DE2050741A1

DE2050741A1 - Logik Schaltkreis mit Schwellwert einstellkreis

Info

Publication number: DE2050741A1
Application number: DE19702050741
Authority: DE
Inventors: Leonard Poughkeepsie N Y Weiss (V St A) H03k 19 00
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1969-12-22
Filing date: 1970-10-15
Publication date: 1971-06-24
Also published as: GB1304769A; FR2072168A5; US3628053A; JPS495658B1

Description

Dr.-phU. G. B. HAG EN 4 Q O ü / *M

Patentanwalt

München ?i (Soiin)

Franz-Haie-Straße 21

Telefon796213 München, den 15. Oktober 1970

ID 2807

International Business
Machines Corporation
Armonk, ff.Y. 10504·
V. kit, A.

logik-Schaltkreia mit Schwellwerteinstellkreis

Priorität: U.ü.A.; 22. Dezember 1969 U.S.Öer.No, 886 928

Die Erfindung betrifft allgemein Logik-Schaltkreise, insbesondere schwellwertabhängige Logik-Sehaltkreise, die gewöhnlich als Stromsteuerschalter bezeichnet werden.

Die Leistungsfähigkeit von Digitalrechnern und anderen Systemen, in denen Schaltkreise verwendet werden, hängt in hohem Maf3e von dör Schaltgeschwindigkeit der einzelnen Stromkreise ab. Dies ist insbesondere auf die sehr große Anzahl von Schaltvorgängen zurückzuführen, die in einem gegebenen Zeitraum oder für einen bestimmten Rechen- oder Datenbearbeitungsvorgang durchgeführt werden müssen. Man hat sich daher bemüht, Stromkreise mit einer möglichst hohen Schaltgeschwindigkeit zu entwickeln.

In der USA-Patentschrift 2 964 652 (H.S. Yourke) ist ein Schaltkreis beschrieben, der als Stromsteuerschalter bezeichnet und in weitem Umfang verwendet wird und Dich gut bewährt hat, weil er die Forderung nach einer möglichst hohen Schaltgeschwindigkeit erfüllt. Der Stromsteuerachalter besteht im wesentlichen

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aus einem Logik-Schaltkreis, der gekippt wird, wenn ein Eingangspotential duroii exnen Bezugswert geht. Eine wesentliche Verbesserung im Betrieb von Stromsteuerschaltern ist dem Erfindör der vorliegenden Anmeldung gelungen und in der USA~PatentsehTift "3 458 719 beschrieben, In dieser Patentschrift ist angegeben, daß. man die Geschwindigkeit des Stromsteuerschalters erhöhen kann, wenn das Bezugspotential nicht wie bisher stationär, sondern veränderlich ist. Andere Einrichtungen zufc Veränderung des an einen stromabhängigen Schalter angelegten Bezugspotentials sind in den USA-Patentanmeldungen Ser.No. 609 074 (Teh-Sen Jen_v und leonard Weiss, eingereicht am 13. Januar 1.967) und Ser.No. 495 826 (Teh-Sen Jen, eingereicht am 4« Oktober 1965) angegeben.

Die ständig weiterentwickelte Mikrominiaturisierung führt zu Anordnungsdichteη von mehr als 60 Stromkreisen pro Quadratzentimeter, so daß die von einem gegebenen Stromkreis eingenommene Fläche und die Anordnung von kurzen Übertragungsleitungenzwischen den verschiedenen Stromkreisen weitere wichtige Forderungen sind, die neben der Erzielung einer möglichst hohen Sphaltgeschwindigkeit erfüllt werden müssen. Damit.ein Stromkreis auf einer möglichst kleinen Fläche untergebracht werden kann, verwendet man keine Kondensatoren und begrenzt man die Anzahl und Größe" άβτ aktiven Bestandteile und der Widerstände. Ferner ist es erwünscht, die Kapazität eines in dem, Signalweg angeordneten Stromkreises, zu begrenzen. Die. bisher zulässigen, sehr kurzen jibertragungslfitunken; zwischen den Stromkreisen führen zu Reflexipnen, die bisher zulässig waren, jetzt aber stören, weil ein Bedürfnis nach Stromkreisen mit einer genauer vorherbestimmten Schaltzeit besteht, was dadurch erzielt wird* daß sie im Eins chwingz^ist and eine geringere Rauschempfindlichkeit haben. Die vorstehend angegebenen Nachteile bedingen bei der Anlegung der Schaltung schwer zu erfüllende Forderungen, durch welche die Anzahl der Stromkreise, die mit einem gegebenen Knotenpunkt der Schaltung elektrisch verbunden und in Bezug auf diesen Knotenpunkt zweckmäßig angeordnet werden können, stark begrenzt wird.

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. In derartigen, dicht integrierten und s hnell arbeitenden Schaltungen wird der Ausgang eines Stromkreises zweckmäßig Ton dem Emitter eines Transistors abgenommen. In allen diesen "bekannten Stromkreisen mit Emitterausgang ist jedoch der Ausgang mit dem an die Basis dieses Transistors angelegten Eingang des Stromkreises gleichphasig, weil der Ausgang dem Eingang folgt. Infolge dieser Tatsache haben die Stromkreise, deren Ausgang vorteilhafterweise von dem Emitter eines Transistors abgenommen wird, nur einen begrenzten Anwendungsbereich.

Eine wichtige Aufgabe der Erfindung besteht daher in der Schaffung eines schwellwertabhängigen Stromkreises mit erhöhter Schaltgeschwindigkeit.

Eine weitere wichtige Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung einer Emitterschaltung mit einem Transistor, von dessen Emitter ein ungleichphasiger Ausgang abgenommen werden kann.

Ferner besteht eine Aufgabe der Erfindung in der Schaffung einer schwellwertabhängigen Logik-Sehaltkreises mit herabgesetztem Raumbedarf.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung eines Schaltkreises mit einem Signalweg von geringer Kapazität.

Außerdem ist eine Aufgabe der Erfindung die Schaffung eines schwellwertabhängigen Logik-Schaltkreises, der im Einschwingzustand eine herabgesetzte Rauschempfindlichkeit hat»

Die Erfindung schafft somit einen verbesserten Logik-'Schaltk-reis, dessen Aus gangs signal verändert wird, wenn ein Ein- * gangssignal durch ein Bezugspotential· geht. Die Erfindung schafft ferner eine verbesserte Einrichtung zum Verändern des Bezugspotentials, so daß die Schaltgeschwindigkeit des Schaltkreises

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. herabgesetzt und seine Rauschempfindlichkeit im Einschwingzustand

■herabgesetzt wird. Die Einrichtung zum Verändern des 'Bezugs-■ potentials tunfaßt im wesentlichen zwei Transistoren in einer

■ Emitterschaltung, deren Emitterstromkreise verschiedene Wider^ standswerte haben, so daß von einer Emitterschaltung ein negierter Ausgang erhalten werden kann amd die Schaltung auf Wechselstrom anders anspricht als auf Gleichstrom.

Nach einem Merkmal der Erfindung ist eine Schaltung mit Emitterausgang als Rückkopplungsweg zwischen dem ungleichphasigen Ausgang und dem .Bezugsknotenpunkt des . Stromsteuerschalters angeordnet. Diese zwischengeschaltete Schaltung begrenzt die an dem |- Ausgang des Stromsteuerschalters liegende Kapazität auf den Wert der Eingangskapazität des Transistors und hat eine hysteresisartige Ansprache, weil die Schwellwerte für den Schaltvorgang bei einer positiven und einer negativen Aussteuerung verschieden sind. Eine ausführliche Erläuterung derartiger Schaltungen mit Hysteresisfunktion ist in der vorstehend erwähnten USA-Patent-

■ ' ί anmeldung Ser.Uo. 495 826 enthalten. Diese zwischengeschaltete

Schaltung zeichnet sich ferner dadurch aus, daß sie auf Wechselstrom anders anspricht als auf Gleichstrom. Infolge dieser Eigenschaften der zwischengeschalteten üchaltung wird beim Anlegen eines negativ ausgesteuerten Eingangssignals an den ^Dtromsteuerschalter das Bezugspotential zunächst in positiver Richtung ausgesteuert und umgekehrt beim Anlegen eines positiv ausgesteuerten P . ,Signals an den Eingangsanschluß des StromsteuerschaLters das Bezugspotential zunächst negativ ausgesteuert. Diese Erscheinung ist ähnlich der in der vorstehend erwähnten USA-Patentschrift 3 458 719»besonders in Fig. 28 derselben, erläuterten Erscheinung jedoch frei von den dort auftretenden Nachteilen. Man erhält eine geringere Rauschempfindlichkeit, im Einschwingzustand, ohne daß ein Kondensator verwendet wird, so daß ein schnellerer Stromkreis erhalten wird, der weniger Platz beansprucht.

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Nach einem anderen Merkmal der Erfindung erhält man von einer Schaltung mit Emitter einen ungleichphasigen Ausgang. Diese Schaltung mit Emitterausgang besteht in einer "bevorzugten Ausführungsform aus zwei x'ransistoren und vier Widerständen. Die Emitter der beiden Transistoren sind durch zwei Widerstände miteinander verbunden, die beträchtlich verschiedene Widerstandswerte haben. Die Basis des zweiten Transistors ist mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden. Der Ausgang wird an einem Punkt zwischen dem ersten und dem zweiten Widerstand abgenommen. Beispielsweise wird beim Anlegen eines positiv ausgesteuerten Eingangssignals an die Basis des ersten Transistors der Ausgang zuerst positiv und dann negativ ausgesteuert. Dagegen wird beim Anlegen eines negativ ausgesteuerten Eingangssignals an die Basis des ersten Transistors der Ausgang zunächst, entsprechend dem Eingang und danach positiv ausgesteuert. Dieser Stromkreis spricht somit auf Wechsel- und Gleichstrom verschieden an. Bei Wechselstrombetrieb (im Einschwing zustand) trachtet der Ausgang, dem Eingang zu folgen, während bei Gleichstrombetrieb (im stationären Zustand) der Ausgang mit dem Eingang ungleichphasig ist. Diese Arbeitsweise wird sowohl mit npn- als auch mit pnp-Transistoren erhalten.

Nachstehend wird der Erfindungsgegenstand anhand eines mit Transistoren versehenen Stromsteuerschalters beschrieben, doch kann die Erfindung auch auf andere Schaltkreise angewendet werden, die in Abhängigkeit von einer Veränderung des Eingangsund des Bezugspotentials umgeschaltet werden, unabhängig davon, ob in einem derartigen Schaltkreis Transistoren oder andere aktive Bestandteile verwendet werden. Ferner erkennt der Fachmann ohne weiteres, daß die hier beschriebene Schaltung mit Emitterausgang ein sehr großes Anwendungsgebiet hat.

Die vorstehend angegebenen und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile des Erfindungsgegenstandes gehen aus der naciiütehonden, ausführlichen Beschreibung von bevorzugten Ausführungobeispielen der Erfindung anhand der beigefügten Zeichnungen hervor. In diesen zeigt

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Fig. 1 uinen erfindungsgemäßen Logik-Schaltkreis in^: ·'^; ■ einem Stromsi,verschalter mit Emitterfolgeschaltung, ^; : ^ ,.^

Fig. 2 in einem Blockschema beispielsweise ein Ersatzschaltbild für den Ausgang der Schaltung nach Fig. 1, ■ '" ^;i ■ ;

Fig. 3 eine Wellenform zur Darstellung eines Teils des Arbeitsvorganges der Schaltung nach Fig. 1 und 2, . , .'

Fig. 4 ein verallgemeinertes Schaltschema der Einrichtung zum Verändern des Bezugspotentials, V

Fig. 5 eine bevorzugte Ausfuhrungsform.der Einrishtung zum Verändern des Bezugspotentials, ,

Fig. 6 eine andere Ausführungsform der Einrichtung zum Verändern des Bezugspotentials und

Fig. 7 eine Wellenform zur Darstellung eines Teils des Arbeitsvorganges der Schaltungen nach den Figuren 4, 5 und 6;

Zunächst seien die Figuren 1_} 2 und 3 der Zeichnungen betrachtet. Fig. 1 zeigt die Anwendung der Erfindung auf einen-Stromsteuerschalter mit Emitterfolgesehaltung. Der den Sttom- steuerschalter bildende Teil.der Schaltung besitzt Transistoren; Ql und Q2* Man kann jede beliebige Anzahl von Transistoren QIn dem Transistor Ql parallelsohalten, so daß sie zusammen mit idem. Transistor Q2 Stromsteuerschaltkreise "bilden. In. der grundlegenden Ausführungsform des Stromsteuerschalters liegt an der Basis 2b des Transistors Q2 ein konstantes Potential, z.B. das Brdpotential. Das an dem binär ausgesteuerten Eingangsanschluß Il liegende Eingangspotential· ist gegenüber dem an der Basis 2b des - Transistors Q2 liegenden Bezugspotential entweder positiv ader" 'negaiJiv. Bei einer Aussteuerung des Potentials an'dem Eingangsanschloß Il von dem einen seiner zwei Pegel zu.dein anderen wird der'"8,B/. . aüs^y den Transistoren Ql und Q2 bestehende Stromsteuerschälter^Ttf Je'-' nem Zeitpunkt gekippt, in dem das Eingangs potential durbh%a's'-^;t·¹

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Bezugspotential geht. Die vorstehenden Vorgänge »^nd in der vorstehend erwähnten USA-Patentschrift 3 458 719 ausführlicher ängegeben. Diese Patentschrift enthält eine Beschreibung einer Einrichtung zum Erhöhen der Geschwindigkeit des Stromsteuerschalters durch Anlegen eines veränderlichen Bezugspotentials an die Basis 2b des Transistors Q2. In der vorstehend erwähnten USA-Patentschrift Ser.No. 609 074- ist ebenfalls eine Einrichtung zum Verändern des Bezugspotentials angegeben. Der Ausgang des Stromsteuerschalters wird an ein Ausgangsnetzwerk angelegt, das den Stromsteuerschalter mit einem Verbraucher verbindet. Dieser besteht im allgemeinen aus verschiedenen anderen Stromkreisen der Gesamtschal·tung. Das Ausgangsnetzwerk besitzt Transistoren Q3 und Q4 in einer Emitterfolgeschaltung. Daher wird die ganze Schaltung als Stromsteuerschalter mit Emitterfolgeschaltung (current switch emitter follower) oder GSEF-Schaltung bezeichnet. Der Ausgang der OSEF-Schaltung wird an verschiedene andere Stromkreise (oder Verbraucher) der Gesamtschaltung angelegt. Beispielsweise ist gemäß Fig. 2 der gleichphasige Ausgang 01 mit verschiedenen anderen Stromkreisen 21 und 22 durch Übertragungsleitungen 23 und 24 verbunden, die gegen Erde durch den Wellenwiderstand RT5 abgeschlossen sind. Die Stromkreise 21 und 22 sind punktiert als kapazitive Verbraucher angedeutet. Wenn die kapazitive Belastung des Stromkreises 22 sehr hoch i*nd die Übertragungsleitung 23 sehr kurz ist, beeinflußt ,die reflektierte und durch die Übertragungsleitung 23 zurückgeführte Energie den Eingang des Stromkreises 21 sehr stark. Die Wirkung dieses reflektierten Signals ist in Fig.3 strichliert angedeutet. Dies wird nachstehend ausführlicher erläutert.

Die in Fig. 1 gezeigte CSEF-Schaltung ist mit einer verbesserten Schaltung 10 zur Veränderung des Bezugspotentials des Stromsteuerschalters versehen. Der Stromsteuerschalter besitzt beliebige der Transistoren Ql-QIn und den Transistor Q2. Die Transistoren Ql und Q2 sind an ihren iämittern Ie und 2e miteinander und'mit einer Stromquelle verbunden, die hier durch einen Widerstand Rl und eine Potentialquelle El dargestellt ist. Die Transistoren Ql und Q2 bilden somit ein binäres aktives Element, .

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das einen Bezugs-Knotenpunkt B und einen Eingangs-Knotenpunkt Il hat und von einem Zustand in den anderen umgeschaltet werden kann, wenn das Potential an dem Eingangs-Knotenpunkt durch das Potential an dem Bezugs-Knotenpunkt geht. Von den Kollektoren Ic und 2c der Transistoren yl und Q2 werden Eingänge an die Basen 3b bzw. Vb der Transistoren Q3 und Q4- angelegt. Die Transistoren Q3 und QA-bilden ein Ausgangsnetzwerk zum Verbinden des Stroms teuersciialters mit verschiedenen Verbrauchern. Die Kollektoren Ic und 2c sind über die Widerstände R2 bzw. R3 ebenfalls mit Erde verbunden. Der Widerstand R3 hat vorzugsweise einen etwas höheren Widerstandswert als R2; dies wird nachstehend ausführlicher beschrieben. Die Kollektoren 3c und 4c sind direkt geerdet. Den Transistoren Q3 und QA- sind weitere Transistoren parallelgeschaltet, damit verschiedene Logikfunktionen durchgeführt werden können. Die Transistoren Q3n und QA-n bilden Ausgangsnetzwerke in Emitterschaltung, die an die Ausgänge anderer als der in Fig. 1 gezeigten Schaltung angeschlossen sind. Die Ausgänge der Schaltung werden von den Transistoren Q3-Q3n und QA—QA-n abgenommen., Der gleichphasige Ausgang wird von dem Emitter beispielsweise des Transistors QA- abgenommen und ist gegenüber der Spannung E2 durch den Abschlußwiderstand RTA- abgeschlossen. Der ungleichphasige Ausgang wird beispielsweise von dem Transistor Q3 abgenommen und ist gegenüber dem Potential E2 durch einen Abschlußwiderstand RT3 abgeschlossen. Die Schaltung 10 ist eine Mitkopplungsschaltung, die von dem Knotenpunkt A in dem Weg für das ungleicliphasige Ausgangssignal zu dem Bezugs-Knotenpunkt B führt. Insofern stellt die Schaltung 10 die Einrichtung zum Verändern des an die Basis 2b des Transistors Q2 angelegten Bezugspotentials dar, wie nachbestellend genauer beschrieben wird.

Die. in Pig. 1 gezeigte Schaltung wird nun anhand der Figuren A-, 5 und 6 beschrieben. In diesen sind entsprechende Bestandteile mit entsprechenden Bezugsziffern bezeichnet. Die Schaltung 10 besitzt die Transistoren Q5 und Q6. Der Kollektor 5c des Transistors Q5 ist direkt mit der Basis 6b des Transistors Q6 gekuppelt. Der Kollektor 5c ist über den Kollektorbelastungswiderstand R15 mit Erde verbunden. Der Kollektor 6c liegt ebenfalls an Erde. Der Emitter ,5e ist mit dem Widerstand RIl'und der

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Emitter 6e mit dem Widerstand Rl2 verbunden. In der Ausführungsform nach Fig. 4 sind beide Widerstände RIl und R12 mit dem Widerstand RIA· verbunden. Der Widerstand R13 ist mit dem Widerstand R14 und dem Potential El verbunden. Der Eingang für die Schaltung 10 wird von dem Knotenpunkt A an die Basis 5b angelegt. Der Ausgang der Schaltung IO wird von dem Knotenpunkt B zwischen den Widerständen Rl3 und R14 abgenommen. Bin wichtiges Merkmal der Erfindung besteht darin, daß der Widerstand RIl stets beträchtlich größer ist als der Widerstand R12, was zu verschiedenen Vorteilen in der Wirkungsweise der Schaltung führt. Die in Mg. 4 gezeigte Ausführungsform ^eigt die Schaltung 10 in verallgemeinerter Form. In der Praxis läßt i?an den Widerstand R14 vorzugsweise weg, so daß die Anzahl der Bestandteile herabgesetzt wird. In der Schaltung nach Pig. 4 bilden die Widerstände R14 und R13 einen Spannungsteiler. Wenn man den Widerstand R14 wegläßt bzw. er den Wert Full hat, kann man die Werte der übrigen Widerstände so wählen, daß die erforderlichen Spannungspegel erhalten werden, Eine andere Ausführungsform ist in Fig. 6 dargestellt, in welcher der Widerstand £12 weggelassen ist bzw. den Wert Mull hat und der Widerstand R14 vorhanden ist. In dieser Ausi'ührungsform ist auf jeden Fall ein Unterschied zwischen den Widerständen RIl und R12 vorhanden, weil R12 gleich Null gesetzt ist.

Die Vorteile der verschiedenen Ausführungsformen der Schaltung gehen aus der nachstehenden Beschreibung der Wirkungsweise der Schaltungen hervor. Zunächst wird anhand der in Fig. 3 gezeigten Wellenform die Wirkungsweise der in Fig. 1 gezeigten Schaltung beschrieben. Danach werden anhand der in Fig. 7 gezeigten Wellenform Einzelheiten der Wirkungsweise der Schaltung 10 beschrieben. Im Betrieb arbeitet das binäre aktive Element, das aus einem der Transistoren Ql-Qn und dem l'ransistor Q2 besteht, al3 ein Stromsteuerschalter, der von einem Zustand in einen anderen kippt, wenn das Eingangssignal an dem Eingangs-Knotenpunkt durch das an dem Knotenpunkt B liegende Bezugspotential geht.· Der mit der Potentialquelle El verbundene Widerstand Rl wirkt als eine Stromquelle, von der je nach dem Eingangspotential an dem Eingangsan3chiuß Il ein konstanter Strom entweder über einen der

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Transistoren Ul-Qn oder den Transistor Q2 fließt. Wenn das Potential an dem ; mgangsanschluß Il höher ist als das Potential an . dem knotenpunkt B, ist der Transistor Ql leitend und der Transi-ε-tor Q2 gesperrt. Wenn das Eingangspotential· an dem Eingangs- :. anschluß Il niedriger ist als das Potential an dem Knotenpunkt B, ist der Transistor Ql gesperrt und der Transistor Q2b;l.eitfähig.

Der Ausgang an dem Knotenpunkt 02 ist gegenüber dem Eingang an Il ungleichphasig. Das heißt, wenn das Potential an dem Eingang Il niedriger ist als die Bezugsspannung an dem Knotenpunkt B, d.h., daß der Eingangspegel niedrig ist, ist der Tran·* . sistor Ql gesperrt, so daß an dem Knotenpunkt A ein oberer Pegel " in der Mähe des Erdpotentials liegt, xsei einem solchen oberen Pegel an der Basis 3b des Transistors Q3 ist dieser leitfähig, so daß der Ausgang an dem Anschluß 02 auf einem oberen Pegel in der Nähe des Erdpotentials liegt. Wenn dagegen das Eingangspotential an dem Anschluß Il höher ist als das Bezugspotential an dem Knotenpunkt B, d.h., daß der Eingangspegel niedrig ist, leitet der Transistor Ql. Wenn der Transistor Ql oder einer der Transistoren QIn l·eitet, liegt an dem Knotenpunkt A ein unterer Pegel unter dem Järdpotential, so daß der Transistor Q3 gesperrt ist und an 02 der untere Ausgangspegel liegt. Der Fachmann erkennt bei derselben Analyse hinsichtlich der Transistoren Q2 und Q4 ohne weiteres, daß das Signal an dem Ausgangsanschluß 01 stets mit dem Eingangssignal an dem Anschluß Il gleichphasig ist. Damit diese Arbeitsweise erzielt wird, werden beide Potentialgue^en El und E2 auf einem gegenüber Erde negativen Potential gehalten. Vorstehend wurde die Arbeitsweise der in Fig. 1 gezeigten.Schaltung im stationären Zustand beschrieben. Die Schältung 10 dient zum Anlegen einer veränderlichen Bezugsspannung von dem Knotenpunkt 3 an die Basis 2b des Transistors Q2. Ihre Arbeitsweise wird später beschrieben. Um-dem lachmann die Auslegung einer geeigneten Schaltung gemäß der Erfindung zu erleichtern, sind in der nachstehenden Tabelle 1 Nennwerte für die Bestandteile angegeben. Diese Nennwerte bedingen jedoch keinerlei Einschränkung, sondern erfahrene Konstrukteure können dieselbe Wirkungsweise auch in einer Schaltung mit entsprechenden Bestandteilen erzielen, die andere Nennwerte haben.

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Tabelle 1

El	- -3,	5 V
E2	- -1,	65 T
Rl	= 244	Ohm
R2	= 130	Ohm
R3	= 178	Ohm
RT3	= 50	Ohm
RT4-	= 50	Ohm
RIl	= 300	Ohm
R12	= 75	Ohm
R13	= 600	Ohm
Rl 5	= 360	Ohm

Bei Verwendung von Bestandteilen mit den oben angegebenen Werten beträgt der Nennwert des oberen Pegels an dem Anscriluß Il - 950 mV und der Kennwert des unteren Pegels an dem Eingangsanschluß Il -1625 mV. Der entsprechende obere bzw. untere Pegel an dem Bezugsknotenpunkt B beträgt -1175 mV bzw. -14-00 mV. Die Kollektorbelastungswiderstände R2 und R3 haben verschiedene Werte, damit durch den Transistor Q2 ein schwächerer Strom fließt als durch den Transistor Ql. Beispielsweise leitet der Transistor Ql, wenn die Spannung an der Basis Ib -950 mV beträgt,und leitet der Transistor Q2, wenn an der Basis 2b eine Spannung von -1400 mV liegt. Da die Emitter Ie und 2e des Transistors Ql und Q2 mit einer Stromquelle von konstanter Stromstärke verbunden sind, ist die Potentialdifferenz zwischen der Basis und dem Emitter für den Transistor Ql viel größer. Damit am Eingang der Transistoren Q3 und Q4- ein geeigneter Spannungspegel erhalten wird, ist daher der Widerstand R3 viel größer als der Widerstand R2. Wie vorstehend angegeben wurde, sollen die dem Transistor Ql bzw. Q3 und Q4- parallelgeschalteten,, zusätzlichen Transistoren die Durchführung weiterer logischer ihinktionen ermöglichen. Diese zusätzlichen Transistoren führen dagegen zu. keiner Veränderung der grundlegenden Arbeitsweise der Schaltung.

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' Es wurde vorstehend schon festgestellt, daß die Schaltung 10 die Aufgabe hat, an den Knotenpunkt B ein veränderliches Bezugspotential anzulegen. Der Eingang für die Schaltung 10 wird an den Knotenpunkt A angelegt und ihr Ausgang von dem Knotenpunkt B abgenommen. Im stationären Zustand ist der Ausgang gegenüber dem Eingang ungleichphasig, obwohl der Ausgang von dem Emitterkreis der Transistoren Q5 und Q6 abgenommen wird. Man erzielt daher mit dieser Schaltung mit Emitterausgang eine Emitternegation. Im Einschwingzustand hat die Schaltung eine andere Ansprache als im stationären Zustand, und zwar hat sie im Einschwingzustand einen dem Eingang folgenden bzw. mit ihm gleichphasigen Ausgang und im stationären Zustand einen mit dem Eingang ungleichphasigen Ausgang. Dies gilt natürlich für die Einschwingvorgänge bei einer positiven und einer negativen Aussteuerung. Anhand der Fig. 5 wird jetzt die Wirkungsweise der Schaltung im stationären Zustand, d.h., beim Betrieb mit Gleichstrom, beschrieben. Die Transistoren Q5 und Q6 bilden einen Stromsteuerschalter, weil jeweils nur einer dieser beiden Transistoren leitet, wobei der durch den einen Transistor fließende ^trom eine andere Stromstärke hat als der durch den anderen Transistor fließende Strom. Der obere Pegel ist für die Basen 5b und 6b der Transistoren Q5 und Q6 gleich und entspricht dem Erdpotential. Bei leitendem Transistor Q5 fließt durch den Widerstand RIl in der durch den Pfeil angegebenen Richtung daher ein Emitterstrom mit der Stromstärke

|! - Yeb5

RIl+Rl3
Wenn der Transistor Q6 leitet, fließt durch den Widerstand R12 in der durch den Pfeil angegebenen Richtung ein Emitterstrom mit der Stromstärke

fell - Veb6

R12+R13

Zur ersten Annäherung kann die Differenz zwischen den Emitter-Basis-Spannungen (Veb) der Transistoren Q5 und Q6 vernachlässigt werden. Man erkennt jetzt die Bedeutung der Tatsache, daß die Widerstände RIl und R12 erfindungsgemäß ungleich sind und RIl einen viel höheren Widerstandswert besitzt. Wie aus der vorstehenden Tabelle 1 hervorgeht, ist ein "Verhältnis von 4:1 zwischen den Widerstandswerten der Widerstände RIl und R12 zweckmäßig.

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Der.bei leitendem Transistor Q6 durch den Widerstand R12 fließende Strom ist daher stärker als der bei leitendem Transistor Q5 durch den Widerstand RIl fließende Strom, lerner ist die Ausgangsspannung an dem Knotenpunkt B im wesentlichen gleich der algebraischen Summe des Potentials El und dem Produkt des Widerstandswertes von Rl3 mal der Stromstärke des durch diesen Widerstand fließenden Stroms. Da die Widerstände RIl, R12 und Rl3 miteinander verbunden sind, fließen bei leitendem Transistor Q5 durch die Widerstände Q13 und Q12 im wesentlichen gleich, starke Ströme. Wenn daher an dem Knotenpunkt A der obere Eingangspegel liegt, so daß der Transistor Q5 leitet, ist der Ausgang an dem Knotenpunkt B stärker negativ, als wenn an dem Knotenpunkt A der untere Eingangspegel liegt, so daß der Transistor Q6 leitet. Auf diese Weise wird in dem Emitternetzwerk eines Stromsteuerschalters mit Emitterschal-~ tung im stationären Zustand eine Negation des Eingangssignals erzielt. Vorstehend wurde die Wirkungsweise der Schaltung 10 im stationären Zustand beschrieben.

Bei einer Betrachtung des Verhaltens der Schaltung 10 im Einschwingzustand bzw. bei Wechselstrombetrieb warden die Vorteile der Schaltung noch besser erkennbar. Ua die Schaltung 10 mit positiver Rückkopplung arbeitet, hat sie eine Hysteresisfunktion. Das heißt, daß die Kollektorspannung an dem Kollektor 5c erst verändert wird, wenn der an die Basis 5b angelegte Eingang bei jedem Einschwingvorgang mehr als die Hälfte seines Signalhubes ausgeführt hat. Während eines Teils der Dauer des Einschwingvorganges wird daher der Kollektorstrom in dem leitenden Transistor nicht beträchtlich verändert. Beispielsweise liegt bei leitendem Transistor Q5 an dessen ivollektor 5c ein so hohes negatives Potential, daß der Transistor Q6 gesperrt gehalten wird. Wenn jetzt dor Eingang an der Basis 5b negativ ausgesteuert wird, nimmt auch die ausgangsspannung an dem Knotenpunkt B ab, so daß der Transistor (45 als Emitterfolger arbeitet. Infolge der Hysteresis wird die Spannung an der Basis 6b des Transistors Q6 erst nach einer Verzögerung::; ze it so stark verändert, daß der Transistor Q6 einen Emitterstrom abgibt. Zunächst folgt die Ausgangs spannung an dem Knotenpunkt B daher dem Eingangssignal an

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dem Knotenpunkt A. Bei leitendem transistor Q6 liegt an dessen Knotenpunkt A zunächst der untere Eingangspegel· und ist der Transistor Q5 gesperrt. Wenn die positive Aussteuerung der Eingangsspannung beginnt, wird der Transistor Q5 leitfähig, so daß sein Emitters tr om zu dein bereits von dem Transistor Q6 durch den Widerstand Rl3 fließenden Strom hinzugefügt und die Ausgangsspannung an dem Knotenpunkt B positiv ausgesteuert wird. Infolge der Hysteresis wird die Basisspannung an der Basis 6b des Transistors Q6 und daher der Emitterstrom des Transistors Q6 wieder zunächst nicht merklich verändert. Bei einem Einschwingvorgang infolge einer positiven und einer negativen Aussteuerung folgt . daher der Ausgang an dem Knotenpunkt B dem Eingang an dem Knoten- * punkt A, bis der Einfluß der positiven Rückkopplung auf die Schaltung beginnt.

Anhand der !Pig. 7 wird jetzt die Wirkungsweise der in den Figuren 4, 5 und 6 dargestellten Schaltungen beschrieben. Der Eingang am Knotenpunkt A ist der ungleichphasige Ausgang des . Stromsteuerschalters. Dieser Eingang ist ein binäres Signal mit einem unteren und einem·oberen Pegel. Das Ausgangssignal an dem Knotenpunkt B folgt zunächst dem Eingangssignal an dem Knotenpunkt A, ehe es in der dem Eingangsimpuls entgegengesetzten Richtung ausgesteuert wird, so daß im stationären Zustand ein ungleichphasiger Ausgang erhalten wird. Aus der Darstellung der Wellenform geht hervor, daß diese Erscheinung sowohl bei positiv als auch bei negativ ausgesteuerten Eingangssignalen an- dem Knotenpunkt A erhalten wird. Infolge der unterschiedlichen Widerstandswerte der Widerstände RIl und R12 erzeugt die Emitterschaltung mit den Transistoren Q5 und Q6 bei einem Eingang am Knotenpunkt A einen im stationären Zustand ungleichphasigen Ausgang am Knotenpunkt B.

Eine andere Ausführungsform ist in Fig. 6 gezeigt.

' Die Schaltung nach Fig. 6 hat eine ähnliche Wirkungsweise wie die Schaltung nach Fig. 5. Bei einem Vergleich der Fig. 4, 5 und 6 erkennt man, daß in Fig. 6 der in Fig. 4 gezeigte Widerstand weggelassen ist, so daß die erforderlichen Funktionen mit den

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übrigen Widerständen RIl, R13, R]A und R15 erzielt werden müssen. Da R12 entfällt, wird die erforderliche Ungleichheit der Widerstandswerte automatisch uurch die Verwendung des Widerstandes RIl erzielt. Der Unterschied zwischen den Widerständen in den Emitterstromkreisen der Transistoren Q5 und Q6 ist viel größer, als es dem anhand der J¹Ig. 5 beschriebenen Verhältnis von 4:1 entspricht. Die Schaltung nach Fig. 6 besitzt jedoch praktisch ebenfalls die für die Schaltung nach Pig. 5 beschriebenen Eigenschaften und hat dieselbe Wirkungsweise. Wenn an dem Knotenpunkt A der obere Eingangspegel liegt, leitet der'Transistor Q5, aber an dem Knotenpunkt B liegt der untere Ausgangspegel, weil der Widerstand Rl den Emitterstrom im EmitterStromkreis des Transistors Q5 begrenzt. Wenn an aem Knotenpunkt A der untere Eingangspegel· liegt, so daß der Transistor Q5 gesperrt ist und der Transistor Q6 leitet, flieiot durch das Emitternetzwerk ein stärkerer Strom, so daß an dem Knotenpunkt B der obere Ausgangspegel liegt. Im stationären Zustand erfolgt daher wieder eine Negation des an dem Emitter der ochaltung auftretenden Signals. Ebenso wie in der in Fig. 5 gezeigten Schaltung tritt auch in der Schaltung gemäß Fig. 6 an dem Kollektor des Transistors Q5 eine Hysteresisfunktion auf, so daß der Emitterausgang an dem Knotenpunkt B während eines vorherbestimmten Zeitraums dem Eingang folgt, ehe die Umschaltung erfolgt. Man erhält daher wieder die in Fig. 7 gezeigten Wellenformen. In der in Fig. 6 gezeigten Schaltung dient der Widerstand R13 zur Pegelverschiebung, so daß von dem Emitter 6e des Transistors Q6 auch ein Ausgang abgenommen werden kann, der bis auf den Spannungspegel dieselben Eigenschaften hat.

Bei erneuter Betrachtung der Figuren 1, 2 und 3 erkennt man die Vorteile der in den Figuren 4, 5 und 6 dargestellten Schaltungen. Die Fig. 3 zeigt die Eingangs-Wellenform an dem Anschluß Il und die Bezugs-Weliehform an dem Knotenpunkt B. Die ausgezogen dargestellte Eingangs-Wellenform ist ein typisches binäres Signal, wie es normalerweise an den Eingangsanschluß Il angelegt wird, iiei höherer Anordnungsdichte mit kürzeren Übertragungsleitungen zwischen den Stromkreisen und Anschluß einer großen Anzahl von kapazitiven Verbrauchern an einen einzigen Knotenpunkt

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hat es sich gezeigt, daß infolge von Reflexionen das Eingangssignal eine Wellenform annehmen kann, die der strichliert angedeuteten ähnelt. Man muß daher eine Bezugs-Wellenform erhalten, die der in Fig. 3 gezeigten entspricht und von- der Eingangsr-Wellenform weg ausgesteuert wird, so daß diese bei jedem Einschwingvorgang nur in einem Punkt durch die Bezugs-Wellenform geht. Eine negativ ausgesteuerte Wellenform an dem Anschluß Il geht daher an dem Punkt χ und nur an diesem Punkt durch die Bezugs-Wellenf orm, während eine an den Anschluß Il angelegte, positiv ausgesteuerte Wellenform in dem Punkt y und nur in diesem Punkt durch die Bezugs-Wellenform geht. Infolge dieses Merkmals hat die Schaltung im Einschwingzustand eine geringere Rausch-

" empfindlichkeit und ist der Umschaltzeitpunkt besser vorherbestimmbar. Wenn das Bezugspotential im wesentlichen konstant bliebe, wäre der Durchgang oder wären die Durchgänge der Eingangs-Wellenform durch die Bezugs-Wellenform schwierig zu bestimmen. Bei einer Auslegung der ochaltung für den ungünstigsten JPaIl erhielte man ein viel trägeres Verhalten. Ferner könnte das Eingangspotential infolge von Reflexionen mehr als einmal durch ein konstantes Bezugspotential gehen, ehe der Eingang einen stationären Zustand erreicht. Das würde in der Schaltung nach Fig. 1 zu einer unerwünschten Zustandsveränderung oder einem undeterminierten Ausgang führen. Ferner wird nicht nur die Bezugs-Wellenform im stationären Zustand auf einem Potential gehalten, das in der Nähe des Potentials der Eingangs-Wellenform liegt, sondern

™ es verändert sich bei einer Veränderung des Potentials der Eingangs-Wellenf orm auch das Potential der Bezugs-Wellenform in einer solchen Richtung, daß die Schaltgeschwindigkeit weiter erhöht wird. Es ist wichtig, daß dieser zusätzliche Vorteil mit einer Schaltung (Schaltung 10) erzielt wird, in der an dem Knotenpunkt A, an dem das Ausgangssignal auftritt, nur eine minimale Kapazität liegt. Bei einer kapazitiven Belastung des Knotenpunktes A würde der Vorteil der Beschleunigung des Schaltvorganges durch eine Veränderung des Bezugssignals in einer solchen Richtung, daß es die Eingangs-Wellenform schneidet, durch die kapazitive Belastung des Knotenpunktes A in dem Weg des ungleichphasigen Ausgangseignais mindestens teilweise aufgehoben werden.

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Ferner würde ein. Stromkreis mit einem Kondensator in einer integrierten ochaltung viel mehr Platz brauchen. Jer vorstehend beschriebene Logik-ochaltkreis ist mit einer verbesserten Einrichtung zum Verändern des Bezugspotentials versehen, so daß die Schaltgeschwindigkeit erhöht und die Rauschempfindlichkeit im Sinscnwingzus.tand herabgesetzt wird. Die Einrichtung zum Verändern des Bezugspotentials hat eine Hysteresisfunktion und arbeitet im .dinschwingzustand bzw. bei Jietrieb mit 'Wechselstrom anders als im stationären Zustand bzw. oei Betrieb mit Gleichstrom. Man erhält von zv/ei Transistoren in Emitterschaltung einen negierten Ausgang.

Vorstehend wurden in den Zeichnungen dargestellte Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben. Diese Ausführungsbeiüyiele können vom Fachmann im Rahmen des Erfindungsgedankens abgeändert werden.

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Claims

Patentansprüche:

Schaltkreis, gekennzeichnet durch ein binäres aktives Element (Ql, Q2), das einen Bezugs-Knotenpunkt (B) und einen Eingangs -Knotenpunkt (II) hat und von einem Zustand in einen anderen kippt, wenn das Potential an dem Eingangs-Knotenpunkt (II) durch das Potential an dem Bezugs-Knotenpunkt (B) geht, ein Ausgaagsnetzwerk (Q3» Q4-) zum Verbinden des binären Elements mit einem Verbraucher (21, 22), eine Einrichtung (10) mit einem Ausgang, der mit dem Bezugs-Knotenpunkt (B) verbunden ist, wobei diese Einrichtung dazu dient, bei einer Veränderung des Potentials am Eingangs-Knotenpunkt (II) das Potential an dem Bezugs-Knotenpunkt (B) zeitlich verzögert zu verändern und mindestens zwei Transistoren (Q5, Q6) besitzt und der Ausgang der Einrichtung von einem gemeinsamen Punkt des Emitterkreises (RIl, R12, R13) dieser Transistoren (Q5, Q6) abgenommen wird.

2. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dai3 das Ausgangsnetzwerk (Q3, Q4·) einen Emitterfolgekreis besitzt.

5. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Einrichtung (10) eine Mitkopplungsschaltung ist.

4. Logik-Schaltkreis, gekennzeichnet durch einen Stromsteuerschalter (Ql', Q2), der einen Bezugs-Knotenpunkt (B) und einen Eingangs-Knotenpunkt (il) hat und von einem Zustand in einen anderen übergeht, wenn das Potential an dem Eingangs-Knotenpunkt (II) durch das Potential an dem Bezugs-Knotenpunkt (B) geht, ein Ausgangsnetzwerk (Q3, Q4·) , ein aktives Netzwerk (10), das einerseits an einen Knotenpunkt (A) zwischen dem Stromsteuerschalter und dem Ausgangsnetzwerk (Q3, Q4-) und andererseits an den Bezugs-Knotenpunkt (B) angeschlossen ist und dazu dient, das Potential des Bezugs-Knotenpunktes (B) zu verändern, 'wobei das aktive Netzwerk (10) im Einschwingzusband eine andere Ansprache hat als im stationären Zustand.

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5. Logik-Schaltkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangsnetzwerk (Q3, Q4·) einen Bmitterfolgekreis besitzt.

6. Schaltkreis, der einen Eingang und einen Emitter-Ausgang besitzt und von einem Zustand in einen anderen übergeht, wenn das Eingangspotential durch ein Bezugspotential· geht, gekennzeichnet durch zwei Transistoren (Q5, Q6) in einer Emitterschaltung, einen Eingangs-Knotenpunkt (A), der mit dem Basisbereich (5b) des ersten (Q5) der beiden Transistoren leitend verbunden ist, einen ersten Widerstand (RIl) in dem Emitterkreis des ersten (Q5) der beiden Transistoren und einen zweiten V/iderstand (R12) in dem Ernitterkreis des zweiten (Q6) der beiden Transistoren, wobei der erste Widerstand (RIl) einen höheren Widerstandswert hat als der zweite Widerstand (R12) und der Ausgang ein gemeinsamer Punkt zwischen den beiden Widerständen ist, und eine leitende Verbindung zwischen der Basis (6b) des zweiten Transistors (Q6) und dem Kollektorbereich (5b) des ersten Transistors, so daß das Potential an dem Ausgang (B) gegenüber einem durch Anlegen eines Schaltsignals an den Eingangs-Knotenpunkt (A) bewirkten Einschwingvorgang zunächst gleichphasig und danach ungleichphasig ist.

7. Schaltkreis, gekennzeichnet durch ein binäres aktives Element (Ql), das einen Bezugs-Knotenpunkt (B) und einen Eingangs-Knotenpunkt (II) hat und von einem Zustand in einen anderen umgeschaltet wird, wenn das Potential an dem Eingangs-Knotenpunkt (II) durch das Potential an dem Bezugs-Knotenpunkt (B) geht, und eine aktive Einrichtung (10) zum Verändern des Potentials an dem ]3ezugs-Knotenpunkt in einer zeitlich verzögerten, gleichphasigen Beziehung zu einer Veränderung des Potentials an dem Bingangs-Knotenpunkt (II) im stationären Zustand und in einer" ungleichphasigen Beziehung zu einer Veränderung des Potentials an dem Eingangs-Knotenpunkt (II) während eines Einschwingvorganges.

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8. Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß üie aktive Einrichtung (10) einen ersten i'ransistor (Q5) mit einem Emitter (5e), einer Basis (5b) und einem Kollektor (5c) umfaßt, wobei ein ungleichphasiger Ausgang (A) des binären aktiven Elements leitend mit der Basis (5b) des ersten Transistors (Q5) verbunden ist, ferner einen zweiten Transistor (Q6) mit einem Kollektor (6c), einer Basis (6b) und einem Emitter (6c), wobei die Basis (6b) des zweiten Transistors (Q6) mit dem Kollektor (5c) des ersten Transistors (Q5) leitend verbunden ist, einen ersten Widerstand (RIl), der mit dem Emitter (5e) des ersten Transistors (Q5) verbunden ist, einen zweiten Widerstand (R12), der.mit dem Emitter (6ej des zweiten i'ransistors (Q6) und unter Bildung eines

P gemeinsamen Punktes mit dem ersten Y/iderstand (RIl) verbunden ist, wobei der erste Widerstand (RIl) einen höheren Widerstandswert hat als d.er zweite Widerstand (R12), einen dritten Widerstand (R13), tier mit dem gemeinsamen Punkt und einer ersten Potentialquelle (Bl) verbunden ist, und einenvierten Widerstand (HIS), der zwischen dem Kollektor (5cJ des ersten Transistors (Q5) und dem Kollektor (6c) des zweiten Transistors (Q6) eingeschaltet ist, wobei der Kollektor (6cJ des zweiten Transistors. (Q6) ferner mit einer zweiten Potentialquelle (z.B* Erde) verbunden ist (Fig. 1, 5).

9. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,

. daß die aktive Einrichtung £.10) einen ersten Transistor (Q5) mit ™ einem Emitter (5e), einer Basis (5b) und einem Kollektor (5cj umfaßt, wobei ein ungleichphasiger Ausgang (A) des binären alttiven Elements leitend mit der Basis (5bj des ersten Transistors (Q5) verbunden ist, ferner einen zweiten Transistor (Q6) mit einem Kollektor (,6c), einer Basis (6b) und einem Emitter (6e), wobei die Basis (6b) des zweiten Transistors (Q6) mit dem Kollektor (5c) des ersten Transistors (Q5) leitend verbunden ist, einen ersten Widerstand CRH), der mit dem Emitter (5e) des ersten Transistors (Q5) verbunden ist, einen zweiten Widerstand (R12), der mit dem Emitter (6ej des zweiten Transistors (Q6) und unter Bildung eines gemeinsamen Punktes mit dem ersten Widerstand (RIl) verbunden ist, wobei der erste Widerstand (RH) einen höheren Widerstandswert hat als der zweite Widerstand (R12), einen dritten Wider-, stand (R14-), der mit dem gemeinsamen Punkt verbunden ist, einen

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vierten Widerstand (R13), der mit dem dritten V/iderstand (ΙΙΙ'Ό und einer ersten Potentialquelle (Rl;;) verbunden ist, wobei der Ausgang der aktiven Einrichtung (10) von einem Punkt zwischen dem dritten und dem vierten Widerstand (RIA-, Rl3) abgenommen wird, und einen fünften Widerstand (Iil5), der zwischen dem Kollektor (5c) des ersten Transistors (Q5) und dem Kollektor (6c) des zweiten Transistors (Q6) eingeschaltet ist, wobei der Kollektor (6c) ües zweiten Transistors (Q6) ferner mit einer zweiten Potentialquelle (z.B. Erde) verbunden ist (i?ig. A-).

10. Schaltung nach Einspruch 7> dadurch gekennzeichnet, dc-ß die aktive Einrichtung (10) einen ersten !Transistor (Q5) mit einem Emitter (5e), einer Basis (5b) und einem Kollektor (5cJ umfaßt, wobei ein ungleichphasiger Ausgang (A) des binären aktiven Elements leitend mit der Basis (5b) des ersten 'Transistors (Q5) verbunden ist, ferner einen zweiten Transistor (Q6) mit einem Kollektor (6c), einer Βε-sis (6b) und einem Emitter (6e), wobei die Basis (6b) des zweiten Transistors (Qo) mit dem Kollektor (5c) des ersten Transistors (Q5) leitend verbunden ist, einen ersten Widerstand (SIl), der zwischen dem Emitter (5e) des ersten Transistors (Q5) und dem Emitter (Ge) des zweiten -t-'ransis.tors (Q6) angeordnet ist, einen zweiten Widerstand (KL4), der mit einem Punkt zwischen dem Emitter (6e) des zwsiten Transistors (Q6) und dem ersten Widerstand (RIl) verbunden ist, einen dritten Widerstand (,Kl>), der mit uem zweitun Widerstand (,IuA) und einer ort; Gun Potentiulquelle {■&) verbunden ist, wobei der Ausgang der aktiven Einrichtung (lO) von einem Punkt zwischen dem zweiten und uem dritten Widerstand (RIA-, Rl?) abgenommen wird, und einen vierten V/iderstand (R15), der zwischen dem Kollektor (5c) des ersten Transistors (Q5) und dem Kollektor (6c) des zweiten "Transit: tor ο (Q6) eingeschaltot ict, wouei der Kollektor (6c) des zweiten Tr-insis tors (QG) ferner mit einer zweiten Potentialquelle (z. ;. Erde) vorbunden in I. (-Pig. 6).

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