DE2153828A1 - Oszillatorschaltung mit Feldeffekt transistoren - Google Patents

Oszillatorschaltung mit Feldeffekt transistoren

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DE2153828A1 DE19712153828 DE2153828A DE2153828A1 DE 2153828 A1 DE2153828 A1 DE 2153828A1 DE 19712153828 DE19712153828 DE 19712153828 DE 2153828 A DE2153828 A DE 2153828A DE 2153828 A1 DE2153828 A1 DE 2153828A1
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Description

DIPL.-ING. LEO FLEUCHAUS DR.-ING. HANSLEYH
München 71, 27- Okt. 1971 Melchlorstr. 42
Unser Zeichen: M241P-657
Motorola, Inc.
94-01 West Grand Avenue
Franklin Park, Illinois
V.St.A.
Oszillatorschaltung mit Feldeffekttransistoren
Die Erfindung "betrifft eine Oszillatorschaltung mit Feldeffekttransistoren, deren Kanalstrecken komplementäre Leitfähigkeiten haben.
Oszillatoren für Rechteckschwingungen sind in der Regel als Kippschwinger aufgebaut, wobei die Frequenz primär von einem RC-Netzwerk und der Gleichstromversorgungsspannung bestimmt wird. Bei derartigen Oszillatoren ist die Betriebsfrequenz sehr stark von Umgebungseinflüssen, z.B. der Temperatur und den Änderungen der Versorgungsspannung abhängig, so dass die Oszillatoren nicht für Anwendungsfälle verwendbar sind, bei denen eine sehr hohe Freuqnzstabilität erforderlich ist. Ausserdem sind solche Oszillatoren auch für die Herstellung in monolithisch integrierter Bauweise nicht geeignet, da sehr kleine Toleranzen für die Grosse des Widerstandswertes und der Kapazität des RC-Netzwerkes eingehalten werden müssen,
Fs/wi damit
20M31/10S7
M24-1P-657 damit die gewünschte Betriebsfrequenz erzielbar ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Oszillatorschaltung mit Feldeffekttransistoren zu schaffen, die eine Rechteckschwingung sehr höher Frequenzgenauigkeit liefert, so dass sie als Taktgeber für Zeitmessgeräte, z.B. Armbanduhren, verwendbar ist. Dabei soll die.Frequenz durch einen Schwingquarz bestimmt werden. Die extrem hoch belastete Güte Q des Oszillators, die in Wirklichkeit etwa gleich der unbelasteten Güte des Schwingquarzes ist, soll dafür sorgen, dass eine extrem hohe Frequenzstabilität gewährleistet wird. Ferner soll die Oszillatorfrequenz unempfindlich gegenüber Gleichstromschwankungen oder Änderungen von Widerstands- bzw. Kapazitätswerten sein. Auch soll es möglich sein, die Oszillatorschaltung mit sehr niederer Gleichspannung zu betreiben, wobei gleichzeitig ein sehr niederer Gleichstrom verbraucht werden soll. Diese Oszillatorschaltung äoll mit Ausnahme des Schwingquarzes in monolithisch integrierter Bauweise herstellbar sein und ein Ausgangssignal liefern, dessen Amplitude praktisch gleich der Amplitude der Versorgungsspannung für alle möglichen Frequenzen ist, ohne dass hierfür Komponenten der Schaltung eingestellt werden müssen. Auch soll die Oszillatorschaltung in der Lage sein, über mehrere Dekaden der Kristall frequenz ohne Veränderung der Schaltkreiskomponenten zu schwingen, wobei ausgangsseitig Rechteckschwingungen abgreifbar sind, die komplementär zueinander verlaufen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass das Trägermaterial eines ersten und zweiten Feldeffekttransistors vom Anreicherungstyp jeweils mit der Quelle des entsprechenden Feldeffekttransistors verbunden ist, dass die Quelle des ersten Feldeffekttransistors an einer Versorgungsspannung und die Quelle des zweiten Feldeffekttransistors an einem Bezugspotential liegt, dass die Senken der beiden FeId-
- 2 - effekttransistoren 209831/1057
«5 . M24-1P-657
effekttransistoren in einem ersten Verbindungspunkt miteinander verbunden den Ausgang der Oszillatorschaltung bilden, der über einen Ausgangskondensator an Bezugsspannung angeschlossen ist, wobei der Ausgangskondensator zur Einstellung der Vorspannungspotentialien beiträgt und über den ersten Feldeffekttransistor aufladbar sowie über den zweiten Feldeffekttransistor entladbar ist., dass die Tore der beiden Feldeffekttransistoren in einem zweiten Verbindungspunkt miteinander verbunden den Eingang der Oszillatorschaltung bilden, der über einen Eingangskondensator an das Bezugspotential angeschlossen ist, wobei der Eingangskondensator zur Einstellung der Vorspannungspotentialien für die Senken beiträgt, dass ein Schwingquarz zur Bestimmung der Oszillatorfrequenz zwischen den ersten und zweiten Verbindungspunkt geschaltet ist, und dass parallel zu dem Schwingquarz ein Widerstand geschaltet ist, der das Anschwingen der Oszillatorschaltung gewährleistet.
Weitere Merkmale und Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Durch die Erfindung wird eine Oszillatorschaltung geschaffen, die in vorteilhafter Weise für eine sehr genaue Zeitmess^ung eine Oszillatorfrequenz mit extrem hoher Stabilität liefert. Die ausgangsseitige Frequenz ist im wesentlichen unabhängig von der Gleichstromversorgungsspannung sowie den Einstellungen der einzelnen Schaltkreiskomponenten, insbesondere bezüglich der Widerstands- und Kapazitätswerte. Die Schaltung bietet den Vorteil eines extrem niederen Stromverbrauchs bei sehr niederer Betriebsspannung und kann in einfacher Weise in monolithisch integrierter Bauweise hergestellt werden. Ferner ist die Oszillatorfrequenz über mehrere Dekaden veränderbar, ohne dass Schaltkreiskomponenten ausgewechselt werden müssen.
