DE1801886C3 - Taktgesteuerte elektronische Ver zogerungsstufe mit Feldeffekttransistoren - Google Patents
Taktgesteuerte elektronische Ver zogerungsstufe mit FeldeffekttransistorenInfo
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Description
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der die Anode des ersten Transistors mit einem kapa- sind als getrennte Kondensatoren nur zur Erläutezitiven
Ausgangsspeicherkreis und die Kathode die- rung der Schaltung dargestellt
ses Transistors mit der Anode eines zweiten Transi- Die Taktimpulsklemmen Q1 bis Q 4 sind mit Taktstors verbunden ist, bei der femer ein dritter Transi- impulsquellen verbunden, die Taktimpulse mit negastor vorgesehen ist, dessen Kathode mit der Anode 5 tiver Polarität liefern. Zwischen den einzelnen Taktdes ersten Transistors und dessen Anode mit der Be- impulsen liegt an den Taktknpulsklemmen Q1 bis triebsspannung verbunden ist, und bei der ein Ein- Q 4 ein Potential an, das dem Potential der positiven gangssignal an die Gatt-Elektrode des zweiten Tran- Betriebsspannung an der Erdleitung Eth entspricht, sistors und zwei aufeinanderfolgende Taktsteuer- Bei Anlegen eines negativen Potentials (d. h. einer impulse an die Anode des dritten und des ersten io logischen »1«) an die Eingangsklemme IP wird der Transistors angelegt werden, erfindungsgemäß da- Feldeffekt-Transistor M 3 in seinem leitenden Zudurch gelöst, daß der Serienschaltung des ersten und stand zwischen seinen Kathoden- und Anoden-Elekdritten Transistors die Anoden-Kathodenstrecke eines troden gehalten. Der Kapazität Cj ist daher die vierten Transistors parallel geschaltet ist, dessen Gatt- Kathoden-Anoden-Impedanz des Feldeffekt-Transi-Elektrode mit der Gatt-Elektrode des dritten und 15 stors M3 parallel geschaltet und diese Kapazität wird der Kathode des zweiten Transistors verbunden ist daher entladen. Bei Eintreffen des ersten Phasen-Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Er- Taktimpulses an der KlemmeQl leitet der Feldfindung sind die Gatt-Elektroden des dritten und effekt-Transistor M1, und die Kapazität Cn 1 wird vierten Transistors gemeinsam mit einer Quelle des auf die volle negative Betriebsspannung aufgeladen, ersten Taktimpulses verbunden, und die Anoden- «> Bei Abtrennen des ersten Phasen-Taktimpulses hört Elektroden des dritten und vierten Transistors sind der Feldeffekt-Transistor M1 auf zu leiten, und der gemeinsam mit der Betriebsspannung verbunden. Kondensator Cn 1 bleibt während der durch die Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung Zeitkonstanten bestimmten Periode geladen. Der der Erfindung sind die Gatt- und Anoden-Elektroden Eingang der die Feldeffekt-Transistoren M 4 bis M 6 des dritten und vierten Transistors miteinander und as enthaltenden zweiten Hälfte ist somit auf einen logimit der die Betriebsspannung liefernden Quelle des sehen »1 «-Zustand voreingestellt, und zwar infolge ersten Taktimpulses verbunden. Auf diese Weise des negativen Potentials, das durch die Ladung auf kann eine getrennte Betriebsspannungsqueife einge- der KapazitätCnI an der Gatt-Elektrode des Feldspart werden. effekt-TransistorsM6 anliegt.
ses Transistors mit der Anode eines zweiten Transi- Die Taktimpulsklemmen Q1 bis Q 4 sind mit Taktstors verbunden ist, bei der femer ein dritter Transi- impulsquellen verbunden, die Taktimpulse mit negastor vorgesehen ist, dessen Kathode mit der Anode 5 tiver Polarität liefern. Zwischen den einzelnen Taktdes ersten Transistors und dessen Anode mit der Be- impulsen liegt an den Taktknpulsklemmen Q1 bis triebsspannung verbunden ist, und bei der ein Ein- Q 4 ein Potential an, das dem Potential der positiven gangssignal an die Gatt-Elektrode des zweiten Tran- Betriebsspannung an der Erdleitung Eth entspricht, sistors und zwei aufeinanderfolgende Taktsteuer- Bei Anlegen eines negativen Potentials (d. h. einer impulse an die Anode des dritten und des ersten io logischen »1«) an die Eingangsklemme IP wird der Transistors angelegt werden, erfindungsgemäß da- Feldeffekt-Transistor M 3 in seinem leitenden Zudurch gelöst, daß der Serienschaltung des ersten und stand zwischen seinen Kathoden- und Anoden-Elekdritten Transistors die Anoden-Kathodenstrecke eines troden gehalten. Der Kapazität Cj ist daher die vierten Transistors parallel geschaltet ist, dessen Gatt- Kathoden-Anoden-Impedanz des Feldeffekt-Transi-Elektrode mit der Gatt-Elektrode des dritten und 15 stors M3 parallel geschaltet und diese Kapazität wird der Kathode des zweiten Transistors verbunden ist daher entladen. Bei Eintreffen des ersten Phasen-Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Er- Taktimpulses an der KlemmeQl leitet der Feldfindung sind die Gatt-Elektroden des dritten und effekt-Transistor M1, und die Kapazität Cn 1 wird vierten Transistors gemeinsam mit einer Quelle des auf die volle negative Betriebsspannung aufgeladen, ersten Taktimpulses verbunden, und die Anoden- «> Bei Abtrennen des ersten Phasen-Taktimpulses hört Elektroden des dritten und vierten Transistors sind der Feldeffekt-Transistor M1 auf zu leiten, und der gemeinsam mit der Betriebsspannung verbunden. Kondensator Cn 1 bleibt während der durch die Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung Zeitkonstanten bestimmten Periode geladen. Der der Erfindung sind die Gatt- und Anoden-Elektroden Eingang der die Feldeffekt-Transistoren M 4 bis M 6 des dritten und vierten Transistors miteinander und as enthaltenden zweiten Hälfte ist somit auf einen logimit der die Betriebsspannung liefernden Quelle des sehen »1 «-Zustand voreingestellt, und zwar infolge ersten Taktimpulses verbunden. Auf diese Weise des negativen Potentials, das durch die Ladung auf kann eine getrennte Betriebsspannungsqueife einge- der KapazitätCnI an der Gatt-Elektrode des Feldspart werden. effekt-TransistorsM6 anliegt.
Eine taktgesteuerte elektronische Verzögerungs- 30 Der zweite Phasen-Taktimpuls erscheint an der
schaltung mit mindestens zwei identischen Verzöge- Klemme Q 2 und bewirkt das Leiten des Feldeffektrungsstufen
der vorstehend beschriebenen Art ergibt Transistors M 2. Der Feldeffekt-Transistor M3 leitet
sich dadurch, daß die Knotenkapazität des zweiten bereits infolge der logischen »1« an seiner Gatt-Elek-Transistors
der zweiten Verzögerungsstufe als kapa- trode, und für die Kapazität Cn 1 wird ein Entzitive
Ausgangsspeichervorrichtung der ersten Ver- 35 ladungsweg über die Feldeffekt-Transistoren M 2 und
zögerungssrufe ausgebildet ist und daß die ersten Λί3 in Reihe zur Erde geschaffen. Am Ende des
und zweiten von vier aufeinanderfolgenden Takt- zweiten Phasen-Taktimpulses ist daher die Ausgangsimpulsen
an die erste Stufe und die dritten und vier- größe der die erste Hälfte der Verzögerungsschaltung
ten Taktimpulse an die zweite Stufe angelegt sind. bildenden Verzögerungsstufe mit den Feldeffekt-Auf
diese Weise ergibt sich eine vorteilhafte dyna- 40 Transistoren M1 bis M 3 umgekehrt zur Eingangsmische
Vierphasen-Logik-Verzögerungsschaltung. größe, da — bei voll entladener KapazitätCnX —
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der die Eingangsgröße an der Gatt-Elektrode des Feld-Zeichnung
noch näher erläutert. effekt-Transistors M6 eine logische »0« ist.
In der Zeichnung zeigt Die die zweite Hälfte der Verzögerungsschaltung
F i g. 1 das Schaltbild einer bekannten Vierphasen- 45 bildende Verzögerungsstufe ist mit der ersten Hälfte
Logik-Verzögerungsschaltung, identisch, sie wird jedoch durch die dritten und vier-
F i g. 2 das Schaltbild einer Ausführungsform einer ten Phasen-Taktimpulse gesteuert, die der Reihe nach
taktgesteuerten elektronischen Verzögerungsschal- an den Klemmen Q 3 und (24 erscheinen. Aufeinan-
tung, derfolgende Verzögerungsschaltungen entsprechen
Fig. 3 eine weitere Ausführungsform der Ver- 50 der dargestellten Verzögerungsschaltung, und es ist
zögerungsschaltung nach F i g. 2. daher zwischen der Ausgangsklemme OP und der
Die in Fig. 1 dargestellte bekannte taktgesteuerte Erde Eth eine Knotenkapazität Cn2 vorhanden.
Verzögerungsschaltung ist eine Vierphasen-Schal- Der dritte an der Klemme Q 3 auftretende Phasen-
tung, die aus zwei Verzögerungsstufen mit insgesamt Taktimpuls bewirkt, daß der Feldeffekt-Transistor
sechs Feldeffekttransistoren Wl bis M6 besteht. Die 55 M4 leitet und die Kapazitäten2 in der gleichen
Elektrodenbezeichnungen sind für den Feldeffekt- Weise aufgeladen wird wie die Kapazität Cn 1 beim
transistor Ml dargestellt, wobei die Bezeichnungen ersten Phasen-Taktimpuls. Der Feldeffekt-Transistor
folgende Bedeutung haben: s ist die Kathoden- oder M 6 ist bei Anliegen einer logischen »0« an seiner
Quellenelektrode, d ist die Anoden- oder Senken- Gatt-Elektrode nicht leitend. Wenn der vierte Pha-
elektrode, g ist die Gatt- oder Toelektrode, b ist das 60 sen-Taktimpuls an der Klemme Q 4 erscheint und
Substrat oder die Basisverbindung. Es ist zu erken- das Leiten des Feldeffekt-Transistors MS bewirkt, ist
nen, daß sämtliche Substrate mit dem positiven Pol die Kapazität Cn 2 nicht entladen, da der Feldeffekt-
der Betriebsspannung an der Leitung Eth verbunden Transistor M6 nicht leitet. Am Ende des vollständi-
sind. Die Knotenkapazität ist als ein zusammenge- gen Zyklus von vier Taktimpulsen erscheint daher
faßter Kondensator CnI dargestellt; die unechte (un- 65 am Ausgang eine logische »1«, d.h. die gleiche Größe
gewollte) Kapazität ist in ähnlicher Weise als Kon- wie am Eingang, jedoch einen vollständigen Zyklus
densator Ci angedeutet. Diese Kapazitäten sind später. Jede der Verzögerungsstufen wirkt als ein
— wie oben erwähnt — der Schaltung inhärent und Halbzyklus-Verzögerungsinverter derart, daß in einer
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ähnlichen Weise wie oben beschrieben eine logische Erde an der Klemme Q1 über den Feldeffekt-Tran-
»0« am Eingang einen vollständigen Zyklus später sistorM3, wenn der zweite Phasen-Taktimpuls an
am Ausgang erscheint. In diesem Fall arbeitet die der Klemme Q 2 den Feldeffekt-Transistor M 2 leierste
Stufe in der vorstehend für die zweite Stufe be- tend macht. Wenn eine logische »0« an der Einschriebene
Weise. Das Auftreten des ersten Phasen- 5 gangsklemme IP liegt, so ist kein Entladungsweg
Taktimpulses an der Klemme Ql lädt in der oben über den Feldeffekt-Transistor M 3 vorhanden, wenn
beschriebenen Weise die Knotenkapazität Cn 1 auf. der Feldeffekt-Transistor M 2 leitet und die Kapazi-Wenn
man annimmt daß die unechte Kapazität Ci 'täten CnI und Ci 2 parallel angeordnet sind. Da
keine Ladung aufweist und wenn der Feldeffekt- beide Kondensatoren auf das gleiche Potential aufTransistor
M 2 durch das Auftreten des zweiten io geladen sind, wird das Potential an der Gatt-Elek-Phasen-Taktimpulses
an seiner Gatt-Elektrode lei- trode des Feldeffekt-Transistors M 6 auf einer vollen'
tend gemacht wird, so ist die Kapazität Ci parallel logischen »1« gehalten. In ähnlicher Weise lädt der
zu der geladenen Kapazität CnI geschaltet. In die- Feldeffekt-Transistor M 8 den Kondensator Cs 2 wähsem
Falle ist kein Entladungsweg zur Erde Eth vor- rend des dritten Phasen-Taktimpulses vor.
handen, da der Feldeffekttransistor M 3 nicht leitend 15 Es ist zu erkennen, daß die vorher mit der Erdist (an seiner Gatt-Elektrode befindet sich eine lo- leitung Eth verbundene Kathoden-Elektrode des gische »0«). Die Ladung auf der Kapazität CnI wird Feldeffekt-Transistors M3 nunmehr mit der Klemme daher mit der Kapazität Cs geteilt, und das Potential Q1 verbunden ist. Dies ist notwendig, um zu verhinan der Gatt-Elektrode des Feldeffekt-Transistors M 6 dem, daß die Kapazität Cj 1 während der Ladewird vermindert und entspricht nicht mehr dem Wert ao periode des ersten Phasen-Taktimpulses parallel zur des vollen logischen »1 «-Potentials. Erde Ein geschaltet wird, wenn eine logische »1«
handen, da der Feldeffekttransistor M 3 nicht leitend 15 Es ist zu erkennen, daß die vorher mit der Erdist (an seiner Gatt-Elektrode befindet sich eine lo- leitung Eth verbundene Kathoden-Elektrode des gische »0«). Die Ladung auf der Kapazität CnI wird Feldeffekt-Transistors M3 nunmehr mit der Klemme daher mit der Kapazität Cs geteilt, und das Potential Q1 verbunden ist. Dies ist notwendig, um zu verhinan der Gatt-Elektrode des Feldeffekt-Transistors M 6 dem, daß die Kapazität Cj 1 während der Ladewird vermindert und entspricht nicht mehr dem Wert ao periode des ersten Phasen-Taktimpulses parallel zur des vollen logischen »1 «-Potentials. Erde Ein geschaltet wird, wenn eine logische »1«
Fig. 2 zeigt eine Ausführungsform der Verzöge- an dem Eingang/P (Feldeffekt-TransistorM3 lei-
rungsschaltung nach Fig. 1, bei der der Nachteil der tend) vorhanden ist. In ähnlicher Weise ist die
Ladungsteilung vermieden ist. Die Bezeichnungs- Kathodenelektrode des Feldeffekt-Transistors M 6
weise der Bauteile der Fig. 2 entspricht der Bezeich- as mit der Klemme Q3 verbunden,
nungsweise in Fig. 1, und die Schaltung nach Fig. 2 Fig. 3 zeigt eine alternative Ausführungsform der
weist zwei zusätzliche Feldeffekt-Transistoren M 7 Verzögerungsschaltung nach F i g. 2, bei der die FeId-
und M 8 auf. effekt-Transistoren Ml, M4, M7, M8 in abgeänder-
Die Grundarbeitsweise der Verzögerungsschaltung ter Weise geschaltet sind, wobei die übrige Schaltung
nach F i g. 1 entspricht der Arbeitsweise der Verzö- 30 mit der in F i g. 2 gezeigten Verzögerungsschaltung
gerungsschaltung nach Fig. 1. Im Fall der Fig. 2 identisch ist. In diesem Fall sind die Anoden-Elek-
sind jedoch Mittel vorgesehen, um die Kapazität Cs troden dieser Feldeffekt-Transistoren mit den Takt-
zur gleichen Zeit wie die Kapazitäten aufzuladen, impulsklemmen β 1 und Q 3 verbunden. Da diese
mit dem Ergebnis, daß keine Ladungsteilung auf- Feldeffekt-Transistoren nur während ihrer entspre-
treten kann. 35 chenden Taktimpulsperioden leiten müssen, ist es be-
Das Auftreten des ersten Phasen-Taktimpulses an quemer, die negativen Potentiale oder Betriebsspan-
der Klemme Ql bewirkt, daß die Feldeffekt-Transi- nungen sowohl für die Gatt- als auch für die Anoden-
storen Ml und M 7 leiten. Die Kapazität CnI wird Elektroden von einer Quelle abzunehmen. Dies spart
über den Feldeffekt-Transistor M1 auf das Takt- sehr viel Platz bei der Auslegung der integrierten
impulspotential und die Kapazität CjI wird über 40 Schaltung auf dem Silizium-Chip (Silizium-Plätt-
den Feldeffekt-Transistor M 7 ebenfalls auf das Takt- chen), da keine Metallisierung für eine negative Be-
impulspotential aufgeladen. Am Ende des ersten triebsspannungszuleitung und kein Verbindungsblock
Phasen-Taktimpulses kehrt die Klemme Ql auf Erd- erforderlich ist. Außerdem ist keine getrennte Quelle
potential zurück. Bei einer logischen »i« an der Ein- für ein negatives Betriebsspannungspotential erforgangsklemme
IP entladen sich beide Kapazitäten zur 45 derlich.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Taktgesteuerte elektronische Verzögerungs- de AtI ey, »Elektronic Design«, Bd.7, 1. April
stufe mit Feldeffekt-Transistoren gleichen Leit- 5 1967, S. 62 ft, bekannt Diese Verzögerungsstufe verfähigkeitstyps,
bei der die Anode eines ersten wendet Metalloxyd-Feldeffekt-Transistaren., deren
Transistors mit einem kapazitiven Ausgangsspei- Verwendung in logischen Verknüpfungsschaltungen,
cherkreis und die Kathode dieses Transistors mit beispielsweise auch aus der Literaturstelle »Electroder
Anode eines zweiten Transistors verbunden nies« vom 6. Februar 1967, S. 96, bekannt ist
ist, bei der femer ein dritter Transistor vorge- io Dynamische Logik-Systeme der eingangs genannsehen
ist, dessen Kathode mit der Anode des ten Art verwenden die Knotenkapazität auf der Gattersten
Transistors und dessen Anode mit der Be- Elektrode eines Feldeffekttransistors als Signalspeitriebsspannung
verbunden ist, und bei der ein chervorrichtung. Bei einer derartigen Verzögerungs-Eingangssignal
an die Gatt-Elektrode des zweiten stufe in integrierter Schaltungstechnik ist diese Kno-Trans.istors
und zwei aufeinanderfolgende Takt- 15 tenkapazität eine Kombination aus folgenden Kapasteuerimpulse
an die Anode des dritten und des zitäten: der Gatt-zu-Substratkapazität des Feldeffektersten
Transistors angelegt werden, dadurch transistors, der Auoden-zu-Substratkapazität des in
gekennzeichnet, daß der Serienschaltung der Schaltung vorhergehenden Feldeffekttransistors
des ersten (/W 2) und dritten Transistors (Ml) die und der Metallisierung-zu-Substrat-Kapazität von der
Anodcn^Kathoden-Strecke eines vierten Transi- ao die Zwischenverbindung zwischen den beiden Feldstors
(M 7) parallel geschaltet ist, dessen Gatt- effekttiansistoren bildenden Metallisierung.
Elektrode mit der Gatt-Elektrode des dritten Die Knotenkapazität weist einen typischen Wert (M 1) und der Kathode des zweiten Transistors im Bereich von einem halben bis zu einigen pF auf (M 3) verbunden ist. und wird bei Schaltungsbetriebsbedingungen durch
Elektrode mit der Gatt-Elektrode des dritten Die Knotenkapazität weist einen typischen Wert (M 1) und der Kathode des zweiten Transistors im Bereich von einem halben bis zu einigen pF auf (M 3) verbunden ist. und wird bei Schaltungsbetriebsbedingungen durch
2. Verzögerungsstufe nach Anspruch 1, da- 35 das kurze Anlegen ernes Taktimpulses aufgeladen,
durch gekennzeichnet, daß die Gatt-Elektroden Beim Abschalten des Taktimpulses wird das Impulsdes
dritten (Ml) und vierten (M 7) Transistors potential auf der Gatt-Elektrode durch die auf gegemeinsam
mit einer Quelle des ersten Taktimpul- ladene Knotenkapazität für die Periode der Zeitkonses
(Ql) verbunden sind und daß die Anoden- stanten aufrechterhalten, die sich aus der Knotenelektroden
des dritten (Ml) und vierten (M 7) 30 kapazität und den verschiedenen Streuimpedanzen
Transistors gemeinsam mit der Betriebsspannung ergeben. Für einen richtigen Betrieb der logischen
verbunden sind. Reihenfolge muß das Anlegen des nächsten Takt-
3. Verzögerungsstufe nach Anspruch 1, da- impulses innerhalb dieser Periode der Zeitkonstante
durch gekennzeichnet, daß die Gatt- und Anoflen- erfolgen, wodurch die minimale Arbeitsgeschwindig-Elektroden
des dritten (Ml) und vierten (M 7) 35 keit des Systems festgelegt ist
Transistors miteinander und mit der die Betriebs- In einer Vierphasen-Logik-Verzögerungsstufe lädt
spannung liefernden Quelle des ersten Taktimpul- der erste Phasen-Taktimpuls die Knotenkapazität auf
ses (Ql) verbunden sind. und der zweite Phasen-Taktimpuls wird zum Ab-
4. Taktgesteuerte elektronische Verzögerungs- tasten des Zustandes der Logik-Eingangsgröße (d. h.
schaltung mit mindestens zwei identischen Ver- 40 einer »0« oder einer »1«) verwendet Wenn die Einzögerungsstufen
nach einem der Ansprüche 1 gangsgröße eine »0« ist, so bleibt die Knotenkapazibis
3, dadurch gekennzeichnet, daß die Knoten- tat unbeeinflußt. Wenn die Eingangsgröße eine »1«
kapazität des zweiten Transistors (M 6) der zwei- ist so wird die Knotenkapazität entladen.
ten Verzögerungsstufe als kapazitive Ausgangs- Während dieser Abtastperiode ist ein weiterer
speichervorrichtung der ersten Verzögerungs- 45 Feldeffekttransistor in den Kreis eingeschaltet, und
stufe ausgebildet ist und daß die ersten und zwei- dies bewirkt die Parallelschaltung einer weiteren
ten von vier aufeinanderfolgenden Taktimpulsen Kapazität zur Knotenkapazität
an die erste Stufe und die dritten und vierten Diese zusätzliche oder »unechte« Kapazität ist die
Taktimpulse an die zweite Stufe angelegt sind. Kapazität der Anoden-zu-Substrat-pn-Grenzschicht
50 des weiteren Feldeffekttransistors. Die Ladung auf der Knotenkapazität wird daher auf diese Kapazität
und die echte Kapazität aufgeteilt wenn diese letztere Kapazität nicht schon geladen ist Dieser Vorgang
ist in der Technik allgemein als »Ladungstei-
Die Erfindung bezieht sich auf eine taktgesteuerte 55 lung« bekannt, und diese Ladungsteilung bewirkt die
elektronische Verzögerungsstufe mit Feldeffekt- Verminderung des Potentials an der Knotenkapazität.
Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps, bei der die Das Potential auf der Gatt-Elektrode wird somit verAnode
eines ersten Transistors mit einem kapaziti- mindert, wodurch der Betrieb des Logiksystems beven
Ausgangsspeicherkreis und die Kathode dieses einflußt werden kann, da das Potential, das den logi-Transistors
mit der Anode eines zweiten Transistors 60 sehen Wert »1« darstellt und für das der Betrieb
verbunden ist, bei der ferner ein dritter Transistor des Systems ausgelegt ist, nicht aufrechterhalten wird,
vorgesehen ist, dessen Kathode ,mit der Anode des Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
ersten Transistors und dessen Anode mit der Be- Verzögerungsstufe der eingangs genannten Art zu
triebsspannung verbunden ist, und bei der ein Ein- schaffen, bei der das Problem der Ladungsteilung
gangssignal an die Gatt-Elektrode des zweiten Tran- 65 nicht auftritt.
sistors und zwei aufeinanderfolgende Taktsteuer- Diese Aufgabe wird ausgehend von einer taktgeimpulse
an die Anode des dritten und des ersten steuerten elektronischen Verzögerungsstufe mit Feld-Transistors
angelegt werden. effekt-Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps, bei
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB46141/67A GB1171547A (en) | 1967-10-09 | 1967-10-09 | Improvements in or relating to Four Phase Logic Systems |
FR169436 | 1968-10-10 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1801886A1 DE1801886A1 (de) | 1969-05-14 |
DE1801886B2 DE1801886B2 (de) | 1973-04-12 |
DE1801886C3 true DE1801886C3 (de) | 1973-10-31 |
Family
ID=26182252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1801886A Expired DE1801886C3 (de) | 1967-10-09 | 1968-10-08 | Taktgesteuerte elektronische Ver zogerungsstufe mit Feldeffekttransistoren |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3543055A (de) |
DE (1) | DE1801886C3 (de) |
FR (1) | FR1600438A (de) |
GB (1) | GB1171547A (de) |
NL (1) | NL6811272A (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5033634B1 (de) * | 1969-11-01 | 1975-11-01 | ||
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US4646119A (en) * | 1971-01-14 | 1987-02-24 | Rca Corporation | Charge coupled circuits |
JPS58119021A (ja) * | 1982-01-07 | 1983-07-15 | Nec Corp | 遅延信号発生回路 |
EP0107712A4 (de) * | 1982-05-10 | 1984-09-14 | Western Electric Co | Cmos integrierte schaltung. |
EP2146170B1 (de) | 2008-07-15 | 2014-08-06 | Tesy Ood | Heizkörperelement und Heizkörperblock |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3393325A (en) * | 1965-07-26 | 1968-07-16 | Gen Micro Electronics Inc | High speed inverter |
US3322974A (en) * | 1966-03-14 | 1967-05-30 | Rca Corp | Flip-flop adaptable for counter comprising inverters and inhibitable gates and in cooperation with overlapping clocks for temporarily maintaining complementary outputs at same digital level |
-
1967
- 1967-10-09 GB GB46141/67A patent/GB1171547A/en not_active Expired
-
1968
- 1968-08-08 NL NL6811272A patent/NL6811272A/xx unknown
- 1968-09-23 US US761652A patent/US3543055A/en not_active Expired - Lifetime
- 1968-10-08 DE DE1801886A patent/DE1801886C3/de not_active Expired
- 1968-10-10 FR FR169436A patent/FR1600438A/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3543055A (en) | 1970-11-24 |
FR1600438A (de) | 1970-07-27 |
DE1801886A1 (de) | 1969-05-14 |
GB1171547A (en) | 1969-11-19 |
NL6811272A (de) | 1969-04-11 |
DE1801886B2 (de) | 1973-04-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: TMC LTD., LONDON, GB |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: MEIER, F., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 2000 HAMBURG |
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |