DE2135783B2 - Lineare Laufzeitröhre - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine lineare Laufzeitröhre in der Art eines Klystrons oder einer Wanderfeldröhre mit einem Elektronenstrahlerzeuger, einer Wechselwirkungsstrecke und einem Elektronenstrahlkollektor, der eine Anzahl von auf unterschiedlichem Potential liegenden Hilfselektroden und Mittel zur magnetischen Abschirmung des in Axialrichtung der Laufzeitröhre wirkenden Magnetfeldes enthält.

Eine derartige Laufzeitröhre ist in der US-PS 3 368 104 beschrieben. Dort treten von einer Kathode ausgesandte Elektronen in Hohlraumresonatoren mit einem Hochfrequenzfeld in Wechselwirkung, werden darin geschwindigkeits- und dichtemoduliert und anschließend von einem Kollektor aufgefangen, an den sie ihre restliche Energie abgeben. Wenn die EIeW tronen, deren Dichte moduliert worden ist, durch den Auslaß-Hohlraum wandern, werden davon verstärkte Mikrowellen ausgesandt.

Zwischen dem Hohlraumresonator und dem Kollek tor ist ein Polschuh zur magnetischen Abschirmung vorgeseher. Der Kollektor besteht aus einem hohlen, geschlossenen Endteil und zylindrischen, voneinander isolierten elektrisch leitenden Teilen oder Hilfselektroden. Der mittlere dieser Kollektorteile hat Anodenbzw. Körperpotential, das Endteil hat bis zu 50% dieses Potentials, d. h. es hat ein relativ niedrigeres Potential, und das Potential des anderen Kollektorteils liegt bis zu 25% über dem Körperpotential. Infolge des relativ hohen Potentials der Hilfselektroden werden am Endteil des Kollektors ausgelöste Sekundärelektronen von den Hilfselektroden aufgefangen und am Austritt aus dem Kollektor gehindert. Da beide Hilfselektroden ein höheres Potential als das Endteil des Kollektors haben, gelangt jedoch ein Teil der Sekundärelektronen zurück in die Hohlraumresonatoren und stört, insbesondere bei Klystrons hoher Leistung von z.B. 10kW bis 100 kW, deren normale Arbeitsweise.

Von daher liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde das Austreten von Sekundärelektronen aus dem KoI-lektorteil noch wirksamer zu reduzieren, bzw. praktisd zum Verschwinden zu bringen.

Die Aufgabe wird gemäß dem kennzeichnenden Tei des Anspruchs 1 gelöst. Ausgestaltungen der Erfindunj sind in den Unteransprüchen beschrieben.

Die Wirkung der damit beanspruchten Maßnahmi besteht in einer erzielbaren, höheren Leistung bei linea ren Elektronenstrahlröhren. Dadurch, daß das Potentia der zweiten Hilfselektroden niedriger als das Potentia der ersten Hilfselektrode ist, werden die vom Elektro nenstrahlkollektor ausgehenden Sekundärelektrone gebremst und eingefangen, so daß sie nicht bis zur Hochfrequenzteil der Röhre gelangen können. Die ma

«netische Abschirmplatte im Bereich der ersten Hilfselektrode bewirkt ein magnetfeldfreies Gebiet im Elektfonenstrahlkollektor, wobei jedoch ein axiales Magnetfeld im Hilfselektrodenteil erhalten bleibt, das die Sekundärelektroden zu einer Bewegung auf Rotationsfeahnen veranlaßt und am Austritt in den Hochfrequenzteil hindert

Die Eingangsleistung einer solchen Mikrowellenröhre ist durch das Produkt aus Elektronenstrom und der Höhe der Spannung, die an dem Elektronenstrahl^!- lektor angelegt ist, bestimmt Die Gesamtwirksamkeit der Mikrowellenröhre wird durch das Verhältnis der Hochfrequenzleistung aus dem Ausgangshohlraum zur Eingangsleistung ausgedrückt Um diese Gesamtwirksainkeit zu vergrößern, ist es daher notwendig, die Spannung an dem Elektronenstrahlkollektor zu verkleinern. Eine Verbesserung dieser Gesamtwirksamkeit wird angestrebt, um den Energieverbrauch beim Betrieb der Mikrowellenröhre zu verringern und die Kosten der Energieversorgung zu senken.

Die Form und Stellung der Hilfselektroden und die Stellung der magnetischen Abschirmplatte kann geeignet geändert werden. Wenn weiterhin eine dritte Hilfselektrode eingebaut ist, kann das Eindringen der Sekundärelektronen in den Hochfrequenzteil der Mikrowellenröhre noch wirkungsvoller verhindert werden.

Zum einschlägigen Stand der Technik wird zusätzlich auf die US-PS 3 453 482 verwiesen, die eine Hochleistungsröhre mit Kollektor und Hilfselektroden beschreibt. Diese Hilfselektroden sind dabei im Resonanzraum angeordnet und haben im wesentlichen die Aufgabe, einen laminaren Elektronenstrom im Grenzbereich zwischen Beschleuniger und Kollektor zu erzeugen. Gleichzeitig dienen sie dem Schutz vor einem unerwünschten Rückstrom reflektierter Elektronen bzw. Sekundärelektronen, der jedoch durch den fehlenden Einfluß eines axialen Magnetfeldes begrenzt ist.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand eines Ausführungsbeispiels beschrieben. Es zeigt

F i g. 1 einen Querschnitt durch ein Klystron, das die Spannungen seiner Hauptteile zeigt,

F i g. 2 einen vergrößerten Querschnitt des Hilfselektrodegebietes aus Fig. 1, der das darin gebildete elektrische Feld darstellt,

F i g. 3 das magnetische Feld, das in axialer Richtung der Mikrowellenröhre wirkt, im Bereich des Nebenanodengebietes von F i g. 2,

F i g. 4 einen Querschnitt durch die magnetische Abschirmplatte von F i g. 2, die an einem anderen Platz angebracht ist, entsprechend einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung,

F i g. 5 einen vergrößerten Querschnitt des Hilfselektrodengebietes von F i g. 1, das entsprechend einer weiteren Ausführungsform der Erfindung geändert ist,

F i g. 6 einen vergrößerten Querschnitt durch das Hilfselektrodengebiet von Fig. 1, das entsprechend einer anderen Ausführungsform der Erfindung geändert ist,

F i g. 7 einen Querschnitt längs der Linie VIl-VlI aus F i g. 6 und

F i g. 8 einen vergrößerten Querschnitt des Hilfselektrodengebietes von F i g. 1, das entsprechend einer weiteren Ausführungsform der Erfindung geändert ist.

Gemäß F i g. 1 enthält der Hochfrequenzteil eines Klystrons einen Mikrowelleneingangs-Hohlraumresonator 2a, in den ein Eingangsleiter 1 für ein hochfrequentes Signal eingeführt ist, einen Mikrowellenaus· gangs-Hohlraumresonator 2e, in dem ein Ausgangsleiter 3 für ein hochfrequentes Signal befestigt ist, mehrere Hohlraumresonatoren 2b bis 24 die zwischen diesen Hohlraumresonatoren 2a und 2e angebracht sind, mehrere Laufräume 4a bis 4d, die die genannten Resonatoren miteinander verbinden, einen magnetischen FeIdgeneretor, um das magnetische Feld zu erzeugen, das in axialer Richtung der Mikrowellenröhre wirkt, um die Elektronen, die durch die Lauf räume 4a bis Ad wandern, zu konvergieren, und ein magnetisches Abschirmgehäuse 7, um den Hochfrequenzteil magnetisch abzuschirmea Ein Elektronenstrahlerzeuger 8, der einen Elektronenstrahl 5 emittiert, weist auch Vorrichtungen zur Beschleunigung dieser Elektronen auf. Der Elektronenstrahlerzeuger liefert einen Elektronenstrom in den Hochfrequenzteil durch die Röhre 9a, und sein Glühfaden wird von der Energiequelle £1 mit Strom versorgt. Die Röhre 9b, die zum Mikrowellenausgangs-Hohlraumresonator 2e geöffnet ist, besitzt einen Flansch 9c; der der öffnung des Elektronenstrahlkollektors 10 zum Abfangen der Elektronen 5 gegenüberliegt. Zwischen dem Eiektronenstrahlkoliektor 10 und dem Flansch 9r ist eine Gruppe von Hilfselektroden angebracht, die aus einer ersten ringförmigen Hilfselektrode 12 besteht, einer zweiten Hilfselektrode 13 und einer dritten Hilfselektrode 14. Je ein Vakuumisolationsring 15 ist zwischen die Hilfselektroden und zwischen diese Gruppe der Hilfselektroden und den Elektronenstrahlkollektor 10 sowie den Flansch 9c eingesetzt. Die Anordnung dieses Elektronenstrahlkollektors, der Hilfselektrode und der Vakuumisolationsringe wird in Vergrößerung in F i g. 2 gezeigt. Die ringförmige magnetische Abschirmplatte 11 ist in die erste Hilfselektrode 12 eingefügt und am Außenrand mit dem magnetischen Abschirmgehäuse 7 über einen Isolator 16 verbunden.

Der negative Pol der Energiequelle Ei ist mit der Energiequelle £1 verbunden und der positive Pol der Energiequelle £3 mit dem magnetischen Abschirmgehäuse 7. Die Spannung zwischen den Energiequellen Ei und £3 wird durch eine Leitung 18 an den Elektronenstrahlkollektor 10 und an die zweite Hilfselektrode 13 angelegt. An die 1. und 3. Hilfselektrode ist über einen Spannungsteiler 19 und eine Leitung 20 eine höhere Spannung als an den Elektronenstrahlkollektor angelegt. Die Leitung 20 kann auch direkt mit dem positiven Pol der Energiequelle £3 verbunden sein. Diese Erfindung ist jedoch nicht auf diese Ausführungsform und diese Spannungsverhältnisse beschränkt. Wichtig ist, daß die zweite Hilfselektrode 13 im wesentlichen dieselbe Spannung haben sollte, wie der Elektronenstrahlkollektor 10 und daß die erste und die dritte Hilfselektrode 12 und 14 eine höhere Spannung haben sollten als die zweite Hilfselektrode 13.

Angenommen, daß bei der oben bezeichneten Anordnung die erste und die dritte Hilfselektrode 12 und 14 dieselbe Spannung wie die Laufräume 4 haben und daß der Elektronenstrahlkollektor 10 und die zweite Hilfselektrode 13 mit einer kleineren Spannung versehen sind als die der genannten Laufräume 4, dann bilden sich um die Gruppe sämtlicher Hilfselektroden, eingeschlossen des Elektronenstrahlkollektors 10, eine Potentialverteilung oder Äquipotentialflächen aus, wie sie durch unterbrochene Linien in F i g. 2 angezeigt sind. Entsprechend wirkt auf die Sekundärelektronen beim Vordringen vom Elektronenstrahlkollektor 10 zum Hochfrequenzteil eine Kraft in Richtung der Pfeile 22. Wenn Sekundärelektronen in die Nähe der zweiten Hilfselektrode 13 getrieben werden, werden sie auf im wesentlichen die gleiche Geschwindigkeit gebremst

und verlangsamt, mit der sie von der Innenseite des Elektronenstrahlkollektors 10 emittiert wurden. Die so verlangsamten Sekundärelektronen werden durch das elektrische Feld der ersten Hilfselektrode angezogen und abgefangen.

Bis jetzt ist es sehr wahrscheinlich, daß Sekundärelektronen in den Hochfrequenzteil der Mikrowellenröhre vordringen. Wenn die Spannung der zweiten Hilfselektrode 13 niedriger als die des Elektronenstrahlkollektors 10 wird, dann können die Sekundär- to elektronen gänzlich von dem Elektronenstrahlkollektor 10 oder der ersten Hilfselektrode 12 abgefangen und daran gehindert werden, in den Hochfrequenzteil einzudringen. Zur Erzielung einer guten Isolation ist es nicht wünschenswert, eine Mikrowellenröhre mit obengenannten Spannungsverhältnissen zu bauen.

Erfindungsgemäß ist daher die magnetische Abschirmplatte 11 für das Hilfselektrodengebiet vorgesehen, um auf die Sekundärelektronen dieselbe Wirkung auszuüben, wie sie erreicht würde, wenn man die Spannung der zweiten Hilfselektrode 13 auf einen weit geringeren Wert als den an dem Elektronenstrahlkollektor 10 erniedrigt.

Das magnetische Feld 23 an der Achse der Mikrowellenröhre wird scharf abgeschnitten, wie es F i g. 3 zeigt, im Bereich einer Stelle 11a, die mit der Lage der magnetischen Abschirmplatte 11 übereinstimmt. Sekundärelektronen, die von dem Elektronenstrahlkollektor 10 zum Hochfrequenzteil vordringen, werden zum magnetischen Feld 23 geführt und dort dazu gebracht, schnell um die Achse der Mikrowellenröhre zu rotieren. Das Ergebnis ist, daß die Geschwindigkeit, mit der die Sekundärelektronen in axialer Richtung der Mikrowellenröhre vordringen, auf einen Wert erniedrigt ist, die dem Energiebetrag entspricht, der bei der genannten Rotation verbraucht wird, so daß die Sekundärelcktronen die zum Erreichen des Hochfrequenzteiles erforderliche Geschwindigkeit verlieren, bevor sie in ein Gebiet gelangen, wo ein Potential vorherrscht, das dem der zweiten Hilfselektrode 13 nahekommt. Weiterhin werden die Sekundärelektronen, die in der Richtung auf den Hochfrequenzteil derart verlangsamt worden sind, durch ein starkes elektrisches Feld, das durch die erste Hilfselektrode 12 erzeugt wird, beschleunigt, so daß sie vom Hochfrequenzteil zurückgetrieben und schließlich von der genannten ersten Hilfselektrode 12 oder dem Elektronenstrahlkollektor 10 eingefangen werden.

Bei einem magnetischen Feld 23 von etwa 300 Gauß werden die Sekundärelektronen, die gegen die zweite Hilfselektrode 13 vordringen, mit einer Rotationsge schwindigkeit versehen, die ungefähr 2000 V entspricht. gemäß dem plötzlichen Zusammenbruch des magnetischen Feldes im Gebiet der ersten Hilfselektrode 12 Dadurch wird bezüglich der Sekundärelektronen der selbe Effekt erreicht, den man durch ein Herabsetzen der Spannung der zweiten Hilfselektrode 13 um 2000 V gegenüber derjenigen des Elektrorenstrahlkollekiors 10 erhielte.

Sekundärelektronen, die in Richtung des Hochfrcqucnzteiles entlang einer Bahn sehr nahe an der Achse der Mikrowellenröhre wandern, besitzen keine große Rotationsenergie. Wenn jedoch die Achsen der jeweiligen Hilfselektrode gegeneinander leicht versetzt sind, können auch solche Sekundärelcktroncn eingefangen fc< werden.

Wenn die Sekundärclektronen zur Ausführung eine Drehbewegung gebracht werden, dann können sie auf dieselbe Weise behandelt werden, als wäre die Spannung der zweiten Hilfselektrode 13 merklich gegenüber der des Elektronenstrahlkollektors 10 erniedrigt. Daher werden die Spannungen der beiden Elektroden 10 und 13 in Wirklichkeit im wesentlichen gleich gehalten. Das ermöglicht es, die Spannung des Elektronenstrahlkollektors 10 stärker herabzusetzen als die des Hochfrequenzteiles, und damit eine Mikrowellenröhre hoher Leistung herzustellen.

Die magnetische Abschirmplatte U kann angrenzend an die Außenwände der ersten Hilfselektrode oder isoliert von ihr im Bereich der ersten Hilfselektrode angeordnet sein. F i g. 4 zeigt die magnetische Abschirmplatte 11, die an die Außenwände der ersten Hilfselektrode 12 gepaßt ist. Auch kann die zweite Hilfselektrode 13 nahe an den Flansch 9c gesetzt werden, wie es in F i g. 5 erläutert wird, ohne die dritte Hilfselektrode 14 vorzusehen.

Wie F i g. 1 zeigt, wird die zweite Hilfselektrode 13 auf einer hohen negativen Spannung gegenüber der des magnetischen Abschirmgehäuses 7 gehalten, so daß es offensichtlich sicher ist, daß diese zweite Hilfselektrode 13 vor der Bestrahlung bewahrt wird. Es ist ratsam, eine möglichst kleine Anzahl von Isolationsringen 15 zu benutzen, um einen Verlust an Mikrowellen durch das Isolationsmaterial zu vermeiden.

F i g. 6 zeigt eine Kollektoranordnung, die in der Lage ist. die Bestrahlung der zweiten Hilfselektrode 13 zu verändern und die Zahl der Stellen zu verringern, an denen Isolationsmaterial angebracht ist. Der dem Mikrowellenausgang zugewandte Teil der ersten Hilfselektrode 12a besitzt einen inneren Durchmesser 25. der größer ist als der innere Durchmesser 26 des dem Elektronenstrahlkollektor 10 zugewandten Teiles dieser Hilfselektrode 12a. Die magnetische Abschirmplatte 11 grenzt direkt an der dem Elektronenstrahlkollektor zugewandten Seite dieser Nebenanode 12a an. Die zweite Hilfselektrode 13a ist konzentrisch mit der Achse der Mikruwellenröhre in dem Hohlraum der ersten Hilfselektrode 12a angebracht die diesen größeren inneren Durchmesser 25 besitzt. Mehrere Stützteile 27 sind parallel und konzentrisch zur Achse der Mikrowellenröhre angebracht und an einem Ende an den Elektronenstrahlkollektor 10 angepaßt Diese Stützteile 27 sind durch die öffnungen 28 und 29, die in der magnetischen Abschirmplatte 11 und der ersten Hilfselektrode 12a gebildet sind, geschoben, um die zweite Hilfselektrode 13a zu tragen. Dementsprechend ist e; nicht nur möglich, die zweite Hilfselektrode 13a davoi zu bewahren, außerhalb der Mikrowellenröhre be strahii zu werden, sondern es ist auch die Notwendig keit beseitigt, einen Isolationsring zu benutzen, um dii zweite Hilfselektrode 13a anzupassen. Die Stützteile 2 haben sowohl die Aufgabe, die zweite Hilfselektrod 13a und den Elektronenstrahlkollektor 10 auf der glci chen Spannung /u halten, als auch die Wärme, di durch Energievcrlust in der Hilfselektrode 13a erzeug wurde, /um Elektronenstrahlkollektor 10 abzuleiten.

Die in der ersten Hilfselektrode 12a verbraucht Energie ergibt sich aus dem Produkt aus dem Stroi der Sekiindärelektroncn und der Spannung des Kiel tronenstrahlkollektors 10 gegenüber der der erste Hilfselektrode 12a. |c mehr daher die Spannung di Elektronenstrahlkollektors 10 sinkt, um so mehr steij der Encrgieverlus« in der ersten Hilfselektrode 12 Dieses würde nicht nur die Gesamtwirksamkeit der V krowellenröhre verringern, sondern im Falle cm Hochleistungsmikrowcllcnröhre für die erste Hilfs.de

trode 12a Kühlkörper erfordern.

F i g. 8 zeigt eine andere Ausführungsform dieser Erfindung, die geeignet ist, ein Überhitzen der ersten Hilfselektrode zu verhindern. Die dritte Hilfselektrode 14/) besitzt den gleichen Aufbau, als wären die erste und die dritte Hilfselektrode 1 und 14 aus F i g. 2 in einem Körper zusammengefaßt. Der dem Elektronenstrahlkollektor zugewandte Teil dieser ersten Hilfselektrode 146 besitzt einen inneren Durchmesser 30, der größer ist als der innere Durchmesser 31 des dem Mikrowellenausgang zugewandten Teiles dieser Hilfselektrode 146. Die magnetische Abschirmplatte 11 ist nahe an dem Teil der dritten Hilfselektrode 146 angebracht, der dem Elektronenstrahlkollektor 10 zugewandt ist. Die zweite Hilfselektrode 136 ist in dem Hohlraum der dritten Hilfselektrode 146 angebracht, der diesen größeren Durchmesser 30 besitzt, und durch mehrere Stützteile 27 gestützt, die von dem Elektronenstrahlkollektor 12, durch die magnetische Abschirmplatte 11, ausgehen. Die erste Hilfselektrode 126 besitzt zylindrische Wände, die aus einem metallenen Maschengitter gebildet und konzentrisch zur Achse der Mikrowellenröhre angebracht sind. Diese erste Hilfselektrode 126 ist an einem Ende an den Rand der inneren Öffnung der magnetischen Abschirmplatte 11 angepaßt und so angebracht, daß sie die inneren peripheren Wände der rechten Hälfte der zweiten Hilfselektrode 13 entsprechend F i g. 8 bedeckt.

Bei der Ausführungsform von F i g. 8 werden die Sekundärelektronen, die von den inneren Wänden des Eiektronenstrahlkollektors 10 emittiert werden, zum größten Teil in die erste Hilfselektrode 126 getrieben. Beinahe alle diese Sekundärelektronen passieren die Maschen der ersten Hilfselektrode 126 in Richtung der zweiten Hilfselektrode 136 und werden dort eingefangen. Da die Sekundärelektronen eine kleine Energie besitzen, wenn sie nach dem Passieren der Maschen der ersten Hilfselektrode 126 von der zweiten Hilfselektrode 136 eingefangen werden, so werden weder die zweite Hilfselektrode 136 noch die dritte Hilfselektrode 146 stark erhitzt. Somit ist es nicht erforderlich, Kühlkörper anzubringen. Die magnetische Abschirmplatte 11 aus F i g. 8 hat dieselbe Wirkung, wie die aus Fig. 1.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen 509 S11/194

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Lineare Laufzeitröhre in der Art eines Klystrons oder einer Wanderfeldröhre mit einem Elek- s ironenstrahlerzeuger, einer Wechselwirkungsstrekke und einem Elektronenstrahlkollektor, der eine Anzahl von auf unterschiedlichem Potential liegenden Hilfselektroden und Mittel zur magnetischen Abschirmung des in Axialrichtung der Laufzeitröh- w re wirkenden Magnetfeldes enthält, dadurch gekennzeichnet, daß als Mittel zur magnetischen Abschirmung eine magnetische Abschirmplatte (11) im Bereich einer ersten, dem Elektronenstrahlkollektor benachbarten Hilfselektrode (12) angeordnet ist, die auf einem höheren Potential als der ElektronsnstrahlkoUektor (10) gehalten ist, und daß eine, in Elektronenstrahlrichtung gesehen, vor der ersten Hilfselektrode (12) angeordnete zweite Hilfselektrode (13) im wesentlichen auf dem gleichen Potential wie der Elektronenstrahlkollektor (10) gehalten ist.

2. Lineare Laufzeitröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Hilfselektrode (12a) auf der der Wechselwirkungsstrecke zügewandten Seite eine Aussparung zur Aufnahme einer zweiten darin angeordneten Hilfselektrode aufweist, daß der innere Durchmesser (25) der Hilfselektrode (12a) in dieser Aussparung größer ist, als der Durchmesser (26) derselben Hilfselektrode auf der dem Elektronenstrahlkollektor zugewandten Seite, daß die magnetische Abschirmplatte (11) an der dem Elektronenstrahlkollektor zugewandten Seite an diese Hilfselektrode angrenzt, daß die zweite Hilfselektrode (13) in der Aussparung der ersten Hilfselektrode angebracht und gegenüber der ersten Hilfselektrode und der magnetischen Abschirmplatte elektrisch isoliert ist, und daß Stützteile (27) die zweite Hilfselektrode mit dem Elektronenstrahlkollektor elektrisch und mechanisch verbinden.

3. Lineare Laufzeitröhre nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf der dem Mikrowellenausgang zugewandten Seite der zweiten Hilfselektrode (13) eine dritte Hilfselektrode (14) vorgesehen ist. und daß diese Hilfselektrode eine höhere Spannung als der Elektronenstrahlkollektor aufweist.

4. Lineare Laufzeitröhre nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Hilfselektrode (146) auf der dem Elektronenstrahlkollektor (10) zugewandten Seite eine Aussparung zur Aufnahme weiterer Hilfselektroden aufweist, daß der innere Durchmesser (30) dieser Hilfselektrode (146) in dieser Aussparung größer ist, als der Durchmesser (31) derselben Hilfselektrode auf der der Wechselwirkungsstrecke zugewandten Seite, daß die magnetische Abschirmplatte (11) an der dem Elektronenstrahlkollektor zugewandten Seite an diese Hilfselektrode angrenzt, daß die zweite Hilfselektrode (136) in der Aussparung der dritten Hilfselektrode (146) angeordnet ist und selbst auf der dem Elektronenstrahlkollektor zugewandten Seite eine Aussparung zur Aufnahme einer weiteren Hilfselektrode aufweist, daß Stützteile (27) die zweite Hilfselektrode mit dem Elektronenstrahlkollektor elektrisch und mechanisch verbinden, daß die zweite Hilfselektrode gegenüber der magnetischen Abschirmplatte (11) und der dritten Hilfselektrode (146) isoliert und elektrisch sowie mechanisch mit dem Elektronenstrahlkollektor verbunden ist daß eine erste Hilfselektrode (126) in der Aussparung der zweiten Hilfselektrode angeordnet ist, die zylindrische, maschenartige Wandungen (33) aufweist und mechanisch sowie elektrisch mit der mittleren öffnung der magnetischen Abschirmplatte (11) verbunden ist

5. Lineare Laufzeitröhre nach den Ansprüchen 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung der ersten Hilfselektrode (12) und dritten Hilfselektrode (14) gleich ist