DE2135783A1

DE2135783A1 - Mikrowellenrohrenaufbau

Info

Publication number: DE2135783A1
Application number: DE19712135783
Authority: DE
Inventors: Takashi Tokio Shimada
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1970-07-16
Filing date: 1971-07-16
Publication date: 1972-01-20
Also published as: US3700963A; NL7109808A; GB1302149A; FR2103084A5; DE2135783C3; DE2135783B2

Description

Dr. F. Zumotein san. - Dr. E- Ass-mann Dr. R. Koenlgsberger - Dlpl.-Phye. R. Holzbauer - Dr. F. Zumsieln jurs.

PATENTANWÄLTE

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Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd.,Kawasaki-shi

Mikrowellenröhrenaufbau

Die Erfindung betrifft eine Mikrowelle, die eine Anode besitzt, um die Elektronen abzufangen, die durch den Mikrowellenausgang des Hochfrequenzteils der genannten Röhre wandern, wo einfallende Mikrowellen und die Elektronen miteinander wechselwirken, und genauer eine Mikrowellenröhrenanordnung, die mit einer Vorrichtung versehen ist, die Sekundarelektronen daran zu hindern, zum Hochfrequenzteil dieser Röhre vorzudringen.

Mikrowellenröhren, auf die diese Erfindung wirksam angewandt werden kann, schließen das Klystron und/oder die Lauffeldröhre ein, bei denen der Elektronenstrahl linearisiert ist.

Der Hochfrequenzteil eines Klystrons, zum Beispiel eines Types, der die lineare Bewegung der Elektronen erlaubt, besitzt an dem einen Ende einen Mikrowelleninput-Hohlraxim an dem gegen-

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überliegenden Ende einen Mikrowellenoutput-Hohlraum und " * gewöhnlich einen in der Mitte dazwischen liegenden Hohlraum* Alle.diese Hohlräume sind durch Quersteuerröhren verbunden* Auf der Seite des genannten Inputhohlraums befindet sich eine Kathode, die die Elektronen zum Austritt veranlaßt, um einen Elektronenstrahl längs der Achse des Hochfrequenzteiles zu bilden» Auf der Seite des genannten Output-Hohlraumes befindet sich eine Hauptanode, um die Elektronen, die den Hochfrequenzteil verlassen haben, abzufangen. Die Elektronen sind durch ein hochfrequentes Input-Signal, das in den Mikrowelleninput-Hohlraum geleitet ist, geschwindigkeitsmoduliert und weiterhin dichtanoduliert, während sie durch den in der Mitte liegenden Hohlraum und die Quersteuerröhren wandern. Wenn die Elektronen, deren Dichte moduliert worden ist, durch den Output-Hohlraum wandern, werden davon verstärkte Mikrowellen ausgesandt. Elektronen, die diesen Output-Hohlraum verlassen, werden durch die Hauptanode abgefangen.

Die Eingangsleistung einer solchen Mikrowellenröhre ist durch das Produkt aus Elektronenstrom und der Höhe der Spannung, die an der Hauptanode angelegt ist, bestimmt. Die Gesamtwxrksamkeit der Mikrowellenröhre wird durch das Verhältnis der Hochfrequenzleistung aus dem Outputhohlraum zur Eingangsleistung ausgedrückt. Um diese Gesamtwirksamkeit zu vergrößern, ist es daher notwendig, die Spannung an der Hauptanode zu verkleinern. Eine Verbesserung dieser Gesamtwirksamkeit wird sehr stark von dem Standpunkt gefordert, im Energieverbrauch beim Betrieb der Mikrowellenröhre zu sparen und die Kosten der Energiequellenausrüstung zu senken.

Wenn die Elektronen, die ihren Zweck erfüllt haben, von der Anode abgefangen sind, werden Sekundärelektronen von der Hauptanode emitiert gebührend dem Stoß, der zuerst erwähnten Elektronen auf die Anode. Da die Hauptanode bei einer kleineren Spannung betrieben wird als die anderen Teile der Mikrowellenröhre z.B. die Quersteuerröhren, werden die Sekundärelektronen wahrscheinlich in den Hochfrequenzteil in einem höher be-

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η Zustand hineingetrieben, so daß sie die Verstärkung und die Schwingung der Mikrowellen behindern.

Dementsprechend ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Mikrowellenrohrenaufbau herzustellen, bei dem die Anodenkonstruktion so verbessert ist, daß die oben genannten Sekundärelektronen daran gehindert werden, in den Hochfrequenzteil der Röhre geführt zu werden.

Der Mikrowellenrohrenaufbau gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Hochfrequenzteil, wo die einfallenden Mikrowellen und die Elektronen, die dadurch wandern, miteinander wechselwirken, bei dem das eine Ende einen Mikrowelleneingang bildet und das gegenüberliegende Ende einen Mikrowellenausgarig bildet, Elektronenstrom erzeugende Teile verbunden mit dem Mikrowelleneingang,um die Elektronen zu liefern, Teile zur Erzeugung eines magnetischen Feldes, das in der axialen Richtung der Mikrowellenröhre wirkt, um die Elektronen zu konvergieren, eine · Hauptanode, um die Elektronen abzufangen, die den Hochfrequenzteil verlassen, eine Anzahl von Nebenanoden, die zwischen dem Mikrowellenausgang und der Hauptanode angeordnet sind, ein magnetisches Schild, um das magnetische Feld, das in axialer Richtung der Mikrowellenröhre wirkt,abzuschirmen, in der die Anzahl der Nebenanoden wenigstens aus einer ersten und einer zweiten Einheit besteht. Wenigstens ein Teil der ersten Nebenanode ist auf der Seite der Mikrowellenröhre angebracht, die der Hauptanode gegenübersteht. Die zweite Nebenanode ist auf der Seite der Mikrowellenröhre angebracht, die dem Mikrowellenausgang gegenübersteht und wird im wesentlichen auf derselben Spannung wie die Hauptanode gehalten. Die erste Nebenanode wird auf einer höheren Spannung gehalten als die zweite Nebenanode. Das magnetische Schild ist in dem Gebiet angebracht, wo die Vielzahl der Nebenanoden angeordnet sind.

Es ist das Merkmal dieser Erfindung, daß die Sekundärelektronen,

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während sie von der Hauptanode zu der ersten Nebenanode wandern, die eine höhere Spannung als die Hauptanode besitzt, an der zweiten Nebenanode, die eine tiefere Spannung als die erste · ■ Nebenanode besitzt, gebremst werden, um zu verhindern, daß sie in den Hochfrequenzteil geführt wurden, und daß die Sekundärelektronen, die durch das Magnetfeld freie Gebiet wandern, das gebührend der plötzlichen Abschirmung des magnetischen . Feldes geschaffen wurde, um schnell in das magnetisierte Gebiet des Nebenanodenteils überzuwechseln, weiter zum Hochfrequenzteil wandern· .

| Die Form und die Stellung der Nebenanode und die Stellung des magnetischen Schildes kann geeignet geändert werden. Wenn teiterhin eine dritte Nebenanode eingebaut ist, wird das Eindringen der Sekundärelektronen in den Hochfrequenzteil der Mikrowellenröhre wirkungsvoller verhindert werden.

Diese Erfindung kann aus der folgenden detaillierten Beschreibung genauer verstanden werden, wenn sie in Verbindung mit der zugehörigen Zeichnung benutzt wird, in der

Fig. 1 einen Querschnitt durch ein Klystron darstellt gemäß einer Ausführungsform dieser Erfindung, die die Beziehung der * • Spannungen ihre Hauptteile zeigt,

Fig. 2 ein vergrößerter Querschnitt des Nebenanodengebietes aus Fig. 1 ist, der das darin gebildete elektrische Feld illustriert,

Fig. 3 zeigt, wie das magnetische Feld,das in axialer Richtung der Mikrowellenröhre wirkt, über das Nebenanodengebiet von Fig. 2 verteilt ist,

. Fig. 4 ein Querschnitt durch das magnetische Schild von Fig. '2 ist, das an einem anderen Platz angebracht ist,entsprechend einer weiteren Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 5 ein vergrößerter Querschnitt des Nebenanodengebietes von Fig. 1 ist, das entsprechend einer weiteren Ausführungsform

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der Erfindung geändert ist,

Fig. 6 ein vergrößerter Querschnitt durch das Nebenanodengebiet von Fig* T ist, das entsprechend einer anderen Ausführungsform der Erfindung geändert ist,

Fig. 7 ein Querschnitt längs der Linie VII-VII aus Fig. 6 ist und

Fig. 8 ein vergrößerter Querschnitt des Nebenanodengebietes von Fig. 1 ist, das entsprechend einer weiteren Ausführungsform der Erfindung geändert ist.

Verwiesen auf Fig. 1, enthält der Hochfrequenzteil eines Klystrons einen Mikrowelleneingangs-Resonanzhohlraum 2a, in den ein Eingangsleiter 1 für ein hochfrequentes Signal eingeführt ist, einen Mikrowellenausgangsresonanzhohlraum 2e, in dem ein Ausgangsleiter 3 für ein hochfrequentes Signal befestigt ist, eine Mehrzahl von Hohlräumen 2b bis 2d, die zwischen diesen Resonanzhohlräumen 2a und 2e angebracht sind, eine Mehrzahl von Quersteuerröhren 4a bis 4d, die die genannten Hohlräume miteinander verbinden, einen magnetischen Feldgenerator_? v um das magnetische Feld zu erzeugen, das in axialer Richtung der Mikrowellenröhre wirkt, um die Elektronen, die durch die Quersteuerröhren 4a bis 4d wandern, zu konvergieren, und ein magnetisches Abschirmgehäuse 7, um den Hochfrequenzteil magnetisch abzuschirmen. Ziffer 8 bezeichnet eine Kathode, die einen Elektronenstrom 5 emitiert und ebenso Vorrichtungen zur Beschleunigung dieser Neutronen beinhaltet. Die Kathode 8 liefert einen Elektronenstrom in den Hochfrequenzteil durch die Röhre 9a und sein Glühfaden wird von der Energiequelle E₁ mit Strom versorgt. Die Röhre 9b, die zum Mikrowellenoutput-Hohlraum 2e geöffnet ist, besitzt einen Flansch 9c, der der Öffnung der Hauptanode 10 zum Abfangen der Elektronen 5 gegenüber-. liegt. Zwischen der Hauptanode 10 und dem Flansch 9c ist eine Gruppe von Nebenanoden angebracht, die aus einer ersten ringförmigen Nebenanode 12 besteht, einer zweiten Nebenanode 13 und einer dritten Nebenanode 14. Ein Vakuumisolπtionsring 15 ist zwischen je zwei angrenzenden der ersten bi.s di ι ϊ t im Neben—

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anode 12, 1.3 und 14, zwischen der genannten Gruppe der Neben— anöden und der Hauptanode 10 und zwischen der genannten Gruppe der Nebenanoden und dem Flansch 9c eingesetzt. Die Anordnung dieser Hauptanode und der Nebenanoden und der Vakuumisolationsringe wird in Vergrößerung in Fig. 2 gezeigt. Die ringförmige magnetische Abschirmplatte 11 ist mit einem Teil um seine zentrale Öffnung in die erste Ergänzungsanode 12 eingelagert und dehnt sich nach außen aus, um an seiner Außenfläche mit dem magnetischen Abschirmgehäuse 7 durch ein Isolationsmaterial 16 verbunden zu sein.

^ Der negative Pol

der Energiequelle E₂ ist mit der Energiequelle Ε_χ verbunden und der positive Pol der Energiequelle E-, ist mit dem magnetischen Abschirmgehäuse 7 verbunden. Die Spannung zwischen den EnergiequellenEp und E_ wird durch eine Leitung 18 an die Hauptanode 10 und an die zweite Nebenanode 13 gelegt. Eine höhere Spannung als die an der Hauptanode 10 ist an der ersten Nebenanode 12 und an der dritten Nebenanode 14 durch einen Spannungsteller 19 und eine Leitung 20 angelegt. In einigen Fällen ist die Leitung 20 direkt mit dem positiven Pol der Energiequelle E~ verbunden. Es ist ersichtlich, daß die Spannungsverhältnisse der Hauptanode und der Nebenanoden zur Illustration einfach angedeutet sind und daß diese Erfindung

ψ nicht auf diese Ausführungsform begrenzt ist. Wichtig ist, daß die zweite Nebenanode 13 im wesentlichen dieselbe Spannung haban sollte, wie die Hauptanode 10 und daß die erste und die dritte Nebenanode 12 und 14 eine höhere Spannung haben sollten als die zweite Nebenanode 13.

Angenommen, daß bei der oben bezeichneten Anordnung die erste und die dritte Nebenanode 12 und 14 mit derselben Spannung belegt sind wie die Quersteuerröhren 4 und daß die Hauptanode 10 und die zweite Nebenanode 13 mit einer kleineren Spannung versehen sind als die der genannten Quersteuerröhren 4^ dann bildet sich um die Gruppe sämtlicher Anoden eingeschlossen der

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Hauptanode 10 eine Potentialv.erteilung oder -Äquipotentialflächen. a,u ε wie sie durch unterbrochene Linien in Fig. 2 angezeigt -sind. Entsprechend erleiden die Sekundärelektronen, wenn sie von der Hauptanode 10 zum Höchfrequenzteil vordringen, eine Kraft, die in Richtung der Pfeile 22 wirkt. Wenn .Sekundärelektronen indie Nähe der zweiten Nebenanode 13 getrieben werden, werden sie' gebremst und verlangsamt auf im wesentlichen die gleiche Geschwindigkeit,mit der sie von der Innenseite der Hauptanode 10 ernitiert wurden. Die so verlangsamten Sekundärelektronen werden durch das elektrische Feld der ersten Nebenanode angezogen, um ,wirksam von ihr abgefangen zu werden.

Bis jetzt ist es sehr wahrscheinlich, daß Teile der genannten Sekundärelektronen in den Hochfrequenzteil der Mikrowellenröhre vordringen. Wenn die Spannung der zweiten Nebenanode weiter verringert wird als die der Hauptanode 10, dann können die Sekundärelektronen gänzlich von der Hauptanode 10 oder derersten Nebenanode 12 abgefangen werden und dadurch daran gehindert werden, in den Hochfrequenzteil einzudringen. Vom Standpunkt einer vollkommenen Isolation jedoch, ist es nicht wünschenswert, eine Mikrowellenröhre in Bezug auf die obengenannten Spannungsverhältnisse beider Typen von Anoden derart zu bauen.

Entsprechend der vorliegenden Erfindung ist daher die magnetischeAbschirmplatte 11 für das Nebenanodengebiet vorgesehen, um die Sekundärelektronen derselben Behandlung zu unterwerfen, wie sie erreicht würde dadurch, daß man die Spannung der zweiten Nebenanode 13 auf einen weit geringeren Wert als den an der Hauptanode 10 erniedrigt. Das magnetische Feld 23 an der Achse der Mikrowellenröhre wird scharf abgeschnitten, wie es Fig. 3 zeigt, im Bereich eines Punktes 11a, der mit der Lage der magnetischen Abschirmplatte 11 übereinstimmt. Sekundärelektronen, die von der Hauptanode 10 zum Hochfrequenzteil vordringen, werden zum magnetischen Feld 23 geführt und dort dazu gebracht, schnell um die Achse der Mikrowellenröhre zu rotieren. Das Ergebnis ist, daß die Geschwindigkeit, mit der

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die Sekundär elektronen in axialer Richtung der Mikrowellen— röhre vordringen, auf eine Höhe erniedrigt ist, die äera Setrag an Energie" entspricht, der bei der genannten Rotation ver- - * braucht wird, so daß die Sekundärelektronen die sum Erreichen des¹·'Hochfrequenzteil es genügende Geschwindigkeit -verlieren bevor sie in. ein Gebiet gelangen, wo ein Potential -vor-lhierrscht, das dem der zweiten Nebenanode 13 nahekömmt. Weiterhin werden die Sekundärelektronen, die in der Richtung auf den Hoclafrequenzteil derart verlangsamt worden sind, durch ein starkes elektrisches Feld, das durch die erste Nebenanode 12 erzeugt wird, beschleunigt, um vom Hochfrequenzteil weg zurückgetrieben zu werden und schließlich von der" genannten ersten Neben— anode 12 oder der Hauptanode 10 eingefangen zu werden.

Bei einem magnetischen Feld 23 von etwa 300 Gauss werden die Sekundärelektronen, die gegen die zweite Nebenaaaode 13 vordringen mit einer Rotationsgeschwindigkeit versehen, die ungefähr. 2000 V entspricht, gemäß dem plötzlichen Zusammenbruch des magnetischen Feldes im Gebiet der ersten Uebeiaaiiode 12» Dadurch werden die Sekundärelektronen derselben Behandlung unterworfen wie sie dadurch erreicht würde, daß man die Spannung der zv/eiten Nebenanode 13 um 2000 V gegenüber der der Hauptanode 10 absenkt·

Sekundärelektronen, die in Richtung des Hocnfrequertzteiles entlang einer Bahn sehr nahe an der Achse der Mikrowellenrölire wandern, besitzen keine große Rotationsenergie- Wenn jedocii die Achsen der jeweiligen Nebenanoden gegeneinander leicht versetzt sind, können auch solche Sekundärelektronen gefangen werden.

Wenn die Sekundärelektronen dazu gebracht werden, wie oben beschrieben zu rotieren, dann können sie auf dieselbe Weise behandelt werden, als wäre die Spannung der zweiten Hebenanode 13 merklich gegenüber der der Hauptanode 10 erniedrigt» Daher werden die Spannungen der beiden Anoden 10 und 13 in Wixklich-

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keit im wesentlichen gleich gehalten. Das ermöglicht es, die Spannung der Hauptanode 10 auf eine weit geringere Höhe zu erniedrigen als die des Hochfrequenzteiles und damit eine Mikro-"wel-lenröhre hoher Leistung herzustellen.

Die magnetische Abschirmplatte IL kann irgendwo angebracht werden in einem Gebiet, das von der ersten und der zweiten Nebenanode 12 und 14 begrenzt ist. Diese Platte 11 kann auch so gesetzt werden, daß sie an die Außenwände irgendeiner der genannten Nebenanoden grenzt. Fig. 4 zeigt die magnetische Abschirmplatte 11, die an die Außenwände der ersten Nebenanode 12 gepaßt ist. Auch kann die zweite Nebenanode 13 nahe an den Flansch 9c gesetzt werden, wie es Fig. 5 erläutert wird, ohne die dritte Nebenanode 14 vorzusehen.

Wie Fig. 1 zeigt, wird die zweite Nebenanode 13 auf einer hohen negativen Spannung gegenüber der des magnetischen Abschirmgehäuses 7 gehalten, so daß es offensichtlich sicher ist, daß diese zweite Nebenanode 13 vor der Bestrahlung bewahrt wird und ratsam ist, eine so kleine Anzahl von Isolationsringen 15 wie möglich zu benutzen von dem Standpunkt aus, ein Verlust an Mikrowellen durch das Isolationsmaterial zu vermeiden.

Fig. 6 zeigt eine Anodenanordnung, die in der Lage ist, die Bestrahlung der zweiten Nebenanode 13 zu verändern und die Zahl der Orte zu verringern, wo Isolationsmaterial angebracht ist. In Fig. 6 sind die gleichen Teile wie in der vorausgehenden Ausführungsform mit denselben Ziffern bezeichnet und eine Beschreibung davon wird unterlassen. Der Teil der ersten Nebenanode 12a, der dem Mikrowellenausgang gegenübersteht, besitzt einen inneren Durchmesser 25, der größer ist als der innere Durchmesser 26 des Teiles dieser Nebenanode 12a, die der Hauptanode 10 gegenübersteht. Die magnetische Abschirmplatte 11 grenzt direkt an der Seite dieser Nebenanode 12a an, die der Haupt-

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anode 10 gegenübersteht. Die zweite Nebenanode 13a ist konzentrisch mit der Achse der Mikrowellenröhre in dem Hohlraum der ersten Nebenanode 12a angebracht, die diesen größeren inneren Durchmesser 25 besitzt. Eine Anzahl von stützenden Teilen 27 ist parallel und konzentrisch mit der Achse der Mikrowellenröhre angebracht und an einem Ende an die Hauptanode 10 angepaßt. Diese Stützteile 27 sind durch die Blenden 28 und 29, die in dem magnetischen Abschirmschild 11 und der ersten Nebenanode 12a gebildet sind, geschoben, um die zweite Nebenanode 13a zu stützen· Entsprechend ist es nicht nur möglich, die zweite Nebenanode 13a davor zu bewahren, außerhalb der Mikrowellen- ψ röhre bestrahlt zu werden, sondern auch die Notwendigkeit zu beseitigen, ein Isolationsring zu benutzen, um die zweite Nebenanode 13a einzupassen. Die Stützglieder 27 haben sowohl die Aufgabe, die zweite Nebenanode 13a und die Hauptanode 10 auf der gleichen Spannung zu halten, als auch die Wärme, die durch Energieverlust in der Nebenanode 13a erzeugt wurde, zur Hauptanode 10 abzuleiten.

Verweist man auf Fig. 1, so wird die Energie, die in der ersten Nebenanode 32a verbraucht wird, als das Produkt aus dem Strom der Sekundärelektronen und der Spannung der Hauptanode 10

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gegenüber der der ersten Nebenanode 12^. Je mehr daher die Spannung der Hauptanode 10 sinkt, umso mehr steigt der Energie— verlust in der ersten Nebenanode 12a. Dieses würde nicht nur die Gesamtwirksamkeit der Mikrowellenröhre verringern, sondern es auch notwendig machen, im Falle einer Hochleistungsmikrowellenröhre, für die erste Nebenanode 12a Kühlkörper anzubringen.

Fig. 8 zeigt eine andere Ausführungsform dieser Erfindung, die Teile beinhaltet, um das Überhitzen der ersten Nebenanode zu verhindern. Verweist man auf Fig. 8, so besitzt die erste Nebenanode 12b den gleichen Aufbau als wären die erste und die dritte Nebenanode 12 und 14 aus Fig. 2 in einem Körper zusam-

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mengefaßt. Der Teil dieser ersten Nebenanode 12b, der der Hauptanode 10 gegenübersteht, besitzt einen inneren Durchmesser 30, der größer ist als der innere Durchmesser 31 des Teiles dieser Nebenanode 12b, der dem Mikrowellenausgang gegenüber steht. Die magnetische Abschirmplatte 11 ist nahe an dem Teil der ersten Nebenanode 12b angebracht, der der Hauptanode 10 gegenüber steht. Die zweite Nebenanode 13b ist in dem Hohlraum der ersten Nebenanode 12b angebracht, der diesen größeren Durchmesser 30 besitzt und ist gestützt,wie man aus Fig. 6 sieht, durch eine Mehrzahl von Stützgliedern 27, die von der Hauptanbde 12 durch die magnetische Abschirtnplatte 11 ausgehen. Die dritte Nebenanode 14b besitzt zylindrische Wände, die aus einem metallenen Maschengitter gebildet sind und konzentrisch mit der Achse der Mikrowellenröhre angebracht sind. Diese dritte Nebenanode 14b ist an einem Ende an den Rand der inneren Öffnung der magnetischen Abschirtnplatte 11 angepaßt und so angebracht, daß sie die inneren peripheren Wände der rechten Hälfte der zweiten Nebenanode 13 wie angezeigt bedeckt.

Bei der Ausführungsform von Fig. 8 werden die Sekundärelektro— nen, die von den inneren Wänden der Hauptanode 10 emittiert werder*, zum größten Teil in die dritte Anode 14b getrieben. Beinahe alle diese Sekundärelektronen passieren die Maschen der dritten Nebenanode 14b zur zweiten Nebenanode 13b und werden von der Elektrode dieser zweiten Nebenanode 13b abgefangen. Da die Sekundärelektronen eine kleine Energie besitzen, wenn sie von der zweiten Nebenanode 13b abgefangen werden, naphdem sie die Maschen der dritten Nebenanode 14b passiert haben, werden weder die zweite Nebenanode 13b noch die erste Nebenanode 12b stark erhitzt, so daß man der Notwendigkeit enthoben ist, extra Kühlkörper anzubringen. Die magnetische Abschirmplatte aus Fig. 8 hat dieselbe Wirkung, wie die aus Fig. 1.

Die Form der vielen Nebenanoden, de in einer Mikrowellenröhre entsprechend der vorliegenden Erfindung benutzt werden, ist nicht auf die begrenzt, die in der vorausgegangenen Ausfüh-

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rungsform beschrieben ist, sondern auch jede Veränderung hiervon ist in der Erfindung eingeschlossen soweit sie nicht von der. Aufgabe -und dem Bereich der Erfindung abweicht.

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Claims

Patentansprüche

ί ΐΛ MikrowellenrShrenaufbau, der einen Hochfrequenzteil, wo einfallende Mikrowellen und Elektronen- die durch diese Röhre wandern, wechselwirken, und dessen eines Ende einen Mikrowelleneingang, das gegenüberliegende Ende einen Mikrowellen ausgang bildet, eine Vorrichtung , die mit dem Mikrowelleneingang verbunden ist, lam Elektronen zu liefeoa, einen Generator für ein magnetisches Feld, das in axialer Richtung der Mikrowellenröhre wirkt, um die gelieferten Elektronen zaa konvergieren, eine Hauptanode, um die Elektronen abzufangen, die den Hochfrequenzteil verlassen haben,, eine Anzahl von Weben an öden, die zwischen dem Mikro— wellenausgang \md der Hauptanode angeordnet sind, und eine magnetische ^bschirroplatte . enthält, um das magnetische

Feld abzuschirmen, das in axialer Richtung der Mikrowelleda— röhre wirkt, gekennzeichnet durch eine aus wenigstens einer ersten {12) und zweiten {13) Nebenanode bestehenden Anzahl· von Neberianoden, durch die Anordnung wenigstens eines Teiles dieser ersten Kebenanode auf der Seite der Mikrowellenröhre, die der Hauptanode tlö) gegenübersteht und der zweiten Anode aaf der Seite der Röhre, die dem Mikrowellenausgang gegenübersteht, durch die im wesentlichen gleiche Höhe der Spannung, auf der die zweite Nebenanode (13) und die Haaaptanode gehalten sind, durch eine höhere Spannung, auf der-die erste Nebenanode (12) gegenüber der zweiten Webenanode Xl3) gehalten ist und durch den Einsatz der magnetischen Abschirmplatte (11) in dem Gebiet, wo die Anzahl der Kebenanoden angeordnet ist.

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2. Mikrowellenröhrenaufbau nach Anspruch 1, gekennzeichnet; durch eine -dritte Nebenanode (14), die in die Anzahl der Neben— anöden eingeschlossen und auf der Seite der Mikrowellen— röhre, die dem Mikrowellenausgang und der -zweifen Webenanode .(13) gegenüber steht., angeordnet ist, um mit einer höheren Spannung belegt zn sein als der,,die der Hauptanode geliefert wird.
3» Mikrowellen röhr an aufbau nach Anspruch 2, gekennzeichnet dadurch,, daß an die erste (1:2) und die dritte Nebenanode (14) eine Spannung von gleicher Hohe angelegt ist»
4. Mikrowellemrohrenauflbata nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Teil der ersten Mebenanode (12a), 'der dem ,Mikrowellenausgang gegenübersteht, einen größeren inneren Durchmesser (253 besitzt, als der Teil (26) dieser Nebenanode, der der Hauptanode gegenübersteht, die magnetische Absehirmplatte so angebracht ist, daß sie an den Teil der ersten liebenanode angrenzt, der der Hauptanode gegenübersteht, und die zweite Kebenanode (13a) in dem Hohlraum der ersten Nebenanode angeordnet ist, der diesen größeren inneren Durchmesser besitzt, und durch eine Anzahl von Stützgliedern (26) gestützt ist^ die von der ersten Nebenanode (12a) und der magnetischen Absehirmplatte (11) isoliert sind und so verlaufen^ daß sie die aweite Nebenanode mit der Hauptanode (10) eiektrisen und mechanisch verbinden.
5. Mikrowelleriröiirenaufbau nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine weitere dritte NebenanDde (14) zwischen dem Teil der Mikrowellenrohre, der dem Mikrowellenatisgang gegenübersteht, und der zweiten Nebenanode, an die eine höhere Spannung angelegt ist, als die, mit der die Hauptanode (10) versehen ist.

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6. Mikrowellenröhrenaufbau nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Teil der ersten Nebenanode (12b), der der Hauptanode gegenübersteht, einen inneren Durchmesser

(30) besitzt, der größer ist, als "der innere Durchmesser

(31) des Teiles dieser Nebenanode, der dem Mikrowellenausgang gegenübersteht, die magnetische Abschirmplatte (11) so angeordnet ist, daß sie an den Teil der ersten Nebenanode, der der Hauptanode gegenübersteht^ angrenzt, die zweite Nebenanode (13b) in dem Hohlraum der ersten Nebenanode angebracht ist, der diesen größeren inneren Durchmesser besitzt, und von einer- Anzahl von Stützgliedern (27) gestützt ist, die gegen die magnetische Abschirmplatte isoliert sind und so verlaufen, daß sie die zweite Nebenanode mit der Hauptanode elektrisch und mechanisch verbinden, und die Anzahl an Nebenanoden eine dritte Nebenanode (14b) einschließen, die zylindrische Gitterwände (13) besitzt und als eine mechanische und elektrische Verbindung an einem Ende an den Rand der mittleren Öffnung der magnetischen Abschirmplatte gepaßt ist, so daß sie einen Teil der inneren peripheren Wände der zweiten Nebenanode (13b) bedeckt. »

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