DE2230373C3 - Gasentladungs-Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Hersteilung derselben - Google Patents
Gasentladungs-Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Hersteilung derselbenInfo
- Publication number
- DE2230373C3 DE2230373C3 DE19722230373 DE2230373A DE2230373C3 DE 2230373 C3 DE2230373 C3 DE 2230373C3 DE 19722230373 DE19722230373 DE 19722230373 DE 2230373 A DE2230373 A DE 2230373A DE 2230373 C3 DE2230373 C3 DE 2230373C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- dielectric
- display device
- gas discharge
- layer
- alkaline earth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 44
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 22
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N Cesium Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- HPCHGGAMBXTKGB-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-alumanyloxysilicon Chemical compound [Al]O[Si] HPCHGGAMBXTKGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 210000003608 Feces Anatomy 0.000 description 1
- 241000295146 Gallionellaceae Species 0.000 description 1
- 240000009029 Gluta renghas Species 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N Tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 210000004027 cells Anatomy 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- -1 chromium-nickel Chemical compound 0.000 description 1
- 230000001427 coherent Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001922 gold oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002045 lasting Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft eine Gasentladungs-Anzeigevorrichtung, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches
1. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung einer Gasentladungs-Anzei
gevorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentan-Spruches 11.
Eines der charakteristischen Merkmale einer Gasentladungs-Anzeigevorrichtung,
die unter der Bezeichnung Plasma-Ziffernanzeigefeld bekanntgeworden Kt,
besteht darin, daß die Elektroden für die Gasentladung vom Gaselement isoliert angeordnet sind. Die Anzeigevorrichtung
kann dadurch eine Speicherfunktion ausüben und einen weiten Anwendungsbereich finden. Da
aber für einige in Betracht kommende Anwendungsfälle die Betriebsspannung der Vorrichtung zu hoch ist,
besteht die Notwendigkeit, die Zündspannung dieser Art von Vorrichtungen zu vermindern.
Ganz allgemein wird in den genannten Plasma An-/cigefeldern
die an die Elektroden angelegte Spannung aufgeteilt in eine Spannung an den dielektrischen Be-
fio lägen und eine Spannung an dem Gaselement-Medium.
Sobald die an dem Gaselement-Medium anliegende Spannung die Minimalspannung, welche im Gaselement-Medium
eine Entladung hervorrufen kann, über schreitet (diese Minimalspannung wird im weiteren als
f>5 Zündspannung Vi bezeichnet), wird 111 dem gasförmigen
Medium eine Gasentladung bewirkt. Hauptfaktoren für die Bestimmung der Zündspannung im Plasma-Ziffernanzeigefeld
sind die Zusammensetzung des ionisierba-
ren Gases und der dielektrische Belag, der die Elektroden
bedeckt. In bezug auf den ersten Faktor ist festzustellen,
daß bereits mit alien bekannten Mitteln experimentiert
worden ist und eine Verminderung der ZündspsBP.ung
mittels Verbesserung der Zusammensetzung des ionisierbaren Gases nicht erwartet werden kann. In
bezug auf den zweiten Faktor sind verschiedene Anstrengungen zur Verbesserung unternommen word<.n;
eine neue Vorrichtung, in der Gas mit niedriger Schmelztemperatur verwendet wird, läßt einen Betrieb
mit Spannungen von 250 bis 300 V zu. Eine herkömmliche Vorrichtung, in der ein Glasverschiu3 verwenast
wird, erfordert hingegen für den Betrieb Spannungen von 300 bis 700 V.
Wenn man annimmt, daß die Zusammensetzung des Gases in dem gasförmigen Medium konstant is), sind
die Haupteinflußgrößen für die Bestimmung der Ziindjpannung
V/; der Gasdruck, die Länge des E-stladungsjpaltes
und das SekundäreJektronen-Emissionsvermögen (γ) der Oberfläche des dielektrischen Belags. Wenn
das Sekundärelektronen-Emiss;onsvermögen (γ) auf
der Oberfläche des dielektrischen Belags anwächst, sinkt die Zündspannung Vr.
Dementsprechend empfiehlt es sich, für den die Elektroden
bedeckenden dielektrischen Belag ein Material zu verwenden, das eine hohe Dielektrizitätskonstante
und zugleich ein hohes Sekundärelckironen-Emissionsvermögen aufweist. Für diesen dielektrischen Belag
werden außerdem hervorragende Eigenschaften in bezug auf die Erweichungstemperatur, die Dünnflüssigkeit,
die wechselseitige Diffusionscharakteristik mit dem Elektrodenmaterial, die thermische Ausdehnung,
die thermische Beständigkeit und die optische Transparenz gefordert.
Es sind bereits Glassorten mit niedriger Schmelzten!- perauir verwendet worden, da solches C!as den angegebenen
Charakteristiken genügt. Hierdurch konnte die Zündspannung der Anzeigevorrichtung auf Werte
von etwa 230 bis 300 V erniedrigt werden. Die Ursache für diese Senkung der Zündspannung in einer Vorrichlung,
in der Glas mit niedriger Schmelztemperatur benutzt wird, liegt in dem hohen Blei-(Pb-)Anteil in einem
Glas dieser Art, der ein relativ hohes Sekundärelektronen-Emissionsvermögen ergibt.
Neuesten Anforderungen jedoch genügt die genannte eine Senkung der Zündspannung betreffende Verbesserung
nicht. Die Einführung integrierter Schaltungstechniken in Treiberschaltungen macht den Betrieb
der mit Gasentladung arbeitenden Anzeigevorrichtungen bei niedrigeren als den oben angegebenen
Spannungen erforderlich.
Durch die US-PS 33 34 269 ist eine Gasentladungs-Anzeigevorrichtung
bekanntgeworden, bei der auf einem Metallsubstrat unter Zwischenlegung einer Isolierschicht
oder auf einem isolierender. Substrat eine -,<,
Vielzahl von Elektroden in Form leitender Streifen angeordnet ist. Die Elektroden sind mit einer Widerstandsschicht
bedeckt, die dazu dient, den Glimnientladungsstrom zu begrenzen. Eine gleichartige Elektrodenanordnung,
bei der die Elektroden senkrecht zu de- r., nen der ersten Elektrodenanordnung verlaufen, bildet
zusammen mit dieser und einem dazwischcngefügtcn Abstandsblock die Anzeigcvorrichiung. Der Abstandsblock
weist an den Stellen, an denen sich zwei Elektroden der ersten und der zweiten Anordnung überkreu- 6<,
zen, durchgehende Bohrungen auf. An diesen Kreuzungsstellen ist in den Rereichen der Bohrungen auf die
Widerstandsschicht eine eine Sekundärelektronen-
Emissionscharakteristik aufweisende Metallschicht, wit
eine Nickel- oder eine Chromnickel-Schicht aufge bracht. Zur Aufrechterhaltung der Glimmentladung is
bei der bekannten Anzeigevorrichtung eine Spannung η uci Größenordnung von 250 Von erforderlich; dit
Zündspannung liegt entsprechend höher. Es werden so mit auch hier unerwünscht hohe Zündspannungen be
nötigi.
Gemäß einem älteren Vorschlag (DT-OS 21 36 102;
wird bei einer Gasentladungs-Anzeigevorrichtung dei einleitend genannten Art, die die Elektroden bedeckende
dielektrische Schicht mit einem Oxid eines Metalls der Gruppe Na des Periodensystems der Elemente beschichtet.
Diese Oxidschicht soll in einer zur wesentlichen Verminderung der Feldbetriebsspannungen ausreichenden
Menge aufgebracht sein, wobei als untere Grenze für die Dicke der Oxidschicht 100Ä angegeben
ist.
Wie weiter oben bereits erwähnt, läßt die Verwendung
von Glas mit hohem Sekundäreleklronen-Ernissionsvermögen
die Senkung der Zündspannung von Gaseiitladungs-Anzeigevorrichtungen zu.
Es wurde nun festgestellt, daß die Alkali-Komponente des niedrigschmelzenden, als dielekirischer Belag
verwendeten Glases einen wesentlichen Faktor darstellt. Wenn jedoch der Anteil des Alkalimetalls erhöhl
wild, wächst auch der thermische Ausdehnungskoeffizient. Da dann die Differenz der Ausdehnungskoeffizienten
des Substrats, d. h. des Trägers und des das Alkalimetall enthaltenden dielektrischen Belages anwächst,
verschlechtern sich die mechanischen und elektrischen Eigenschaften der Anzeigevorrichtung.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Gasentladungs-Anzeigevorrichtung
zu schaffen, die nicht mit den genannten Mangeln der bekannten Vorrichtungen behaftet
ist und die insbesondere mit einer kleineren Zündspannung als die bekannten Vorrichtungen betreibbar
ist. Es soll für den Betrieb der Vorrichtung eine Zündspannung von weniger als !00 V ausreichend sei». Auf
dem dielektrischen Belag soll eine das Sekundärelek
tronen-Emissionsvermögen steigernde Schicht gebildet
werden, welche die mechanischen und elektrischen Eigenschaften der Anzeigevorrichtung nicht beeinträchtigt.
Das dielektrische Material soll im Hinblick auf die das Sekundärelektronen-Emissionsvermögen
steigernde Schicht besonders geeignet ausgebildet sein. Schließlich soll ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung
der erfindungsgemäLSen Vorrichtung angegeben werden.
Die Erfindung ist durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale gekennzeichnet. Vorteilhafte
Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung sind den Ansprüchen 2 bis 10 zu entnehmen.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung is! die Zündspannung im Vergleich zu bekannten Vorrichtungen
wesentlich vermindert und es sind die Nachteile vermieden,
die durch einen unterschiedlichen Ausdeh nungskoeffizienten /wischen dem Substrat, d. h der
Trägerplatte und dem dielektrischen Belag bedingt sind.
Bei der Herstellung dei artiger Gasentladungs-Anzei
gevornchtungen werden zunächst die isolierenden
Tragerplatten vorbereitet, dann v. n.l auf diese eine
Gruppe von Elektroden und hierauf werden die dielektrischen Beläge aufgebracht, so daß die Elektroden bedeckt
sind. Zwei in dieser Weise gebildete Platten werden so zusammengefügt, daß die dielektrischen Beläge
mit einem kleinen Zwischenraum einander
stehen. Schließlich werden die Außenflächen der Anzeigevorrichtung
hermetisch abgedichtet. Die Abdichtung muß in Luft bei einer Temperatur von etwa 400rC
vorgenommen werden. Die das Sekundärelektronen-Emissionsvermögen steigernde Schicht, welche aus
einem Alkalimetall oder einem Erdalkalimetall bestehen soll, weist eine starke chemische Aktivität auf und
reagiert mit dem Luftsauerstoff, was zu einer Verschlechterung des Sekundärelektronen-Emissionsvermögens
führt. Die Behandlung des das Alkalimetall ent- ίο haltenden dielektrischen Belages und der Zusammenbau
der Anzeigevorrichtung muß somit unter Vakuum oder in einer nicht reaktiven Gasatmosphäre ausgeführt
werden. Dies kompliziert den Herstellungsprozeß und verursacht hohe Kosten für die Fabrikationseinrichtungen.
Ferner machen die Eigenschaften einiger Materialien den Zusammenbau und die Abdichtung in
Luft erforderlich, was die Möglichkeit der Bildung von Alkalimetallbelägen ausschließen würde.
Die bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Gasentladungs-Anzeigevorrichtung
auftretenden Schwierigkeiten lassen sich durch das im Patentanspruch 11
angegebene Verfahren überwinden.
Bei diesem Verfahren wird der Randteil der beiden mit einem sehr kleinen Zwischenraum einander gegenüberstehend
angeordneten Platten abgedichtet und es wird ein das Alkalimetall enthaltendes flüssiges oder
gasförmiges Medium in den Zwischenraum eingeführt und hierdurch die Oberflächenbehandlung der dielektrischen
Beläge vorgenommen. Auf diese Weise läßt sich die Alkalimetallschicht einfach und ohne Beeinträchtigung
ihrer Eigenschaften aufbringen.
Mit zunehmender Größe des Ziffernanzeigefeldes erweist es sich als schwierig, den Alkalimetalldampf
durch den schmalen Spalt zwischen den Oberflächen der dielektrischen Beläge des Ziffernanzeigefeldes einzuführen.
Dies rührt von der starken Aktivität des Alkalimetalls her. Insbesondere in der Nähe des Einlasses
reagiert das Alkalimetall schnell mit dem dielektrischen Belag und wird dort absorbiert. Folglich wird die Menge
des Alkalimetalls, welche sich entfernt vom Einlaß über den dielektrischen Belag ausbreitet, nicht mehr
ausreichen und ein Zuwachs an Sekundärelektronen-Emissionsvermögen nahe der Absaugstelle nicht erzielbar
sein. Zwar könnte durch Senkung der Prozeßtemperatur die Reaktion mn dem dielektrischen Belag verlangsamt
werden. Dies wäre jedoch insofern ungünstig, weil sich damit iueh der Dampfdruck des Me»allelements
vermindert -nd damit die für die Bildung einer ausreichenden Ablagerung notwendige Zeit ansteigt.
Dieses Problem ist lösbar durch Bildung des dielektrischen Belages aus Materialien wie Natronkalkglas. Aluminiumoxid,
und Siliziumverbindungen welche nur geringe Aktivität mit dem Alkalimetall aufweisen. Der Alkalimetalldampf
kann sich bei Verwendung dieser Materialien leicht und gleichmäßig über den gesamten
Bereich des schmalen Spaltes des abgedichteten Ziffernanzeigefeldes ausbreiten, hierbei den Aufprall und
die Wiederverdampfung mit der Oberfläche des dielektrischen Belages wiederholen und den Belag so bilden.
daß dieser das gewünschte Sekundärelektronen-Emissionsvermöger!
besitzt.
Vorzugsweise wird auf der Oberfläche des dielektrischen
Belages ein weiterer gegenüber Alkalimetall geringere Aktivität aufweisender dielektrischer Belag 6s
aufgebracht. Nach Beschichtung der Oberfläche des dielektrischen Belages mit dem zweiten aus einem dünnen
Film, beispielsweise aus Aluminiumoxid oder Siiiziumoxid bestehenden dielektrischen Belag und nach
Montage und Abdichtung des Ziffernanzeigefeldes wird der Alkalimetalldampf in den Spalt zwischen den
/weiten dielektrischen Belägen eingeleitet. Dadurch läßt sich auch bei einem Anzeigefeld mit großer räumlicher
Ausdehnung e'ne Oberfläche mit gleichförmigem Sckundärclektronen-Emissionsvermögen erzielen. Daher
wird das Plasma-Ziffernanzeigefeld eine gleichmäßige Zündspannung aufweisen.
Ein zusätzliches Kennzeichen dieses Verfahrens wird in der Verwendung eines Glases mit niedriger Schmelztemperatur
gesehen, welches eine einfache Verarbeitbarkeit bietet und als Material für den ersten dielektrischen
Belag benutzt werden kann.
