DE2105431A1 - Verstärkende Doppelgegentakt Misch stufe - Google Patents

Verstärkende Doppelgegentakt Misch stufe

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DE2105431A1 DE19712105431 DE2105431A DE2105431A1 DE 2105431 A1 DE2105431 A1 DE 2105431A1 DE 19712105431 DE19712105431 DE 19712105431 DE 2105431 A DE2105431 A DE 2105431A DE 2105431 A1 DE2105431 A1 DE 2105431A1
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Description

  • Verstärkende Doppelgegentakt-MischstuSe Die Erfindung bezieht sich auf eine verstärkende I)oppelgegentakt-Mischstufe mit vier aktiven Elementen, insbesondere verstärkenden Halbleiterelementeng die ausgangsseitig auf einen gemeinsamen Verbraucher zusammengeschaltet sind, wobei von der Gegenkopplung Gebrauch gemacht ist.
  • Eine derartige Mischstufe ist z.B. aus der deutschen Auslegeschrift 1 297 693 bekannt. Die Gegenkopplungsspannung wird dabei an einer Stelle abgenommen, an der die Signalspannungen ausgangsseitig bereits zusammengeschaltet sind. I)ie Rückkopplungaspannung wird jeweils dem Eingang zweier aktiver Elemente zugeführt.#a aber Unterschiede in den Eigenschaften der aktiven Elemente und im Schaltungsaufbau der zu den einzelnen Elementen gehörenden Netzwerke nicht völlig zu vernachlässigen sind, bringt die Ableitung der Gegenkopplungsspannung jeweils aus der resultierenden Ausgangs spannung und deren gemeinsame Einspeisung in den Eingangskreis dieser aktiven Elemente bezüglich der erwünschten Gleichmäßigkeit der Übertragungscharakteristik jedes einzelnen Verstärkungaweges Schwie rigkeiten mit sich. Dies ist von besonderer Bedeutung, wenn die Mischstufe für die Verarbeitung sehr breiter Frequenzbänder ausgelegt werden soll und gleichzeitig hohe Anforderungen an die Linearität und Rauschabstand der Anordnung gestellt werden.
  • Gemäß der Erfindung, welche sich auf eine verstärkende Mischstufe der eingangs genannten Art bezieht, werden derartige Schwierigkeiten dadurch vermieden, daß für jedes aktive Element ein getrenntes Gegenkopplungsnetzwerk vorgesehen ist, das jeweils vor der Zusammenschaltstelle der Ausgänge entsprechender Paare von aktiven Elementen angeschlossen und mit deren Eingangselektrode verbunden ist und eine spannungsproportionale Gegenkopplung bewirkt. Da dem Eingangskreis jedes aktiven Elementes auf diese Weise nur ein entsprechender Teil seiner eigenen Ausgangsspannung und nicht eine resultierende Ausgangsspannung mehrerer aktiver Elemente zugeführt wird, läßt sich die linearisierende Wirkung bei jedem der aktiven Elemente in optimaler Weise verwirklichen und etwaige Unsymmetrien werden dadurch in besonders vorteilhafter Weise weitgehend ausgeglichen.
  • Die Erfindung sowie Weiterbildungen der Erfindung sind anhand von Zeichnungen näher erläutert, in denen Ausführungsbeispiele dargestellt sind. Es zeigen: Fig. 1 einen Doppelgegentakt-Mischer mit vier gleichen Transistoren; Fig. 2 einen Doppelgegentakt-Mischer mit Komplementärtransistoren ohne Eingangssymmetrierung und Fig. 3 einen I)oppelgegentakt-Mischer mit Komplementärtransistoren und ohne Ausgangsübertrager.