- 3 - Weitere
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L1 M241P-657
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung hervor. Es zeigen:
Fig. la und Ib die Schaltsymbole für Metalloxyd-Silicium-Feldeffekttransistoren mit einem P- bzw. einem N-leitenden Kanal;
Fig. 2 eine Signalumkehrstufe mit komplementären Feldeffekttransistoren;
Fig. 3 einen quarzgesteuerten Rechteckgenerator;
Fig. 4 einen Rechteckgenerator gemäss Fig. 3, bei dem alle Kapazitäten der Feldeffekttransistoren herausgezeichnet sind;
Fig. 5 eine elektrische Schaltung für einen Quarzkristall;
Fig. 6 einen kristallgesteuerten Oszillator mit Einrichtungen zur Temperaturkompensation und zur Frequenznachstimmung ;
ψ Fig. 7 schematisch einen Schaltkreis für einen Oszillator,
der komplementäre Ausgangssignale abgibt;
Fig. 8 die eingangsseitigen und ausgangsseitigen Schwingungsformen einer Signalumkehrstufe;
Fig. 9 das Schaltbild eines kristallgesteuerten Rechteckgenerators für hochfrequente Schwingungen.
In den einzelnen Figuren der Zeichnung sind gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen.
- U- - In
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In Fig. Ib ist ein Metalloxyd-Silicium-Feldeffekttransistor mit N-leitendem Kanal dargestellt, bei dem ein Strom zwischen der Quelle und der Senke fliesst, wenn die nachfolgenden Bedingungen erfüllt sind: Erstens muss sich die Senke auf einem gegenüber der Quelle positiveren Potential befinden, und zweitens muss das positive Potential zwischen dem Tor und dem Trägermaterial einen bestimmten Wert einer Spannung übersteigen, die als Schwellwertspannung für einen Feldeffekttransistor mit N-leitendem Kanal bekannt ist.
In Fig. la ist ein entsprechender Metalloxyd-Silicium-Feldeffekttransistor mit P-leitendem Kanal dargestellt, wobei der Feldeffekttransistor mit P-leitendem Kanal im wesentlichen in derselben Weise arbeitet wie ein Feldeffekttransistor mit N-leitendem Kanal. Dieser Feldeffekttransistor führt einen Strom zwischen der Quelle und der Senke, wenn die nachfolgenden zwei Bedingungen erfüllt sind: Erstens muss die Senke auf einem negativeren Potential liegen als die Quelle, und zweitens muss das Potential des Tores gegenüber dem Trägermaterial negativ sein und bezüglich der Amplitude eine bestimmte Spannung übersteigen, die als Schwellwertspannung bezeichnet wird.
Diese beiden komplementären Feldeffekttransistoren können gemäss Fig. 2 zu einer Signalumkehrstufe 10 zusammengeschaltet werden. Dazu wird eine positive Potentialquelle 12 mit der Quelle eines ersten Feldeffekttransistors mit P-leitendem Kanal,nachfolgend als P-Feldeffekttransistor 14- bezeichnet, verbunden. Eine gestrichelte Linie 16 deutet an, dass das Trägermaterial des P-Feldeffekttransistors 14 mit der Potentialquelle 12 verbunden ist. Das Tor des P-Feldeffekttransistors 14 wird mit dem Tor eines Feldeffekttransistors mit; N-leitendem Kanal,nachfolgend als N-Feldeffekttransistor 18 bezeichnet, verbunden und an beide Tore die Eingangsklemme 20 angeschlossen. Das Trägermaterial des N-Feldeffekttransistorn 18 und die Quelle dieses Transistors sind mit Masse-
- 5 - potential
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potential verbunden, das an einer Klemme 22 angeschlossen ist. Die Kapazität einer an die Ausgangsklemme 24 angeschlossenen Last wird durch einen Kondensator 26 verwirklicht, der zwischen den Klemmen 22 und 24 liegt.
Zur Beschreibung der Wirkungsweise der Signalumkehrstufe wird ein Gleichspannungspotential zunächst.an die Umkehrstufe angelegt, wobei das Spannungsniveau an der Ausgangsklemme 24 zwischen Null und dem Niveau der Versorgungsspannung liegt. Dieses Niveau wird durch die Werte der Streukapazitäten der P- und N-Feldeffekttransistoren 14 und 18 und vom Wert des Kondensators 26 bestimmt. Wenn die Eingangsklemme 21 auf . dem Potentialwert Null liegt, ist die Spannung zwischen dem Tor und dem Trägermaterial des Feldeffekttransistors 14 gleich oder kleiner als die Versorgungsspannung. Wenn die 'Versorgungsspannung grosser ist als der absolute Wert der Schwellwertspannung des P-Feldeffekttransistors 14, und da ein positives Potential zwischen der Quelle und der Senke des Feldeffekttransistors angenommen wurde, dann ist der P-Feldeffekttransistor 14 leitend. Jedoch ist bei der dargestellten Konfiguration mit den an den Klemmen 12 und 22 vorgesehenen Potentialien das Potential zwischen dem Tor und dem Trägermaterial des Feldeffekttransistors 18 Null, so dass dieser N-FeIdeffekttransistor 18 abgeschaltet ist. Deshalb hat der dem P-Feldeffekttransistor 14 zufliessende Strom nur einen Weg, und dieser dient der Aufladung des Kondensators 26 auf das Niveau der Potentialquelle 12. Sobald das Potential an der Klemme 24 gleich dem Potential der "Versorgungsspannung ist, nimmt das Potential zwischen der Quelle und der Senke des Feldeffekttransistors 14 den Wert Null an,und entsprechend wird dieser Feldeffekttransistor 14 abgeschaltet. Dieser Zustand ist zur Zeit TQ gemäss Fig. 8 gegeben.
Zur Zeit T1 wird eine Sprungfunktion an die Eingangskiemme 20 angelegt, wobei die Amplitude dieser Sprungfunktion gleich dem Potentialwert der Potentialquelle 12 entspricht. Zu
- 6 - diesem
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diesem Zeitpunkt T1 ist die Spannung zwischen dem Tor und dem Trägermaterial des P-Feldeffekttransistors IA gleich dem Wert Null, da sowohl die Eingangsklemme 20 als auch das Trägermaterial auf dem Potentialwert der Quelle 12 gehalten werden. Damit bleibt der P-Feldeffekttransistor 14 abgeschaltet. Jedoch hat die Spannung zwischen dem Tor und dem Trägermaterial des N-Feldeffekttransistors 18 einen Wert, der gleich der Versorgungsspannung ist, und da diese Versorgungsspannung die Schwellwertspannung des N-Feldeffekttransistors 18 übersteigt und ausserdem das Potential zwischen der Senke und der Quelle des N-Feldeffekttransistors 18 positiv ist, sowie gleich dem Tersorgungspotential, wird dieser Transistor leitend. Aufgrund des nicht leitenden Feldeffekttransistors 14 entsteht eine Ableitung des Kondensators 26 über den Feldeffekttransistor 18, so dass dieser sich auf Massepotential entladen kann. Zu diesem Zeitpunkt wird die Spannung zwischen der Senke und der Quelle des N-Feldeffekttransistors 18 Null, womit dieser abgeschaltet wird. Daher fliesst ein Strom nur, wenn entweder der P-Feldeffekttransistor 14 zum Aufladen des Kondensators 26 auf die Spannung der Potentialquelle eingeschaltet ist, oder wenn der N-Feldeffekttransistor 18 leitend ist, um den Kondensator 26 auf Massepotential zu entladen. Damit wird Leistung nur während der Umschaltung verbraucht. Wenn an der Eingangskiemme 20 Massepotential entsprechend Tq gemäss Fig. 8 liegt, steht an der Ausgangsklemme 24 die Spannung der Potentialquelle.
Liegt dagegen an der Eingangsklemme 20 die Spannung der Potentialquelle wie zum Zeitpunkt T, gemäss Fig. 8, dann ist an der Ausgangsklemme 24 Massepotential wirksam, so dass vom Eingang zum Ausgang eine Signalumkehr stattfindet. Ein an die Eingangsklemme 20 angelegter Impulszug mit einer oberen Spannung entsprechend der Potentialquelle und einer unteren Spannung entsprechend dem Massepotential ergibt einen Spannungsverlauf am Ausgang, wie er durch die umgekehrte Kurve in Fig. dargestellt ist.
- 7 - In
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In Fig. 3 ist das Schaltbild eines Oszillators dargestellt, der aus einer Signalumkehrstufe gemäss Fig. 2 und einem Kondensator 27 besteht, welcher zwischen die gemeinsamen Tore der Feldeffekttransistoren 14- und 18 sowie Masse geschaltet ist. Ein Kristall 28 sowie ein Widerstand 29 sind parallel zwischen die gemeinsamen Senken und Tore der Feldeffekttransistoren 14· und 18 geschaltet.
Der Kristall bestimmt die Frequenz des Oszillators und entspricht in bekannter Weise für solche Zwecke verwendeten Kristallen. Der Widerstand 29 dient als Starthilfe, um sicherzustellen, dass die Umkehrstufe nicht in einem statischen Schaltzustand gehalten wird, wobei der eine Feldeffekttransistor eingeschaltet und der andere Feldeffekttransistor abgeschaltet ist, insbesondere wenn die geschlossene Schleifenverstärkung kleiner als 1 ist. Die Grosse des Widerstandes
η τη
29 liegt in einem Bereich von etwa 1 χ 10' bis etwa 1 χ 10 Ohm. Die Kondensatoren 26 und 27 werden hauptsächlich zur Einstellung der richtigen Gleichvorspannung benutzt, wodurch die Feldeffekttransistoren 14- und 18 eine genügend kleine Signalverstärkung aufweisen, um eine kontinuierliche Schingung aufrechtzuerhalten.
In Fig. 4- ist die Oszillatorschaltung gemäss Fig. 3 mit den einzelnen Streukapazitäten dargestellt. Wenn alle Kondensatoren in der dargestellten elektrischen Schaltanordnung wirksam sind, dann ergeben sich an den Eingangsklemmen 20 und 24-Spannungen 30 und 32, wenn die Gleichstromversorgungsspannung von der Potentialquelle 12 aus angelegt wird, deren Amplituden von den Kondensatoren 26 und 27 sowie den Kondensatoren 33 bis 39 abhängen und der Kondensator 39 die Parallelkapazität des Kristalls kennzeichnet. Die Spannungen an den Klemmen 20 und 24- werden anfänglich so eingestellt, dass entweder der eine oder der andere der beiden Feldeffekttransistoren 14- bzw. 18 leitend ist. In jedem Fall jedoch muss
- 8 - einer
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einer der Feldeffekttransistoren 14 und 18 oder auch beide eine Signalverstärkung bei der gewünschten Frequenz aufweisen, die zumindest geringfügig grosser als 1 ist, damit die gewünschte Schwingung aufrechterhalten wird.
In der nachfolgenden Tabelle werden die Verhältnisse zwischen den Spannungen an den Klemmen 20 und 24 der Versorgungsspannung sowie den Schwellwertspannungen der Feldeffekttransistoren 14- und 18 angegeben, die die voraüsstehend genannte Bedingung erfüllen. In allen Fällen ist die "Versorgungsspannung grosser als die Amplitude der Schwellwertspannung sowohl des P-Feldeffekttransistors 14 als auch des N-Feldeffekttransistors 18.
V30 >V 732 < γ - V
V3O vcc		 N-Feldeffekt-
transistor		 P-Feldeffekt-
transistor
SW >0 > 7swp| ein aus
SWn <7cc > 7SWp| aus ein
>0 7swp| ein ein
SW « Schwellwert
Die nachfolgend angegebene Gleichung beschreibt mathematisch die Spannungsverhältnisse bezüglich der Grosse der Kondensatoren 33"bis 39 sowie der die Gleichvorspannung einstellenden Kondensatoren 26 und 27·
cc
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Vcc
γ CC
Mit Ausnahme der Kondensatoren 26 und 27 sind alle Kapazitätswerte der Kondensatoren gemäss Fig. 4 entweder durch die Feldeffekttransistoren oder die Kristallkapazität fixiert. Daher wurden die Spannungen an den Klemmen 20 und 24- anfänglich angegeben, um eine Bedingung der Tabelle zu erfüllen, indem die Kondensatoren 26 und 27 auf die richtige Grosse eingestellt werden. Wenn z.B. die Spannung der Gleichstromversorgung kleiner oder gjeich der Summe der Schwellwertspannung des N-FeIdeffekttransistors 18 zuzüglich dem absoluten Wert der Schwellwertspannung des P-Feldeffekttransistors 14 ist -
leitend
) -, dann ist der P-Feldeffekttransistor 14 und der N-Feldeffekttransistor 18 nicht lei-
tend, wenn die Kondensatoren 26 und 27 viel grosser sind als entweder die Streukapazitäten der Feldeffekttransistoren oder die Parallelkapazität des Kristalls. Zusätzlich zur Einstellunder richtigen Gleichvorspannungsbedingungen haben die Kondensatoren 26 und 27 auch die richtige Grosse, die ein Schwingen bei der gewünschten Frequenz zulässt, indem die Netzwerk-Determinante bei dieser Frequenz Null werden kann, wie nachfolgend im einzelnen beschrieben wird. Die Kondensatoren 26 und 27 werden auch als Trimmkondensatoren für die Frequenz verwendet. Durch eine Vergrösserung der Kapazität der Kondensatoren 26 und 27» entweder einzeln oder gleichzeitig, wird die Schwingfrequenz von der Parallelresonanzfrequenz in Richtung auf die Serienresonanzfrequenz des Kristalls verschoben. Ein Verkleinern der Kapazitätswerte bewirkt ein Verschieben der Schwingfrequenz in entgegengesetzter Richtung.
In Fig. 5 ist die Ersatzschaltung für den Kristall 28 dargestellt, wie sie für die nachfolgende Berechnung Verwendung findet. CP ist die Parallelkapazität des Kristalls CS die
- 10 - Serienkapazität
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Serienkapazität, R der Kristallwiderstand und L die Kristallinduktivität.
Wenn die Feldeffekttransistoren richtig vorgespannt sind, dann kann einer von mehreren Techniken dazu "benutzt werden, um die Startbedingungen und die Frequenz der Schwingung zu bestimmen. Nachfolgend wird ein Matrixverfahren verwendet, wobei im besonderen eine Kurzschluss-Leitwertmatrix (T) Verwendung findet. Es kann gezeigt werden, dass die Vierpol-Y-Parameter, die den Oszillator gemäss den Fig. 3 und 4 beschreiben, und eine Ersatzschaltung für den Kristall gemäss Fig. 5 -verwenden,durch nachfolgende Gleichungen gegeben sind:
Y21=
= -(Y+1/R29)-S(G37+C38)
V · 1 /T) "\ — CJ ι
+(Y+1/R29)
wobei ist:
T0- S(G26+C35+G36+C37+C
Y = Kristalleitwert =
S^LG+SRC+I
S S
Gm = Steilheit der N- und P-Feldeffekttransistoren G = Summe des Leitwertes zwischen der Senke und der
Quelle der N- und P-Transistoren S = komplexe Frequenz =
Die Startbedingungen und die Frequenz der Schwingung kann aus folgendem Ausdruck bestimmt werden:
- 11 -
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Y-
12
= Υ11Υ12"Υ12Υ21= DY =
•21 "22
wobei DY eine Funktion der komplexen Frequenz S ist.
Um eine stabile Schwingung zu garantieren, sollte nur die eine komplexe Wurzel aus DY = 0 einen positiven Wert für , um sichere Anschwingbedingungen zu gewährleisten, sowie einen positiven Wert für jw haben, der die Kreisfrequenz der Schwingung darstellt.
Wenn man für die Oszillatorschaltung gemäss den Fig. 3 und 4-diese Matrixanalyse anstellt, ergibt sich, dass diese Schaltung bei einer Frequenz zwischen der Serien- und Parallelresonanzfrequenz des Kristalls schwingt. Bei der Frequenz des Oszillators hat der Kristall eine induktive Impedanz, was eine regenerative Rückkopplung vom Ausgang zum Eingang der Signalumkehrstufe gewährleistet. Es wurde ferner festgestellt, dass der Leitwert der Feldeffekttransistoren in der Grössenordnung von 10"^ Siemens liegt und dieselben Kapazitätskomponenten eine Schwingung zwischen 5kHz und mehreren hundert kHz garantieren.
Die in Fig. 6 dargestellte Oszillatorschaltung ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung. Bei Anwendungsfällen, bei welchen extrem enge Toleranzen für die Oszillatorfrequenz und ausserdem extrem stabile Frequenzen gefordert werden, wie dies z.B. bei einer Oszillatorschaltung für eine elektronische Uhr notwendig ist, werden Komponenten zum Nachstimmen der Frequenzen sowie zur Temperaturkompensation erforderlich. In Fig. 6 stellt der Kondensator 50 einen solchen Trimmkondensator dar, mit dem die Oszillatorfrequenz um sehr kleine Bruchteile der Kristallresonanzfrequenz geändert werden kann. Der mit dem Kristall 28 in Serie geschaltete Kondensator 52 dient sowohl der Temperaturstabilisierung als auch der Frequenzeinstellung.
