DE2153781A1 - Photolackzusammensetzung - Google Patents
PhotolackzusammensetzungInfo
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Description
Böblingen, 27. Oktober 1971 kd-fr
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtl. Aktenzeichen: Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin: Docket FI 970 075
Die Erfindung betrifft eine filmbildende, lichtempfindliche
Photolackzusammensetzung zur Verwendung in photolithographischen und photomechanischen Prozessen bei der Herstellung von gedruckten
Schaltungen, Mikroschaltkreisen, Halbleitern, Druckplatten und dgl.
Eine große Anzahl negativer, lichtempfindlicher Photolackzusammensetzungen
sind bekannt oder vorgeschlagen worden zur Abdeckung bestimmter Bereiche auf verschiedenen Unterlagen bei der Herstellung
von gedruckten Schaltungen, Mikroschaltkreisen, Halbleitern und dgl. Typische negative Photolackzusammensetzungen sind beispielsweise
in den USA-Patentschriften Nr. 2 852 379 und 2 940 853 beschrieben.
Bei deren Verwendung werden die negativen Photolackzusammensetzungen
zuerst aus Lösungen mittels Tauchen, Sprühen oder Verspinnen auf ein geeignetes Substratmaterial aufgebracht und auf demselben
zu geeigneten Photolackmasken umgewandelt zur weiteren Bearbeitung des Substratmaterials. Als Substratmaterialien können
mit Kupfer beschichteten Kunststoffplatten zur Herstellung von gedruckten Schaltungen oder oxidierte Oberflächen zur Herstellung
von Halbleitervorrichtungen verwendet werden. Der lichtempfindliche
überzug wird dann durch eine geeignete Maske bildmäßig mit UV-Licht belichtet, wobei die belichteten Teile des Photolacks
209819/0985
unlöslich werden, üblicherweise durch Vernetzen, so daß bei der. Entwicklung der Photolackmaske die nicht belichteten Teile des
Photolacks durch geeignete Lösungsmittel weggelöst werden können. Die dabei freigelegten Teile der Oberfläche des Substratmaterials
können in der gewünschten Weise bearbeitet werden, beispielsweise kann die Kupferschicht oder die oxidierte Halbleiteroberfläche
abgeätzt werden bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen oder Halbleitervorrichtungen. Nach der Bearbeitung des Substratmaterials
wird die Photolackmaske durch geeignete Lösungsmittel entfernt.
Am häufigsten werden in der Halbleiterfertigung Photolackzusammensetzungen,
die aus zyklisiertem Polyisopren und einem Arylbisdiazidsensibilisator
bestehen und in den US-Patentschriften 2 852 und 2 940 853 beschrieben sind, verwendet. Obigeich mit den genannten
Photolackzusammensetzungen gute Fortschritte bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen (einschließlich integrierter
Schaltkreise) erreicht werden konnten, können mit den genannten Photolackzusammensetzungen keine weiteren Fortschritte mehr bei
der Miniaturisierung von Halbleitervorrichtungen erreicht werden. Beispielsweise kann die erforderliche Auflösung, die für Photolackraasken
zur genauen Darstellung von Linienöffnungen in der Größenordnung von 2,5 μ oder weniger in der Oxidoberfläche der
Halbleitersubstrate notwendig ist, mit den genannten Photolacken nicht mehr erreicht werden. Ungenügende Haftung der Photolack-zusammensetzung
auf der Siliziumdioxidoberfläche macht sich während der Ätzung in einem Unterätzen bemerkbar und Beschränkungen
hinsichtlich der Löslichkeit und Struktur erschweren die Herstellung von Schichten mit bestimmter Schichtdicke und die Entwicklung
derselben.
Zweck der Erfindung ist, eine negative Photolackzusammensetzung anzugeben, die bei der Maskenherstellung zu den gewünschten Auflösungen
führt, die die gewünschte Löslichkeit und Adhäsion und eine sehr gute Widerstandsfähigkeit gegen Ätzlösungen besitzt.
Docket FI 970 075 2 09819/ 09 8 5
Die Photolackzusammensetzung gemäß der Erfindung, welche ein
Arylbisdiazid als Sensibilisator und zyklisiertes Cis-l,4-polyisopreix
mit einer mittleren Molekülgröße (Aw) von 4000 bis 5500 8 enthält, ist gekennzeichnet durch die folgenden Beziehungen:
a) Q=f =Of47max>, worin
A das Verhältnis der Infrarotabsorptionen der internen zu den
endständigen C=C-DoppeIbindungen mit einem Maximalwert von 0,611 und
S der Sensibilisatorgehalt in Gewicchtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht des Polymeren und des Sensibilisators,
mit einem Maximalwert von 1,3 Gewichtsprozent ist;
b) R=|= 13,0max, worin
P der Prozentgehalt nicht zyklisierter Isopreneinheiten im Polymeren mit einem Maximalwert von 16,9 % und
S der Sensibilisatorgehalt in Gewichtsprozent ist;
c) eine abhängige Endfunktion K = QRS = 7,9
Die Erfindung wird nachfolgend und anhand der Abbildungen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt das Reaktionsschema bei der Zyklisierung
von Poly-cis-isopren;
Fig. 2 zeigt die Lage der im NMR-Spektrum des zykli-
sierten Polyisoprens auftretenden Signale;
Fign. 3-5 zeigen die graphischen Darstellungen verschiedener Parameter der Photolackzusammensetzungen
gemäß der Erfindung.
Docket FI 970 075 2 0 9 819/0985
_ 4 —
Die fUmbildende, lichtempfindliche Photolackzusammensetzung
gemäß der Erfindung besteht aus einem Arylbisdiazid als Photosensibilisator
und zyklisiertem Poly-cis-isopren, wobei die Zusammensetzung durch die folgenden kritischen Parameter beschrieben wird:
a) Dem Prozentgehalt nicht zyklisierter (linearer) Isopreneinheiten
in den zyklisierten Polymeren, dargestellt als eine Funktion des Sensibilisatorgehalts, wobei die Funktion, dargestellt
durch die Variable "R", einen Maximalwert von 13,0 besitzt;
* b) Dem Verhältnis der zyklischen internen zu den endständigen
externen C=C-Doppelbindungen in den zyklisierten Polymeren, dargestellt als Funktion des Sensibilisatorgehalts, wobei
die Funktion, dargestellt durch die Variable "Q", einen Maximalwert von 0,47 besitzt und
c) einer empirischen Größe K, dargestellt durch die Funktion K = QRS, wobei K einen Maximalwert von 7,94 besitzt. Zusätzlich
wurde gefunden, daß in den Photolackzusammensetzungen gemäß der Erfindung der Sensibilisatorgehalt, dargestellt
durch die Variable S, auf einen Maximalwert von 1,3 Gewichtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht an Polymer und Sensibilisator,
begrenzt werden muß.
Die Charakterisierung der Photolackzusammensetzungen gemäß der Erfindung basiert auf handelsüblichen negativen Photolacken,
deren Zusammensetzung mit konventionellen Methoden bestimmt wird. So wurden beispielsweise das Zyklisierungsverhältnis und der
Prozentgehalt nicht zyklisierter Isopreneinheiten anhand von NMR-Spektren (Kernresonanzspektren) bestimmt, die auf einer Hochtemperaturmodifikation
eines Verfahrens beruhen, das von M. A. Golub und Mitarbeitern in "High Resolution Nuclear Magnetic Resonance
Spectra of Various Polyisoprenes", Journal of the American Chemical Society, Bd. 84 (1962), Seite 4981 beschrieben ist.
Die NMR-Spektroskopie kann zur Messung des Zyklisierungsverhältnisses der Polymeren und dem Prozentgehalt nicht zyklisierter
Isopreneinheiten herangezogen werden, wobei die fortschreitende
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Zyklisierung verschiedener Polymerer des Cis-l,4-isoprens, dargestellt
in Fig. 1, anhand der NMR-Spektren verfolgt wird. Die zyklisierten Polymeren werden aus handelsüblichem Cis-lf4-polyisopren
mit p-Toluolsulfonsäure als Katalysator nach einem Verfahren
hergestellt, das von H. J.J. Janssen in "Preparation and Use of Cyclized Rubber as a Stiffening Resin in Rubber" in
Rubber Age, Februar 1956, auf den Seiten 718 bis 722 beschrieben ist.
Die NMR-Spektroskopie erlaubt die Unterscheidung zwischen zyklischen und alizyklischen C=CH-Einheiten und auch die Unterscheidung
der CH,-C-Einheit (1 in Fig. 1) von anderen CH0, CH0
und CH-Protonensignalen. Das Spektrum wird an einer filtrierten
20%igen (Gewicht/Volumen) Lösung des ausgefällten Polymeren in Tetrachloräthylen bei 120 0C mit Tetramethylsilan (TMS) als
internem Standard aufgenommen. Die Lage der Signale wird auf das TMS-Standardsignal, welches als Nullpunkt gewählt ist, bezogen
(δ-Skala). Von 6=0 aus werden die chemischen Verschiebungen
in Richtung des abnehmenden Feldes nach links in ppm (parts per million) aufgetragen. Das verwendete Polymere wird
aus der Photolackformulierung ausgefällt durch langsames Eintropfen einer 1:1 Lösung derselben in Xylol in ein zehnfaches
Volumen an Methanol, das heftig gerührt wird. Das feste Polymere wird abgetrennt und im Vaki
für die NMR-Analyse getrocknet.
für die NMR-Analyse getrocknet.
mere wird abgetrennt und im Vakuum bei 35 0C 48 Stunden lang
Die Intensitäten der NMR-Signale werden planimetrisch ausgemessen.
Nicht vollständig aufgelöste Signale werden willkürlich ausgewertet durch Fällung einer Senkrechten von der niedrigsten
Stelle zwischen beiden Signalen auf die Grundlinie, wobei der Schnittpunkt die Grenze zwischen den beiden Signalen ist. Die
spektralen Zuordnungen sind in Fig. 2 gezeigt. 2_ bei ungefähr 5.3 δ ist das Signal der zyklisierten -CH=C-Einheit; 3 bei ungefähr
5.1 δ ist das Signal der nicht zyklisierten -CH=C-Einheit; 4_ bei ungefähr 4.6 δ ist das Signal der exozyklischen
>C=CH2-Einheit;
5_ von ungefähr 1.2 δ bis etwa 3.0 δ ist das Signal der
Docket Pi 970 Ο75 2098 1 Q/Ü98G
-C(CH3)=C< und der >CH-C=Einheit (ausgenommen ist das Signal der
CH3-C-Einheit, JL in Fig. 1); £ von ungefähr 0.68 bis etwa 1.28 δ
ist das Signal der CH_-C-Einheit (1 in Fig. 1).
■J ι
Der Zyklisierungsgrad "C" des Polymeren wird aus der Beziehung
C —
T-8B
bestimmt, worin E die Intensität des Signals 6 in Fig. 2 der
ι —
^ CH3-C-Einheit U in Fig. 1) , T die Gesamtintensität unter der
Kurve der Fig. 2 und B die Intensität des Signals 2 in Fi9· 2 der
nicht zyklisierten -CH=C-Einheit ist. Aus dieser Beziehung wird das Zyklisierungsverhältnis C für monozyklische Polymere ein
Wert von 0,19 gefunden und Zyklisierungsverhältnisse von 0,25 und
0,28 für bizyklische und tr!zyklische Systeme. Der Prozentgehalt
nicht zyklisierter Isopreneinheiten "P" wird bestimmt aus der Beziehung
D _ 8B · IQ2
P T '
P T '
worin B und T wie oben angegeben definiert sind. Die relative mittlere Molekülgröße, Aw, wird mittels Gelpermeationschromato-P
graphie bestimmt gemäß einem Verfahren, das von J. Cazes in "Gel Permeation Chromatography", Journal of Chemical Education,
Bd. 43, Nr. 7, Juli 1966 beschrieben ist.
Die Gelpermeationschromatographie (GPC) zyklisierter Cis-1,4-polyisoprene
wird in Tetrahydrofuran mit einer Waters Associate Model 2OO-Einheit durchgeführt, die mit Kolonnen ausgestattet ist,
5 4 die mit vernetztem Polystyrolgel mit Größen von 10 , 10 und
7 χ 10 A* gefüllt sind. Die relativen mittleren Molekülgrößen (Aw)
werden gemessen durch Vergleich der Eluierungszeit mit einem Standard.
Als Standard wird niedrigmolekulares Polystyrol in einem Bereich von 48000 bis 117 A* und Polyäthylenglykol in einem Bereich
von 780 bis 50,5 A verwendet.
Docket". FI 1J70 075
2 0 9 8 1 9 / (J 0 B 5
Das Verhältnis "P" der zyklischen internen C=C-Doppelbindungen,
7_ in Fig. 1 zu den endständigen exozyklischen C=C-Doppelbindungen,
13 in Fig. 1 wird anhand der Infrarotspektren aus dem Verhältnis der entsprechenden Absorptionen bei 6f0 und 6,1 ρ bestimmt. Dabei
wird nach einem Verfahren gearbeitet, das von W.S. Richardson und A. Sacher in Journal of Polymer Science, Bd. 10 (1952) auf
den Seiten 353 bis 370 beschrieben ist. Zu dieser Bestimmung wird das zyklisierte Polyisopren von den anderen Bestandteilen
der Photolackzusammensetzung abgetrennt und anschließend eine abgewogene Menge in einem abgemessenen Volumen Chloroform gelöst.
Wenn auf interne, zyklische C=C-Doppelbindungen und auf endständige
externe C=C-Doppelbindungen im Rahmen dieser Erfindung und den
Ansprüchen Bezug genommen wird, dann beziehen sie sich diese Angaben immer auf die Einheiten 7_ und 13 in Fig. 1.
Die vorhergehenden Angaben dienen zur Definition der verschiedenen
Parameter, die zur genauen Beschreibung der Photolackzusammensetzungen erforderlich sind, so daß nur noch Grenzen für A
(das Verhältnis der Infrarotabsorptionen der zyklischen internen C=C-Doppelbindungen zu den externen endständigen C^C-Doppelbindungen)
und P (Prozentgehalt nicht zyklisierter Isopreneinheiten im Polymeren) bestimmt werden müssen im Hinblick auf die vorhergehende
Zuordnung der Grenzen für die Beziehung K, die Parameter Q, R und die maximale Konzentration des Sensibilisators S.
Der spezielle Sensibilisator, der in den Photolackzusammensetzungen
vorhanden ist, die zur genauen Beschreibung der Zusammensetzungen gemäß der Erfindung verwendet werden, ist, wie durch Analyse
gefunden wurde, 2,6-Bis-(4'-azidobenzyliden)-4-methylcyclohexanon.
Obgleich ein spezieller Sensibilisator identifiziert wurde, können in der Photolackzusammensetzung gemäß der Erfindung
auch andere bekannte Arylbisdiazidsensibilisatoren, die beispielsweise in den US-Patentschriften 2 852 379 und 2 940 853 beschrieben
sind, verwendet werden. Typische Sensibilisatoren dieser Art sind: 4,4'-Diazidochalkon, 2,6-Di-(4'-azidobenzal)-cyclohexanon,
4,4'-Diazidostuben, p-Phenylen-bis(azid), 4,4'-Diazidobenzophe-
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- 8 non, 4,4'-Diazidodiphenylmethan und dgl.
Die relativen Proportionen des zyklisierten Polyisoprene und der Sensibilisatoren können, wenn es gewünscht wird, oder wenn es
die Bedingungen erfordern, innerhalb der für diese Erfindung angegebenen Parameter variieren, aber im allgemeinen sind die
Proportionen des Polymeren zum Sensibilisator etwa 25:1. Gewöhlich
wird der Sensibilisator der Zusammensetzung in Mengen von 0,5 bis 1,3 Gewichtsprozent zugesetzt. Obgleich die spezifische
Konzentration des Sensibilisators in einem weiten Bereich variieren kann, hängt diese im allgemeinen von dem zur Verwendung
kommenden, spezifischen Sensibilisator, von der gewünschten oder geforderten Schichtdicke der lichtempfindlichen Schichten und
der spezifischen Verwendung der durch Lichteinwirkung unlöslich gemachten Schicht ab. In jedem Fall können die optimalen Konzentrationen
durch bekannte Verfahren ermittelt werden.
Zum Gebrauch werden die lichtempfindlichen Zusammensetzungen gemäß der Erfindung in einem üblicherweise zur Beschichtung von
Polymeren auf geeigneten Unterlagen zur Herstellung von photoleitfähigen Elementen geeigneten Lösungsmittel gelöst. Brauchbare
Lösungsmittel umfassen niedrige Alkohole wie Methanol, Äthanol, Propanol und dgl.; Ketone wie Cyclohexanon, 2-Butanon, Aceton
und dgl.; Dimethylformamid; Tetrahydrofuran; Pyridin; Benzol, Toluol und dgl. und Mischungen derselben. Im allgemeinen kann
jedes inerte Lösungsmittel verwendet werden, es muß nur als Trägermittel zum Auftragen der lichtempfindlichen Zusammensetzung
auf eine Trägerunterlage dienen, und die Wahl des Lösungsmittels kann unter anderem auf die Obengenannten fallen. Der Feststoffgehalt
der Zusammensetzung muß so hoch sein, daß die gewünschte Filmdicke der Zusammensetzung, die im allgemeinen in der Größenordnung
zwischen etwa 1000 und 15 000 Ä liegt, hergestellt werden kann.
Das Unlöslichmachen (Vernetzen) des zyklisierten Polyisoprene kann einfach durch Belichtung der Polymer-Sensibilisatorzusammen-
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— Q _
Setzung mit einer Lichtquelle, die aktinische Strahlung emittiert oder irgendeiner beliebigen Lichtquelle erreicht werden. Die
Lichtquelle muß nur einen genügend hohen Betrag an Strahlung, vorzugsweise UV-Licht liefern, um das gewünschte Unlöslichwerden
der Zusammensetzung zu induzieren. Typische Lichtquellen umfassen Kohlelichtbogenlampen oder Quecksilberdampflampen und dgl. Wie
leicht einzusehen ist, ist die Wirkung des Sensibilisators nicht immer diejenige, daß die Photolackzusamraensetzung in allen organischen
Lösungsmitteln unlöslich wird, deshalb muß in einigen Fällen das zur Entwicklung verwendete Lösungsmittel mit einer
gewissen Sorgfalt ausgewählt werden, jedoch stehen immer noch eine große Anzahl von Lösungsmitteln zur Verfügung.
Die filmbildenden lichtempfindlichen Zusammensetzungen gemäß der Erfindung können auf den Träger mittels bekannter Methoden in
der Photolackverarbeitung, beispielsweise mittels Tauchen, Sprühen, Spinnen und dgl. aufgetragen werden. Nach dem Auftragen wird
das Lösungsmittel, beispielsweise durch Vakuumverdampfung entzogen, so daß ein dünner überzug der lichtempfindlichen Zusammensetzung
auf der Unterlage zurückbleibt. Anschließend wird der überzug mit einer in photomechanischen und photolithographischen
Verfahren üblichen Strahlungsquelle belichtet. Als Trägerunterlagen können bekannte Basismaterialien, auf denen die lichtempfindlichen
Zusammensetzungen haften, beispielsweise Glas, Papier, Kunstharz, imprägniertes oder verstärktes Papier, Kunststoffolien,
Metallfolien aus Aluminium, Zink, Magnesium, Kupfer und dgl. verwendet werden.
Nachdem die Trägerunterlage mit einem Film der lichtempfindlichen
Zusammensetzung beschichtet und getrocknet ist, wird sie mit UV-Licht durch eine Maske, die dem gewünschten Muster entspricht,
belichtet. Im allgemeinen wird die Belichtung durch geeignete Masken, Negative, Matrizen, Schablonen und dgl. durchgeführt.
In den belichteten Bereichen findet eine Photopolymerisation und dadurch ein Unlöslichwerden des Überzugs statt. Der belichtete
überzug wird dann durch Behandlung mit einem der geeigneten
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Lösungsmittel, die oben aufgeführt sind, entwickelt. Wegen der in den belichteten Bereichen induzierten Unlöslichkeit kann als
Entwickler das gleiche Lösungsmittel verwendet werden, in dem das zyklisierte Polyisopren und der Sensibilisator ursprünglich
gelöst wurden, d.h. bei der Entwicklung werden die unbelichteten Bereiche erweicht und weggelöst unter Zurücklassung eines Photolackbildes,
das den Bereichen entspricht, die durch Belichtung unlöslich geworden sind. Wenn es erwünscht ist, kann die
beschichtete Platte wahlweise einer thermischen Behandlung unterworfen
werden, um die Auflösung in den belichteten Bereichen zu erhöhen. So kann beispielsweise der belichtete Überzug bei
niedrigen Temperaturen, etwa 90 bis 100 C, eine kurze Zeit, etwa 10 bis 60 Minuten lang, vorgehärtet werden, um die Polymerisation
des Überzugs noch zu erhöhen. Es kann auch nach der Entwicklung eine Nachhärtung angewendet werden, um die
Festigkeit des Photolackbildes zu erhöhen. Bei der Nachhärtung wird der Film auf der Unterlage in einem Ofen bei einer Temperatur
unterhalb des Erweichungspunkts der Unterlage eine Zeitlang erhitzt (auf etwa 140 bis 180 0C, etwa 10 bis 60 Minuten
lang), in Abhängigkeit von den weiteren Anforderungen, die an die Unterlage gestellt werden.
Wie oben angegeben, werden die lichtempfindlichen Zusammensetzungen
gemäß der Erfindung speziell bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet. Bei dieser Verwendungsart
wird die lichtempfindliche Zusammensetzung auf die oxidierte Oberflächen eines Halbleitersubstrats aufgetragen, anschließend
wird der überzug (nach dem Trocknen) bildmäßig durch eine Maske belichtet, die dem Muster auf der Oxidschicht entspricht, das
bei dem weiteren Verfahren abgedeckt sein soll. Der belichtete überzug wird dann entwickelt, um die Teile der Oxidschicht,
die in weiteren Verfahren abgedeckt sein sollen, abzudecken und anschließend werden in den nicht abgedeckten Bereichen in der
Oxidschicht die entsprechenden Öffnungen für Diffusion, Metallisierung
oder andere Verfahrensschritte durch Ätzen hergestellt. Eine andere Möglichkeit ist, daß die Unterlage aus einer passi-
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vierten Halbleitervorrichtung mit verschiedenen Diffusionsgebieten
besteht und eine Metallschicht, beispielsweise Aluminium (auf der aktiven Oberfläche der Vorrichtung) einschließt, die
zur genauen Festlegung eines Anschlußstellenmusters vorgesehen ist. Bei diesem Anwendungszweck wird die Photolackzusammensetzung
gemäß der Erfindung auf den Metallüberzug aufgetragen und durch eine Maske belichtet, deren Muster dem gewünschten Anschlußstellenmuster
für die Vorrichtung entspricht.
Die lichtempfindlichen Zusammensetzungen gemäß der Erfindung sind auch für andere Anwendungszwecke geeignet. Sie können beispielsweise
zur Herstellung von gedruckten Schaltungen, zum chemischen Fräsen und in den verschiedenen Anwendungsgebieten
der photomechanischen und photographischen Reproduktionen, der Lithographie und des Intagliodrucks, beispielsweise im Offsetdruck,
im Siebdruck, zur Beschichtung von Schablonen, die zur Vervielfältigung dienen, zur Herstellung von lithographischen
Platten, von Relief- und Tiefdruckplatten und dgl. Anwendung finden.
Wie oben angegeben, sind zur vollen Charakterisierung der Photolackzusaramensetzung
gemäß der Erfindung nur noch die Bestimmung und Zuordnung der Grenzen für A (das Verhältnis der Infrarotabsorptionen
der zyklischen internen C=C-Doppelbindungen zu den externen endständigen C=C-Doppelbindungen) und P (Prozentgehalt
nicht zyklisierter Isopreneinheiten in zyklisierten Polymeren) zu bestimmen. Die Grenzen für A werden aus der beobachteten Funktion
gefunden und da Q = A/S ist, wobei empirische Maximalwerte für Q und S bereits früher als 0,47 und 1,3 festgelegt wurden,
kann die Funktion umschrieben werden als
A = Q .S , wobei max max max
Amax=O'47 x 2'3 =0'611max ist'
In ähnlicher Weise kann der Maximalwert für P gefunden werden
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aus der beobachteten Funktion R = P/S
und da die empirische Maximalwerte bereits früher für P und S als 13,0 und 1,3 gefunden wurden, kann die Funktion umschrieben
werden als
Pmax * Rmax ' Smax' wobei Pmax - 13'° x X'3 - 16'9max
Demzufolge sind die Maximalwerte für A 0,611 und P 16,9. Eine Korrelation der Variablen P, A und S, verwirklicht in der Beziehung
K, kann gefunden werden in der Beziehung
v»
K = 16,9 χ 0,611 4
max 1,3 'max
Graphische Darstellungen für die Abhängigkeit a) der Beziehung K vom Sensibilisatorgehalt, b) des Prozentgehalts nicht zyklisierter
Isopreneinheiten P vom Sensibilisatorgehalt in Übereinstimmung mit dem Maximalwert R und c) des Verhältnisses der Infrarotabsorptionen
der internen zu den endständigen C=C-DoppeIbindungen in
den zyklisierten Polymeren vom Sensibilisatorgehalt in Übereinstimmung mit dem Maximalwert Q sind- in den Fign. 3, 4 und 5 gegeben.
Eine experimentelle Verifizierung ist gegeben in den Photolackzusammensetzungen
der nachfolgenden Tabelle, wobei der Photolack aus zyklisiertem Polyisopren und 2,6-Bis-(4'-azidobenzyliden)-4-methy!cyclohexanon
besteht.
Docket FI 970 075 ^09819/0981)
ft
VO -J O
O «ο
LH
ro σ co
(O
co co cn
Probe | Zyklisierungs- | 1 | 2 | j | 61 | 3 | j | 50 | 4 | 27 | 5 | i | 75 | 6 | ,30 | 7 | 8 | Kt | 9 | 10 | |
1 | verhältnis | 73 | 39 | 75 | 52 | ,64 | 4,1 | Eignungs | |||||||||||||
i | 2 | 1,91 | 08 | 32 | 71 | 45 | /97 | Beziehung K | 4,36 | verhältnis | geeignet | ||||||||||
3 | 1,26 | Aw, A | P | 64 | A | 29 | S | 74 | Q | 39 | R | /22 | Kc | 4,37 | 5 1,00 | nicht geeignet | |||||
4 I | 1,14 | 2694 | 15, | 77 | o, | 41 i | 0, | 73 | 0, | 56 | 23 | /75 | 11,71 | 4,56 | 2,86 | NG | |||||
5 | 1,41 | 5854 | 8, | 15 | 0, | 52 | o, | 72 | 0, | 72 | 11 | /20 | 4,54 | 4,50 | 0,99 | NG | |||||
6 | 1,82 | 4940 | 7, | 21 | 0, | 37 | o, | 96 | 0, | 31 | 9 | ,68 | 3,19 | 4,41 | 0,73 | G | |||||
7 i | 1,25 | 4945 | 7, | 15 | 0, | 39 | o, | 70 | 0, | 56 | 10 | /49 | 2,98 | 5,90 | 0,66 | G | |||||
CX) | —— | 6576 | 10, | 78 | 0, | 40 | 0, | 79 | 0, | 51 | 14 | /81 | 6,03 | 4,30 | 1,34 | NG | |||||
9 | — | 4493 | 10, | 21 | 0, | 39 | 0, | 12 | 0, | 35 | 14 | /90 | 7,31 | 4,91 | 1,66 | NG | |||||
10 | 2,17 | — | 11/ | 00 | 0, | 56 | o, | 93 | 0, | 49 | 11 | /13 | 4,37 | 6,87 | 0,74 | G , | |||||
11 | 1,82 | 4458 | 10, | 88 | 0, | 30 | 0, | 62 | 0, | 48 | 14 | /61 | 5,68 | 5,70 | 1,32 | NG | |||||
12 | 2,10 | —' | 12, | 09 | 0, | 24 | o, | 64 | o, | 38 | 16 | ,45 | 6,52 | 3,80 | 1,33 | NG E | |||||
13 | 1,94 | — | 12, | 18 | 0, | 44 | 1, | 94 | o, | 47 | 10 | /95 | 4,27 | 3,92 | 0,62 | G , | |||||
14 | 1,77 | 4532 | 15, | 07 | o, | 53 | o, | 72 | o, | 74 | 16 | ,76 | 7,35 | 5,75 | 1,29 | NG | |||||
15 | 1,66 | 5392 | 15, | 71 | 0, | 55 | 0, | 17 | o, | 47 | 25 | ,24 | 7,62 | 4,41 | 2,01 | NG | |||||
16 | 1,05 | 4405 | 13, | 17 | o, | 45 | o, | 96 | o, | 49 | 20 | ,72 | 4,97 | 7,17 | 1,26 | NG | |||||
17 | 1,17 | 4003 | 12, | 83 | 0, | 46 | o, | 79 | o, | 58 | 12 | /71 | 5,72 | 5,90 | 0,99 | G | |||||
18 | ί 1,15 | 4758 | 12, | 22 | 0, | 45 | 0, | 19 | 0, | 38 | 16 | ,43 | 8,93 | 4,85 | 2,02 | NG | |||||
19 | 4698 | 13, | 93 | 0, | 33 | 1, | 78 | 0, | 42 | 12 | ,17 | 6,72 | 7,30 | 0,94 | G | ||||||
20 | I 1,17 | 4683 | 13, | 68 | 0, | 33 | o, | 17 | 0, | 29 | 13 | ,86 | 6,19 | 4,80 | 1,04 | NG | |||||
21 | __ | 10, | ,40 | 0, | 41 | 0, | 75 | o, | 54 | 13 | /53 | 7,95 | 7,00 | 1,64 | NG | ||||||
22 | 1,23 | __ | Hi | ,63 | 0, | 41 | 1, | 10 | 0, | 37 | 9 | /75 | 3,58 | 4,60 | 0,49 | G | |||||
23 | 0,99 | —— | 7, | ,97 | 0, | 43 | 0, | 78 | o, | 55 | 10 | /50 | 4,27 | 6,72 | 0,89 | G | |||||
24 | 1,14 | 6, | 0, | 1, | o, | 5 | 1,70 | 4,80 | 0,24 | G | |||||||||||
0,92 | — | 9, | 0, | O1 | o, | 12 | 6,77 | 1/47 | NG Ni | ||||||||||||
— | 9, | 0, | 1* | o, | 8 | 3,56 | 0,53 | G -a | |||||||||||||
— | 8 | 0, | 0, | o, | 11 | 6,33 | 1,32 | NG U"1 CO |
|||||||||||||
G = geeignet
NG= nicht geeignet
Es bedeuten in der Tabelle:
1) Aw = mittlere Molekülgröße (bestimmt durch GPC), in 8
2) P = Prozentgehalt nicht zyklisierter Isopreneinheiten =
16'9max.
3) A = Verhältnis der Infrarotabsorptionen der zyklischen inter
nen C=C-Doppelbindungen zu den externen endständigen C=C-Doppelbindungen = 0,611
niclX ·
4) S = Sensibilisatorgehalt in Gewichtsprozent = 1,3 Gewichts-
P 5) Q = A/S = O,4
6) R = P/S = 13,
7) K= PA/S, berechnet =
8) K. = PA/S, theoretischer Wert aus der Abbildung in Fig. 3.
9) Eignungsverhältnis = K /K < 1,00.
10) geeignet/nicht geeignet, spiegelt das Eignungsverhältnis.
In der vorhergehenden Tabelle 1 wurde der theoretische Wert K, berechnet aus der Beziehung K. = 6,11 χ S, wobei S der Sensibilisatorgehalt in Gewichtsprozent ist.
Wie aus der Tabelle ersichtlich ist, liegen alle Proben innerhalb des Parametersatzes für P, A und S, welche den Prozentgehalt
nicht zyklisierter Isopreneinheiten, das Verhältnis der Infrarotabsorptionen der zyklischen C=C-Doppelbingungen zu den
endständigen C=C-Doppelbindungen und den Prozentgehalt Sensibili sator dargesteilen. Es ist jedoch hervorzuheben, daß Proben auch
außerhalb des Parametersatzes für Q, R und K, die wie oben angegeben,
definiert sind, liegen. So überschreiten beispielsweise die Proben 1, 15 und 18 die maximale Grenze für Q, R und K;
die Proben 5, 6, 8, 9, 11, 12 und 17 überschreiten die maximale Grenze für Q und R, obgleich sie innerhalb der Grenzen für K
bleiben. In ähnlicher Weise überschreiten die Proben 2, 22 und 24 die maximale Grenze für Q, während sie innerhalb des Maximums
für R und K bleiben. In ähnlicher Weise liegt zwar Probe 13 innerhalb der maximalen Grenzen für Q und K, jedoch außerhalb
Docket FI 970 075 2 03819/0 98 5
der maximalen Grenze für R. So erfüllen von den 24 verschiedenen Proben der vorhergehenden Tabelle 1 nur die Proben 3, 4, 7, 10,
14, 16, 19, 20, 21 und 23 (d.h. nur 10 von 24) die Kriterien
der Photolackzusammensetzung gemäß der Erfindung.
Zusätzlich ist in der Tabelle 1 ein weiterer Parameter, das Eignungsverhältnis,
angegeben. Dieser stellt das Verhältnis der K-Werte, die aus den tatsächlichen Werten für Q, R und S berechnet
sind zu den theoretischen Werten entlang der Kurve in Fig. dar und ist bezogen auf den tatsächlichen Sensibilisatorgehalt.
Die Photolackzusammensetzungen gemäß Tabelle 1 werden fünf Funktionstesten
unterworfen (Poren, Photoempfindlichkeit, Fließverhalten, Adhäsion und Auflösung), um die Abhängigkeit dieser Eigenschaften
von den definierten Parametern zu zeigen. Ein Test zur Feststellung der Poren wird durchgeführt gemäß einem Ätzverfahren
auf Brenzcatechinbasis, das von M.V. Sullivan in "Proceedings, Kodak Seminar on Microminiaturization", 3.-4.6.1965, Rochester,
N.Y., auf Seite 30 beschrieben ist. Ein Test zur Feststellung der Photoempfindlichkeit wird durchgeführt gemäß einem Verfahren,
das als Vortrag von M.S. Htoo in "New Method for Photoresist Exposure Determination" gehalten auf dem "Annual Meeting of the
Society of Photographic Scientists and Engineers", Chicago, Illinois, 15.-19. Mai 1967, veröffentlicht ist.
Als Maß für die Adhäsion dient die Unterätzung an der Oberfläche einer geätzten Siliziumdioxidschicht (SiO2), gemessen an einem
nach dem üblichen Verfahren nachgehärteten Photolackbild an der Photolack-Si02~Grenzflache. Die Unterätzung wird gemessen und
angegeben in u-Metern je Seite, wobei der angegebene Wert die
normale laterale Ätzung während des Prozesses einschließt. Die Messung wird an vier Bezugspunkten auf jedem Wafer vor und nach
der Ätzung durchgeführt. Zwei Wafer werden für jede Photolackzusammensetzung verwendet, so daß jeweils acht einzelne Werte
für die Unterätzung bestimmt werden. Ein angegebener Wert für die Unterätzung eines jeden Materials ist der Mittelwert aus acht
Docket FI 970 075 i09819/098b
Einzelbestimmungen. Die Haftung des Photolacks wird auch bestimmt durch Messung der lateralen Dimension der entwickelten Photolackbildlinien,
die auf eine Siliziumdioxidschicht auf einem Siliziumsubstrat aufgebracht sind. Das freigelegte Siliziumdioxid
zwischen den entwickelten Linien des Photolacküberzugs wird abgeätzt, der Photolacküberzug abgezogen und die lateralen Dimensionen
des so erhaltenen Siliziumdioxids gemessen. Die Unterschiede, gemessen in u-Metern, zwischen dem Photolackbild und dem Oxidbild,
dividiert durch 2, stellen ein Maß für die Unterätzung dar, das wiederum ein Maß für die Haftung des Photolacks ist.
Das Fließverhalten des Bildes wird bestimmt durch Herstellung
von Mikrophotographien des Photolackbildes vor und nach einer entsprechenden Nachhärtung zur Beobachtung einer Größenänderung der
Öffnungen des Photolackbildes. Vier Geometrien werden beobachtet, welche ungefähr 1,0, 1,3, 1,7 und 2,0 p-Meter Linien oder Flächen
darstellen. Für diese Messungen werden mit Siliziumdioxid beschichtete Wafer mit den Photolackzusammensetzungen gemäß Tabelle
1 in einem Spinnverfahren beschichtet, bei dem bei 3000 Umdrehungen in 45 Sekunden Schichtdicken von ungefähr 5000 Ä erhalten werden.
Der Photolack wird in einem Quarzschiff auf einem Aluminiumblock 30 Minuten lang bei 100 ± 5 0C vorgehärtet. Die vorgehärteten
ψ Wafer werden 1 1/2, 1 3/4 und 2 Sekunden lang unter Verwendung
einer Ealing Transparenz belichtet. Die belichteten Wafer werden in einem Lösungsmittelgemisch aus 20 % Cyclohexanon und 80 %
Xylol, welches magnetisch 2 Minuten lang gerührt wird, entwickelt. Die entwickelten Photolackbilder werden anschließend in n-Butylacetat
gespült und im Luftstrom getrocknet. Nach dem Trocknen werden Photographien bei 635facher Vergrößerung zur Auswertung
der Auflösung hergestellt. Die Wafer werden dann in ein Quarzschiff gebracht, welches sich auf einem Aluminiumblock in einem
Ofen befindet und 30 Minuten lang bei 180 0C nachgehärtet. Nach
der Nachhärtung werden wiederum Photographien bei 635facher Vergrößerung
aufgenommen zur Bestimmung des Fließverhaltens des Photolackbildes. Kontrollgrenzen für die Bildauflösung und das
Fließverhalten werden dadurch bestimmt, daß öffnungen in der
Docket FI 970 075 2 0 9 8 19/0985
Größenordnung von 1,5 u-Metern oder weniger hergestellt werden
können und der Photolack so wenig fließt, daß Öffnungen in der Größenordnung von 1,7 u-Metern und weniger eingehalten werden.
Die Ergebnisse dieser Funktionsteste sind in der nachfolgenden Tabelle 2 angegeben.
Docket Fi 970 075 2 0 9 8 19/0985
D | Proben Poren | geeignet/ |
O | Nr. | nicht geeignet |
O | ||
(O | KT | |
ft | 1 | NG |
2 | G | |
H | 3 | G |
VD | 4 | NG |
O | 5 | NG |
O | 6 | G |
tn | 7 | G |
δ | NG | |
9 | G | |
NJ | 10 | NG |
O | 11 | NG |
CO | 12 | NG |
00 | 13 | G |
CO | 14 | NG |
15 | G | |
O | 16 | NG |
co | 17 | NG |
00 | 18 | G |
cn | 19 | G |
20 | G | |
21 | G | |
22 | G | |
23 | NG | |
24 | kein Test | |
KT = | nicht geeignet | |
NG = | geeignet | |
f* — | gerade noch möglich | |
GM = | ||
Photoempfindlichkeit
geeignet/
nicht geeignet
Fließverhalten geeignet/ nicht geeignet
Adhäsion
geeignet/
nicht geeignet
geeignet/
nicht geeignet
Auflösung
geeignet/
nicht geeignet
geeignet/
nicht geeignet
NG
KT
KT
KT
KT
KT
NG
NG
GM
NG
NG
GM
KT
NG
NG
NG
GM
NG
KT
KT
NG
KT
CjO OO
Claims (2)
- PATENTANSPRÜCHEA das Verhältnis der Infrarotabsorptionen der internen zu den endständigen C=C-Doppelbindungen mit einem Maximalwert von 0,611 undS der Sensibilxsatorgehalt in Gewichtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht des Polymeren und des Sensibilisators, mit einem Maximalwert von 1,3 Gewichtsprozent
ist;b) R = § = 13,Oinax m.worinP der Prozentgehalt nicht zyklisierter Isopreneinheiten im Polymeren mit einem Maximalwert von 16,9 % undS der Sensibilisatorgehalt in Gewichtsprozent ist;c) eine abhängige Endfunktion K = QRS = 7,9 - 2. Lichtempfindliches Element, gekennzeichnet durch eine Trägerunterlage und eine Beschichtung auf dieser aus einer
Zusammensetzung gemäß Anspruch 1.Docket FI 970 O75 209819/0985
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US8483370A | 1970-10-28 | 1970-10-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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DE2153781B2 DE2153781B2 (de) | 1981-06-25 |
DE2153781C3 DE2153781C3 (de) | 1982-03-25 |
Family
ID=22187498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2153781A Expired DE2153781C3 (de) | 1970-10-28 | 1971-10-28 | Lichtvernetzbares Gemisch |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPS5240241B1 (de) |
DE (1) | DE2153781C3 (de) |
FR (1) | FR2109786A5 (de) |
GB (1) | GB1374607A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3948667A (en) * | 1971-06-21 | 1976-04-06 | Japan Synthetic Rubber Company Limited | Photosensitive compositions |
JPS57171331A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-21 | Hunt Chem Corp Philip A | Composition of negative photo-resist forming cyclic rubber film |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2852379A (en) * | 1955-05-04 | 1958-09-16 | Eastman Kodak Co | Azide resin photolithographic composition |
-
1970
- 1970-10-28 US US84833A patent/US3669669A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
- 1971-09-16 FR FR7133816A patent/FR2109786A5/fr not_active Expired
- 1971-10-04 GB GB4601371A patent/GB1374607A/en not_active Expired
- 1971-10-27 JP JP46084735A patent/JPS5240241B1/ja active Pending
- 1971-10-28 DE DE2153781A patent/DE2153781C3/de not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2852379A (en) * | 1955-05-04 | 1958-09-16 | Eastman Kodak Co | Azide resin photolithographic composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2109786A5 (de) | 1972-05-26 |
DE2153781C3 (de) | 1982-03-25 |
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GB1374607A (en) | 1974-11-20 |
US3669669A (en) | 1972-06-13 |
JPS5240241B1 (de) | 1977-10-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |