DE3541516C2 - - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 13
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 8
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
- C04B35/499—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
- H01G4/1263—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates containing also zirconium oxides or zirconates
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine dielektrische
keramische Zusammensetzung und insbesondere eine verbesserte
dielektrische keramische Zusammensetzung mit
einer hohen Dielektrizitätskonstante von nicht weniger
als 8000 und einer niedrigen Sintertemperatur im Bereich
von 900°C bis 1000°C.
In neuerer Zeit ist es zunehmend erforderlich, daß
elektronische Geräte für die Benutzung in der Industrie
oder durch den privaten Verbraucher von geringem Gewicht
und kompakter Bauweise sind und hohe Qualität
sowie hohe Betriebsfrequenzen aufweisen. Aus diesem
Grunde besteht wachsende Nachfrage nach monolithischen
keramischen Kondensatoren wegen ihres hohen Verhältnisses
Kapazität-zu-Volumen, der Möglichkeit ihrer Fertigung
in großen Stückzahlen sowie ihren herausragenden
elektrischen und physikalischen Kennwerten, darunter
der Hochfrequenz-Charakteristik und der Wärmebeständigkeit.
Die monolithischen keramischen Kondensatoren sind im
allgemeinen aus einer Anordnung zweier alternierender
Schichten aufgebaut, einer dielektrischen Schicht, die
aus einer dielektrischen keramischen Zusammensetzung
eines Bariumtitanat-Systems besteht, und einer inneren
Elektrode. Die dielektrische keramische Zusammensetzung
nach dem Stand der Technik hat eine hohe Sintertemperatur
von 1300°C bis 1400°C, so daß es erforderlich
ist, ein Edelmetall wie Au, Pt und Pd als Material für
die inneren Elektroden zu verwenden. Die Verwendung
derartiger Edelmetalle ist jedoch teuer und macht den
größeren Teil der Fertigungskosten der monolithischen
keramischen Kondensatoren aus. Auf diese Weise setzt
der Einsatz des Edelmetalls der Senkung der Fertigungskosten
der monolithischen Keramik-Kondensatoren Grenzen.
Zur Lösung dieses Problems wurde vorgeschlagen, eine
Glas-Komponente aus Oxiden von Bor, Bismut und Blei in
die obige modifizierte Bariumtitanat-Zusammensetzung
einzuarbeiten. Der Zusatz der Glas-Komponente erniedrigt
die Sintertemperatur auf 1100°C bis 1150°C und
ermöglicht so die Verwendung einer relativ preisgünstigen
Silber-Palladium-Legierung als Material für die
inneren Elektroden. Die Einarbeitung der Glas-Komponente
erniedrigt jedoch die Dielektrizitätskonstante, und
infolgedessen nimmt für eine vorgegebene Kapazität der
monolithische keramische Kondensator an Größe zu. Hieraus
folgt eine Zunahme der Menge des zu verwendenden
Elektrodenmaterials, eine Senkung der Fertigungskosten
der monolithischen keramischen Kondensatoren
erschwert wird.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine dielektrische
keramische Zusammensetzung mit einer hohen
Dielektrizitätskonstante von nicht weniger als 8000 und
einer niedrigen Sintertemperatur von 900°C bis 1000°C
verfügbar zu machen.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es,
eine dielektrische keramische Zusammensetzung verfügbar
zu machen, die als dielektrisches Material für monolithische
keramische Kondensatoren verwendet werden
kann, die innere Elektroden aus einer relativ preisgünstigen
Silber-Palladium-Legierung enthalten.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine dielektrische
keramische Zusammensetzung verfügbar gemacht, die
im wesentlichen aus Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃, PbTiO₃,
Pb(Zn1/2W1/2)O₃ und Pb(Cu1/3Nb2/3)O₃, wobei die prozentualen
Stoffmengen-Anteile ("Mol-Prozente") der vier
Bestandteile die folgenden sind:
Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃ | |
50,0 bis 75,0 Mol-% | |
PbTiO₃ | 20,0 bis 35,0 Mol-% |
Pb(Zn1/2W1/2)O₃ | 0,5 bis 15,0 Mol-% |
Pb(Cu1/3Nb2/3)O₃ | 1,0 bis 10,0 Mol-% |
Die dielektrische keramische Zusammensetzung des obigen
Vier-Komponenten-Systems kann weiterhin als einen Zusatzstoff
Mangan in einer Menge von nicht mehr als
0,5 Mol-%, berechnet als MnO₂, bezogen auf 1 mol der
aus 50,0 bis 75,0 Mol-% Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃, 20,0 bis 35,0
Mol-% PbTiO₃, 0,5 bis 15,0 Mol-% Pb(Zn1/2W1/2)O₃ und
1,0 bis 10,0 Mol-% Pb(Cu1/3Nb2/3)O₃ bestehenden Grundzusammensetzung
enthalten.
Diese und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden
Erfindung sind der folgenden Beschreibung
unter Bezugnahme auf ihre bevorzugten Ausführungsformen
zu entnehmen.
Die dielektrische keramische Zusammensetzung gemäß der
vorliegenden Erfindung wurde folgendermaßen hergestellt:
Als Ausgangs-Rohstoffe wurden hochgereinigte Oxide
(Reinheit: nicht weniger als 99,9%) PbO, NiO, Nb₂O₅,
TiO₂, ZnO, WO₃, CuO und MnO₂ verwendet. Diese Rohstoffe
wurden eingewogen zur Zubereitung von Mischungen mit
einer jeweiligen Zusammensetzung des Endprodukts mit
den in der Tabelle 1 angegebenen Zusammensetzungs-
Anteilen. Jede der erhaltenen Mischungen (100 g) wurde
10 h in einer Polyethylen-Mühle mit Achat-Kugeln naß
vermahlen. Die erhaltene Aufschlämmung wurde getrocknet,
in eine Aluminiumoxid-Brennkapsel eingefüllt, 2 h
bei einer Temperatur von 650°C bis 800°C calciniert und
dann zerkleinert, wodurch ein Pulver des primären Reaktionsteilnehmers
(calciniertes Pulver) hergestellt
wurde. Das calcinierte Pulver wurde zusammen mit
3 Gew.-% Polyvinylalkohol, der als Bindemittel eingearbeitet
war, naß vermahlen, getrocknet und dann durch
ein Sieb der Maschenweite 0,3 mm gegeben. Das
auf diese Weise erhaltene granulierte Pulver wurde mit
einer Ölpresse unter einem Druck von 1962 bar
zu Scheiben mit einem Durchmesser von
12 mm und einer Dicke von 1,2 mm gepreßt. Die Scheiben
wurden in eine Zirkoniumoxid-Brennkapsel überführt und
dann in einem elektrischen Ofen in einer bleihaltigen
Atmosphäre 2 h bei 900°C bis 1100°C gebrannt.
Jede der erhaltenen Keramik-Scheiben wurde auf ihren
beiden Seiten dadurch mit Silber-Elektroden versehen,
das Borosilicat-Glasfritte enthaltende Silberpaste aufgetragen
und dann die Scheiben 10 min bei 750°C gebrannt
wurden, wodurch Proben für die Messungen der
elektrischen Eigenschaften hergestellt wurden.
Messungen wurden durchgeführt in bezug auf die Kapazität
(C), den dielektrischen Verlust (tan δ) und den
Isolierwiderstand (IR). Die Kapazität (C) und der dielektrische
Verlust (tan δ) wurden gemessen bei 1 kHz
und 1 Vrms mit einem handelsüblichen LCR-Meter. Der
Isolierwiderstand wurde gemessen nach Anlegen einer
Gleichspannung von 500 V für eine Dauer von 2 min mit
einem handelsüblichen Megaohm-Meter. Die Dicke der Keramikscheibe
und der Durchmesser der gegenüberliegenden
Elektroden wurden zur Bestimmung der Dielektrizitätskonstante
(ε) und des spezifischen Widerstandes (ρ) gemessen.
Die Ergebnisse sind in der Tabelle 2 dargestellt.
In den Tabellen 1 und 2 sind die mit einem Sternchen
(*) gekennzeichneten Proben solche, deren Zusammensetzung
außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung
liegt, während die anderen Proben diejenigen sind,
die im Umfang der vorliegenden Erfindung enthalten
sind.
Die in den Proben 16 bis 22 gemachten Mengenangaben sind
auf 100 Mol-% normiert.
Aus den in Tabelle 2 dargestellten Ergebnissen geht
hervor, daß die dielektrische keramische Zusammensetzung
gemäß der vorliegenden Erfindung eine hohe Dielektrizitätskonstante
(ε) von nicht weniger als 8000 und
eine niedrige Sintertemperatur im Bereich von 900°C bis
1000°C besitzt.
In der vorliegenden Erfindung sind die prozentualen
Stoffmengen-Anteile der vier Bestandteile
Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃, PbTiO₃, Pb(Zn1/2W1/2)O₃ und
Pb(Cu1/3Nb2/3)O₃ aus folgenden Gründen auf die im Vorstehenden
definierten Bereiche begrenzt.
Erstens, wenn der Gehalt an Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃ kleiner
als 50 Mol-% ist, nimmt die Dielektrizitätskonstante
ab und wird kleiner als 8000, und die erhaltenen
dielektrischen keramischen Zusammensetzungen lassen
sich nicht praktisch einsetzen, da sie elektrische
Charakteristiken zeigen, die gleich denjenigen oder
schlechter als diejenigen der Bariumtitanat-Zusammensetzungen
des Standes der Technik sind. Wenn der Gehalt
an Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃ größer als 75,0 Mol-% ist, wird die
Sintertemperatur höher als 1000°C, und die Dielektrizitätskonstante
wird extrem niedrig.
Zweitens, wenn der Gehalt an PbTiO₃ kleiner als
20,0 Mol-% oder größer als 35,0 Mol-% ist, nimmt die
Dielektrizitätskonstante auf weniger als 8000 ab.
Drittens, wenn der Gehalt an Pb(Zn1/2W1/2)O₃ kleiner
als 0,5 Mol-% ist, wird die Sintertemperatur höher als
1000°C. Wenn eine solche Zusammensetzung bei einer
Temperatur von weniger als 1000°C gesintert wird, zeigt
das Produkt geringe Dichte und eine niedrige Dielektrizitätskonstante
von weniger als 8000. Wenn der
Gehalt an Pb(Zn1/2W1/2)O₃ größer als 15 Mol-% ist, wird
die Dielektrizitätskonstante kleiner als 8000, und der
spezifische Widerstand ist niedriger, obwohl die Sintertemperatur
niedriger als 1000°C wird.
Wenn der Gehalt an Pb(Cu1/3Nb2/3)O₃ kleiner als
1,0 Mol-% ist, ist die Dielektrizitätskonstante hoch,
jedoch die Sintertemperatur wird höher als 1000°C. Wenn
der Gehalt an Pb(Cu1/3Nb2/3)O₃ größer als 10,0 Mol-%
ist, zeigt die Zusammensetzung gute Sintereigenschaften,
jedoch ihre Dielektrizitätskonstante wird kleiner
als 8000, und der spezifische Widerstand wird erniedrigt.
Die zugesetzte Mangan-Menge ist aus folgenden Gründen
auf den oben bezeichneten Bereich begrenzt. Wenn die
zugesetzte Mn-Menge größer als 0,5 Mol-% berechnet als
MnO₂, bezogen auf 1 mol der Grund-Zusammensetzung aus
den vier Komponenten ist, wird die Dielektrizitätskonstante
kleiner als 8000, und der spezifische
Widerstand erniedrigt sich auf weniger als 10¹¹ Ω · cm.
Die dielektrische keramische Zusammensetzung gemäß der
vorliegenden Erfindung besitzt ausgezeichnete elektrische
und physikalische Eigenschaften. Hierzu zählen
- 1) eine hohe Dielektrizitätskonstante (ε) von nicht weniger als 8000;
- 2) ein niedriger dielektrischer Verlust (tan δ) von nicht mehr als 2,5%;
- 3) ein hoher spezifischer Widerstand von nicht weniger als 10¹¹ Ω · cm bei Raumtemperatur;
- 4) eine niedrige Sintertemperatur von 900°C bis 1000°C;
- 5) der spezifische Widerstand bei Raumtemperatur und bei erhöhter Temperatur (85°C) können weiter erhöht werden durch Einarbeitung einer speziellen Menge Mn. In diesem Falle ist es möglich, einen spezifischen Widerstand von nicht weniger als 10¹³ Ω · cm bei Raumtemperatur zu erzielen.
Dementsprechend kann die dielektrische keramische Zusammensetzung
gemäß der vorliegenden Erfindung als dielektrisches
Material verwendet werden nicht nur für
fixierte keramische Kondensatoren, sondern auch für
monolithische keramische Kondensatoren. Die dielektrische
keramische Zusammensetzung gemäß der vorliegenden
Erfindung hat eine niedrige Sintertemperatur und macht
es dadurch möglich, eine relativ preisgünstige Silber-
Palladium-Legierung als Material für innere Elektroden
monolithischer keramischer Kondensatoren zu verwenden.
Infolgedessen wird es möglich, monolithische keramische
Kondensatoren mit einem hohen Verhältnis Kapazität-zu-
Volumen bei geringen Kosten zu fertigen.
Claims (3)
1. Dielektrische keramische Zusammensetzung, bestehend im
wesentlichen aus Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃, PbTiO₃,
Pb(Zn1/2W1/2)O₃ und Pb(Cu1/3Nb2/3)O₃, wobei die prozentualen
Stoffmengen-Anteile ("Mol-Prozente") der vier
Bestandteile die folgenden sind:
Pb (Ni1/3Nb2/3)O₃
50,0 bis 75,0 Mol-%
PbTiO₃ 20,0 bis 35,0 Mol-%
Pb (Zn1/2W1/2)O₃ 0,5 bis 15,0 Mol-%
Pb (Cu1/3Nb2/3)O₃ 1,0 bis 10,0 Mol-%
2. Dielektrische keramische Zusammensetzung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß sie weiterhin als einen
Zusatzstoff Mangan in einer Menge von nicht mehr als
0,5 Mol-%, berechnet als MnO₂, bezogen auf 1 mol der
aus 50,0 bis 75,0 Mol-% Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃, 20,0 bis 35,0
Mol-% PbTiO₃, 0,5 bis 15,0 Mol-% Pb(Zn1/2W1/2)O₃ und
1,0 bis 10,0 Mol-% Pb(Cu1/3Nb2/3)O₃ bestehenden Grundzusammensetzung,
enthält.
3. Dielektrische keramische Zusammensetzung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß sie eine hohe Dielektrizitätskonstante
von nicht weniger als 8000 und eine
niedrige Sintertemperatur im Bereich von 900°C bis
1000°C besitzt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59250796A JPS61128408A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3541516A1 DE3541516A1 (de) | 1986-06-05 |
DE3541516C2 true DE3541516C2 (de) | 1993-04-01 |
Family
ID=17213172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853541516 Granted DE3541516A1 (de) | 1984-11-27 | 1985-11-23 | Dielektrische keramische zusammensetzung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4601988A (de) |
JP (1) | JPS61128408A (de) |
CA (1) | CA1251036A (de) |
DE (1) | DE3541516A1 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4753905A (en) * | 1985-07-31 | 1988-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
US4772985A (en) * | 1986-09-24 | 1988-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thick film capacitor |
KR920008774B1 (ko) * | 1988-11-30 | 1992-10-09 | 주식회사 금성사 | 저온 소결 유전체 세라믹 조성물 |
JP2503731B2 (ja) * | 1990-06-19 | 1996-06-05 | 株式会社村田製作所 | 低温焼結用誘電体磁器組成物 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS557713A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Production of optical fiber aggregate |
US4379319A (en) * | 1982-02-18 | 1983-04-05 | Ferro Corporation | Monolithic ceramic capacitors and improved ternary ceramic compositions for producing same |
JPS6020914B2 (ja) * | 1983-04-21 | 1985-05-24 | 日本電気株式会社 | 電歪磁器組成物 |
US4542107A (en) * | 1983-05-30 | 1985-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59250796A patent/JPS61128408A/ja active Granted
-
1985
- 1985-11-23 DE DE19853541516 patent/DE3541516A1/de active Granted
- 1985-11-25 US US06/801,482 patent/US4601988A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-11-25 CA CA000496125A patent/CA1251036A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4601988A (en) | 1986-07-22 |
JPH0453042B2 (de) | 1992-08-25 |
JPS61128408A (ja) | 1986-06-16 |
DE3541516A1 (de) | 1986-06-05 |
CA1251036A (en) | 1989-03-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
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