- 12 - Dieser
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Dieser Kondensator wird aus dielektrischem Material mit einer sehr hohen Dielektrizitätskonstante, z.B. Keramik plus Bariumtitanat, hergestellt. Ein solcher Kondensator hat einen Temperaturkoeffizienten von mehreren tausend/°C, wobei der Wert einen grossen Temperaturbereich zwischen positiven und negativen Werten umfasst. Die den Kondensatoren 50 und 52 zugeschriebene Funktion kann sowohl von einem Kondensator allein oder von beiden Kondensatoren zusammen bzw. durch Austausch der Kondensatoren bewirkt werden.
Für einen Frequenzbereich zwischen IkHz bis 30OkHz ergeben sich für die Kondensatoren 50 und 52 Werte in der Grössenordnung zwischen IpF und lOpF.
In Fig. 7 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Diese Oszillatorschaltung ist in der Lage, komplementäre Rechteckschwingungen als Ausgangssignale zu liefern. Eine solche Schaltung kann in synchronen Logikschaltungen "Verwendung finden. Diese Schaltung gemäss Fig. 7 verwendet die Oszillatorschaltung gemäss Fig. 3 und dazu zusätzlich eine zweite Stufe 60, die zwei als Signalumkehrstufe geschaltete komplementäre Feldeffekttransistoren 62 und 64 umfasst. Ein Kondensator 65 stellt die Lastkapazität aus der Eingangskapzität des Netzwerkes dar, welches vom Oszillator angesigaert wird. Der Wert des Kondensators 65 hängt von der Art der angesteuerten Schaltung ab und ist durch Versuch in einfacher V/eise zu ermitteln. Zum besseren Verständnis der nachfolgenden Erläuterung dieser Schaltung wird auch auf die Figur 8 Bezug genommen. Der Einfachheit halber wird angenommen, dass alle Schwingungsformen aus Sprungfunktionen zusammengesetzt sind.
Dan an die Eingangskiemme 20 gemäss Fig. 7 angelegte Signal ißt in B'ig. H dargestellt, die auch die aus gangs se it ige Schwingung darstellt. Diese Schwingung an der Ausgangsklemme 24 ist komplementär zu der an die Eingangsklemme angelegten Schwingung
- 13 - und
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und wird in entsprechender Weise erzielt,wie anhand der Fig. beschrieben ist.
In Fig. 9 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt, wobei diese Oszillatorschaltung nach denselben Prinzipien wie die zuvor anhand der Fig. 3 und 7 beschriebenen Oszillatorschaltungen arbeitet. Bei dieser Schaltung ist jedoch die offene Schleifenverstärkung für kleine Signale viel grosser als die Verstärkung, die mit den Schaltungen gemäss Fig. 3 und 7 erzielbar ist. Die höhere Schleifenverstärkung erlaubt, dass diese Schaltung mit höheren Frequenzen schwingt. Der Kristall ist bei der Ausführungsform gemäss Fig. 9 zwischen die Ausgangsklemme 72 der dritten komplementären Umkehrstufe 70 und die Eingangskiemme 20 der ersten Umkehrstufe 10 geschaltet. Die dritte Umkehrstufe 70 umfasst einen P-FeIdeffekttransistor 73 und einen N-Feldeffekttransistor 7^j die komplementär zusammengeschaltet sind. Bei der Schwingfrequenz hat der Kristall eine induktive Impedanz und erzeugt somit die für eine regenerative Rückkopplung notwendige Phasenumkehr. Mit denselben in Verbindung mit Fig. 7 erwähnten Prinzipien wird an den Ausgangsklemmen 2A- und 72 eine komplementäre Rechteckschwingung erzeugt.
Die Kondensatoren 26, 27 und 65 sowie der Kondensator 75 sind P gemäss Fig. 9 zwischen die Ausgangsklemme 72 und Masse geschaltet und werden teilweise als Elemente zur Erzeugung einer Vorspannung in der bereits erwähnten Weise benutzt. Die Spannungen V,„, V^2 und V76 am Ausgang der zweiten Umkehrstufe 60 sowie die Spannung V^q am Ausgang der dritten Umkehrstufe 71 sind anfänglich so eingestellt, dass die geschlossene Schleifenverstärkung für kleine Signale über die drei Stufen des Systems den Wert 1 übersteigt und damit ein Anschwingen der Oszillatorschaltung zulässt. Wenn die Gleichstromversorgungsspannung angeschaltet wird, ergeben sich die Werte für die Spannungen V,Q, V^0, V1-^6 und V™ aus der Grosse der Kondensatoren
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Lr und C71- sowie aus der Grosse der Streukapazitäten der P- und N-Feldeffekttransistoren und der Kapazität des parallel geschalteten Kristalls. Wenn alle Feldeffekttransistoren anfänglich unter der Bedingung, dass V grosser ist als die Summe der Schwellwertspannungen der Feldeffekttransistoren, eingeschaltet werden, oder wenn zumindest ein Transistor in jeder der drei Stufen 10, 60 und 70 eingeschaltet wird, dann baut sich zwischen den Klemmen 70 und 72 eine kleine Signalverstärkung auf. Wenn V kleiner ist als V^17 + Vqu , dann
CC . a . η
g gy gy
ergibt sich eine aus zwei Vorspannungsbedingungen in Abhängigkeit von der G-rösse der Kondensatoren im Netzwerk. Im einen Fall sind die Feldeffekttransistoren 14-, 64 und 73 eingeschaltet und die Feldeffekttransistoren 18, 62 und 74 abgeschaltet, wogegen im andern Fall die Feldeffekttransistoren 18, 62 und 7^ eingeschaltet und die Feldeffekttransistoren 14, 64 und 73 abgeschaltet sind. In beiden Fällen sind jedoch die Kondensatoren 27 und 26 die bestimmenden Faktoren für die Einstellung der Vorspannungsbedingungen. So sind z.B. die Kapazitäten der Kondensatoren 27 und 26 um vieles grosser als die Streukapazitäten der Feldeffekttransistoren und ferner die Spannungen V^0 und V^p in Wirklichkeit gleich dem Massepotential. Deshalb ist der Feldeffekttransistor 18 abgeschaltet, da er eine sehr kleine Spannung zwischen dem Tor und dem Trägermaterial hat. Zwischen der Quelle und der Senke des Feldeffekttransistors 14 liegt jedoch ein positives Potential und ferner ist die Spannung zwischen dem Tor und dem Trägermaterial nahezu gleich -V . Damit wird der Feldeffekttransistor
C C
14 eingeschaltet und lädt den Kondensator 26 auf den Spannungswert der Potentialquelle auf, so dass V,- gleich V wird. Da anfänglich der Kondensator 65 ein positives Potential zwischen der Senke und der Quelle des Feldeffekttransistors 64 aufbaut, und da die Spannung zwischen dem Tor und dem Trägermaterial dieses Feldeffekttransistors nicht gleich V ist, wird dieser Feldeffekttransistor 64 eingeschaltet. Da die Spannung zwischen dem Tor und dem Trägermaterial des Feldeffekttransistors 62
- 15 - sehr
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sehr klein ist, ist dieser abgeschaltet. Damit entlädt sich der Kondensator 65 über die Senken-Quellstrecke des Feldeffekttransistors 64 und senkt die Spannung Vr7^ auf etwa Massepotential ab. Der Feldeffekttransistor 74 wird wegen der sehr kleinen Spannung zwischen dem Tor und dem Trägermaterial abgeschaltet. Der Feldeffekttransistor 73 hat jedoch eine Spannung zwischen dem Tor und dem Trägermaterial gleich -V , und da der Kondensator 74 durch Spannungsteilung ein
positives Potential zwischen der Quelle und der Senke des Feldeffekttransistors 73 aufbaut, wird dieser eingeschaltet und lädt den Kondensator 75 auf den Spannungswert der Potentialquelle auf. Wenn daher die Kondensatoren 27 und 26 gross sind, werden die Feldeffekttransistoren 14, 64 und 73 eingeschaltet und die Feldeffekttransistoren 18, 62 und 74 abgeschaltet, da die Kondensatoren 65 und 75 zulassen, dass die Spannungen V7,- und Vr78 anfänglich positiv sind. Zusätzlich zu der Tatsache, dass die Kondensatoren 27» 26, 65 und 75 Elemente zur Einstellung der Vorspannungen sind, müssen sie auch die richtige Grosse haben, um das Schwingen der Schaltung zu ermöglichen. Die Kondensatoren 27 und 75 können ebenfalls als Trimmkondensatoren Verwendung finden.
Vorausstehend wurde eine komplementäre Signalumkehrstufe gemäss der Erfindung aus Feldeffekttransistoren beschrieben, die für einen stabilen Kristalloszillator Verwendung findet. Für die Schaltung werden keine Teile benötigt, die kritische Toleranzen aufweisen, ausserdem kann die Schaltung mit einem Minimum an Komponenten aufgebaut werden. Die Signalumkehrstufe umfasst zwei Feldeffekttransistoren, von denen einer oder beide eingeschaltet werden, und von denen dann einer oder beide Feldeffekttransistoren eine geringe Signal verstärkung bei der gewünschten Oszillatorfrequenz aufweisen, wobei die Verstärkung den Wert 1 übersteigt. Bei einer weiteren Ausführungsform sind Kondensatoren für die Frequenzeinstellung und zur Temperaturkompensation vorgesehen. Entsprechend einer
- 16 - dritten
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dritten Ausführungsform der Erfindung werden zwei Signalumkehrstufen identischer Ausführung zur Erzeugung von komplementären Ausgangssignalen verwendet. Zur Erzielung einer
grösseren Verstärkung und zur Erreichung einer höheren Frequenz kann die Schaltung aus zwei Signalumkehrstufen mit
einer dritten Signalumkehrstufe erweitert werden. Damit ist es möglich, einen Quarzoszillator zu schaffen, der Rechteckschwingungen mit einer sehr stabilen Frequenz liefert.
- 17 - Fat ent ans prüche
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Claims (10)

  1. M241P-657
    Patentansprüche
    Oszillatorschaltung mit Feldeffekttransistoren, deren Kanalstreckaakomplementäre Leitfähigkeiten haben, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägermaterial eines ersten und zweiten Feldeffekttransistors (14, 18) vom Anreicherungstyp jeweils mit der Quelle des entsprechenden Feldeffekttransistors verbunden ist, dass die Quelle des ersten Feldeffekttransistors (14) an einer Versorgungsspannung (Vcö) und die Quelle des zweiten Feldeffekttransistors (18) an einem Bezugspotential liegt, daS3 die Senken der beiden Feldeffekttransistoren in einem ersten Verbindungspunkt miteinander verbunden den Ausgang der Oszillatorschaltung bilden, der über einen Ausgangskondensator (26) an Bezugsspannung angeschlossen ist, wobei der Ausgangskondensator zur Einstellung der Vorspannungspotentialien beiträgt und über den ersten Feldeffekttransistor auf-
    * ladbar sowie über den zweiten Feldeffekttransistor entladbar ist, dass die Tore der beiden Feldeffekttransistoren in einem zweiten Verbindungspunkt miteinander verbunden den Eingang (20) der Oszillatorschaltung bilden, der über einen Eingangskondensator (27) an das Bezugspotential angeschlossen ist, wobei der Eingangskondensator zur Einstellung der Vorspannungspotentialien für die Senken beiträgt, dass ein Schwingquarz (28) zur Bestimmung der Oszillatorfrequenz zwischen den ersten und zweiten Verbindungspunkt geschaltet ist, und dass parallel zu dem Schwingquarz ein Widerstand (29)
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    geschaltet ist, der das Anschwingen der Oszillators chaltung gewährleistet.
  2. 2. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Feldeffekttransistor einen P-leitenden Kanal und der zweite Feldeffekttransistor einen N-leitenden Kanal hat, und dass die Versorgungsspannung einen gegenüber dem Bezugspotential positiven Potentialwert hat.
  3. 3. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Feldeffekttransistor einen N-leitenden Kanal und der zweite Feldeffekttransistor einen P-leitenden Kanal aufweist, und dass die Versorgungsspannung gegenüber dem Bezugspotential einen negativen Spannungswert hat.
  4. 4. Oszillatorschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein dritter Feldeffekttransistor (62) mit P-leitendem Kanal und ein vierter Feldeffekttransistor (64) mit N-leitendem Kanal vorhanden und jeweils mit seiner Quelle an sein Trägermaterial angeschlossen ist, dass die Quelle des dritten Feldeffekttransistors an der Versorgungsspannung und die Quelle des vierten Feldeffekttransistors am Bezugspotential liegt, dass die Senken der dritten und vierten Feldeffekttransistoren miteinander verbunden einen zweiten Ausgang der Oszillatorschaltung bilden, der über einen zweiten Ausgangskondensator (65) an Bezugspotential angeschlossen ist, wobei der Ausgangskondensator zur Einstellung der Vorspannungspotentialien beiträgt und über den dritten Feldeffekttransistor aufladbar sowie über den vierten Feldeffekttransistor entladbar ist, dass die Tore des dritten und vierten Feldeffekttransistors miteinander verbunden an den Ausgang der
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    ersten und zweiten Feldeffekttransistoren angeschlossen sind, und dass Ausgangssignale mit komplementärem Signalwert am ersten und zweiten Ausgang angreifbar sind.
  5. 5. Oszillatorschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein fünfter Feldeffekttransistor (73) mit einem P-leitenden Kanal und ein sechster Feldeffekttransistor (74) mit einem N-leitenden Kanal vorhanden und jeweils mit seiner Quelle an sein Trägermaterial angeschlossen ist, dass die Quelle des fünften Feldeffekttransistors an der Versorgungsspannung und die Quelle des sechsten Feldeffekttransistors am Bezugspotential liegt, dass die Senken der beiden Feldeffekttransistoren miteinander verbunden einen dritten Ausgang der Oszillatorschaltung bilden, der über einen dritten Ausgangskondensator (75) an Bezugspotential angeschlossen ist, wobei dieser Ausgangskondensator zur Einstellung der Vorspannungspotentialien beiträgt und über den fünften Feldeffekttransistor aufladbar sowie über den sechsten Feldeffekttransistor entladbar ist, dass die Tore des fünften und sechsten Feldeffekttransistors miteinander verbunden an den zweiten Ausgang angeschlossen sind, dass der Schwingquarz (28) zwischen den Eingang und den dritten Ausgang geschaltet ist, und dass Ausgangssignale mit einem komplementären Signalwert am zweiten und dritten Ausgang abgreifbar sind.
  6. 6. Oszillatorschaltung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichn et, dass ein Trimmkondensator (52) in Serie zum Schwingquarz zur Einstellung der Oszillatorfrequenz und zur Temperaturstabilisierung geschaltet ist.
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  7. 7· Oszillatorschaltung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein weiterer Trimmkondensator (50) parallel zum Schwingquarz geschaltet ist.
  8. 8. Oszillatorschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Trimmkondensator parallel zum Schwingquarz geschaltet ist.
  9. 9. Oszillatorschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein dritter Feldeffekttransistor mit N-leitendem Kanal und ein vierter Feldeffekttransistor mit P-leitendem Kanal vorhanden und jeweils mit seiner Quelle an sein Trägermaterial angeschlossen ist, dass die Quelle des dritten Feldeffekttransistors an das Bezugspotenbial und die Quelle des vierten Feldeffekttransistors an die Versorgungsspannung angeschlossen ist, dass die Senken des dritten und vierten Feldeffekttransistors miteinander verbunden den zweiten Ausgang der Oszillatorschaltung bilden, der über einen zweiten Ausgangskondensator an die Versorgungsspannung angeschlossen ist, wobei dieser Ausgangskondensator zur Einstellung der Vorspannungspotentialien beiträgt und über den dritten Feldeffekttransistor aufladbar sowie über den vierten Feldeffekttransistor entladbar ist, dass die Tore des dritten und vierten Feldeffekttransistors miteinander verbunden an dem Ausgang der ersten und zweiten Feldeffekttransistoren liegen, und dass an dem ersten und zweiten Ausgang Signale mit komplementärem Signalwert abgreifbar sind.
  10. 10. Oszillatorschaltung nach Anspruch 95 dadurch gekennzeichnet, dass ein fünfter Feldeffekttransistor mit N-leitendem Kanal und ein sechster Feldeffekttransistor mit P-leitendem Kanal vorhanden und
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    jeweils mit seiner Quelle an seinem Trägermaterial angeschlossen ist, dass die Quelle des fünften Feldeffekttransistors an dem Bezugspotential und die QiäLle des sechsten Feldeffekttransistors an der Versorgungsspannung liegt, dass die Senken des fünften und sechsten Feldeffekttransistors miteinander verbunden einen dritten Ausgang der Oszillatorschal bung bilden, der über einen dritten Ausgangskondensator an die Versorgungsspannung angeschlossen ist, wobei dieser Ausgangskondensator zur Einstellung der Vorspannungspotentialien beiträgt und über den fünften Feldeffekttransistor aufladbar sowie über den sechsten Feldeffekttransistor entladbar ist, dass die Tore des fünften und sechsten Feldeffekbtransistors miteinander verbunden an den zweiten Ausgang angeschlossen sind, dass der Schwingquarz zwischen den Eingang und den dritten Ausgang geschaltet ist, und dass am zweiten und dritten Ausgang Signale komplemen-1ären Signalwerts abgreifbar sind.
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4941055A (de) * 1972-08-28 1974-04-17
US3806831A (en) * 1972-12-14 1974-04-23 Nasa Ultra-stable oscillator with complementary transistors
US3838566A (en) * 1973-06-13 1974-10-01 Time Computer Solid state watch having coarse and fine tuning
US3828278A (en) * 1973-07-13 1974-08-06 Motorola Inc Control circuit for disabling mos oscillator
US3855549A (en) * 1973-08-24 1974-12-17 Rca Corp Circuit, such as cmos crystal oscillator, with reduced power consumption
US3887881A (en) * 1974-01-24 1975-06-03 American Micro Syst Low voltage CMOS amplifier
US3955355A (en) * 1974-03-27 1976-05-11 Optel Corporation Electronic calculator watch structures
US3931588A (en) * 1974-09-10 1976-01-06 Rca Corporation Voltage controlled oscillator utilizing field effect transistors
JPS5199454A (de) * 1975-02-28 1976-09-02 Hitachi Ltd
US4211985A (en) * 1975-09-03 1980-07-08 Hitachi, Ltd. Crystal oscillator using a class B complementary MIS amplifier
JPS5855685B2 (ja) * 1975-09-03 1983-12-10 株式会社日立製作所 ゾウフクカイロ
US4052673A (en) * 1976-08-30 1977-10-04 Rca Corporation Combined controlled oscillator and frequency multiplier
US4105950A (en) * 1976-09-13 1978-08-08 Rca Corporation Voltage controlled oscillator (VCO) employing nested oscillating loops
US4150338A (en) * 1977-03-28 1979-04-17 Rca Corporation Frequency discriminators
US4142161A (en) * 1978-02-16 1979-02-27 Timex Corporation Crystal oscillator
GB2018539B (en) * 1978-03-17 1982-06-03 Citizen Watch Co Ltd Temperature compensation of quarty oscillators
US4321562A (en) * 1979-01-11 1982-03-23 Nippon Electric Co., Ltd. Crystal oscillator circuit capable of changing the number of inverter stages coupled in series
JPS5652906A (en) * 1979-10-04 1981-05-12 Toshiba Corp Oscillating circuit
JPS59205A (ja) * 1982-05-26 1984-01-05 Fujitsu Ltd 利得補正付き発振回路
GB2152312B (en) * 1983-11-01 1987-04-23 Motorola Inc Oscillator circuit
US4633779A (en) * 1984-06-29 1987-01-06 Motorola, Inc. Timing apparatus for a fuse
JPH06105850B2 (ja) * 1984-12-12 1994-12-21 沖電気工業株式会社 Ｃｍｏｓ水晶発振回路
US4716383A (en) * 1986-06-23 1987-12-29 Western Digital Corporation Precise phase start-up voltage controlled oscillator with accurate duty cycle
JP2501200B2 (ja) * 1986-08-28 1996-05-29 日本電気アイシーマイコンシステム 株式会社 パルス発生回路
US4931748A (en) * 1988-08-26 1990-06-05 Motorola, Inc. Integrated circuit with clock generator
US4896122A (en) * 1989-07-14 1990-01-23 Motorola, Inc. Multiple bandwidth crystal controlled oscillator
JP3135867B2 (ja) * 1997-06-09 2001-02-19 スワ電子株式会社 水晶振動子のｃｉ測定方法および水晶発振回路
JP3204211B2 (ja) * 1998-04-27 2001-09-04 松下電器産業株式会社 発振装置
CA2328813C (en) * 2000-02-09 2005-09-20 Secretary Of Agency Of Industrial Science And Technology High-frequency oscillation circuit
US7288998B2 (en) * 2003-05-02 2007-10-30 Silicon Laboratories Inc. Voltage controlled clock synthesizer
US7187241B2 (en) * 2003-05-02 2007-03-06 Silicon Laboratories Inc. Calibration of oscillator devices
US7295077B2 (en) * 2003-05-02 2007-11-13 Silicon Laboratories Inc. Multi-frequency clock synthesizer
US7064617B2 (en) * 2003-05-02 2006-06-20 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for temperature compensation
US7436227B2 (en) * 2003-05-02 2008-10-14 Silicon Laboratories Inc. Dual loop architecture useful for a programmable clock source and clock multiplier applications
US20050068118A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Silicon Laboratories, Inc. Reconfigurable terminal
JP2006528452A (ja) * 2003-07-22 2006-12-14 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ トリミングのない精巧な水晶発振器
JP2007181089A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Yoshinori Kanno 直列接続インバーター圧電発振器
CN101784904A (zh) * 2007-08-16 2010-07-21 Nxp股份有限公司 带有rf模块的集成电路、具有这种ic的电子设备和用于测试这种模块的方法
GB2468539B (en) * 2009-03-13 2014-01-08 T Baden Hardstaff Ltd An injector emulation device
EP2779456B1 (de) * 2013-03-15 2018-08-29 Dialog Semiconductor B.V. Verfahren zur Verringerung des Übersteuerungsbedarfs bei MOS-Schaltung und Logikschaltung
US9419593B2 (en) 2014-10-07 2016-08-16 Freescale Semiconductor, Inc. Current mode logic circuit for high speed input/output applications

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH403883A (fr) * 1962-08-24 1965-12-15 Suwa Seikosha Kk Oscillateur à quartz
US3392341A (en) * 1965-09-10 1968-07-09 Rca Corp Self-biased field effect transistor amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
CH633670B5 (fr) 1982-12-31
CH553271A4 (de) 1975-12-31
JPS5734684B1 (de) 1982-07-24
US3676801A (en) 1972-07-11
NL174513C (nl) 1984-06-18
NL174513B (nl) 1984-01-16
NL7114874A (de) 1972-05-03
FR2110109A5 (de) 1972-05-26
BE774635A (fr) 1972-04-28
DE2153828B2 (de) 1980-08-14

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