DE2150432C3 - Kontaktstreifen zur Montage von Halbleiterbauelementen und seine Verwendung bei einer Gießform - Google Patents

Kontaktstreifen zur Montage von Halbleiterbauelementen und seine Verwendung bei einer Gießform

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Description

Die Erfindung betrifft einen Kontaktstreifen /ur Montage von Halbleiterbauelementen mit von einzel nen Kontaktrahmen nach innen verlaufenden Kontaktfingern,/.wischen denen Halterungsstreifen verlaufen.
Es ist bekannt, Kontaktrahmen zur Montage von Haibleilerbauelementen in Streifenform nebeneinander anzuordnen und einen Kontaktfinger eines Konüiktrah mens mit einer Plättchenauflagc zu versehen, auf welcher ein Halbleiterplättchen angeordnet wird. Das mit Anschlußleitungen /u den Kontaktfingern versehene Halbleiterplättchen wird sodann in einer Gießform mit einer Gußmasse gekapselt. Da es schwierig i?.l beim Schließen der Gießform diese bei der Verwendung einzelner Kontaklfingcr einwandfrei abzudichten, ist es bereits bekannt, einen Haiterungsslrcifcn oder mehrere Hallcrungsstreifen Vorzusehen, die die Kontaklfiinger in einem Zwischenbereich miteinander verbinden. Dieser bzw. diese Halterungsstreifen verlaufen außerhalb des in der Gießform vorgesehenen Gießhohlraumes, so daß die Halterungsstreifert Zwischen den Begrenzungswänden des Gießhöhlraumes zu liegen kommen. Damit wird eine sehr gute Abdichtung des Gießhohlraumes gegen austretendes Material bewirkt. Diese Halterungssireifen müssen nach dem Kapseln des Bauelementes entfernt werden, da sie sonst einen elektrischen Kurzschluß zwischen den einzelnen Kontaktfingern bewirken würden. Daher werden die Halterungsstreifen längs der Kontaktfinger nach dem Kapseln des Bauelementes mit Hilfe von Stanzwerkzeugen abgeschnitten. Die Halterungsstreifen können ^ehr nahe
ίο entlang den Begrenzungsflächen des gekapselten Bauelementes verlaufen und z. B. bei einer Bauelementgröße von etwa 3,2 mm auf 4,8 mm eine Breite von 1,6 mm haben. Aufgrund solcher kleiner Abmessungen müssen die Stanzwerkzeuge sehr exakt ausgeführt sein,
■s damit beim Abschneiden der Halterungsstreifen das gekapselte Bauelement nicht beschädigt wird. Aufgrund der kleinen Abmessungen besteht auch eine Gefahr, daß die Stanzwerkzeuge selbst während der Benutzung brechen und somit häufig ersetzt werden müssen.
Beim Kapseln von Halbleiterbauelementen wird die Vergußmasse dem Gießhohlraum über Gußkanäle zugeführt, und durch Einlaufkanäle bzw. Eingießöffnungen in den Gießhohlraum eingespritzt. Die vielverzweigte Ausgestaltung derartiger Guß- und Einlaufka-
JTi näle macht die Herstellung solcher Gießformen verhältnismäßig teuer.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Kontaktstreifen /ur Montage von Halbleiterbauelementen /u schaffen, der mit verhältnismäßig einfachen
in Stan/werk/eugen nach dem Vergießen des Bauelementes fertig bearbeitet werden kann und beim Vergießen selbst die Verwendung sehr einfacher und verhältnismäßig preiswerter Gießformen zuläßt.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor,
is daß die inneren und äußeren Endabschnitte der Kontaktfinger durch ausgestanzte Ausnehmungen von dem Kontaktstreifen getrennt sind, während die Zwischenbereiche zwischen den Endabschnitten der Kontaktfinger durch Schlitze von Halterungsstreifen des Kontaktstreifens getrennt sind.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung des F.rfindungsgegenstandes ist vorgesehen, daß weitere ausgestanzte Ausnehmungen derart angeordnet sind, daü die durch d?s Durchtrennen der Halterungsstreifen im
4*> Zwischenbereii h /wischen den Enden der Kontaktfinger ausgelöste Materialdehnung ausgeglichen wird, so daß der Kontaktslreifen seine ebene Form im wesentlichen beibehält.
Dabei ist vorzugsweise vorgesehen, daß zumindest
r.i> eine der Ausnehmungen in den die inneren Enden der Kontaktfinger umgebenden jusgestan/ten Bereich mündet.
Eine Gießform /um Umhüllen von Halbleiterbauelementen, welche vorzugsweise in Verbindung mit dem
•Λ erfindungsgemäßen Kontaktstreifen verwendbar ist, zeichnet sich dadurch aus, daß die seitlichen ßegren zungswände des Gießhohlraumes der Gießform im Bereich der Halterungsstreifen verlaufen, und bei geschlossener Gießform auf niesen aufliegen, daß ein in
M) Längsrichtung der Gießform verlaufender Gußkanal in der über dem Kontaktstreifen geschlossenen Gießform zumindest teilweise Von derri Hallerungsstrcifen bc grenzt wird, Und daß der Güßkarial mit dem Gießhohlraum über Einlaufkahälc und über Ausnehmungen in Verbindung steht.
Ein erfindungsgemäßer Kontaktstreifen bietet den Vorteil, daß einerseits die beim Ausstanzen sich ergebenden Spannungen in dem Kontaktstreifen durch
die Ausdehnungsmöglichkeiten beseitigt werden, die aufgrund der Abtrennung der Halterungsstreifen von den Kontaktfingern auftreten. Ferner kann das eingegossene Halbleiterbauelement nach dem Vergießen mit Hilfe eines verhältnismäßig einfachen Stanzwerkzeuges durch das restliche Abtrennen der äußeren Teile des Kontaktstreifens fertiggestellt werden, ohne daß sich eine erhöhte Gefahr für eine Beschädigung, entweder für das gekapselte Bauelement oder für das Stanzwerkzeug selbst ergibt. Das für die Fertigstellung benutzte Stanzwerkzeug kann nämlich verhältnismäßig groß und robust sein. Durch die Formgebung des Kontaktstreifens bleibt der Vorteil erhalten, daß der Halterungsstreifen zusammen mit den Kontaktfingern eine gute Abdichtung des Gließhohlraumes bewirkt, der durch eine Eingießöffnung mit den Gußkanälen bzw. den Einlaufkanälen in Verbindung steht, die in Form einer Ausnehmung bereits vorher aus dem Halbleiterstreifen im Bereich der Halterungsstreifen ausgestanzt ist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung beschrieben: in dieser zeigt
F i g. 1 einen Teil eines Kontakistreifens, .!er teilweise in einer Gießform angeordnet dargestellt ist. und
Fig. 2 einen Schnitt durch die Gießform mit dem darin angeordneten Kontaktstreifen.
Gemäß Fig. 1 besteht ein Kontaktstreifen 10 aus mehreren nebeneinander angeordneten Kontaktrahmen 14. Die Kontaktrahmen 14 sind so ausgelegt, daß sie für die Montage einer Halbleiterdiode mit zwei Kontaktanschlüssen geeignet sind. Die Kontaktrahmen sind paarweise im Kontaktstreifen nebeneinander zusammengefaßt und können auch so ausgeführt sei.i, daß die für das Kontaktieren von integrierten Schaltkreisen oder Transistoren benötigte Anzahl von Kontaktstreifen vorhanden ist. Dabei können die Kontaktfinger auch alle auf einer Seite angeordnet sein. Der Kontaktstreifen kann aus Weicheisen mit etwa 0,25 mm Dicke hergestellt sein und ist vorzugsweise vergoldet. Die Dicke des konlaktstreifens und das Material ius welchem dieser hergestellt ist, sind für die Ausführung der Erfindung nicht von wesentlicher Bedeutung.
Entlang der einen Kante des Kontaktstreifens 10 sind Justierlöcher 16 und entlang der anderen Kante lustierlöcher 18 angeordnet. Die Justierlöcher 16 haben einen kleineren Durchmesser als t'ie Justierlöcher 18, so daß der Kontaktstreifen während der verschiedenen Verfahrensschritte immer eindeutig orientiert geführt werden kann. Sowohl die Größe als auch die Anzahl der Justierlöcher ist nicht von Bedeutung.
Jeder einzelne Kontaktrahmen 14 umfaßt einen oberen Kontaktfinger 20 und einen unteren Kontaktfinger 22, die gegeneinander gerichtet verlaufen, in dem Kontaktstreifen sind ferner Ausnehmungen 24 und 26 vorgesehen, durch welche die Form der Kontaktfinger gegeben ist. Die Kontaktfinger verlaufen einstückig von Halterungsstreifen 28 und 30 aus, die sich in Längsrichtung des Kontaktslreifens 10 erstrecken. Das innere Ende der Kontaktfinger 20 zweier benachbarter Kontaktrahmen 14 ist gegeneinander gerichtet abge winkelt und bildet eine Plättchenauflage für em (ialbleilerplättchcn 34. Das innere Ende der Kontaktfinger 22 ist der Plättchenauflage gegenüberliegend angeordnet und dient als Kontaktanschluß für eine Leitungsverbindung 36 zum Halbleiterplättchen 34. Wenn das Halbleiterplättchen in herkömmlicher Weise völlig gekapselt ist, endet das Gehäuse innerhalb einer Rechteckfläche 38 untfsteht nicht in Berührung mit den I lalterungsstreifen 28 und 30. Nachdem alle Halbleiterplättchen 34 mit den entsprechenden Leitungsverbindungen 36 versehen und das Umgießen beendet ist, was Üblicherweise in einem Verfahrensschritt erfolgt, werden die Halterungsstreifen 28 und 30 entlang den Linien 44, 46,150 und 52 abgetrennt. Anschließend werden die Halterungsstreifen und die Kontaktfinger entlang der gestrichelten Linien 40 und 42 abgeschnitten, so daß danach das fertig gekapselte Halbleiterbauelement zur
κι Verfügung steht, an dem an zwei gegenüberliegenden Enden die Kontaktfinger 20 und 22 herausragen. Wie bereits erwähnt wurde, besteht die Gefahr des Brechens beim Abtrennen der Halterungsstreifen 28 und 30. Deshalb werden die Halterungsstreifen 28 und 30
r> entlang den Linien 44, 46, 50 und 52 bereits beim Ausstanzen des Kontaktstreifens 10 abgetrennt, jedoch bleiben die Kontaktstreifen 20 und 22 sowie die abgetrennten Halterungsstreifen 28 und 30 in ihrer Position zueinander erhalten. Die Wirkung der Halle-
.'0 rungsstreifen 28 und 30 ist auch in dem längs den Linien 44, 46, 50 und 52 abgetrennten Zuband die gleiche, wie bei einem einstückigen Übergang an dieser Stelle der Kontaktfinger.
Unabhängig von der Schärfe der Stanzwc-kzeuge.
_>-, mit denen die Schlitze 44, 46, 50 und 52 hergestellt werc.cn, dehnen sich die Halterungsstreifen 28 und 30 durch den Schneidvorgang aus. Durch diese Ausdeh nung verwirft sich der Kontaktstreifen 10. da die oberhalb und unterhalb der gestrichelten Linien 40 und
«ι 42 liegenden Teile keine Dehnung erfahren. Diese Verwerfung des Kontaktstreifens macht ein einwandfreies Eingießen einer Halbleiteranordnung sehr schwierig. Deshalb werden eine weitere Ausnehmung 54 im Kontaktstreifen 10 zwischen den beiden Schlitzen
i, 44 und 46 zweier nebeneinander liegender Kontaktrahmen sowie zwei Ausnehmungen 56 zwischen den beiden Schlitzen 50 und 52 vorgesehen. Die Ausdehnung des Kontaktstreifens 10 aufgrund des Einschneiden* der Schlitze 44 und 46 wird durch eine Veren^jng der
-to Ausnehmung 54 aufgenommen, wogegen die Ausdehnung des Kontaktstreifens 10 aufgrund des [ inschneidens der Schlitze 50 und 52 von den Ausnehmungen 56 aufgenommen wird, die unmittelbar daneben liegen. Damit kann ein Verzug des Kontaktstreifen* 10
r> weitgehend verhindert werden.
Das Gießmaterial zum Kapseln der Halbleiteranord nung wird in flüssiger Form in einen Gießhohlraum eingepreßt, der die inneren Enden der Kontaktfinger 20 und 22 sowie das Halbleiterplättchen 34 und die an
',ο diesem angebrachte Leitungsverbindung 36 umgibt. Die Ausnehmungen 5-6 münden in den Gießhohlraum, so daß durch eine geeignete Formgebung bei der Herstel'ung der Gießform, insbesondere des oberen bzw. unteren F<_rn,teiles 60 bzw. 61, die Ausnehmungen 56 als
.. Eingießöffnung verwendet werden können durch welche die flüssige Vergußmasse in den Gießhohlraum eingespritzt werden kann. So kann sich z. B. der obere Formteil 60 zwischen den Linien 62 und 64 erstrecken, wobei der Hauntgußkanal 6J zwischen den gestrichel-
wi ten Linien 66 und 68 verläuft, und über Einlaufkanäle 70 sowie die Ausnehmungen 56 mit dem Gießhohlraum 72 in Verbindung stehi.
Wenfi ein Kontaktstreifen mit den vorgesehenen Schlitzen 40 und 42 zum Kapseln von Halblcitcranord-
br> nungen verwendet wird, bedarf es nach dem Kapseln keines Abschneidens der Halterungsstreifen 26 und 28. Das fertig gekapselte Halbleiterbauelement erhält man vielmehr einfach dadurch, daß der Kontaktrahmen längs
5 6
den gestrichelten Linien 40 und 42 abgetrennt wird. der Entspannung des Kontaktstreifens dienen.
Obwohl in der Beschreibung ein Kontaktrahmen mit Es wurde ein Kontaktstreifen beschrieben, bei dem
jeweils nur zwei Kontaktfingern für ein gekapseltes die Haltcrungsstreifcn bereits vor dem Eingießen des
Halbleiterbauelement beschrieben wurde, kann der Halblcitcrbauclcmentes längs den Konlaktfingern ab-
Kontaktstrcifen bzw. die Kontaklrahmen entsprechend r> geschnitten werden. Um den Kontaktstreifen fläch und
einer gewünschten größeren Anzahl von Konlaklfin- eben verlaufend zu halten, können ferner weitere
gern abgeändert werden, wobei auch eine entsprechend Ausnehmungen zur Schwächung des Materials und zum
größere Anzalil von Ausnehmungen 56 vorgesehen sein Dehnungsausgleich vorgesehen sein,
kann, die einerseits als Eingießöffnung und andererseits
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Kontaktstreifen zur Montage von Halbleiterbauelementen mit von einzelnen Kontaktrahmen nach innen verlaufenden Konuktfingern, zwischen denen Halterungsstreifen verlaufen, dadurch gekennzeichnet, daß die inneren (32) und äußeren (14) Endabschnitte der Kontaktfinger (20, 22) durch ausgestanzte Ausnehmungen (24, 26) von dem Kontaktstreifen (ίθ) gelrennt sind, während die Zwischenbereiche zwischen den Endabschnitten der Kontaktfinger (20, 22) durch Schlitze (44,46, 50, 52) von Halterungsstreifen (28,30) des Kontaktstreifens (10) getrennt sind.
2. Kontaktstreifen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß weitere ausgestanzte Ausnehmungen (54, 56) derart angeordnet sind, daß die durch das Durchtrennen der Halterungsstreifen (28, 30) im Zwischenbereich zwischen den Endsn der Kontak'f.Tiger ausgelöste Materialdehnung ausgeglichen wird, so daß der Kontaktstreifen seine ebene Form im wesentlichen beibehält.
3. Kontaktstreifen nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest eine der Ausnehmungen (56) in den die inneren Enden (32) der Kontaktfinger umgebenden ausgestanzten Bereich mündet.
4. Verwendung eines Kontaktstreifens nach einem der Ansprüche 1 bis 3 bei einer Gießform zum Umhüllen von Halbleiterbauelementen, wobei die Gießform aus zwei Formteilen mit einander gegenüberliegenden Gießhohlräumen besieht, dadurch gekennzeichi.et, daL die seitlichen Begrenzungswände des GieEhohlraumes der Gießform im Bereich der Ilalterungsslrei :n (28, 30) verlaufen, und bei geschlossener Gießform auf diesen aufliegen, daß ein in Längsrichtung der Gießform verlaufender Gußkanal (63) in der über dem Kontaktstreifen geschlossenen Gießform zumindest teilweise von dem Halterungsslreifen begrenzt wird, und daß der Gußkanal (63) mit dem Gießhohlraum (72) über Einlaufkanäle (70) und über Ausnehmungen (56) in Verbindung steht.
DE2150432A 1970-10-09 1971-10-09 Kontaktstreifen zur Montage von Halbleiterbauelementen und seine Verwendung bei einer Gießform Expired DE2150432C3 (de)

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DE2150432A1 DE2150432A1 (de) 1972-05-31
DE2150432B2 DE2150432B2 (de) 1979-05-23
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS511072A (ja) * 1974-06-21 1976-01-07 Fujitsu Ltd Jushifujigatahandotaisochino seizohoho
DE2930760A1 (de) * 1979-07-28 1981-02-12 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum umhuellen von halbleiterbauelementen mittels spritzgiessens
EP0305589B1 (de) * 1982-10-04 1997-12-17 Texas Instruments Incorporated Verfahren und Apparat zur Einkapselung einer auf einem Leiterrahmen montierten Halbleitervorrichtung
US4504435A (en) * 1982-10-04 1985-03-12 Texas Instruments Incorporated Method for semiconductor device packaging
DE3320700A1 (de) * 1983-06-08 1984-12-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum kunststoffumhuellen von elektrischen bauelementen

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1015909A (en) * 1963-12-30 1966-01-05 Gen Micro Electronics Inc Method of and product for packaging electronic devices
US3440027A (en) * 1966-06-22 1969-04-22 Frances Hugle Automated packaging of semiconductors
US3544857A (en) * 1966-08-16 1970-12-01 Signetics Corp Integrated circuit assembly with lead structure and method
US3537175A (en) * 1966-11-09 1970-11-03 Advalloy Inc Lead frame for semiconductor devices and method for making same
US3469684A (en) * 1967-01-26 1969-09-30 Advalloy Inc Lead frame package for semiconductor devices and method for making same
US3436810A (en) * 1967-07-17 1969-04-08 Jade Corp Method of packaging integrated circuits
US3550766A (en) * 1969-03-03 1970-12-29 David Nixen Flat electronic package assembly
US3597666A (en) * 1969-11-26 1971-08-03 Fairchild Camera Instr Co Lead frame design
US3627901A (en) * 1969-12-19 1971-12-14 Texas Instruments Inc Composite electronic device package-connector unit
US3611061A (en) * 1971-07-07 1971-10-05 Motorola Inc Multiple lead integrated circuit device and frame member for the fabrication thereof

Also Published As

Publication number Publication date
NL7113856A (de) 1972-04-11
DE7138302U (de) 1972-01-27
DE2150432B2 (de) 1979-05-23
JPS559827B1 (de) 1980-03-12
DE2150432A1 (de) 1972-05-31
US3795492A (en) 1974-03-05

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