  • In Fig. 1 ist ebenso wie bei den übrigen Figuren die Eingangsklemme für das Hochfrequenzsignal mit EH, die Eingangsklemme für das Oszillatorsignal mit EO und die Ausgangsklemme für das normalerweise in Zwischenfrequenzlage vorliegende Ausgangssignal mit hZ bezeichnet. Kapazitäten, welche der Verblockung gegen. Gleichspannung dienen, dagegen für die jeweiligen Wechselstromsignale einen Kurzschluß darstellen, sind mit dem Bezugszeichen OB versehen.
  • Das hochfrequente Eingangssignal gelangt von der Klemme EH über einen Tiefpaß C, zu einem Eingangsübertrager U1, dem ein weiterer Übertrager U3 nachgeschaltet ist. An den Ausgangsklemmen des Übertragers U1 liegt das hochfrequente Eingangssignal als Gegentaktspannung an, so daß die Windungen des Übertragers U3 als widerstandslos vorausgesetzt werden können und die Gegentaktsignale über die Mittenanzapfungen der Sekundärseite eines Übertragers U2 zu den Eingängen von über die Basis angesteuerten Transistoren T1, T4 bzw. T2, T3 gelangen. Dabei tritt die Hochfrequenzspannung an den Eingängen der Transistoren T1 und T4 jeweils in Gegenphase zu den Eingängen der Transistoren T2 und T3 auf. Die Oszillatorspannung gelangt von den Sekundärwicklungen des tbertragers U2 aus zu den Eingangselektroden der Transistoren TZ und T2 bzw. T3 und T4, wobei die Eingangselektroden der Transistoren T3 und T4 in Gegenphase im Vergleich zu den Eingangselektroden der Transistoren 1 und T2 angesteuert werden.
  • Die Dimensionierung des Eingangswiderstandes eines breitbandigen Mischers erfolgt zweckmäßig für einen genormten Wellenwiderstand, in der HF-Technik also 50 Q. Unter Berücksichtigung des tibersetzungsverhältnisses des Eingangsübertragers kann der Eingangswiderstand für tiefe und mittlere Frequenzen recht gut z.B. durch Gegenkopplungen eingestellt werden. An der oberen Frequenzgrenze kann sich jedoch die Eingangskapazität der Transistoren störend bemerkbar machen, die sich zudem mit der Oszillatoransteuerung ändert. In diesem Fall ist es zweckmäßig, die in Fig. 1 dargestellte LO-Schaltung nach Art einer Tiefpaß-Ergänzung auszulegen, die vor oder in symmetrischer Form auch hinter dem Eingangsübertrager U1 liegen kann. Damit bestimmen der Blindwiderstand der Eingangakapazität der Transistoren und die realisierbaren Übersetzungsverhältnisse des Eingangsübertragers die Impedanz, für die sich der Mischer breitbandig auslegen läßt. Dieses Problem wird bei Schaltungen mit höheren Kollektorströmen besonders akut.
  • Die Oszillatorfrequenz kann zweckmäßig über der Frequenz des Eingangssignals liegen, wobei der tiefpaß L,O neben der Unterdrückung von Störungen hochfrequenter Art ein Abfließen von Energieanteilen der Oszillatorfrequenz verhindert. Auch durch den Übertrager U3 wird vermieden, daß Unsymmetrien im Bereich des Eingangsübertragers U2 zu einem Austreten von Signalen der Oszillatorfrequenz führen könnten, weil für die im Gleichtakt anliegenden#Spannungen der Oszillatorfrequenz dieser Übertrager als Drossel wirkt. Außerdem ist dadurch sichergestellt, daß das Rauschen der Mischstufe durch ein verrauschtes Oszillatorsignal nicht unzulässig verschlechtert wird.
  • Die Transistoren T1 bis T4 sind untereiiiander in gleicher Weise beschaltet und weisen jeweils ein von Emitter zu Masse gefürtes Strom-GegenkopplungsTNetzwerk in Form eines ohmschen Widerstandes RE auf. Außerdem ist ein Seriennetzwerk in Form eines ohmschen Widerstandes RS angeschlossen. Darüber hinaus ist zwischen dem Kollektor der Transistoren und dem Serienwiderstand RS bei jedem Transistor ein eigenes Gegenkopplungsnetzwerk vorgesehen, welches aus dem ohmschen Widerstand RG und dem Blockkondensator OB besteht. Dadurch ist sichergestellt, daß durch eine spannungsproportionale Gegenkopplung, welche nur Anteile der jeweiligen Transistor-Ausgangsspannung enthält, jeder Transistor für si#ch in optimaler Weise linearisiert und stabilisiert wird. Während der Widerstand RG eine Spannungsgegenkopplung bewirkt, ergibt sich durch den Widerstand RE im Emitter eine Stromgegenkopplung. Durch die Dimensionierung dieser Widerstände können die Mischverstärkung und der Eingangswiderstand für jedes Verstärkerelement festgelegt werden.
  • Der Emitterwiderstand RE dient außerdem zur Gleichstromstabilisierung und wird deshalb zweckmäßig so ausgelegt, daß sein Widerstandswert ein Vielfaches des Diffusionswiderstandes der Transistoren beträgt. Dadurch ergibt sich eine besonders vorteilhafte Gleichstromaufteilung.
  • Im einfachsten Fall arbeiten die Transistoren ohne Ruhestrom, wodurch Abblockelemente im Emitterkreis entfallen können. Der Kollektorstrom ist dann abhängig von der Stärke des Oszillatorsignals. In manchen Fällen kann es zweckmäßig sein, eine Arbeitsweise mit Ruhestrom zu wählen. In diesem Fall ist die Oszillatoransteuerung so zu wählen, daß der Kollektor-Wechselstrom größer wird als der Kollektor-Gleichstrom (übersteuerter A-Betrieb mit besonders gutem Mischeffekt). Die Auslegung der Schaltung erfolgt zweckmäßig so, daß die Transistoren T1 bis T4 nicht bis zur Sättigung ausgesteuert werden, da dies die Rauschzahl wesentlich erhöhen würde. Um eine gute Symmetrie auch für höhere Harmonische und Mischprodukte zu gewährleisten, sollen die Transistoren eine möglichst kurze Schaltzeit aufweisen, d.
  • h. für das vorliegende Schaltungsbeispiel soll ihre Kollektor-Basis-Kapazität und die entsprechende Zeitkonstante möglichst klein sein und ihre Grenzfrequenz wenigstens 8 bis 10 mal so hoch gewählt werden, wie die Oszillatorfrequenz. Die Oszillatorleistung, mit der sich die Transistoren aussteuern lassen, und damit auch die Linearität bei starken Eingangssignalen ist um so größer, je höher der Kollektorstrom bei optimaler Grenzfrequenz ist. Dies ist für Eingangsmischer in Funkempfängern besonders des Kurzwellenbereiches, für welche die dargestellte Anordnung mit besonderem Vorteil verwendet werden kann, von besonderer Bedeutung.
  • Der das Seriennetzwerk im Ausgangskreis bildende ohmsche Widerstand RS ergibt ein weitgehend lastunabhängiges Arbeiten der Spannungsgegenkopplung, was für die Symmetrie der Schaltung von besonderer Bedeutung ist. Gegenüber Maßnahmen, welche eine verbesserte Symmetrierung einer Dopppelgegentakt-Mischstufe dadurch herbeiführen sollen, daß vor den Eingangselektroden Serienwiderstände eingefügt werden, hat dies den besonderen Vorteil, daß eine Bedämpfung des normalerweise sehr schwachen Eingangssignals vermieden werden kann und damit die Empfindlichkeit der Schaltung vergrößert wird.
  • Nach den das Seriennetzwerk bildenden Widerstånden RS sind die Ausgangsspannungen der Transistoren 1 und T3 einerseits sowie T2 und T4 andererseits zusammengeschaltet und werden über den Ausgangsübertrager U4 als unsymmetrische Ausgangsspannung der Ausgangsklemme AZ zugeführt. Die Zuführung der Betriebsgleichspannung + Ub für die Transistoren erfolgt über einen Entkopplungswiderstand RK. Der an der Ausgangsklemme AZ anzuschließende Widerstand wird zweckmäßig so gewählt, daß die Schaltung unterangepaßt arbeitet, so daß Änderungen der Betriebsspannung Ub die Arbeitsweise des Mischers möglichst wenig beeinträchtigen.