Wie bereits erwähnt wird das flüssige oder gasförmige
Medium, welches das Alkalimetallelement enthält, in den schmalen Spalt zwischen den dielektrischen Belägen
der abgedichteten Anzeigevorrichtung eingeleitet. Zum Zwecke der Einspeisung und des Absaugens des
Gases können Einspeise- und Absaugeröhren benutzt werden. Dadurch kann das Alkalimetall von der Atmosphäre
isoliert und eine bessere Oberflächenbehandlung zum Zwecke der Steigerung des Sekundärelektronen-Emissionsvermögens
erreicht werden. Das Alkalimetall verteilt sich mit hoher Dichte auf der Oberfläche
des dielektrischen Belages, wobei die Dichte des Alkalimetalls in Richtung zum Innern des dielektrischen Belages
abnimmt. Folglich läßt sich der von der Zunahme des Temperatur-Ausdehnungskoeffizienten herrührende
auf der hohen Dichte des Alkalimetalls basierende Effekt vermindern.
Im folgenden werden Ausführungsformen der erfindungsgrmäßen
Gasentladungs-Anzeigevorrichtung und das Verfahren zur Herstellung derselben an Hand
der F i g. 1 bis 4 beschrieben. Es zeigen
F i g. 1 und IA Teil-Schnittbilddarstellungen zweier
Ausführungsformen von erfindungsgemäßen Gasentladungs-Anzeigevorrichtungen;
F i g. 2 eine schematische Darstellung zur Erklärung des Herstellungsverfahrens einer erfindungsgemäßen
Ziffernanzeigevorrichiung;
F i g. 3 und 4 graphische Darstellung der Zündspannungsverteilung in einer erfindungsgemäßen Ziffernanzeigevorrichtung.
Fig.! zeigt Glasplatten ! und 2; auf der Innenfläche
der Glasplatte 1 sind Spaltenelektroden 3, auf der Innenfläche der Glasplatte 2 Reihenelektroden 4 aufgebracht.
Die Vielzahl der parallelen Elektroden 3 und 4 besteht aus Gold oder Zinnoxid; die Elektroden sind
senkrecht zueinander stehend angeordnet. Auf der Oberfläche der Elektroden 3 und 4 sind dielektrische
Schichten 5 und 6 aufgebracht. Diese bestehen aus Aluminiumoxid oder Siliziumverbindungen; ihre Dicke isl
auf 0.1 bis 20 μ begrenzt. Auf der Oberfläche der dielektrischen
Schichten 5 und 6 sind Alkalimetall-Schichten 7 und 8 aufgebracht, welche vorzugsweise als
Caesium-Schichten mit einer Dicke von weniger als IOC
Ä ausgebildet sind. Zwischen den Alkalimetall-Schichten 7 und 8 befindet sich ein gasförmiges Medium 9. Bei
selektiver Zuführung elektrischer Signale zu den Elektroden 3 und 4 entstehen pulsierende Glimmentladun
gen an den Kreuzungsflächen zwischen den Elektroder 3 und 4; diese Glimmentladungen werden mittels Haltewechselspannungen
aufrechterhalten.
An Stelle des bei herkömmlichen dielektrischen Schichten verwendeten Glases mit niedriger Schmelztemperatur
werden als Materialien für die dielektrischen Schichten 5 und 6 vorzugsweise Aluminiumoxid
Io
Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid verwendet. Der Grund hierfür wird versländlich unter der Voraussetzung,
daß Alkalimetall-Schichtcn 7 und 8 auf den dielektrischen Schichten 5 und 6 aufgebracht sind. Line
Gasentladungs-Anzeigevorrichtung mit einer dielektn- S sehen Schicht, welche lediglich Aluminiumoxid enthält,
erfordert selbstverständlich eine höhere Zündspannung als eine übliche Anzeigevorrichtung mit einer dielektrischen
Schicht aus Glas mit niedriger Schmelztemperatur. Wenn jedoch eine dünne Schicht, beispielsweise
Caesium, homogen auf die Oberfläche der dielektrischen aus Aluminiumoxid bestehenden Schicht aufgebracht
wird, sinkt die Zündspannung der dielektrischen Schicht auf etwa 80 V, einem sehr günstigen Wert.
Ganz allgemein ist es sehr schwierig, eine dünne Schicht, wie aus Caesium auf Glas mit niedriger
Schmelztemperatur aufzubringen. Dies rührt von der Tatsache her, daß die Blei-(Pb-)Komponente, welche in
dem Glas mit niedriger Schmelztemperatur enthalten ist, eine hohe Reaktivität mit dem in der dünnen
Schicht enthaltenden Caesium aufweist. Da jedoch das erfindungsgemäße Aluminiumoxid oder die Siliziumverbindung
nur geringe Reaktivität mit dem Alkalimetall, insbesondere mit Caesium, aufweist, kann die Alkalimetall-Schicht
auf die Oberfläche der dielektrischen Schicht auch nach dem Zusammenbau der Anzeigevorrichtung
aufgebracht werden. Als Isolationsmaterial könnten viele andere Materialien in Betracht gezogen
werden. Die obengenannten Materialien Aluminiumoxid. Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid s nd jedoch am
besten geeignet, da sie sämtliche Forderungen der Hcrstelltechnologie, an den Ausdehnungskoeffizienten, an
die Fließeigenschaften beim Erhitzen und die dielektrische Konstante erfüllen. Sie widerstehen der Spannungsbeanspruchung
usw. und sind mit den Alkalimetallen verträglich.
Es ei weist sich als Vorteil, die dielektrischen Schieb
ten 5 und 6 dünn auszuführen, so daß der Spannungsabfall daran kleingehalten wird. Wenn jedoch die für die
dielektrischen Schichten 5 und 6 verwendeten Materialien dünner werden als 0,1 μ, besteht die Möglichkeit,
daß eine Fehlerstelle im Dielektrikum auftritt. Wenn die Dicke der dielektrischen Schichten 5 und 6 20 μ
iberschrcitet. steigt die Zündspannung; die Beschaffenheit der Oberfläche der dielektrischen Beläge wird
komplex und die Herstelltechnologie schwierig. Vorzugsweise wird deshalb die Dicke der dielektrischen
Schichten auf Werte zwischen 0,1 und 20 μ begrenzt.
Die Alkalimetall-Schichten 7 und 8 sollen den Oberflächenwiderstand
der dielektrischen Schichten 5 und 6 nicht vermindern. Zur Aufrechterhaltung der in dieser
Art von Anzeigevorrichtung durch die Wandladung erhaltenen Speicherfunktion soll die Wandoberfläche.
welche dem gasförmigen Medium 9 ausgesetzt ist. einen hohen Isolationswiderstand aufweisen, unabhängig
davon, ob die Alkalimetall-Schichten 7 und 8 vorhanden sind oder nicht. Erfindungsgemäß wird die Dikke
der Alkalimetall-Schichten 7 und 8 auf weniger als lOOÄ gehalten. Auf der Wandoberfläche wird deshalb
ein hohes Sek,undärelektronen-Emissionsvermögen gewonnen und damit der Oberflächenwiderstand der
Wandfläche in der besten Betriebsbedingung aufrechterhalten.
Dies rührt her von der Tatsache, daß bei Einhaltung einer Dicke der Alkalimetall-Schichten auf
Werte von weniger als lOOÄ die Schichten keine zu- *>5
sammenhängende Struktur mehr aufweisen und in Richtung der Oberfläche nicht leitend werden.
In der in Fig. IA dargestellten weiteren Ausführungsform
sind auf den dielektrischen Schichten 5 und 6 weitere dielektrische Beläge 5a. 6a aufgebracht, wobei
die Schichten 5 und 6 aus Glas mit niedriger Schmelztemperatur bestehen. Diese dielektrischen Beläge
5a und 6a bestehen aus Materialien wie Aluminiumoxid oder Kieselerde, welche eine niedrige Reaktivität
mit dem Alkalimetall aufweisen. Die dielektrischen Beläge 5a. 6a sind mit den genannten Alkalimetall-Schichtcn,
welche ein homogenes und hohes Sekundärelcktronen-Emissionsvermögen
über einen weiten Bereich aufweisen, beschichtet.
Im weiteren wird ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung von Gasentladungs-Anzeigevorrichtungen
beschrieben.
Die in F i g. 1 dargestellten Gruppen von Elektroden 3 und 4 werden mittels bekannter Verfahren aufgebracht,
beispielsweise durch Vacuumaufdampfcn von Gold oder durch ein Siebdruckverfahren. Dann werden
unter Aussparung der mit den Anschlüssen verbundenen Flächen mittels Kathodenzerstäubung die aus einer
Siliziumverbindung oder aus Aluminiumoxid bestehenden dielektrischen Schichten 5 und 6 aufgebracht. Danach
werden die Glasplatten 1 und 2 mit einem Spalt von etwa 300 μ einander gegenüberstehend angeordnet
und die Randflächen der Platten mit einem Glas niedriger Schmelztemperatur verschlossen. Im weiteren sind
in F i g. 2 dargestellte Pumpröhren 11 und 12 vorgesehen,
welche mit dem genannten Luftspalt in Verbindung stehen und zur Bildung der Alkalimetall-Schichten
dienen. Die Pumpröhren 11 und 12 sind mit zwei Ecken des Anzeigefeldes 10 verbunden. Die Pumpröhre
11 ist über ein Ventil Vi mit einem Absauggerat 13 und
über ein Ventil V2 mit einem Gasspeisegerät 14 verbunden. Die Pumpröhre 12 steht in Verbindung mit einem
Gefäß 15. welches beispielsweise Caesium enthiiii. In
dem in F i g. 2 dargestellten System wird der Spnh 9
(Fig. 1) des Anzeigefeldes 10 auf einen Druck von etwa ΙΟ"*1 Torr evakuiert und das gesamte Anzeigefeld
10 auf 100 bis 3000C aufgeheizt.
Dann wird während des Betriebes des Absauggerätes 13 mit einem weiteren in der Figur nicht dargestellten
Heizer das Caesium enthaltende Gefäß 15 erhitzt und das im Gefäß 15 enthaltene Caesium verdampft.
Daraufhin tritt der Caesiumdampf in den Spalt 9 ein und schlägt sich auf den vorgeheizten dielektrischen
Schichten 5 und 6 niedei. Durch Fortführung des beschriebenen
Prozesses während eine- bis mehrerer Stunden, werden auf der ganzen Oberfläche dünne
Caesium-Schichten gewonnen. Nach Beendigung dieses Prozesses wird das mit dem Absauggerät 13 verbundene
Ventil Vi geschlossen und dann das für den Eintritt des ionisierbaren Gases vorgesehene Ventil 2 geöffnet
Nach Einstellung des Gasdruckes in Spalt 9 wird die Pumpröhre ti verschlossen und entfernt und damit da«
Anzeigefeld 10 fertiggestellt.
Eine nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herge stellte Gasentladungs-Anzeigevorrichtung arbeitet mi'
Spannungen von weniger als 100 V. Beispielsweise wurden Anzeigefelder unter Verwendung von Platter
mit Aluminiumoxid-Beschichtung zur Abdeckung dei Elektroden mit einer Dicke von etwa 3 μ hergestellt
Dies erfolgte bei einer Vorheizung auf 1300C. wahrem
des Absaugvorgangs und mittels eines auf 150° C auf ge
heizten Caesium enthaltenden Gefäßes. Der Prozel wurde während einer Dauer von 5 Stunden aufrechter
halten und schließlich Caesium-Schichten mit eine Dicke von weniger als lOOA auf den Aluminiumoxid
Schichten gewonnen. Die Anzeigevorrichtung wurd
609 610/25
dann unier Verwendung des beschriebenen Anzeigefeldes
komplettiert. Die komplettierte Anzeigevorrichtung konnte mit einer Zündspannung von 80 V ± 10 V
über sämtliche Teile zur Entladung gebracht werden, wobei die Zellen an den Kreuzungspunkten zwischen
den Zeilen- und Spaltenelektroden einen Anzcigebcreich von etwa 10 cm χ 10 cm enthielten und in deren
Speicherfunktion keine Fehler gefunden wurden. Der Grund hierfür besteht darin, daß die Alkalimetall-Schicht,
insbesondere eine Caesium-Schicht, über die ganze dielektrische Schicht homogen verteilt ist und
das Sekundärelektronen-Emissionsvermögen der Oberfläche erhöht.
In einer weiteren Ausführungsform wird die Sekundärelektronen-Emissionsschicht
durch Zufuhr einer das Alkalimetall-Element enthaltenen Flüssigkeit gebildet. Alkali beispielsweise ergibt eine Flüssigkeitszusammensetzung,
welche bei Normaltemperatur in bezug auf die dielektrische Schicht nicht reaktiv ist, es kann in
den Spalt, welcher sich nach der Montage des Anzeigefeldes zwischen den dielektrischen Schichten bildet,
eingeführt werden; es wird wärmebehandelt; schließlich läßt es die Bildung der Sekundärelektronen-Emissionsschichten
auf der Oberfläche der dielektrischen Schichten zu. Beispielsweise wird eine Lösung von Alkalimetall-Alkoholat
in Alkohol in das Anzeigefeld eingeführt, dann das Lösungsmittel aus dem Anzeigefeld
entfernt und eine homogene Schicht des Alkoholats auf den Oberflächen gebildet. Nach der Zerlegung mittels
Erhitzen können homogene Sekundärelektronen-Ernissionsschichten aus Alkalimetall erhalten werden. Dabei
wird das Nebenprodukt bei der Wärmebehandlung und Zerlegung, ein Kohlenwasserstoff, abgesaugt. Bei Anwendung
des beschriebenen Verfahrens kann das die Sekundärelektronen-Emissionsschichten bildende Material
vorher auf der Oberfläche der dielektrischen Schichten verteilt werden.
in der beschriebenen Vorrichtung wird Alkalimetall als Substanz zur Bildung der Sekundärelektronen-Emissionsschichten
verwendet. Daneben lassen sich andere Materialien, wie Erdalkalimetall und Blei (Pb) als
Substanz zur Bildung der Sekundäreiektronen-Emissionsschichten verwenden.
Wie angegeben, umfaßt das Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Plasma-Anzeigevorrichtung
den Prozeß zur Bildung einer ein hohes Sekundärelektronen-Emissionsvermögen aufweisenden Schicht.
Dies wird nach dem Zusammenbau durch Einbringen des Alkalimetall enthaltenden flüssiger, oder gasförmigen
Mediums in das Anzeigefeld vorgenommen. Im folgenden wird die Zündspannungsverteilung eines Anzeigefeldes
mit dielektrischen Schichten aus Glas mit niedriger Schmelztemperatur mit dielektrischen
Schichten aus Aluminiumoxid verglichen.
F i g. 3 zeigt in einem Diagramm die Verteilung von Kurven gleicher Zündspannung in einem Anzeigefeld
dessen dielektrische Schicht aus Glas mit niedrigei Schmelztemperatur direkt entsprechend dem beschrie
benen Prozeß behandelt wurden. Der Einlaß des Alkalimctalls
ist mit A, der Absaugepunkt mit B bezeichnet.
F i g. 3 zeigt, daß die Zündspannung durch die BiI
dung der Sekundärelektronen-Emissionsschichi ab
nimmt. Das bedeutet, daß bei Fehlen der Sekundärelek· tronen-Emisisionsschicht auf der gesamten Anzeigcfcld·
ίο oberfläche eine Zündspannung von mehr als 150 V erforderlich
ist. Wenn die Sekundärelektronen-Emissionsschicht vorhanden ist, kann in der Nähe des Caesiumgas-Einlasses
die Zündspannung auf weniger als 100 V vermindert werden. Entsprechend läßt sich die in
F i g. 3 dargestellte Erscheinung auf ein Anzeigefeld mit einer relativ kleinen räumlichen Ausdehnung anwenden.
In Anzeigefeldern mit großer räumlicher Ausdehnung jedoch, deren dielektrische Schichten aus Glas
mit niedriger Schmelztemperatur bestehen, welches Caesium schnell absorbiert, ist es außerordentlich
schwierig, über die gesamte Oberfläche die Zündspannung gleichförmig zu vermindern. Wie beschrieben und
in F i g. 1A dargestellt, werden dann die zweiten dielektrischen
Beläge vorgesehen.
Fig. 4 zeigt die Verteilung von Kurven gleicher Zündspannung in einem Anzeigefeld, welches zweite
dielektrische Beläge enthält. Wenn zwei dielektrische Beläge vorhanden sind, läßt sich, wie in Fig.4 dargestellt,
die Zündspannung gleichmäßig auf 80 bis 90 V über der gesamten Oberfläche vermindern. Die eine
Änderung der benötigten Zündspannung aufweisende Fläche des Anzeigefeldes ist auf den Bereich nahe dem
Auslaß beschränkt, welcher als Anzeigefläche nicht benutzt wird.
Die Zündspannung kann durch Bildung der Sekundärelektronen-Emissionsschichten um 50 bis 60%
vermindert werden. Ferner kann durch Bildung der zweiten dielektrischen Beläge auf der Oberfläche der
ersten dielektrischen Beläge über einen großen Bereich der Oberfläche eine gleichmäßige Abnahme der Zündspannung
realisiert werden.
Wie beschrieben, betrifft die Erfindung eine Gasentladungsanzeigevorrichtung,
deren Zündspannung in starkem Maß vermindert werden kann und ein Verfahren zur Herstellung derselben. Bei einer Zündspannung
von weniger als 100 V kann bei niedrigen Kosten eine integrierte Schaltung als Treiberschaltung angewendet
werden. Dies erweitert deshalb den Anwendungsbereich dieser Art von Anzeigevorrichtungen. Die Anwendung
der Verfahren ist nicht auf die beschriebene Vorrichtung beschränkt. Vielmehr lassen sich die Verfahren
auf beliebige Anzeigevorrichtungen anwenden, in denen Gruppen von Gasentladungselektroden isoliert
vom ionisierbaren Gasmedium angeordnet sind.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (15)
- Patentansprüche:!. Gasentladungs-Anzeigevorrichtung rr.it einem Paar isolierender Platten, von denen wenigstens eine eine auf der Innenfläche aufgebrachte Vieizah! von Elektroden trägt, die von einer dielektrischen Schicht bedeckt sind, wobei sich die Platten unter Bildung eines mit einem ionisierbaren Gas gefüllten Spaltes gegenüberliegen und die dielektrische Schicht wenigstens teilweise mit einem ein höheres Sekundärelektronen- Emissionsvermögen aufweisenden Belag bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Belag (7, 8) eine Älkalimetall- oder Erdalkalimetall-Schicht mi: einer Dicke von weniger als lOOÄ ist.
- 2. Gaseniladisngs-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht (5r 6) aus einem gegenüber Alkalimetall ©der Erdalkalimetall geringe Aktivität aufweisendem Materia! zusammengesetzt, ist.
- 3. Gasentladungs-Anzeigevorrichtung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer, gegenüber Alkalimetall oder Erdalkalimetall geringe Aktivität aufweisender dielektrischer Belag (5a, •a) auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht (5, ·) aufgebracht ist.
- 4. Gasentladungs-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht (5,6) aus Aluminiumoxid besteht.
- 5. Gasentladungs-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere dielektrische Belag (5a, 6a) aus Aluminiumoxid besteht.
- 6. Gasentladungs-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht (5, 6) aus einer Siliziumverhindung besteht.
- 7. Gasentladungs-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3. dadurch gekennzeichnet, daß der weitere (dielektrische Belag (5a, 6a) aus einer Siliziumverbindung besteht.
- 8. Gasentladungs-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht (5,6) aus Natriumkalkglas besteht.
- 9. Gasentladungs-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere dielektrische Belag (5a, 6a) aus Natriumkalkglas besteht.
- 10. Gasentladungs-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Alkalimetall Caesium enthält.
- 11. Verfahren zur Herstellung einer Gasentladungs-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, mit den Verfahrensschritten:a) Bildung eines Paares isolierender Platten, von denen mindestens eine eine auf der innengelegenen Oberfläche aufgebrachte Gruppe von Elektroden aufweist;b) Aufbringen einer aus einer dielektrischen Sub stanz bestehenden Schicht auf der Gruppe »on Elektroden;c) Herstellung eines Anzeigefeldes durch Positionierung des Paares isolierender Platten in paralleler, mit den Innenflächen einander gegenüberstehender und einen Spalt bildender Anordnung;d) Hermetisches Abdichten des Anzeigefeldes ;inseinem Umfang;
e) Evakuieren des Spaltes und f) Füllen des Spaltes :nit einem ionisierbaren Gas, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Schritten e) und f) ein ein Alkali- oder Erdalkalimetall enthaltendes flüssiges oder gasförmiges Medium unter Bildung einer Alkali- bzw. Erdalkalimetall-Schicht (7, 8) auf der aus der dielektrischen Substanz bestehenden Schicht (5,6) in den Spalt (9; eingeleitet wird. - 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das das Alkali- bzw. Erdalkalimetall enthaltende Medium gasförmig ist und unter Erhitzung des Anzeigefeldes in den Spalt (9) eingespeist wird.
- 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das das Alkali- bzw. Erdalkalimetall enthaltende Medium flüssig ist und nach dem Einfüllen der Flüssigkeit dessen Lösungsmittel entfernt und auf der dielektrischen Schicht (5, 6) unter gleichzeitiger Erhitzung des Anzeigefeldes die Al kaii- bzw. Erdalkalimetall-Schicht (7, 8) gebildet wird.
- 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, gekennzeichnet durch einen zwischen den Schritten b) und c) liegenden Schritt der Bildung eines weiteren dielektrischen Belages (5a. 6a). der eine geringe Aktivität gegenüber Alkali- oder Erdalkalimetall besitzt, auf der dielektrischen Schicht (5,6).
- 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht (5, 6) aus einem Blei enthaltenden, bei niedriger Temperatur schmelzenden Glas und der weitere dielektrische Belag (5a, 6a) aus Aluminiumoxid bestehen.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4470871A JPS5214956B1 (de) | 1971-06-21 | 1971-06-21 | |
JP4470871 | 1971-06-21 | ||
JP7286271A JPS5422068B2 (de) | 1971-09-18 | 1971-09-18 | |
JP7286271 | 1971-09-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2230373A1 DE2230373A1 (de) | 1972-12-28 |
DE2230373B2 DE2230373B2 (de) | 1975-07-17 |
DE2230373C3 true DE2230373C3 (de) | 1976-03-04 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69630004T2 (de) | Plasmaanzeigetafel geeignet für Anzeige hoher Qualität | |
DE2858777C2 (de) | ||
DE2944913C2 (de) | ||
DE2823904C2 (de) | Dichtungsglas des Systems B&darr;2&darr;0&darr;3&darr;-Pb0-Bi&darr;2&darr;0&darr;3&darr; sowie Si0&darr;2&darr; und/oder Al&darr;2&darr;0&darr;3&darr;, insbesondere für Flüssigkristallanzeigen bei Verwendung von handelsüblichen Na&darr;2&darr;0-Ca0-Si0&darr;2&darr;-Gläsern | |
DE60015641T2 (de) | Abdichtung für Flachbildschirme | |
DE3015706A1 (de) | Solarzelle mit schottky-sperrschicht | |
DE19651759A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von LPCVD-Ta¶2¶O¶5¶-Filmen mit geringem Leckstrom | |
DE1909910A1 (de) | Verfahren zum UEberziehen von Substraten mit leitenden Metalloxidfilmen durch kathodische Zerstaeubung | |
DE2826752A1 (de) | Photoelement | |
DE2923369C2 (de) | ||
DE2647396A1 (de) | Gasentladungspaneel | |
DE2928702C2 (de) | ||
DE3006846A1 (de) | Hochdruckquecksilberdampfentladungslampe | |
DE2613924C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Feldeffekt-Flüssigkristallanzeigezelle | |
DE3341384C2 (de) | ||
DE2063580C2 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer transparenten, elektrisch leitfähigen Indiumoxidschicht | |
DE60100739T2 (de) | Anwendung von rekristallisierbarem glas als anorganisches bindemittel für die elektrodenpaste einer plasmaanzeige | |
DE2947313C2 (de) | Elektronenröhrenkathode | |
DE2230373C3 (de) | Gasentladungs-Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Hersteilung derselben | |
DE2754526A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer fotokathode fuer elektroradiographische und elektrofluoroskopische apparate | |
DE19934153B4 (de) | Isolierender Film für Dünnfilmstrukturen und elektrolumineszente Dünnfilm-Anzeigevorrichtung | |
DE2230373B2 (de) | Gasentladungs-Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE1909869A1 (de) | Verfahren zur Herstellung leitender Metalloxidueberzuege | |
DE3346847C2 (de) | ||
DE2032639C3 (de) | Verfahren zum Niederschlagen einer dünnen Goldschicht auf einem Träger durch Kathodenzerstäubung |