * 1980-08-01 1982-02-10 Hitachi, Ltd. Verfahren zum Herstellen eines mikroskopischen Musters
EP0045639A3 (en) * 1980-08-01 1982-08-04 Hitachi, Ltd. Method of forming a microscopic pattern
DE3134158A1 (de) * 1980-08-29 1982-04-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa "zusammensetzung und verfahren zur ultrafeinen musterbildung"
EP0083078A2 (de) * 1981-12-25 1983-07-06 Hitachi, Ltd. Lichtempfindliche Harzzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung feiner Bildmuster damit
EP0083078A3 (en) * 1981-12-25 1984-08-22 Hitachi, Ltd. Photosensitive resin composition and method for forming fine patterns with said composition
EP0103800A3 (de) * 1982-09-16 1986-01-29 MERCK PATENT GmbH Neue Bisazidoverbindungen, diese enthaltende lichtempfindliche Zusammensetzungen und Verfahren zur Erzeugung von Reliefstrukturen
EP0103800A2 (de) * 1982-09-16 1984-03-28 MERCK PATENT GmbH Neue Bisazidoverbindungen, diese enthaltende lichtempfindliche Zusammensetzungen und Verfahren zur Erzeugung von Reliefstrukturen
DE3337315A1 (de) * 1982-10-13 1984-04-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Zweifach-lichtempfindliche zusammensetzungen und verfahren zur erzeugung bildmustergemaesser photoresistschichten
EP0135900A2 (de) * 1983-09-16 1985-04-03 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Wasserentwickelbare negative Schutzschichtzusammensetzung
EP0135900A3 (de) * 1983-09-16 1986-06-11 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Wasserentwickelbare negative Schutzschichtzusammensetzung
EP0326314A2 (de) * 1988-01-25 1989-08-02 Hoechst Celanese Corporation Photolack-Zusammensetzung mit Acetoxystyrencopolymeren
EP0326315A2 (de) * 1988-01-25 1989-08-02 Hoechst Celanese Corporation Photolackzusammensetzungen mit Hydroxystyrencopolymeren
EP0326315A3 (de) * 1988-01-25 1990-10-10 Hoechst Celanese Corporation Photolackzusammensetzungen mit Hydroxystyrencopolymeren
EP0326314A3 (de) * 1988-01-25 1990-10-10 Hoechst Celanese Corporation Photolack-Zusammensetzung mit Acetoxystyrencopolymeren
US5486447A (en) * 1990-03-29 1996-01-23 Siemens Aktiengesellschaft Negative resists with high thermal stability comprising end capped polybenzoxazole and bisazide

Also Published As

Publication number Publication date
DE2948324C2 (de) 1993-01-14
US4469778A (en) 1984-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2948324A1 (de) Lichtempfindliche masse und ihre verwendung
DE69126586T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE69119181T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Filters
DE69406687T2 (de) Ein Verfahren zum gesteuerten Entschützen von Polymeren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung welches diese zum Teil entschützten Polymere für Photoresiste benutzt
DE2655455C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Maske und Lackstruktur zur Verwendung bei dem Verfahren
DE69330704T2 (de) Festkörper-Farbbildaufnahmevorrichtung
DE2754396A1 (de) Verfahren zum herstellen von duennfilmmustern
DE2706878A1 (de) Strahlungsempfindliches material
DE2459156C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Photolackmaske auf einem Halbleitersubstrat
DE10329867B4 (de) Lithographieverfahren zum Verhindern einer lithographischen Belichtung des Randgebiets eines Halbleiterwafers
DE2420589B2 (de)
DE3134158C2 (de) Lichtempfindliches Gemisch zur Trockenentwicklung und Verfahren zur ultrafeinen Musterbildung
DE3518927C2 (de)
DE4317925C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung
DE2728352A1 (de) Lichtempfindlicher film und seine verwendung
DE3541451A1 (de) Verfahren zum herstellen eines negativbildes
DE4321547A1 (de) Lichtempfindlicher Stoff
DE69030836T2 (de) Material und Verfahren zur Herstellung von Mikromustern
EP0333655A2 (de) Negativ-Fotoresists vom Polyimid-Typ mit 1,2-Disulfonen
DE3246947A1 (de) Verfahren zum bilden eines musters in einer resistschicht
EP0134446A1 (de) Negativ arbeitende Fotoresistzusammensetzungen mit strahlungsabsorbierenden Zusätzen
DE69119931T2 (de) Polarisatoren, Verfahren zu ihrer Herstellung und Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen
DE69712580T2 (de) Photoempfindliche Harzzusammensetzung
DE3685766T2 (de) Photolackbildherstellungsverfahren.
DE3417607C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: STREHL, P., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING. SCHUEBE

D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8366 Restricted maintained after opposition proceedings
8305 Restricted maintenance of patent after opposition
D4 Patent maintained restricted