  • Die Anordnung nach Fig. 2 ist - abgesehen davon, daß Komplementärtransistoren verwendet sind - bezüglich der aktiven Elemente in gleicher Weise aufgebaut wie die Schaltung nach Fig. 1 und es gelten damit auch die in diesem Zusammenhang angestellten Überlegungen. Da aber vielfach Schaltungen benötigt werden, deren Eingang EH auch für beliebig tiefe Frequenzen oder sogar für Gleichstrom geeignet sein soll, kann es zweckmäßig sein, im Bereich des Signaleingangs ohne übertrager zu arbeiten. Hierzu ist bei der Schaltung nach Fig. 2 der Eingangskreis so abgewandelt, daß nur für die Zuführung der Oszillatorspannung ein Übertrager U5 benötigt wird, während die vom Signaleingang EH kommenden Signalspannungen lediglich den LC-Tiefpaß durchlaufen. Durch eine Drossel D5 ist sichergestellt, daß ein Gleichstromweg gebildet wird. Sofern die nicht dargestellte Spannungsquelle Gleichstrom führt, ist die Drossel DS wegzulassen. Während bei dieser Schaltung der Eingangsübe#trager U5 einfacher ausgebildet ist als nach der Ausführungsform nach Fig. 1, ist der ausgangsseitige Übertrager U6 entsprechend komplizierter und gleicht weitgehend dem Übertrager U2 nach Fig. 1. Diese Schaltung eignet sich besonders für die Umsetzung sehr niedriger und mittlerer Frequenzen in eine höhere Frequenzlage.
  • Bei der Schaltung nach Fig. 3, welche ebenfalls die Verwendung von Komplementärtransistoren vorsieht, kann in besonders vorteilhafter Weise aus der Frequenz zweier sehr hoher Eingangsfrequenzen eine mittlere bis sehr niedrige oder sogar bis Gleichstrom reichende Ausgangsfrequenz erzeugt werden. Die Übertrager U7 und U8 dieser Schaltung, welche abgesehen von der Verwendung von Komplementärtransistoren bezüglich ihrer aktiven Elemente ebenfalls mit der Schaltung nach Fig.1 übereinstimmt, sind wegen der notwendigen Reihenschaltung der Komplementärtransistoren und der Rückführung der Basisströme zum jeweiligen Emitterpotential etwas aufwendiger. Dafür ist jedoch die erzielbare Ausgangsspannung und Ausgangsleistung wesentlich größer als bei einfacheren Ringmodulatoren. Mit dieser Schaltung ist auch ein Betrieb als verstärkender Phasendetektor mit großem Ausgangspegel denkbar.
  • 16 Patentansprüche 3 Figuren

Claims (16)

  1. Patentansprüche 1. Verstärkende Doppelgegentakt-Mischstufe mit vier aktiven Elementen, insbesondere verstärkenden Halbleiterelementen, die ausgangsseitig auf einen gemeinsamen Verbraucher zusammengeschaltet sind, wobei von der Gegenkopplung Gebrauch gemacht ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß für jedes aktive Element (1 bis U4) ein getrenntes Gegenkopplungsnetzwerk (RG) vorgesehen ist, das jeweils vor der Zusxmmenschaltstelle der Ausgänge entsprechender Paare von aktiven Elementen angeschlossen und mit deren Eingangselektrode verbunden ist und eine spannungsproportionale Gegenkopplung bewirkt.
  2. 2. Verstärkende Mischstufe nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß für jedes aktive Element (T1 bis T4) zusätzlich ein eigenes Netzwerk (RE) zur stromproportionalen Gegenkopplung an die dem Eingang und Ausgang gemeinsame Elektrode angeschlossen ist.
  3. 3. Verstärkende Mischstufe nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß vor der Zusammenschaltstelle der von den aktiven Elementen (T1 bis T4) gelieferten Ausgangsspannungen bei jedem aktiven Element ein an die Ausgangselektrode angeschlossenes Serien-Netzwerk (RS) eingeschaltet ist.
  4. 4. Verstärkende Mischstufe nach Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Serien-Netzwerk (RS) nach der Abzweigung für das spannungsproportionale Gegenkopplungsnetzwerk (RG) angeschlossen ist.
  5. 5. Verstärkende Mischstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das spannungsproportionale Gegenkopplungsnetzwerk (RG) für Gleichspannungen undurchlässig ist.
  6. 6. Verstärkende Mischstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das zur Stromgegenkopplung dienende Netzwerk (RE) so dimensioniert ist, daß sein Widerstandswert ein Vielfaches des Diffusionswiderstandes von als aktive Elemente verwendeten Transistoren beträgt.
  7. 7. Verstärkende Mischstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß bei Verwendung von Transistoren als aktive Elemente diese ohne Ruhestrom betrieben werden.
  8. 8. Verstärkende Mischstufe nach einem der Ansprüche 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,. daß bei Verwendung von Transistoren als verstärkende Elemente die Oszillatoransteuerung so gewählt ist, daß der Kollektor-Wechselstrom größer wird als der Kollektor-Gleichstrom.
  9. 9. Verstärkende Mischstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Arbeitswiderstand der Mischstufe kleiner gewählt ist als der von der Ausgangsseite her gesehene Innenwiderstand der Mischetufe.
  10. 10. Verstärkende Mischstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die als aktive Elemente verwendeten Transistoren (v1 bis 24) vom Oszillatorsignal nicht bis zur Sättigung ausgesteuert sind.
  11. 11. Verstärkende Mischstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die als aktive Elemente verwendeten Transistoren (S1 bis T4) so gewählt werden, daß ihre Kollektor-Basiskapazität und die entsprechende Zeitkonstante möglichst niedrig und die Grenzfrequenz wenigstens etwa 8 mal so hoch ist wie die Oszillatorfrequenæ.
  12. 12. Verstärkende Mischstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß als aktive Elemente Komplementärtransistoren verwendet sind.
  13. 13. Verstärkende Mischstufe nach Anspruch 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Signaleingang (EH) der Mischstufe, insbesondere zur Umsetzung niedriger oder mittlerer Frequenzen in eine höhere Frequenzlage, für die Ansteuerung der Transistoren (T1 bis 4) einen Gleichstromw weg bildet (?ig.2) und ohne Übertrager arbeitet.
  14. 14. Verstärkende Mischstufe nach Anspruch 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Transistoren T1 bis T4), insbesondere zur Umsetzung hoher Eingangsfrequenzen in mittlere oder niedrigere Frequenzen ausgangsseitig ohne Übertrager zusammengeschaltet sind (Fig. 3).
  15. 15. Verstärkende Mischstufe nach Anspruch 14, g e k e n n -z e i c h n e t d u r c h die Verwendung als verstärkender Phasendetektor.
  16. 16. Verstärkende Mischstufe nach einem der Ansprüche 11 bis 14, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h die Verwendung in Funkempfängern, vorzugsweise des Kurzwellenbereichs.
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DE2105431A1 true DE2105431A1 (de) 1972-08-24
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0012657A1 (de) * 1978-12-15 1980-06-25 Thomson-Csf Breitbandiger passiver Ring-Mischer und mit diesem Mischer ausgestatteter Empfänger
DE3114443A1 (de) * 1980-04-10 1982-04-08 Pioneer Electronic Corp., Tokyo Frequenzumsetzerschaltung
US4684833A (en) * 1983-12-16 1987-08-04 Telefunken Electronic Gmbh Mixer stage

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