DE4243907C2 - Substratspannungserzeugungsschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Substratvorspannungserzeugungsschaltung für eine Halbleitervorrichtung.

Mit einer derartigen Schaltung, auch Sperrspannungs-Generierschaltkreis oder BACK-BIAS-Spannungs-Generierschaltkreis (BACK-BIAS VOLTAGE GENERATING CIRCUIT) genannt, wird eine Ladungsträgerinjek­ tion (election injection) in ein Substrat verhindert, das für eine Halbleitervorrichtung geeignet ist, die CMOS-Tran­ sistoren aufweist.

Wie in Fig. 2 gezeigt, empfängt ein bekannter Sperrspan­ nungs-Generierschaltkreis oszillierende Einganssteuer-Si­ gnale in der Form einer alternierenden Stromwelle zunächst über einen Inverter X4. Der Sperrspannungs-Generierschalt­ kreis umfaßt einen ersten Pumpabschnitt 100 (PUMPING POR­ TION) mit einer Elektrode bzw. einem (Schaltungs-)Knoten­ punkt (NODE) N2, dem die Eingangs-Steuersignale nach Pas­ sieren des Inverters X4 zugeführt werden, und einen zweiten Pumpabschnitt 200 mit einer Elektrode bzw. einem Knoten­ punkt N12, dem die Eingangs-Steuersignale über einen weite­ ren Inverter X5 zugeführt werden.

Der erste Pumpabschnitt 100 umfaßt einen PMOS-Transistor M1, der an seiner Source an eine Spannungsquelle Vcc gekop­ pelt ist, sowie einen NMOS-Transistor M2, deren Gates ge­ meinsam an die Elektrode N2 angeschlossen sind und deren Drains miteinander verbunden und an das Gate eines NMOS- Transistors M5 angeschlossen sind. Die Source des NMOS- Transistors M5 ist an einem Erdanschluß Vss geerdet. Der Drain des NMOS-Transistors M5 ist über eine Elektrode N5 an die Source des NMOS-Transistors M2 angeschlossen. Inverter X1, X2, X3 und X4 und ein Pumpkondensator M4 sind in Serie zwischen die Knotenpunkte N2 und N5 über Knotenpunkte N6 bis N8 geschaltet. Der Drain eines NMOS-Transistors M3 ist ebenfalls an den Knotenpunkt N5 angeschlossen. Gate und Source des NMOS-Transistors M3 sind miteinander verbunden und an einen Sperrspannungs-Anschluß VBB angeschlossen.

Der Pumpabschnitt 200 umfaßt einen PMOS-Transistor M6, drei NMOS-Transistoren M7, M8, M10, drei Inverter X6, X7, X8 und einen Pumpkondensator M9. Bis auf einen vorgeschalteten Inverter X5 entspricht der Aufbau des zweiten Pumpabschnit­ tes 200 dem des ersten Pumpabschnittes 100.

Im Betrieb passieren die bzw. das Oszillatorsignal(e) (OSC) zunächst den Inverter X4. Dabei werden auf einem hohen Potential stehende Signale (High) in Signale tiefen Poten­ tials (Low) umgesetzt bzw. umgekehrt. Die Signale niedrigen bzw. tiefen Potentials werden von der Elektrode N2 den Ga­ tes der PMOS- und NMOS-Transistoren M1 und M2 zugeführt, so daß der PMOS-Transistor M1 eingeschaltet wird, während der NMOS-Transistor M2 ausgeschaltet ist. Während des Sätti­ gungszustandes des PMOS-Transistors M1 schaltet die Span­ nungsquelle VCC den NMOS-Transistor M5 ein.

Zur selben Zeit werden die Signale tiefen Potentials durch die drei Inverter X1, X2 und X3 in Signale hohen Potentials umgekehrt. Damit wird die Spannung VCC dem einen Ende des Pumpkondensators 4 zugeführt. Die andere Elektrode des Pumpkondensators M4 ist an die Elektrode N5 angeschlossen, wodurch der anderen Elektrode die Spannung VSS zugeführt wird.

Danach wird das nunmehr auf tiefem Pegel stehende Oszil­ latorsignal (OSC) durch den Inverter X4 in ein Signal hohen Pegels umgekehrt. Das somit auf hohem Pegel stehende Signal wird über den Knotenpunkt N2 den Gates der PMOS- und NMOS- Transistoren M1 und M2 zugeführt, so daß der PMOS-Transi­ stor M1 ausgeschaltet und der NMOS-Transistor M2 einge­ schaltet ist. Damit ist der auch NMOS-Transistor M5 ausge­ schaltet.

Gleichzeitig wird das den Knotenpunkt N2 passierende Hoch­ pegel-Signal durch die drei Inverter X1, X2 und X3 in ein Signal tiefen Pegels bzw. Potentials umgesetzt, wodurch die Spannung VSS dem einen Ende des Pumpkondensators M4 zuge­ führt wird. Die andere Elektrode des Pumpkondensators M4 ist an den Knotenpunkt 145 angeschlossen, der sich jetzt im "schwimmmenden" (FLOATING) Zustand (= Zustand ohne festgelegtes Potential) befindet und der über den Transistor M3 an den VBB-Anschluß angeschlossen ist.

Am Pumpkondensator M4 liegt aufgrund des Koppeleffektes mit der anderen Elektrode des Pumpkondensators eine negativere (kleinere) Spannung als die Spannung VSS.

Dies führt zu folgendem Effekt: Falls die Spannungsdiffe­ renz zwischen dem Knotenpunkt N5 und dem auf einem vorgege­ benen Potential stehenden Sperrspannungsanschluß VBB eine Schwellenspannung erreicht, wird der Schalt-NMOS-Transistor M3 eingeschaltet, so daß die Spannung des Sperrspannungs- Anschlusses VBB durch die Ladung des Pumpkondensators abge­ senkt werden kann.

Der zweite Pumpabschnitt 200 wird analog zum ersten Pump­ abschnitt 100 betrieben. Allerdings wird das Eingangs-Steu­ ersignal zum Knotenpunkt N12 hin zunächst über einen Inverter X5 zugeführt, womit jeweils ein dem Pumpsignal des Pump­ kondensators M4 entgegengesetztes Pumpsignal am Pumpkondensa­ tor M9 erzeugt wird. Die ersten und zweiten Pumpabschnitte 100 und 200 befinden sich somit jeweils in entgegengesetzter Pumpphase zueinander.

Der bekannte Sperrspannungs-Generierschaltkreis senkt die Spannungswerte der Knotenpunkte N5 und N14 jeweils stark ge­ genüber der Sperrspannung VBB ab. Fig. 4 gibt die Wellenform der Spannungen VBB und der am Knotenpunkt N5 anliegende Span­ nung wieder. Während die am Knotenpunkt N5 anliegende Spannung niedriger wird als die Spannung VBB, werden von den Elektroden der Pumpkondensatoren abgegebene Elektronen ver­ mehrt in das Substrat injiziert, wodurch sich anormale Be­ triebseffekte ergeben, beispielsweise ein Selbsthalten bzw. "latch-up" bei ei­ ner Halbleiterzelle.

Ein weiteres Problem des bekannten Sperrspannungs- Generierschaltkreises liegt in der Tatsache, daß die Zufuhr der Sperrspannung zum Schalttransistor relativ viel Zeit er­ fordert um die Sperrspannung auf einen gewünschten Spannungs­ wert zu senken, da der Leitwert des Schalttransistors gering ist.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Sub­ stratvorspannungserzeugungsschaltung für eine Halbleitervor­ richtung zu schaffen, mit der es möglich ist, eine stabile Spannung auf einem vorgegebenen Spannungswert bzw. Spannungs­ pegel aufrechtzuerhalten.

Diese Aufgabe wird durch eine Schaltung mit den Merkmalen nach Anspruch 1 ge­ löst.

Ein wesentlicher Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß mit der erfindungsgemäßen Substratvorspannungser­ zeugungsschaltung bzw. dem Sperrspannungs-Generierschaltkreis eine Schaltung zum Erzeugen einer inneren Spannung für eine Halbleitervorrichtung geschaffen wird, mit der eine Ladungsträger­ injektion (election injection) in ein für einen Halbleiter geeignetes Substrat verhindert wird.

Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist darin zu sehen, daß die Pumpspannung im Bezug auf die Sperrspannung kompensiert wird.

Schließlich liegt ein besonderer Vorteil der vorliegenden Er­ findung darin, daß mit ihr die Leitungseigenschaften eines Schaltabschnittes im Bezug auf die Sperrspannung verbessert werden.

Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezug auf die beige­ fügten Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 einen erfindungsgemäßen Sperrspannungs-Generier­ schaltkreis, bei dem die Auswahlinjektion in ein Substrat nicht oder praktisch nicht mehr auf­ tritt;

Fig. 2 einen bekannten Sperrspannungs-Generierschalt­ kreis für eine Halbleitervorrichtung, der zwei Pumpabschnitte aufweist;

Fig. 3A und 3B Wellenformdiagramme von auftretenden Eingangssteuersi­ gnalen an einer Elektrode 20 und an einem Ein­ gangssignal-Anschluß eines Oszillatorsignales beim Betrieb der vorliegenden Erfindung;

Fig. 4 ein Wellendiagramm, das die Beziehung zwischen den Signalen an einer Elektrode N5 eines Pumpab­ schnittes und an einem Sperrspannungsanschluß nach dem Stand der Technik veranschaulicht; und

Fig. 5 ein Wellenformdiagramm, das die Beziehung zwi­ schen den Signalen einer Elektrode N5 eines Pumpabschnittes und einem Sperrspannungsanschluss entsprechend der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

Fig. 1 zeigt einen erfindungsgemäßen Sperrspannungs-Gene­ rierschaltkreis, der zunächst einen ersten Pumpabschnitt 100 und einen zweiten Pumpabschnitt 200 aufweist, die, soweit sie analog zur Fig. 2 aufgebaut sind, die Bezugs­ zeichen der Fig. 2 tragen. Auf eine detailierte Be­ schreibung dieser Abschnitte wird daher verzichtet.

Der Sperrspannungs-Generierschaltkreis weist ferner einen Steuersignal-Generierabschnitt 300 und zwei Schaltabschnit­ te 400 und 500 auf, die vor (Abschnitt 300) und hinter (Abschnitte 400 und 500) die ersten und zweiten Pumpab­ schnitte 100 und 200 geschaltet sind.

Der Steuersignal-Generierabschnitt umfaßt zwei NOR-Gatter G1 und G2, deren Ausgangsanschlüsse jeweils mit einem der Eingangsanschlüsse des anderen Gatters nach Art eines Flip- Flop-Aufbaus verbunden sind. Daher wird das Oszillatorsi­ gnal (eine in ihrer Amplitude alternierende Stromwelle), wie in Fig. 3a gezeigt, einem Anschluß des Gatters G1 und einem Inverter X11 simultan zugeführt X11. Ein Inverter X10 kehrt das Oszillatorsignal vor einer Eingabe in einen An­ schluß des Gatters G2 um. Die Ausgaben bzw. die von den Gattern G1 und G2 abgegebenen Signale treten daher an Elek­ troden N21 und N22, wie in Fig. 3b gezeigt, als nicht in­ termittierende Rechteckwellen auf.

Die weitgehend nach Art der Fig. 2 aufgebauten ersten und zweiten Pumpabschnitte 100 und 200 (bis auf die Transisto­ ren M3 und M8) empfangen Ihre Eingangssteuersignale jeweils über einen Inverter X11 bzw. einen Inverter X12.

Der erste Schaltabschnitt 400 umfaßt einen NMOS-Transistor M3, dessen Gate an das Gate des NMOS-Transistors M10 und den Knotenpunkt N13 des zweiten Pumpabschnittes 200 ange­ schlossen ist. Dabei ist das Gate des NMOS-Transistors M10 entsprechend der Elektrode N3 zwischen dem PMOS-Transistor M1 und dem NMOS-Transistors M2 als ein Verbindungspunkt zwischen dem ersten und dem zweiten Pumpabschnitt anzuse­ hen.

Entsprechend umfaßt der zweite Schaltabschnitt 500 einen NMOS-Transistor M8, dessen Gate an das Gate des NMOS-Tran­ sistors M5 und den Knotenpunkt N3 des ersten Pumpab­ schnittes angeschlossen ist. Dabei wird das Gate des NMOS- Transistors M5 entsprechend der Elektrode N13 zwischen dem PMOS-Transistor M6 und dem NMOS-Transistor M10 als gemeinsamer Verbindungspunkt des zweiten Pumpabschnittes 200 angesehen.

Der Steuersignal-Generierabschnitt 300 wird wie folgt be­ trieben: Das zunächst auf seinem hohen Pegel stehende Os­ zillatorsignal wird zur Elektrode N20 hin beim Passieren des Inverters X10 umgekehrt. Das Signal kommt somit an der Elektrode N20 auf seinem niedrigen Potential an. Zu glei­ chen Zeit gibt das NOR-Gatter G1 ein Signal hohen Pegels ab. Wenn das Oszillatorsignal dagegen vom niedrigen Pegel zu seinem hohen Pegel ansteigt, wird das Signal zur Elek­ trode N21 hin in das niedrige Signal umgesetzt und das Si­ gnal an der Elektrode N22 wird über das NOR-Gatter G2 hin in den hohen Pegel gesetzt. Mit dieser Anordnung wird an den Elektroden N21 und N22 ein Überlappen des hohen Pegels zur gleichen Zeit, wie in Fig. 3A gezeigt, verhindert.

Die an den Elektroden N21 und N22 anliegenden Signale wer­ den als Eingangssteuersignale der Pumpabschnitte 100 bzw. 200 betrieben und über die Inverter X11 bzw. X12 umgekehrt.

Ein an der Elektrode N2 im niedrigen Pegel anliegendes Si­ gnal wird den Gates der PMOS- und NMOS-Transistoren M1 und M2 zugeführt, so daß der PMOS-Transistor M1 eingeschaltet und der NMOS-Transistor M2 ausgeschaltet ist.

Während des Sättigungszustandes des PMOS-Transistors M1 schaltet die Spannungsquelle VCC den NMOS-Transistor M5 ein, wodurch die Elektrode auf dem VSS-Pegel gehalten wird.

Zur selben Zeit wird das auf seinem niedrigen Pegel stehen­ de Signal über die drei Inverter X1, X2 und X3 in ein Si­ gnal hohen Pegel umgesetzt und derart dem einen Ende des Pumpkondensators M4 zugeführt.

Die zwischen den zwei Elektroden des Pumpkondensators M4 liegende Spannung steigt daher auf einen Spannungswert VCC an. D. h., daß das eine Ende des Pumpkondensators M4 auf eine Spannung VCC aufgeladen wird, während am Anschluß N5 bzw. am Knotenpunkt N5 eine Erdspannung VSS anliegt.

Danach gehen die Eingangssteuersignale von ihrem niedrigen Pegel auf einen hohen Pegel über (oder umgekehrt).

Das nunmehr am Punkt N2 auf seinem hohen Pegel stehende Signal wird den Gates der PMOS- und NMOS-Transistoren M1 und M2 zugeführt, so daß der PMOS-Transistor M1 ausgeschal­ tet und der NMOS-Transistor M2 eingeschaltet ist. Die Elek­ trode N5 wird damit in einen Schwebe- bzw. Schwimmzustand versetzt.

Zur selben Zeit wird das an der Elektrode N2 auf seinem hohen Pegel stehende Signal über die drei Inverter X1, X2 und X3 in ein Signal niedrigen Potentials umgesetzt, wo­ durch dem einen Ende des Pumpkondensators M4 eine Erdspan­ nung VSS zugeführt wird. Die andere Elektrode des Pumpkon­ densators M4 ist an die Elektrode N5 angeschlossen, die sich jetzt im Schwebe- bzw. Schwimmzustand befindet.

Aufgrund des Koppeleffektes des Pumpkondensators M4 wird die Spannung an der anderen Elektrode des Pumpkondensators M4 negativer als die Spannung VSS.

Dagegen befindet sich in diesem Augenblick der Knotenpunkt N12 auf seinem niedrigen Pegel. Das auf seinem niedrigen Pegel stehende Signal wird den PMOS- und NMOS-Transistoren M6 und M7 zugeführt, was den PMOS-Transistor M6 ein- und den NMOS-Transistor M7 ausschaltet. Dadurch befindet sich der Knotenpunkt N13 auf dem VCC-Spannungspegel. Der Transi­ stor M3 wird somit durch die am N13-Knotenpunkt anliegende Spannung eingeschaltet. Die andere Elektrode des Pumpkon­ densators M4 ist an den Knotenpunkt N5 angeschlossen, der an mit dem VBB-Spannungsanschluß über den Transistor M3 verbunden ist.

Zur selben Zeit wird das auf seinem niedrigen Pegel stehen­ de Signal des Knotenpunktes N12 den PMOS- und NMOS-Transi­ storen M6 und M7 zugeführt, so daß, wie bereits erwähnt, der PMOS-Transistor M6 ein- und der NMOS-Transistor M7 ausgeschaltet wird. Der NMOS-Transistor M10 wird damit ebenfalls eingeschaltet. Das auf seinem niedrigen Pegel stehende Signal wird außerdem über drei Inverter X6, X7 und X8 in den hohen Zustand umgesetzt und derart dem einen Ende des Pumpkondensators M9 zugeführt. Das andere Ende des Pumpkondensators M9 ist über den Transistor M10 an eine Spannung VSS angeschlossen, wobei der Transistor M8 auf­ grund der niedrigen Spannung am Knotenpunkt N3 ausgeschal­ tet wird. Damit wird der Knotenpunkt N14 auf dem VSS-Pegel gehalten und die am Knotenpunkt N17 anliegende Spannung steigt auf den VCC-Pegel an, wodurch Elektroden des Knoten­ punktes M14 Spannungsmaß in Richtung auf den Erdspannungsanschluß VSS bewegt (drift) werden.

Wenn das Oszillatorsignal daraufhin in den hohen Pegel um­ kehrt, werden die NMOS-Schalttransistoren M3 und M8 ent­ gegengesetzt wie vorstehend beschrieben betrieben. Die ersten und zweiten Pumpabschnitte 100 und 200 bewirken daher ein in ihren Phasen umgekehrtes Pumpen der NMOS- Schalttransistoren M3 und M8.

Dabei soll angemerkt werden, daß einer der NMOS-Schalttran­ sistoren zur Bildung des Pumpabschnittes ausgeschaltet wird, während der andere NMOS-Schalttransistor eingeschal­ tet wird und eine höhere Leitfähigkeit aufweist. Mit anderen Worten werden entsprechend der Ausgangsspannung eines Rin­ goszillators die Sperrspannung und eine Spannungsquelle jeweils abwechselnd den Gates der NMOS-Schalttransistoren zugeführt, wodurch die Pumpeffizienz beachtlich erhöht wird.

Fig. 5 zeigt ein Wellenformdiagramm einer an einer Elek­ trode N5 angliegenden Spannung sowie die Spannung VBB des Sperrspannungsanschlusses beim Betrieb der vorliegenden Erfindung.

Während der nach dem Stand der Technik bekannte Sperrspan­ nungs-Generierschaltkreis nach Fig. 4 ferner das Problem aufwarf, daß Elektronen von der Elektrode des Pumpkondensa­ tors aufgrund der am Knoten N5 niedriger als VBB anliegen­ den Spannung in das Substrat injiziert wurden, ergibt sich nach Fig. 5 bei der vorliegenden Erfindung folgender Vor­ teil: Wenn die Spannungen am einen Ende des Pumpkondensa­ tors niedriger als die Sperrspannung werden, werden alle Spannungen über die NMOS-Schalttransistoren dem Sperrspan­ nungsanschluß zugeführt, da der NMOS-Schalttransistor durch die Spannung VCC eingeschaltet wird. Dadurch wird die Elek­ troneninjektion vom Übergangsbereich bzw. von der Sperr­ schicht der Pumpkondensatoren in das Substrat verhindert.

Fig. 1 macht ebenfalls deutlich, daß die Signale an den Knotenpunkten N21 und N22 nicht gleichzeitig in den hohen Pegel gesetzt werden und daß die Signale an den Knotenpunk­ ten N5 und N14 nicht gleichzeitig in den hohen Level über­ treten. Es ist damit sehr unproblematisch und einfach, Rückflußströme vom Sperrspannungsanschluß VBB in die Kno­ tenpunkte N15 und N14 zu verhindern.

Entsprechend ergibt sich bei der vorliegenden Erfindung eine Spannung, die einem Pegel gehalten wird, der identisch mit oder höher als die Sperrspannung ist, was die Pumpeffi­ zienz erhöht.

Claims (3)

1. Substratvorspannungserzeugungsschaltung für eine Halbleitervorrichtung, die folgendes aufweist:

• a) eine Steuersignal-Erzeugungsschaltung (300), die zum Empfang von oszillierenden, von einem Oszillator (OSC), insbesondere einem Ringoszillator, abgegebenen, einander abwechselnden Niedrigpegel- und Hochpegel-Signalen und zur Erzeugung von Steuersignalen infolge der Niedrigpegel- und Hochpegel-Signale ausgelegt ist,
• b) eine erste Ladungspumpe (100), die zum Aufladen des Eingangs eines ersten Pumpkondensators (M4) in Abhängigkeit des Eingangs-Steuersignals ausgelegt ist, um die Spannung am Ausgang des Pumpkondensators auf einen Wert zu bringen, der niedriger ist als die Substratvorspannung bzw. Sperrspannung (BACK-BIAS),
• c) eine zweite Ladungspumpe (200), die zum Aufladen des Eingangs eines zweiten Pumpkondensators (M9) in Abhängigkeit des Eingangs-Steuersignals ausgelegt ist, um die Spannung, insbesondere in Gegenphase zum ersten Pumpabschnitt, am anderen Ende des Pumpkondensators (M9) auf einen Wert zu bringen, der niedriger ist als die Substratvorspannung bzw. Sperrspannung,
• d) einen ersten Schaltungsabschnitt (400), der derart ausgelegt ist, daß ihn eine Spannung einschaltet, die größer ist als die Sperrspannung, um an den Sperrspannungsanschluß (VBB) angeschlossen zu sein, wenn die Ausgabe der ersten Ladungspumpe (100) unter die Sperrspannung sinkt, und
• e) einen zweiten Schaltungsabschnitt (500), der derart ausgelegt ist, daß ihn eine Spannung einschaltet, die größer ist als die Sperrspannung, um an den Sperrspannungsanschluß (VBB) angeschlossen zu sein, wenn die Ausgabe der zweiten Ladungspumpe (200) unter die Sperrspannung sinkt.

2. Substratvorspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß die Steuersignal- Erzeugungsschaltung (300) zwei NOR-Gatter (G1, G2) aufweist, deren Ausgangsanschlüsse jeweils mit einem der Eingangsanschlüsse des jeweils anderen NOR-Gatters verbunden sind, und deren andere Eingangsanschlüsse einmal direkt und einmal über einen Inverter (X10) an den Ausgangsanschluß des Oszillators (OSC) angeschlossen sind, wodurch die NOR-Gatter (G1, G2) jeweils Signale verschiedenen Pegels an Ihren Ausgängen erzeugen.

3. Substratvorspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Ladungspumpe (100) einen ersten NMOS- Transistor umfaßt (M5), dessen Gate an eine Spannung (VSS) angeschlossen ist, um den Ausgang zu erden, wenn der Pumpkondensator (M4) aufgeladen ist,
die zweite Ladungspumpe (200) einen zweiten NMOS- Transistor (M10) umfaßt, dessen Gate an die Spannung (VSS) angeschlossen ist, um den Ausgang zu erden, wenn der Pumpkondensator (M9) aufgeladen ist,
der erste Schaltungsabschnitt (400) einen dritten NMOS-Transistor (M3) umfaßt, dessen Gate an den zweiten NMOS-Transistor (M10) angeschlossen ist,
der zweite Schaltungsabschnitt (500) einen vierten NMOS-Transistor (M8) umfaßt, dessen Gate an den ersten NMOS-Transistor (M5) angeschlossen ist,
wobei die dritten und die vierten NMOS-Transistoren (M3, M8) die jeweilige Ladungspumpe zur Generierung einer Spannung veranlassen, die niedriger ist als die am Gate anliegende Spannung (VBB), um den Rückflußstrom während des ausgeschalteten Zustandes zu verhindern und um die Spannung (VCC) an den Gates zu generieren, um derart die Kondensatorwirkung während des Betriebs zu steigern.