DE2054039B2 - Verfahren zur herstellung eines calcit-einkristalls - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines calcit-einkristalls

Info

Publication number
DE2054039B2
DE2054039B2 DE19702054039 DE2054039A DE2054039B2 DE 2054039 B2 DE2054039 B2 DE 2054039B2 DE 19702054039 DE19702054039 DE 19702054039 DE 2054039 A DE2054039 A DE 2054039A DE 2054039 B2 DE2054039 B2 DE 2054039B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rod
calcium carbonate
calcite
single crystal
eutectic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19702054039
Other languages
English (en)
Other versions
DE2054039A1 (de
DE2054039C3 (de
Inventor
Jean Jacques Luden Emile Maisons Alfort VaI de Marne Brissot (Frankreich)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2054039A1 publication Critical patent/DE2054039A1/de
Publication of DE2054039B2 publication Critical patent/DE2054039B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2054039C3 publication Critical patent/DE2054039C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/02Zone-melting with a solvent, e.g. travelling solvent process
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/918Single-crystal waveguide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Calcit-Einkristalls durch Schmelzen und Abkühlen polykristallinen Calciumcarbonats in Anwesenheit eines eutektischen Gemisches und eines Keimkristalls.
Doppelbrechende, rhomboedrische Calcit-Einkristalle werden häufig im industriellen oder halbindustriellen Gebiet u. a. in Vorrichtungen verwendet, bei denen polarisiertes Licht benutzt wird, oder als Trägerkristall für paramagnetische Ionen in Lasern.
Da die natürlichen Fundstellen des Calcits, vor allem in Island erschöpft werden und große Kristalle für die Technik immer interessant sind, wurde versucht, solche Kristalle künstlich darzustellen.
Aus der britischen Patentschrift 10 49 347 ist ein Verfahren zum Züchten von Calcitkristallen bekannt, bei dem Calciumcarbonat gemeinsam mit einem Schmelzmittel, z. B. Lithiumcarbonat oder einem Gemisch aus Lithiumcarbonat und Kaliumcarbonat, wobei die Menge Calciumcarbonat größer ist als es der eutektischen Zusammensetzung entspräche, in einer Kohlendioxidatmosphäre erhitzt wird, so daß wenigstens ein Teil ohne Zersetzung schmilzt, worauf wenigstens ein Teil der Schmelze abgekühlt wird, so daß Calciumcarbonat in der Form von Calcit auskristallisiert.
Durch die Erhitzung des eutektischen Gemisches mit Calciumcarbonat in Anwesenheit mindestens eines Keimes bilden sich zwar Calcit-Einkristalle nach der Abkühlung, aber die erhaltenen Kristalle werden von dem erstarrten eutektischen Gemisch umgeben. Die chemischen Eigenschaften des eutektischen Gemisches und des Calcits sind dermaßen ähnlich, daß es praktisch nicht möglich ist, die Kristalle aus der umgebenden Masse zu isolieren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein interessantes Verfahren zum Erzielen großer, praktisch reiner Calcit-Einkristalle zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein polykristallinen Stab zonengeschmolzen wird.
wobei das in Form einer Pille angebrachte eutektische Gemisch in Berührung mit dem Keimkristall im geschmolzenen Zustand in der Längsrichtung des Stabes verschoben wird.
Die Erhitzung des polykristallinen Stabes und die Bildung des Einkristalls erfolgen somit gleichzeitig. Die Verschiebungsgeschwindigkeit der Zone entspricht der Bildungsgeschwindigkeit des Einkristalls. Diese Bildungsgeschwindigkeit liegt z.B. zwischen 50 und 500 μιτι pro Stunde bei einer Temperatur der Schmelzzone von 700 bis 900° C. Unter diesen Bedingungen wird das Schmelzmittel in der geschmolzenen Zone durch Diffusion dauernd in Richtung auf die Grenzfläche gedrängt.
Der zu verwendende Stab aus Calciumcarbonat kann z. B. dadurch hergestellt werden, daß feines Pulver mit einer sehr geringen Menge Lösungsmittel zusammengepreßt wird.
Brauchbare, eutektische Gemische sind z. B. das System CaCOa-Li2CO3, Gemische mii mindestens einem Alkalisalz wie K2CO3, KCl, LiCl und Lithiumcarbonat Li2CO3. Es können auch andere Metallsalze dem zusammengesinterten Calciumcarbonat zugesetzt werden, um dotierte Kristalle oder gemischte Carbonate, wie einen Mischkristall von Calcium- und Bariumcarbonat, herzustellen.
Nachstehend wird ein Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung beschrieben.
Die Figur zeigt schematisch eine Vorrichtung zum Anwachsen künstlicher Calcit-Einkristalle.
Der Keimkristall 1 wird in einem Halter 2 angebracht, der durch einen Motor (nicht dargestellt) in eine sehr langsame Drehbewegung versetzt wird. Oben auf dem Keimkristall 1 wird eine Pille 3 der eutektischen Zusammensetzung angebracht. Auf der Pille 3 wird die Unterseite eines Stabs 4 angebracht, der aus einem gesinterten Calciumcarbonatzylinder besteht, der in der vertikalen Lage koaxial zum Keimkristall 1 durch einen Halter 5 gehaltert wird. Der Halter 5 ist in seiner axialen Richtung etwas verschiebbar, so daß die Schmelzzone geschrumpft oder vergrößert werden kann, um die Kapillarkräfte während des Wachstums auszugleichen. (Dieser Mechanismus ist nicht veranschaulicht.)
Die Halter 2 und 5 sind durch einen Bügel 6 miteinander verbunden, der vertikal längs eines Gewindes 7 verschiebbar ist; das Gewinde ist mittels eines nicht dargestellten Motors drehbar.
Die Pille 3 kann durch ein Metallband 8, z. B. aus vergoldetem Platin, geschmolzen werden, das in der Mitte mit kleinen Löchern versehen ist, durch die die Schmelze fließen kann. Diese Ausführungsform ist in der Zeichnung dargestellt. Das Band 8 wird durch unmittelbaren Stromdurchgang über die feststehenden Elektroden 9 erhitzt.
Um thermische Spannungen zu vermeiden, sorgen die Hilfsspiralen tO und 11 dafür, daß die Kristallstäbe auf einer günstigen Temperatur gehalten werden. Die ganze Vorrichtung wird von einer Hülle 12 umgeben, in der dauernd ein Überdruck von Kohlensäuregas aufrechterhalten wird, um Zersetzung des Calciumcarbonats während der Erhitzung zu vermeiden. Die Hülle 12 ist nur schematisch dargestellt, und es ist selbstverständlich, daß die Abmessungen derart gewählt sind, daß der Bügel 6 über eine Länge mindestens gleich der des Stabs 4 verschiebbar sein muß.
Das Anwachsen wird dadurch erreicht, daß die eutektische Pille 3 mittels des Metallbandes 8 und der Spiralen 10 und 11 geschmolzen wird. Wenn die
Schmelze den Keimkristall 1 und den Stab 4 gleichmäßig benetzt hat, wird der Bügel 6 sehr langsam iierunterbewegt, während das Band ä an seiner Stelle Dleibt.
Die Schmelzzone wird somit in Richtung aui den Halter 5 verschoben und läßt einen Calcit-Einkristall zurück.
Die Bewegung des Bügels 6 kann umgekehrt werden, so daß der Keimkristall oben u^d der Stab 4 unten in der Vorrichtung angeordnet werden können.
Dieses Verfahren ermöglicht, eine kleine Menge des Schmelzmittels zu verschieben und einen Kristall zu erhalten, der nicht in ein Schmelzmittel eingebettet ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung eines Calcit-Einkristalls durch Schmelzen und Abkühlen polykristallinen Calciumcarbonats in Anwesenheit eines eutektischen Gemisches und eines Keimkristalls, d a durch gekennzeichnet, daß ein polykristalliner Stab zonengeschmolzen wird, wobei das in Form einer Pille angebrachte eutektische Gemisch in Berührung mit dem Keimkristall im geschmolzenen Zustand in der Längsrichtung des Stabes verschoben wird.
2. Verfahren nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß die Pille aus dem eutektischen '5 Gemisch mittels einer Erhitzungselektrode mit einer Anzahl von Löchern erschmolzen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem polykristallinen Calciumcarbonatpulver vor dem Verpressen in Stabform mindestens eine weitere Substanz zugemischt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Carbonat eines anderen Erdalkalimetalls zugemischt wird.
25
DE2054039A 1969-11-21 1970-11-03 Verfahren zur Herstellung eines Calcit-Einkristalls Expired DE2054039C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR6940146A FR2067923A6 (de) 1969-11-21 1969-11-21

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2054039A1 DE2054039A1 (de) 1971-05-27
DE2054039B2 true DE2054039B2 (de) 1977-12-08
DE2054039C3 DE2054039C3 (de) 1978-08-10

Family

ID=9043430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2054039A Expired DE2054039C3 (de) 1969-11-21 1970-11-03 Verfahren zur Herstellung eines Calcit-Einkristalls

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3663180A (de)
JP (1) JPS4828278B1 (de)
BE (1) BE759175A (de)
CA (1) CA935361A (de)
CH (1) CH556192A (de)
DE (1) DE2054039C3 (de)
FR (1) FR2067923A6 (de)
GB (1) GB1303309A (de)
NL (1) NL7016722A (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3960511A (en) * 1971-07-15 1976-06-01 Preussag Aktiengesellschaft Zone melting process
US3844724A (en) * 1971-12-27 1974-10-29 Du Pont Zone-melting apparatus
US3933572A (en) * 1973-12-11 1976-01-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for growing crystals
JPS5567596A (en) * 1978-11-10 1980-05-21 Hitachi Ltd Single crystal growing method
FR2552292B1 (fr) * 1983-09-20 1985-10-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif de mise en tension d'une plaque mince
JPS61215295A (ja) * 1985-03-18 1986-09-25 Shinichi Hirano 炭酸カルシユウム単結晶の製造方法
JPS62113798A (ja) * 1985-11-12 1987-05-25 Shinichi Hirano 炭酸カルシユウム単結晶の製造方法
EP0450494B1 (de) * 1990-03-30 1996-06-19 Sumitomo Sitix Corporation Verfahren zur Herstellung eines Siliziumeinkristalles
US5217565A (en) * 1991-11-13 1993-06-08 Wisconsin Alumni Research Foundation Contactless heater floating zone refining and crystal growth
CN1109777C (zh) * 1999-11-24 2003-05-28 中国科学院物理研究所 异型加热片区熔生长晶体的方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2747971A (en) * 1953-07-20 1956-05-29 Westinghouse Electric Corp Preparation of pure crystalline silicon
US2990261A (en) * 1958-12-11 1961-06-27 Bell Telephone Labor Inc Processing of boron compact
NL275885A (de) * 1961-03-14
US3345141A (en) * 1963-11-07 1967-10-03 Perkin Elmer Corp Growth of calcite crystals from a molten flux by slow cooling
US3396059A (en) * 1964-09-14 1968-08-06 Nat Res Corp Process of growing silicon carbide p-nu junction electroluminescing diodes using a modified travelling solvent method
US3505032A (en) * 1965-11-09 1970-04-07 Westinghouse Electric Corp Heater immersed zone refined melt
US3484302A (en) * 1966-01-18 1969-12-16 Fujitsu Ltd Method of growing semiconductor crystals

Also Published As

Publication number Publication date
GB1303309A (de) 1973-01-17
DE2054039A1 (de) 1971-05-27
FR2067923A6 (de) 1971-08-20
CH556192A (de) 1974-11-29
NL7016722A (de) 1971-05-25
JPS4828278B1 (de) 1973-08-30
US3663180A (en) 1972-05-16
DE2054039C3 (de) 1978-08-10
CA935361A (en) 1973-10-16
BE759175A (nl) 1971-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2054039C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Calcit-Einkristalls
DE1265126B (de) Verfahren zum Herstellen homogener Mischkristalle aus ineinander loeslichen halbleitenden Verbindungen
DE2643793A1 (de) Verfahren zum zuechten monokristalliner epitaktischer schichten aus seltene erde eisen-granat-werkstoffen
DE2122192C3 (de) Verfahren zur Vorbehandlung von beim Züchten von halbleitenden Kristallen als Einschließungsmittel verwendetem Boroxid
DE2107149A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Mehrschicht Halbleiterelements
DE1519914B2 (de) Vorrichtung zum Ziehen eines Verbindungshalbleiterknstalls
DE3111657C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Magnetschichten auf Substraten mit Granatstruktur
DE1519837B2 (de) Verfahren zum zonenschmelzen oder kristallziehen
DE2613004C3 (de) Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Einkristallschichten auf Substraten aus einer Schmelzlösung
DE1414631A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2038875A1 (de) Verfahren zur Herstellung gewachsener Mischkristalle
DE1596578B2 (de) Vorrichtung zum laeutern einer glasschmelze und zum anschlies senden abziehen von glasfaeden
DE2202555A1 (de) Fluessig-kristalline,nicht lineare Lichtmodulatoren,bei denen elektrische und magnetische Felder benutzt werden
DE3820809A1 (de) Herstellung orientierter schichten des hochtemperatursupraleiters bi-sr-ca-cu-oxid
DE968581C (de) Verfahren zur Herstellung von fuer Gleichrichter, Richtleiter, Transistoren od. dgl. bestimmten Kristallen
DE1596752B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Oberflaechenbehandlung von Glasgegenstaenden durch Ionendiffusion im elektrischen Feld
DE2221574A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
DE913676C (de) Verfahren zum Herstellen von Germaniumkristallen
DE1421710B2 (de)
DE1057207C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichten, insbesondere fuer Hallgeneratoren
DE1075223B (de) Verfahren zum Auflegicren ^mcs eutektischen Legierungsmatenals auf einen Halbleiterkörper
DE2160746C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus Verbindungen
DE1419289A1 (de) Verfahren zum Herstellen dotierter Halbleiterkoerper
DE2524596A1 (de) Verfahren und vorrichtung fuer die direkte schmelzsynthese von fluechtige bestandteile enthaltenden verbindungen
Trepte Oberflächenstrukturen nach Sauerstoffadsorption auf kugelförmigen Kupfereinkristallen

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee