DE2132935B2 - Elektrischer, im siebdruckverfahren hergestellter kondensator - Google Patents
Elektrischer, im siebdruckverfahren hergestellter kondensatorInfo
- Publication number
- DE2132935B2 DE2132935B2 DE19712132935 DE2132935A DE2132935B2 DE 2132935 B2 DE2132935 B2 DE 2132935B2 DE 19712132935 DE19712132935 DE 19712132935 DE 2132935 A DE2132935 A DE 2132935A DE 2132935 B2 DE2132935 B2 DE 2132935B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- weight
- dielectric
- binder
- sio
- pbo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 31
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 29
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N barium(2+);diborate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/129—Ceramic dielectrics containing a glassy phase, e.g. glass ceramic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
besteht.
2. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht des Grundbelags
auf der Basis von Pd-Ag und die dielektrische Keramik auf der Basis von BaTiO3 aufgebaut ist und
daß das Bindemittel der dielektrischen Keramik aus dem Dreistoffsystem
10
Bi2O3-CdO-SiO2
besteht.
3. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum 70 bis 95
Gew.-% der dielektrischen Keramik und 5 bis 30 Gew.-% des Bindemittels enthält.
4. Kondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum 85 Gew.-%
der dielektrischen Keramik und 15 Gew.-% des Bindemittels enthält.
5. Kondensator nach Anspruch 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Bindemittel aus
70-90 Gew.-% Bi2O3,
10-30 Gew.-% CdO und
10-30 Gew.-% CdO und
0,3-3 Gew.-% SiO2
besteht.
6. Kondensator nach Anspruch 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Bindemittel aus
79,75 Gew.-% Bi2Oi,
19,75 Gew.-% CdO und
0,5 Gew.-% SiO2
besteht.
besteht.
7. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht des Grundbelags
auf der Basis von Pd-Ag und die dielektrische Keramik auf der Basis von TiO2 aufgebaut ist und
daß das Bindemittel aus dem Vierstoffsystem PbO-SiO2-ZnO-Al2O3 besteht.
8. Kondensator nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum M)
60—90Gew.-% der dielektrischen Keramik und
10—40 Gew.-% des Bindemittels enthält.
9. Kondensator nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum 90Gew.-%
der dielektrischen Keramik und 10 Gew.-% des b5 Bindemittels enthält.
10. Kondensator nach Anspruch 7, 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Bindemittel aus
50-60 Gew,- % PbO,
25-35 Gew.-% SiO2.
25-35 Gew.-% SiO2.
5— 10Gew.-% ZnO und
2-6Gew.-% AI2O3
besteht.
besteht.
11. Kondensator nach Anspruch 7, 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Bindemittel aus
56,7 Gew.-°/o PbO,
30,4Gew.-% SiO2,
8,6Gew.-% ZnO und
30,4Gew.-% SiO2,
8,6Gew.-% ZnO und
4.3 Gew,% AI2O3
besteht.
besteht.
12. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht des Grundbelags
auf der Basis von Pd-Ag und die dielektrische Keramik auf der Basis von BaTiO3 und/oder TiO2
aufgebaut ist und daß das Bindemittel aus dem Dreistoffsystem
PbO-Bi2O1-B2O3
besteht.
13. Kondensator nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum 60-80
Vol.-% der dielektrischen Keramik und 20—40 Vol.-% des Bindemittels enthält.
14. Kondensator nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Bindemittel aus
50-70 Gew.-% PbO,
30-50Gew.-% Bi2O3und
30-50Gew.-% Bi2O3und
2-5Gew.-% B2O3
besteht.
besteht.
15. Kondensator nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Bindemittel aus
58,4Gew.-°/o PbO,
39,2Gew.-% Bi2O3 und
39,2Gew.-% Bi2O3 und
2.4 Gew.-% B2O3
besteht.
besteht.
16. Kondensator nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß das Dielektrikum 75 Vol.-% BaTiO3 und 25 Vol.-% des Bindemittels enthält.
17. Kondensator nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß das Dielektrikum 80 Vol.-% TiO2 und 20 Vol.-°/o des Bindemittels enthält.
18. Kondensator nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Metallschicht des Gegenbelags aus einer Silberschicht besteht, die auf das gesinterte Dielektrikum
aufgetragen und bei einer niedrigeren Temperatur als der Sintertemperatur eingebrannt
ist.
Die Erfindung betrifft einen elektrischen, im Siebdruckverfahren hergestellten Kondensator, dessen
Metallschicht des Grundbelags aus wenigstens zwei der Bestandteile Palladium, Gold oder Silber besteht und
auf eine Trägerplatte aufgedruckt und eingebrannt ist und dessen Metallschicht des Gegenbelags von dieser
durch eine oder mehrere Schichten aus einer dielektrischen
Keramik auf der Basis von Bariumtitanat und/oder Titandioxid, die mit glasartigen Bindemitteln
versetzt sind, getrennt ist.
Aus der DT-OS 15 14 021 ist ein im Siebdruck herstellbarer Kondensator bekannt, dessen Dielektrikum
aus Bariumtitanat oder Modifikationen wie Bariumstrontiumtitanat-Systeme oder Titandio··; ' Hestehen
kann und das als Bindemittel eine gla ige Substanz aus Bariumborsilikat oder Bleiborsilikai oder
bei Verwendung von BaTiO3-Bi2SnO3 als dielektrische
Masse Wismuttrioxid benutzt.
In der US-PS 33 79 942 sind glasartige Dielektrika für Kondensatoren auf der Basis von Bariumborat beschrieben.
Derartige Gläser besitzen jedoch nicht die guten dielektrischen Eigenschaften wie keramische Dielektrika
auf der Basis von Bariumtitanat und/oder Titandioxid, insbesondere wesentlich niedrigere DK-Werte.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für dielektrische Massen auf der Grundlage von Bariumtitanat
und/oder Titandioxid glasartige Bindemittel anzugeben, die die wesentlichen Eigenschaften dieser Dielektrika
nicht beeinträchtigen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das glasartige Bindemittel aus einem der Dreistoffsysteme
Bi2O3-CdO-SiO2
PbO-Bi2O-B2O3
PbO-Bi2O-B2O3
angeordnet.
Der Trägerkörper besteht vorzugsweise aus einer Keramik. Die Paste für die Metallschicht des Grundbelags
besteht aus Pd-Ag mit einem Bindemittel und einem Trägermittel. Sie wird auf die Trägerplatte
aufgedruckt und unter Verflüchtigung des Trägermittels eingebrannt.
In einer Ausführung besteht die Paste für das Dielektrikum aus 70 bis 95 Gew.-% BaTiO3 — dem in
κι erster Linie als Dielektrikum wirkenden Bestandteil —
und 5 bis 30 Gew.-% einer Glasfritte des Dreistoffsystems Bi2O3-CdO-SiO2 - dem Bindemittel für das
Dielektrikum. Vorzugsweise sind 85 Gew.-% BaTiO3 und 15 Gew.-% der Glasfritte vorgesehen.
Die Glasfritte setzt sich aus
70-90 Gew.-% Bi2O3,
10-30 Gew.-% CdO und
0,3-3 Gew.-% SiO2
zusammen.
10-30 Gew.-% CdO und
0,3-3 Gew.-% SiO2
zusammen.
Vorzugsweise enthält sie
79,75 Gew.-% Bi2O3,
79,75 Gew.-% Bi2O3,
oder aus dem Vierstoffsystem
PbO-SiO2-ZnO-AI2O3
besteht.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß das vorgeschlagene glasartige
Bindemittel praktisch nicht mit den übrigen vorhandenen Bestandteilen des Dielektrikums reagiert, und somit
bei Verwendung von Bariumtitanat als dielektrische Grundsubstanz ein DK-Wert von einigen 100 bis zu
1000 erreichbar ist und daß bei Verwendung von Titandioxid der erzielbare DK-Wert weit über 20 bis
über 100 liegt. Vorzugsweise besteht die Lösung bei Kondensatoren mit hoher Flächenkapazität darin, daß
die Metallschicht des Grundbelags auf der Basis von Pd-Ag und die dielektrische Keramik auf der Basis von
BaTiO3 aufgebaut ist und daß das Bindemittel der dielektrischen Keramik aus dem Dreistoffsystem
Bi2O3-CdO-SiO2
besteht.
Bei Kondensatoren mit niedriger Flächenkapazität wird eine vorteilhafte Lösung darin gesehen, daß die
Metallschicht des Grundbelags auf der Basis von Pd-Ag und die dielektrische Keramik auf der Basis von
TiO2 aufgebaut ist und daß das Bindemittel der dielektrischen Keramik aus dem Vierstoffsystem
PbO-SiO2-ZnO-Al2O,
besteht.
Weitere Vorteile und Merkmale erfindungsgemäßer Kondensatoren sind im folgenden beschrieben.
Ein im Siebdruckverfahren hergestellter Kondensator ist so aufgebaut, daß auf einer Trägerplatte eine
Metallschicht eines Grundbelags angeordnet ist. Die Fläche der Trägerplatte ist so bemessen, daß auf sie
mehrere Bauelemente und deren elektrische Verbindungen aufgedruckt werden können. Die Metallschicht des
Grundbelags ist von einem Dielektrikum überdeckt. Auf der dem Grundbelag gegenüberliegenden Seite des
Dielektrikums ist eine Metallschicht eines Gegenbelags 19,75 Gew.-%
0,5 Gew.-%
0,5 Gew.-%
CdO und
SiO2.
SiO2.
Um eine verdruckbare Paste zu erhalten werden obige Bestandteile des Dielektrikums, beispielsweise in
einer Kugelmühle, naß vermählen, getrocknet und mit einem organischen Trägermittel gut vermengt. Das
Trägermittel ist vorzugsweise eine 8%ige Äthylcelluloselösung in Terpineol.
In einer anderen Ausführung besteht die Paste für das
Dielektrikum aus 60 bis 90 Gew.-% TiO2 und 10 bis 40
Gew.-% einer Glasfritte des Vierstoffsystems
PbO-SiO2-ZnO-AI2O3.
Vorzugsweise sind 90 Gew.-% TiO2 und 10 Gew.-% der
Glasfritte vorgesehen.
Die Glasfritte setzt sich aus
50-60 Gew.-% PbO,
25-35 Gew.-% SiO2,
25-35 Gew.-% SiO2,
5-10Gev/.-% ZnO und
2-6Gew.-°/o Al2O3
zusammen.
zusammen.
Vorzugsweise enthält sie
56,7Gew.-% PbO,
30,4Gew.-% SiO2,
8,6Gew.-% ZnO und
4,3Gew.-% AI2O3.
Hierbei wird durch das ZnO die Lebensdauer unter elektrischer Spannung stehender Kondensatoren durch
deren Stabilisierung der vierwertigen Ti-lonen stark verbessert. Eine verdruckbare Paste wird bei dieser
Zusammensetzung auf dem gleichen Wege erreicht wie bei der erstgenannten.
w) Die Dielektrikumpaste wird auf die Metallschicht des
Grundbelags aufgedruckt und zwischen 80O0C und 1000°C eingebrannt. Vorzugsweise wird die Dielektrikumpaste
in zwei aufeinanderfolgenden Druckvorgängen aufgebracht.
h-j Auf das Dielektrikum wird eine Silberpaste aufgetragen,
insbesondere aufgedruckt, die nach dem Brennen den Gegenbelag des Kondensators darstellt. Der
letztgenannte Brennvorgang erfolgt bei einer Tempera-
tür unter 780° C.
Die Kondensatoren nach dem erstgenannten Ausführungsbeispiel besaßen eine Flächenkapazität von
68—94 pF/mm2 (je nach den Brennbedingungen) und einen Verlustfaktor von etwa 0,5 · 10-2. Der Isolationswiderstand
war größer als 106ΜΩ/πιιτι2 bei einer
Meßspannung von 100 V.
Die Kondensatoren nach dem zweiten Ausführungsbeispiel
besaßen eine Flächenkapazität von 4,2 —10,6 pF/mm2 (je nach den Brennbedingungen) und
einen Verlustfaktor von etwa 1 ■ 10-3. Der Isolationswiderstand
war größer als 107 ΜΩ/mm2 bei einer Meßspannung von 100 V.
In einer weiteren Ausführung besteht die Paste für das Dielektrikum aus 60 bis 80 Vol.-% BaTiO3 oder TiO2
und einer Glasfritte des Dreistoffsystems PbO-Bi2O3-B2O3.
Die Glasfritte setzt sich aus
50-70 Gew.-% PbO,
30-50Gew.-% Bi2O3und
2 — 5 Gew.-% B2O3zusammen.
30-50Gew.-% Bi2O3und
2 — 5 Gew.-% B2O3zusammen.
Vorzugsweise enthält sie
58,4Gew.-% PbO,
39,2Gew.-% Bi2O3und
2,4Gew.-% B2O5.
39,2Gew.-% Bi2O3und
2,4Gew.-% B2O5.
Anstelle der Pd-Ag-Paste kann, wenn es zweckmäßig erscheint, auch eine Pd-Au- oder gegebenenfalls
auch eine Au —Ag-Paste verwendet werden.
Bei der Auswahl der Paste für den Grundbelag ist darauf zu achten, daß deren Bindemittel beim Brennen
des Dielektrikums nicht in der Weise mit dessen Bindemittel reagiert, daß sich für die elektrischen
Eigenschaften des Kondensators schädliche Verbindungen bilden.
Claims (1)
1. Elektrischer, im Siebdruckverfahren hergestellter
Kondensator, dessen Metallschicht des Grundbelags aus wenigstens zwei der Bestandteile Palladium,
Gold oder Silber besteht und auf eine Trägerplatte aufgedruckt und eingebrannt ist und dessen Metallschicht
des Gegenbelags von dieser durch eine oder mehrere Schichten aus einer dielektrischen Keramik
auf der Basis von Bariumtitanat und/oder Titandioxid, die mit glasartigen Bindemitteln versetzt ist,
getrennt ist, dadurch gekennzeichnet, daß das glasartige Bindemittel aus einem der Dreistoffsysteme
Bi>üj-CdO-SiO:
PbO-Bi2O3-B2O3
PbO-Bi2O3-B2O3
oder aus dem Vierstoffsystem
PbO-SiO2-ZnO-AI2O3
20
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19712132935 DE2132935C3 (de) | 1971-07-02 | 1971-07-02 | Elektrischer, im Siebdruckverfahren hergestellter Kondensator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19712132935 DE2132935C3 (de) | 1971-07-02 | 1971-07-02 | Elektrischer, im Siebdruckverfahren hergestellter Kondensator |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2132935A1 DE2132935A1 (de) | 1973-01-18 |
| DE2132935B2 true DE2132935B2 (de) | 1977-11-24 |
| DE2132935C3 DE2132935C3 (de) | 1978-07-20 |
Family
ID=5812481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19712132935 Expired DE2132935C3 (de) | 1971-07-02 | 1971-07-02 | Elektrischer, im Siebdruckverfahren hergestellter Kondensator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2132935C3 (de) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2624660C2 (de) * | 1976-06-02 | 1981-09-17 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektrischer, im Siebdruckverfahren hergestellter Kondensator |
| FR2397374A1 (fr) * | 1977-07-11 | 1979-02-09 | Union Carbide Corp | Elements ceramiques pour condensateurs monolithiques et leur procede de preparation |
| DE3015356A1 (de) * | 1980-04-22 | 1981-10-29 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Freitragende schichten sowie verfahren zur herstellung freitragender schichten, insbesondere fuer sensoren fuer brennkraftmaschinen |
| FR2508436A1 (fr) * | 1981-06-30 | 1982-12-31 | Europ Composants Electron | Composition ceramique dielectrique a base de titanate de baryum et condensateur utilisant cette composition |
| DE3143995A1 (de) * | 1981-11-05 | 1983-05-19 | Preh, Elektrofeinmechanische Werke, Jakob Preh, Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt | Dickschichtkondensator in druckschaltungstechnik |
| FR2522870A1 (fr) * | 1982-03-02 | 1983-09-09 | Europ Composants Electron | Composition ceramique dielectrique a base de titanate de baryum stable en fonction de la temperature et condensateur utilisant cette composition |
-
1971
- 1971-07-02 DE DE19712132935 patent/DE2132935C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2132935A1 (de) | 1973-01-18 |
| DE2132935C3 (de) | 1978-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3026200C2 (de) | Nichtlinearer Widerstand | |
| DE4109948C2 (de) | ||
| DE2347709C3 (de) | Dielektrische Masse | |
| DE1596851B2 (de) | Elektrischer widerstand aus einem keramischen grundkoerper und einer glasigen widerstandsschicht | |
| DE3317963A1 (de) | Keramikkondensator mit schichtaufbau | |
| DE2714196C3 (de) | Beschichtetes Aluminiumoxidsubstrat und Pulvergemisch zur Beschichtung solcher Substrate | |
| DE3223736A1 (de) | Keramisches dielektrikum und keramischer kondensator mit einem solchen dielektrikum | |
| DE10043882A1 (de) | Dielektrische Keramik zusammensetzung und monolitisches Keramikbauteil | |
| DE1646608B2 (de) | Keramische masse | |
| DE3213148A1 (de) | Temperaturkompensierende keramische dielektrika | |
| DE2132935C3 (de) | Elektrischer, im Siebdruckverfahren hergestellter Kondensator | |
| DE4005505A1 (de) | Monolithischer keramischer kondensator | |
| DE2441517B2 (de) | ||
| DE2633289C2 (de) | Elektrischer Isolator aus Porzellan mit einem Überzug aus Zinnoxid-Halbleiterglasur | |
| DE602005001242T2 (de) | Eine Dickschicht-Widerstandspaste, ein Dickschicht-Widerstand hergestellt unter Verwendung der Dickschicht-Widerstandspaste und eine elektronische Vorrichtung umfassend den Dickschicht-Widerstand | |
| EP0124943A1 (de) | Dielektrisches Glas für Mehrschichtschaltungen und damit versehene Dickfilmschaltungen | |
| DE2305728B2 (de) | Siebdruckfaehige, zur herstellung von elektrischen schalteinrichtungen, insbesondere heissleiterelementen, geeignete, an luft einbrennbare, glashaltige masse | |
| DE3327768C2 (de) | ||
| DE19639906C2 (de) | Isolierpaste | |
| DE2946679A1 (de) | Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben | |
| DE2921807A1 (de) | Halbleiterkeramikkondensator und verfahren zu seiner herstellung | |
| EP0432353A2 (de) | Widerstandsmasse und ihre Verwendung | |
| DE2455395C3 (de) | Widerstandszusammensetzung zur Herstellung elektrischer Widerstände | |
| DE3541516C2 (de) | ||
| DE2624660C2 (de) | Elektrischer, im Siebdruckverfahren hergestellter Kondensator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |