DE2054039B2 - Verfahren zur herstellung eines calcit-einkristalls - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines calcit-einkristallsInfo
- Publication number
- DE2054039B2 DE2054039B2 DE19702054039 DE2054039A DE2054039B2 DE 2054039 B2 DE2054039 B2 DE 2054039B2 DE 19702054039 DE19702054039 DE 19702054039 DE 2054039 A DE2054039 A DE 2054039A DE 2054039 B2 DE2054039 B2 DE 2054039B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rod
- calcium carbonate
- calcite
- single crystal
- eutectic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/02—Zone-melting with a solvent, e.g. travelling solvent process
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/918—Single-crystal waveguide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Calcit-Einkristalls durch Schmelzen
und Abkühlen polykristallinen Calciumcarbonats in Anwesenheit eines eutektischen Gemisches und eines
Keimkristalls.
Doppelbrechende, rhomboedrische Calcit-Einkristalle werden häufig im industriellen oder halbindustriellen
Gebiet u. a. in Vorrichtungen verwendet, bei denen polarisiertes Licht benutzt wird, oder als Trägerkristall
für paramagnetische Ionen in Lasern.
Da die natürlichen Fundstellen des Calcits, vor allem in Island erschöpft werden und große Kristalle für die
Technik immer interessant sind, wurde versucht, solche Kristalle künstlich darzustellen.
Aus der britischen Patentschrift 10 49 347 ist ein Verfahren zum Züchten von Calcitkristallen bekannt,
bei dem Calciumcarbonat gemeinsam mit einem Schmelzmittel, z. B. Lithiumcarbonat oder einem Gemisch
aus Lithiumcarbonat und Kaliumcarbonat, wobei die Menge Calciumcarbonat größer ist als es der
eutektischen Zusammensetzung entspräche, in einer Kohlendioxidatmosphäre erhitzt wird, so daß wenigstens
ein Teil ohne Zersetzung schmilzt, worauf wenigstens ein Teil der Schmelze abgekühlt wird, so daß
Calciumcarbonat in der Form von Calcit auskristallisiert.
Durch die Erhitzung des eutektischen Gemisches mit Calciumcarbonat in Anwesenheit mindestens eines
Keimes bilden sich zwar Calcit-Einkristalle nach der Abkühlung, aber die erhaltenen Kristalle werden von
dem erstarrten eutektischen Gemisch umgeben. Die chemischen Eigenschaften des eutektischen Gemisches
und des Calcits sind dermaßen ähnlich, daß es praktisch nicht möglich ist, die Kristalle aus der umgebenden
Masse zu isolieren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein interessantes Verfahren zum Erzielen großer, praktisch
reiner Calcit-Einkristalle zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein polykristallinen Stab zonengeschmolzen wird.
wobei das in Form einer Pille angebrachte eutektische Gemisch in Berührung mit dem Keimkristall im
geschmolzenen Zustand in der Längsrichtung des Stabes verschoben wird.
Die Erhitzung des polykristallinen Stabes und die Bildung des Einkristalls erfolgen somit gleichzeitig. Die
Verschiebungsgeschwindigkeit der Zone entspricht der Bildungsgeschwindigkeit des Einkristalls. Diese Bildungsgeschwindigkeit
liegt z.B. zwischen 50 und 500 μιτι pro Stunde bei einer Temperatur der Schmelzzone
von 700 bis 900° C. Unter diesen Bedingungen wird das Schmelzmittel in der geschmolzenen Zone durch
Diffusion dauernd in Richtung auf die Grenzfläche gedrängt.
Der zu verwendende Stab aus Calciumcarbonat kann z. B. dadurch hergestellt werden, daß feines Pulver mit
einer sehr geringen Menge Lösungsmittel zusammengepreßt wird.
Brauchbare, eutektische Gemische sind z. B. das System CaCOa-Li2CO3, Gemische mii mindestens
einem Alkalisalz wie K2CO3, KCl, LiCl und Lithiumcarbonat
Li2CO3. Es können auch andere Metallsalze dem
zusammengesinterten Calciumcarbonat zugesetzt werden, um dotierte Kristalle oder gemischte Carbonate,
wie einen Mischkristall von Calcium- und Bariumcarbonat, herzustellen.
Nachstehend wird ein Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung beschrieben.
Die Figur zeigt schematisch eine Vorrichtung zum Anwachsen künstlicher Calcit-Einkristalle.
Der Keimkristall 1 wird in einem Halter 2 angebracht, der durch einen Motor (nicht dargestellt) in eine sehr
langsame Drehbewegung versetzt wird. Oben auf dem Keimkristall 1 wird eine Pille 3 der eutektischen
Zusammensetzung angebracht. Auf der Pille 3 wird die Unterseite eines Stabs 4 angebracht, der aus einem
gesinterten Calciumcarbonatzylinder besteht, der in der vertikalen Lage koaxial zum Keimkristall 1 durch einen
Halter 5 gehaltert wird. Der Halter 5 ist in seiner axialen Richtung etwas verschiebbar, so daß die Schmelzzone
geschrumpft oder vergrößert werden kann, um die Kapillarkräfte während des Wachstums auszugleichen.
(Dieser Mechanismus ist nicht veranschaulicht.)
Die Halter 2 und 5 sind durch einen Bügel 6 miteinander verbunden, der vertikal längs eines
Gewindes 7 verschiebbar ist; das Gewinde ist mittels eines nicht dargestellten Motors drehbar.
Die Pille 3 kann durch ein Metallband 8, z. B. aus vergoldetem Platin, geschmolzen werden, das in der
Mitte mit kleinen Löchern versehen ist, durch die die Schmelze fließen kann. Diese Ausführungsform ist in
der Zeichnung dargestellt. Das Band 8 wird durch unmittelbaren Stromdurchgang über die feststehenden
Elektroden 9 erhitzt.
Um thermische Spannungen zu vermeiden, sorgen die Hilfsspiralen tO und 11 dafür, daß die Kristallstäbe auf
einer günstigen Temperatur gehalten werden. Die ganze Vorrichtung wird von einer Hülle 12 umgeben, in
der dauernd ein Überdruck von Kohlensäuregas aufrechterhalten wird, um Zersetzung des Calciumcarbonats
während der Erhitzung zu vermeiden. Die Hülle 12 ist nur schematisch dargestellt, und es ist selbstverständlich,
daß die Abmessungen derart gewählt sind, daß der Bügel 6 über eine Länge mindestens gleich der
des Stabs 4 verschiebbar sein muß.
Das Anwachsen wird dadurch erreicht, daß die eutektische Pille 3 mittels des Metallbandes 8 und der
Spiralen 10 und 11 geschmolzen wird. Wenn die
Schmelze den Keimkristall 1 und den Stab 4 gleichmäßig benetzt hat, wird der Bügel 6 sehr langsam
iierunterbewegt, während das Band ä an seiner Stelle Dleibt.
Die Schmelzzone wird somit in Richtung aui den Halter 5 verschoben und läßt einen Calcit-Einkristall
zurück.
Die Bewegung des Bügels 6 kann umgekehrt werden, so daß der Keimkristall oben u^d der Stab 4 unten in der
Vorrichtung angeordnet werden können.
Dieses Verfahren ermöglicht, eine kleine Menge des Schmelzmittels zu verschieben und einen Kristall zu
erhalten, der nicht in ein Schmelzmittel eingebettet ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung eines Calcit-Einkristalls
durch Schmelzen und Abkühlen polykristallinen Calciumcarbonats in Anwesenheit eines eutektischen
Gemisches und eines Keimkristalls, d a durch gekennzeichnet, daß ein polykristalliner
Stab zonengeschmolzen wird, wobei das in Form einer Pille angebrachte eutektische Gemisch
in Berührung mit dem Keimkristall im geschmolzenen Zustand in der Längsrichtung des Stabes
verschoben wird.
2. Verfahren nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet,
daß die Pille aus dem eutektischen '5 Gemisch mittels einer Erhitzungselektrode mit einer
Anzahl von Löchern erschmolzen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem polykristallinen Calciumcarbonatpulver
vor dem Verpressen in Stabform mindestens eine weitere Substanz zugemischt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Carbonat eines anderen Erdalkalimetalls
zugemischt wird.
25
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR6940146A FR2067923A6 (de) | 1969-11-21 | 1969-11-21 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2054039A1 DE2054039A1 (de) | 1971-05-27 |
DE2054039B2 true DE2054039B2 (de) | 1977-12-08 |
DE2054039C3 DE2054039C3 (de) | 1978-08-10 |
Family
ID=9043430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2054039A Expired DE2054039C3 (de) | 1969-11-21 | 1970-11-03 | Verfahren zur Herstellung eines Calcit-Einkristalls |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3663180A (de) |
JP (1) | JPS4828278B1 (de) |
BE (1) | BE759175A (de) |
CA (1) | CA935361A (de) |
CH (1) | CH556192A (de) |
DE (1) | DE2054039C3 (de) |
FR (1) | FR2067923A6 (de) |
GB (1) | GB1303309A (de) |
NL (1) | NL7016722A (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3960511A (en) * | 1971-07-15 | 1976-06-01 | Preussag Aktiengesellschaft | Zone melting process |
US3844724A (en) * | 1971-12-27 | 1974-10-29 | Du Pont | Zone-melting apparatus |
US3933572A (en) * | 1973-12-11 | 1976-01-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for growing crystals |
JPS5567596A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-21 | Hitachi Ltd | Single crystal growing method |
FR2552292B1 (fr) * | 1983-09-20 | 1985-10-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de mise en tension d'une plaque mince |
JPS61215295A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-25 | Shinichi Hirano | 炭酸カルシユウム単結晶の製造方法 |
JPS62113798A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Shinichi Hirano | 炭酸カルシユウム単結晶の製造方法 |
EP0450494B1 (de) * | 1990-03-30 | 1996-06-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Verfahren zur Herstellung eines Siliziumeinkristalles |
US5217565A (en) * | 1991-11-13 | 1993-06-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Contactless heater floating zone refining and crystal growth |
CN1109777C (zh) * | 1999-11-24 | 2003-05-28 | 中国科学院物理研究所 | 异型加热片区熔生长晶体的方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2747971A (en) * | 1953-07-20 | 1956-05-29 | Westinghouse Electric Corp | Preparation of pure crystalline silicon |
US2990261A (en) * | 1958-12-11 | 1961-06-27 | Bell Telephone Labor Inc | Processing of boron compact |
NL275885A (de) * | 1961-03-14 | |||
US3345141A (en) * | 1963-11-07 | 1967-10-03 | Perkin Elmer Corp | Growth of calcite crystals from a molten flux by slow cooling |
US3396059A (en) * | 1964-09-14 | 1968-08-06 | Nat Res Corp | Process of growing silicon carbide p-nu junction electroluminescing diodes using a modified travelling solvent method |
US3505032A (en) * | 1965-11-09 | 1970-04-07 | Westinghouse Electric Corp | Heater immersed zone refined melt |
US3484302A (en) * | 1966-01-18 | 1969-12-16 | Fujitsu Ltd | Method of growing semiconductor crystals |
-
0
- BE BE759175D patent/BE759175A/nl unknown
-
1969
- 1969-11-21 FR FR6940146A patent/FR2067923A6/fr not_active Expired
-
1970
- 1970-10-22 US US82870A patent/US3663180A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-11-03 DE DE2054039A patent/DE2054039C3/de not_active Expired
- 1970-11-14 NL NL7016722A patent/NL7016722A/xx unknown
- 1970-11-18 JP JP45101180A patent/JPS4828278B1/ja active Pending
- 1970-11-18 GB GB5481870A patent/GB1303309A/en not_active Expired
- 1970-11-18 CH CH1709470A patent/CH556192A/de not_active IP Right Cessation
- 1970-11-20 CA CA098674A patent/CA935361A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1303309A (de) | 1973-01-17 |
DE2054039A1 (de) | 1971-05-27 |
FR2067923A6 (de) | 1971-08-20 |
CH556192A (de) | 1974-11-29 |
NL7016722A (de) | 1971-05-25 |
JPS4828278B1 (de) | 1973-08-30 |
US3663180A (en) | 1972-05-16 |
DE2054039C3 (de) | 1978-08-10 |
CA935361A (en) | 1973-10-16 |
BE759175A (nl) | 1971-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2054039C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Calcit-Einkristalls | |
DE1265126B (de) | Verfahren zum Herstellen homogener Mischkristalle aus ineinander loeslichen halbleitenden Verbindungen | |
DE2643793A1 (de) | Verfahren zum zuechten monokristalliner epitaktischer schichten aus seltene erde eisen-granat-werkstoffen | |
DE2122192C3 (de) | Verfahren zur Vorbehandlung von beim Züchten von halbleitenden Kristallen als Einschließungsmittel verwendetem Boroxid | |
DE2107149A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschicht Halbleiterelements | |
DE1519914B2 (de) | Vorrichtung zum Ziehen eines Verbindungshalbleiterknstalls | |
DE3111657C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Magnetschichten auf Substraten mit Granatstruktur | |
DE1519837B2 (de) | Verfahren zum zonenschmelzen oder kristallziehen | |
DE2613004C3 (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Einkristallschichten auf Substraten aus einer Schmelzlösung | |
DE1414631A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2038875A1 (de) | Verfahren zur Herstellung gewachsener Mischkristalle | |
DE1596578B2 (de) | Vorrichtung zum laeutern einer glasschmelze und zum anschlies senden abziehen von glasfaeden | |
DE2202555A1 (de) | Fluessig-kristalline,nicht lineare Lichtmodulatoren,bei denen elektrische und magnetische Felder benutzt werden | |
DE3820809A1 (de) | Herstellung orientierter schichten des hochtemperatursupraleiters bi-sr-ca-cu-oxid | |
DE968581C (de) | Verfahren zur Herstellung von fuer Gleichrichter, Richtleiter, Transistoren od. dgl. bestimmten Kristallen | |
DE1596752B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Oberflaechenbehandlung von Glasgegenstaenden durch Ionendiffusion im elektrischen Feld | |
DE2221574A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls | |
DE913676C (de) | Verfahren zum Herstellen von Germaniumkristallen | |
DE1421710B2 (de) | ||
DE1057207C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichten, insbesondere fuer Hallgeneratoren | |
DE1075223B (de) | Verfahren zum Auflegicren ^mcs eutektischen Legierungsmatenals auf einen Halbleiterkörper | |
DE2160746C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus Verbindungen | |
DE1419289A1 (de) | Verfahren zum Herstellen dotierter Halbleiterkoerper | |
DE2524596A1 (de) | Verfahren und vorrichtung fuer die direkte schmelzsynthese von fluechtige bestandteile enthaltenden verbindungen | |
Trepte | Oberflächenstrukturen nach Sauerstoffadsorption auf kugelförmigen Kupfereinkristallen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |