DE202008017383U1 - Glas, insbesondere Glasfaser-Preform - Google Patents

Glas, insbesondere Glasfaser-Preform Download PDF

Info

Publication number
DE202008017383U1
DE202008017383U1 DE202008017383U DE202008017383U DE202008017383U1 DE 202008017383 U1 DE202008017383 U1 DE 202008017383U1 DE 202008017383 U DE202008017383 U DE 202008017383U DE 202008017383 U DE202008017383 U DE 202008017383U DE 202008017383 U1 DE202008017383 U1 DE 202008017383U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
glass
precursor compound
plasma
silicon
additive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE202008017383U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
J Fiber GmbH
Original Assignee
J Fiber GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by J Fiber GmbH filed Critical J Fiber GmbH
Priority to DE202008017383U priority Critical patent/DE202008017383U1/de
Publication of DE202008017383U1 publication Critical patent/DE202008017383U1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413—Reactant delivery systems
    • C03B37/0142—Reactant deposition burners
    • C03B37/01426—Plasma deposition burners or torches
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
    • C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
    • C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
    • C03B2201/22—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with deuterium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
    • C03B2201/24—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with nitrogen, e.g. silicon oxy-nitride glasses
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
    • C03B2201/28—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/32—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/34—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with rare earth metals, i.e. with Sc, Y or lanthanides, e.g. for laser-amplifiers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/40—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn
    • C03B2201/42—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn doped with titanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/50—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with alkali metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/54—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with beryllium, magnesium or alkaline earth metals

Abstract

Glas, insbesondere Glasfaser-Preform, vorzugsweise für optische Anwendungen, dadurch gekennzeichnet, dass das Glas durch eine Umsetzung wenigstens einer siliziumhaltigen Substanz und wenigstens einer gegebenenfalls von der siliziumhaltigen Substanz unterschiedlichen sauerstoffhaltigen Substanz, die zusammen eine Reaktionsmischung bilden, hergestellt ist, wobei die Reaktionsmischung unter Verwendung eines Hochfrequenzplasmas zur Bildung des Glases an einem Substrat abgeschieden ist und zumindest eine der eingesetzten Substanzen einen organischen Rest aufweist.

Description

  • Die Erfindung betrifft Glas, insbesondere eine Glasfaser-Preform nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Glas, insbesondere Glasfaser-Preforms, wird/werden im Bereich der Glasfasertechnik benötigt und ist/sind somit per se bekannt, wobei die optischen Eigenschaften des Glases bzw. der Glasfaser-Preforms hinsichtlich ihrer Transmissions- und Reflexions-Eigenschaften ein maßgebliches Merkmal der Güte des Glases bzw. der Preforms darstellen. Derartiges Glas bzw. Verfahren zu dessen Herstellung sind beispielsweise in den folgenden Druckschriften dargestellt.
  • In dem US Patent No. 3737292 (Keck) wird eine Methode zur Herstellung von Preforms für optische Glasfasern mittels Flammenhydrolyse vorgestellt. HF-Plasma stellt eine bevorzugte Alternative da, da wenig OH-Gruppen, die eine Dämpfung im Arbeitsbereich bedingen, erzeugt werden.
  • In dem US Patent No. 4224046 (Izawa) wird eine Methode zur Herstellung von optischen Preformen vorgestellt, bei welchen mittels Flammenhydrolyse Soot-Partikel erzeugt werden.
  • In dem US Patent No. 4217027 (Mac Chesney) wird eine Herstellung von optischen Preforms mittels MCVD (modified chemical vapor deposition) Prozess vorgestellt.
  • Dabei werden Chloride oder Hydride von Silizium oder Germanium zusammen mit Sauerstoff in ein Glasrohr eingeführt und darin thermisch zersetzt.
  • In dem US Patent No. 4412853 (Partus) wird ebenfalls ein MCVD Prozess für die Herstellung von Preforms verwendet.
  • In dem US Patent No. 4741747 (Geittner) wird Plasma zur Herstellung von Preforms verwendet, wobei dieses Plasma dazu dient an der Innenseite eines Rohrs thermisch hergestellte Soot-Partikel klar zu schmelzen.
  • In dem US Patent No. 5522007 (Drouart) werden Plasmagase durch einen Wassertank geleitet und auf diese Weise mit Wasser beladen. Die so hergestellten Preformen besitzen hohe OH-Konzentrationen, was sie für optische Fasern hoher Güte ungeeignet machen.
  • Das US Patent No. 6536240 und das US Patent No. 2007/0169516 A1 (Guskov) beschreibt eine Apparatur zur Herstellung von optischen Fasern mit niedrigen OH-Gehalten mit Hilfe von Plasma. Der dort beschriebene Aufbau weist jedoch einige Nachteile auf. Als Siliziumspender wird SiCl4 verwendet, sowie als Zusätze GeCl4, AlCl3, POCl3, TiCl4, SF6, CF4 und SiF4. Bei der Herstellung dieser Art von Preform findet neben einer hohen Emission an Chlor in die Abluft auch eine Anreicherung von Chlor im Glas selber statt. Der Hauptverursacher der Chloremissionen stellt das SiCl4 dar. Eine umweltverträglichere Alternative ist angesichts des zu befürchtenden Klimawandels eine wichtige Aufgabe. Ein weiterer Nachteil der Patente von Guskov stellt die fehlende Möglichkeit dar, an der Reaktion partizipierende Edukte separat einzuführen.
  • Im dem Patent DE 2536457 (Hereaus/Schott) wird die Herstellung von synthetischem Quarzglas aus einem halogenfreien Silicon mittels induktiv gekoppeltem Plasma beschrieben. Dieses Patent weist jedoch einige Nachteile auf. Durch nur die Verwendung eines halogenfreien Siliconmaterials wird das Verfahren erheblich limitiert.
  • Aus den Patenten EP 401845 und DE 1030291 (Hereaus) ist bekannt, dass sich die chemische Struktur des Precursors in erheblichem Maße auf die Güte des späteren Glases auswirken kann. Weniger anfällig für Defekte, wie E-Zentren oder Kompaktierung sind Gläser, die aus monomeren Si-Verbindungen hergestellt wurden, die jedoch mit erheblichen Rohstoffkosten verbunden sind. Wirtschaftlicher ist dagegen die Verwendung von polymeren Silizium-Precursorverbindungen, die aber in der Regel zu schlechterer Glasqualität führen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die im Stand der Technik genannten Probleme zu vermeiden und ein hochreines Glas zur Verfügung zu stellen, das ein Minimum Defektstellen aufweist und dessen optische Eigenschaften durch die Zugabe von Dotiersubstanzen gezielt eingestellt sind.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
  • Insbesondere wird die Aufgabe durch Glas, insbesondere Glasfaser-Preform, vorzugsweise für optische Anwendungen, gelöst, wobei das Glas durch eine Umsetzung wenigstens einer siliziumhaltigen Substanz und wenigstens einer gegebenenfalls von der siliziumhaltigen Substanz unterschiedlichen sauerstoffhaltigen Substanz, die zusammen eine Reaktionsmischung bilden, hergestellt ist, wobei die Reaktionsmischung unter Verwendung eines Hochfrequenzplasmas zur Bildung des Glases an einem Substrat abgeschieden ist und zumindest eine der eingesetzten Substanzen einen organischen Rest aufwies.
  • Ein Punkt der Erfindung liegt ferner darin, dass im Rahmen der Herstellung des erfindungsgemäßen Glases neben wenigstens einer siliziumhaltigen Substanz wenigstens eine, mit der wenigstens einen siliziumhaltigen Substanz eine Reaktionsmischung bildende, Dotiersubstanz verwendet wird. Diese Reaktionsmischung wird sodann unter Verwendung eines Hochfrequenz-Plasmas an einem Substrat abgeschieden. Durch die Verwendung einer oder mehrerer in der Reaktionsmischung vorhandener Dotiersubstanzen ist es erfindungsgemäß möglich, gezielt die Brechzahl des herzustellenden Glases zu beeinflussen, insbesondere auch ohne zusätzliche Banden oder anderweitige negative Effektive in das Glas einzubringen. Darüber hinaus ist das erfindungsgemäß hergestellte Glas, ein hochreines Glas mit exakt definierten optischen Eigenschaften, das, nach Wunsch, gezielt optische Fenster aufweisen kann. Ein derart exakt hergestelltes Glas, das auf jeweilige individuelle Bedürfnisse abgestimmt sein kann, ist in vorteilhafter Weise dadurch herstellbar, dass zumindest eine frei wählbare siliziumhaltige Substanz mit wenigstens einer frei wählbaren Dotiersubstanz in nahezu beliebigem auf individuelle Erfordernisse abstimmbaren Mischungsverhältnis umgesetzt wird, wobei zumindest eine der eingesetzten Substanzen einen organischen Rest aufweist, der je nach Bedarf auswählbar ist. Durch die Wahl des eingesetzten organischen Rests kann die eingesetzte wenigstens eine siliziumhaltige Substanz und/oder die wenigstens eine eingesetzte Dotiersubstanz beispielsweise hinsichtlich ihrer Einsatzform angepasst werden. So ist es durch die Wahl eines geeigneten organischen Rests beispielsweise möglich, eine siliziumhaltige Substanz gezielt in festem, flüssigem oder gasförmigem Aggregatzustand einzusetzen. Selbiges gilt für die an der Reaktionsmischung beteiligte wenigstens eine Dotiersubstanz. Auch die thermische Stabilität der eingesetzten Substanzen kann durch die Wahl eines oder mehrerer jeweiliger Reste im Sinne einer langsameren oder einer schnelleren Dissoziation beeinflusst werden.
  • Darüber hinaus ist es erfindungsgemäß vorgesehen, eine sauerstoffhaltige Substanz zu verwenden, die identisch mit der siliziumhaltigen Substanz oder der Dotiersubstanz sein kann. Alternativ liegt es im Rahmen der Erfindung, eine von der siliziumhaltigen Substanz sowie von der Dotiersubstanz unterschiedliche sauerstoffhaltige Substanz einzusetzen, wobei der Begriff „sauerstoffhaltige Substanz” auch reine Sauerstoffverbindungen und Sauerstoff selbst umfasst.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist es möglich, wie vorerwähnt, mehrere Siliziumverbindungen, insbesondere in Form von metallorganischen Silizium-Precursorverbindungen, zu verwenden. Alternativ oder in Kombination besteht erfindungsgemäß auch die Möglichkeit, siliziumhaltiges Material als Precursorverbindung zu verwenden, das pro Molekül zumindest zwei oder mehr Siliziumatome aufweist.
  • Erfindungsgemäß wird als siliziumhaltige Substanz demgemäß in bevorzugter Weise eine Silizium-Precursorverbindung, mit gegebenenfalls organischem Rest, verwendet, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die folgendes umfasst: SiCl4, Tetraethoxysilan (TEOS), Hexamethyldisilan (HMDS) Octamethylcyclotetrasilan (OMCTS); sowie Mischungen der vorgenannten Substanzen.
  • Als Dotiersubstanz wird erfindungsgemäß vorzugsweise eine Dotier-Precursorverbindung, mit gegebenenfalls wenigstens einem organischem Rest eingesetzt, die ein oder mehrere Elemente aufweist, die ausgewählt sind aus der Gruppe, die folgendes umfasst: Metalle und Halbmetalle, insbesondere d- und f-Gruppenelemente, vorzugsweise Tantal (Ta), Niob (Nb), Lanthan (La), Europium (Eu), Cer (Ce), Gadolinium (Gd), Lutetium (Lu), Ytterbium (Yb), Samarium (Sm), Actinium (Ac) Thorium (Th); Germanium (Ge), Aluminium (Al), Zinn (Sn), Titan (Ti), Wasserstoff (H), Deuterium (D), Bor (B), Natrium (Na), Kalzium (Ca), Magnesium (Mg), Kalium (K) sowie Phosphor (P), Stickstoff (N), Schwefel (S), Fluor (F) und Kohlenstoff (C); sowie Mischungen der vorgenannten Substanzen; und/oder die Dotier-Precursorverbindung ausgewählt ist aus der Gruppe, die folgendes umfasst: GeCl4, AlCl3, POCl3, PCl5, H3PO4, B2O3, TiCl4, BF3, BCl3, CF4, CHF3, NF3, C2F6; Verbindungen der allgemeinen Formel CnHaFbClcBrdIe mit a, b, c, d, e = 0 bis 4, n = 1 bis 35 und a + b + c + d + e ≤ 2 × n + 2, wobei C = Kohlenstoff, F = Fluor, Cl = Chlor, Br = Brom und I = Jod; sowie Mischungen der vorgenannten Substanzen.
  • Die Verwendung von Wasserstoff und/oder Deuterium als Dotiersubstanz ist erfindungsgemäß gut zum Steuern der Reaktionskinetik bzw. des Reaktionsverlaufs der Abscheidung der eingesetzten glasbildenden Substanzen an dem Substrat möglich. Darüber hinaus ist durch den Einsatz von Wasserstoff auch die Erzeugung von feuchtem Glas möglich, wobei unter feuchtem Glas erfindungsgemäß ein Glas verstanden wird, das einen hohen OH-Gruppen-Anteil aufweist, beispielsweise in der Größenordnung von 500 ppm bis 3000 ppm, vorzugsweise im Bereich von 1000 ppm.
  • Darüber hinaus ist durch den gezielten Einsatz der genannten Dotiersubstanzen eine Vermeidung von Ablagerungen an und insbesondere in dem Plasmabrenner sowie im Abgasweg möglich.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird zu der Reaktionsmischung, vorzugsweise zu wenigstens einer Precursorverbindung, ein reaktionsbegleitendes, insbesondere inertes, Additiv hinzugegeben, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die folgendes umfasst: Gas, insbesondere Stickstoff, Sauerstoff, vorzugsweise Überschuss-Sauerstoff, ein Edelgas, insbesondere Argon, Wasserstoff, sowie Mischungen der vorgenannten Substanzen.
  • Ferner ist es erfindungsgemäß vorgesehen, zu der Reaktionsmischung, vorzugsweise zu wenigstens einer Precursorverbindung, ein wenigstens ein reaktives Additiv, vorzugsweise SF6 oder CF4, hinzuzugeben.
  • Durch den Einsatz solcher Additive ist es möglich, gezielt Einfluß, beispielsweise auf die Reaktionsgeschwindigkeit innerhalb des Plasmas (z. B. Effect of argon and hydrogen an deposition of silicon from SiCl4 in cold plasmas, Manory et al. Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol 54, 1986)) oderdie Abscheiderate der Reaktionsmischung an dem Substrat zu nehmen, diese beispielsweise zu erhöhen. Ferner ist es erfindungsgemäß möglich, Defektzentren bzw. Defektstellen in dem abgeschiedenen Glas zu heilen, d. h. mit glasbildenden Substanzen zu füllen und auf diese Weise die Defektstellen zu beseitigen.
  • Ferner kann das erfindungsgemäß hergestellte Glas dadurch optimiert werden, dass zumindest eine Precursorverbindung und/oder zumindest ein Additiv direkt in das Plasma zuzugeben. Ferner kann darüber hinaus zur gezielten Eigenschaftsanpassung des Glases alternativ oder kumulativ zumindest eine Precursorverbindung und/oder zumindest ein Additiv außerhalb einer Reaktionszone, insbesondere außerhalb des Plasmas, nämlich vorzugsweise stromaufwärts oder alternativ stromabwärts bezüglich der Reaktionszone, insbesondere des Plasmas, zugegeben werden. Diese Ausführungsform birgt den Vorteil, dass in Abhängigkeit einer Precursorverbindung oder eines Additivs bei einer Zugabe stromaufwärts des Plasmas die Reaktionszeit der Substanzen innerhalb des Plasmas verlängert und damit vervollständigt werden kann. Bei einer Zugabe stromabwärts des Plasmas ist es hingegen möglich, eine Reaktionszeit einer Precursorverbindung und/oder eines Additivs mit den glasbildenden Substanzen zu verkürzen. Die Angabe „stromabwärts des Plasmas” bezieht sich im Rahmen dieser Offenbarung auf einen Bereich zwischen einem Bereich maximaler Plasmatemperatur und Substrat. Die Angabe „stromaufwärts des Plasmas” bezieht sich dem gegenüber auf einen Bereich, der sich von einer Plasmazone in Richtung einer Plasmagaszuführleitung erstreckt und der sich bezüglich einer Plasmaflamme im Wesentlichen auf der der stromabwärtigen Seite des Plasmas entgegengesetzten Seite befindet.
  • Des Weiteren ist es erfindungsgemäß möglich, Precursorverbindung(en) und/oder Additiv(e) bereits vorgemischt zu der Reaktionszone, insbesondere dem Plasma, zuzugeben. Als Reaktionszone ist im Rahmen dieser Erfindung der Bereich innerhalb und außerhalb des Plasmas, respektive der Plasmaflamme, zu verstehen, innerhalb dessen Reaktionen der glasbildenden Komponenten auftreten.
  • Die Zugabe vorgemischter Precursorverbindung(en) und/oder Additiv(en) weist den Vorteil auf, dass eine Vermischung der zugegebenen Substanzen in der Plasmaflamme, respektive in der Reaktionszone, nicht mehr notwendig ist, sondern unmittelbar eine einheitliche und gegebenenfalls schnellere Reaktion der bereits vorvermischten Substanzen zur Erzeugung eines homogenen Glasprodukts stattfinden kann.
  • Des Weiteren ist es jedoch auch möglich, Precursorverbindung(en) und/oder Additiv(e) über unterschiedliche Zuleitungen, beispielsweise Düsen, zu der Reaktionszone und/oder zu dem Plasma zuzugeben. Auf diese Weise können gezielt Gradienten innerhalb des Plasmas bzw. der Reaktionszone und somit auch im auf diese Weise hergestellten Glas erzeugt werden, wobei eine, insbesondere graduelle, Abscheidung von glasbildenden Substanzen an dem Substrat durchgeführt werden kann.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung sind die unterschiedlichen Zuleitungen räumlich getrennt und vorzugsweise beabstandet. Auf diese Weise ist es möglich, über die Reaktionszone hinweg, wie vorerwähnt, einen Gradienten zu erzeugen und ferner zu verhindern, dass reaktive Substanzen, insbesondere miteinander reaktive Precursorverbindung(en) und/oder Additiv(e), wie beispielsweise SF6, bereits im Vorfeld, d. h. beispielsweise außerhalb oder unmittelbar in der Reaktionszone in unerwünschter Weise reagieren.
  • Das Substrat ist erfindungsgemäß ein Glasstab, ein Glasrohr, ein SiC-Stab oder ein Graphitstab. Ebenfalls in Betracht kommt eine, insbesondere rohr- oder stabförmige, Keramik, wobei insbesondere ein Substrat zur Durchführung eines INGOT-Verfahrens vom Umfang der Erfindung umfasst ist.
  • Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es möglich, sukzessiv dünne Glasschichten auf das Substrat aufzutragen, die, in Abhängigkeit der Zusammensetzung der glasbildenden Komponenten, eine jeweils gleiche chemische Zusammensetzung besitzen. Alternativ ist eine Abscheidung von dünnen Glasschichten mit jeweils unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung erfindungsgemäß möglich.
  • Ferner wird im Zuge des erfindungsgemäßen Glasherstellungsverfahrens wenigstens eine Glasschicht mit während der Herstellung der Glasschicht variabler chemischer Zusammensetzung auf das Substrat aufgetragen. Es sei betont, dass sich bei einem erfindungsgemäß hergestellten Glas Glasschichten gleicher chemischer Zusammensetzung mit solchen unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung und mit solchen, welche einen Gradienten hinsichtlich ihrer Zusammensetzung aufweisen, abwechseln und die Glasschichten miteinander kombiniert werden können, um gezielt bestimmte Eigenschaften, wie beispielsweise Brechzahl, Fluoreszenz, numerische Apertur sowie gewünschte optische Fenster einzustellen.
  • Hinsichtlich des INGOT-Verfahrens kann die Schichtabscheidung also – je nach gewünschtem Erzeugnis – in radialer oder axialer Richtung erfolgen. Erfindungsgemäß können diese Verfahren sowohl in beliebiger zeitlicher Abfolge als auch parallel durchgeführt werden.
  • Die erfindungsgemäß einsetzbaren Precursorverbindungen weisen neben wenigstens einem organischen Rest Elemente wie Wasserstoff (H), Deuterium (D), Halogene oder funktionelle Gruppen wie OH, OOH, NH2, NH und/oder SH als Substituenten auf. Diese Substituenten können in einer Precursorverbindung im Wesentlichen identisch sein, wobei gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform zumindest ein organischer Rest vorhanden ist. Precursorverbindungen mit mehr als einem, gegebenenfalls unterschiedlichen, organischen Rest fallen ebenso in den Umfang der Erfindung.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform können erfindungsgemäß flüssige oder feste Precursorverbindung(en) und/oder Additiv(e) verwendet werden; diese flüssigen oder festen Precursorverbindung(en) und/oder Additiv(e) werden vorzugsweise mittels eines Trägergases und/oder mittels einer Trägerflüssigkeit in die Reaktionszone eingebracht. Eine Einbringung unmittelbar in das Plasma ist hierbei ebenso möglich wie eine Einbringung oberhalb, d. h. stromabwärts, der Plasmaflamme.
  • Darüber hinaus ist es möglich, außerhalb der Reaktionszone wenigstens einen Gas- und/oder Flüssigkeitsvorhang zu erzeugen, der aus wenigstens einem Gas wie beispielsweise Ozon, O2, N2, oder Gemischen der genannten Substanzen mit einem definierten Wassergehalt besteht, wobei gasbeladenes Wasser verwendet wird. In vorteilhafter Weise kann das erfindungsgemäße Glas auf diese Weise mit oder in einer Art künstlichen Atmosphäre hergestellt werden innerhalb der sich ein Teil oder die gesamte Reaktionszone, insbesondere die Plasmaflamme, und, sofern gewünscht, das Substrat befindet.
  • Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es möglich, Glas mit gleichbleibend hoher Qualität bei deutlich reduzierten Kosten zu produzieren, da es aufgrund der erfindungsgemäß vorgesehenen Verwendung mehrerer Silizium-Precursorverbindungen möglich ist, halogenhaltige Siliziumverbindungen, wie SiCl4, nur in einem verminderten Maß zuzugeben, so dass ein Anteil von Chlor in einem Reaktionsabgas im Vergleich zur Verwendung von reinem Siliziumtetrachlorid gemäß dem Stand der Technik deutlich reduziert ist, was umweltrelevante und anlagentechnische Vorteile, beispielsweise im Hinblick auf chlorgasbedingte Korrosion, mit sich bringt.
  • Ein weiterer erheblicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht in der Zugabe weiterer Dotier-Precursorverbindungen, die, mit Ausnahme von Fluordonoren, bislang nicht als Dotanten eingesetzt wurden. Durch die Zugabe von Dotierungsreagenzien, wie z. B. von Germanium-, Aluminium-, Bor-, Titan-, Phosphor oder f-Element-Verbindungen, können die gewünschten Eigenschaften wie Brechzahl, Fluoreszenz, numerische Apertur sowie weitere gewünschte Eigenschaften präzise eingestellt werden, wobei das erfindungsgemäß hergestellte Glas in idealer Weise einen geringen oder einstellbar erhöhten Hydroxid- und einen geringen bis gar keinen Chlorgehalt sowie wenige bis gar keine Sauerstoffdefektzellen und Kompaktierungszonen aufweist.
  • Die Auswahl der geeigneten Precursorverbindungen spielt bei der Erzielung einer optimalen Glasqualität eine wichtige Rolle. Hierbei hat sich gezeigt, dass monomere Siliziumverbindungen in vorteilhafter Weise zu weniger Kompaktierungsstellen führen. Des weiteren hat die Verwendung von Polymeren, wie beispielsweise Siloxanen, einen positiven Einfluss auf einen niedrigen Chlorgehalt des hergestellten Glases, da diese zum einen kein Chlor enthalten und darüber hinaus im Rahmen der Verarbeitung und Entsorgung umweltverträglicher und leichter zu handhaben sind. Die Verwendung monomerer Siloxanverbindungen weist hierbei gegenüber der Verwendung von polymeren Siloxanverbindungen den weiteren Vorteil auf, dass die monomeren Siloxanverbindungen eine höhere Reaktivität als die polymeren Siloxane haben; letzteres lässt sich jedoch in vorteilhafter Weise zur Steuerung der Reaktionskinetik nutzen.
  • Als Precursorverbindungen werden üblicherweise metallorganische Verbindungen mit wenigstens einem Zentralatom M gemäß der nachstehenden allgemeinen Formel verwendet, wobei zumindest ein Rest R wenigstens einer als Precursorverbindung eingesetzten Elementverbindungen mit Koordinationszahl ≥ 3 eine organische Komponente enthalten muss. Es können mehrere unterschiedliche Precursorverbindungen eingesetzt werden. Lediglich eine von diesen muss einen organischen Rest enthalten.
    allgemeine Formel: Mi(b)Rc(d) wobei
    • M
    = elektropositives Element (z. B. Si, Ge, Al, Sn, Ta, Nb, La, Eu, Ce, Gd, Lu, Ti, B, Na, Ca, Mg, K, ... etc.)
    R
    = Rest (z. B. Alkyl, Alkoxy, Aryl, Thionyl, Halogen, NRH, NRR', NO3, H, OH, NH2 ... etc.)
    b
    = Art des elektropositiven Elements mit i = Anzahl 1, 2, 3 ... [a, b > 0]
    d
    = Art des elektronegativen Elements, respektive Rests, mit c = Anzahl 1, 2, 3 ... [c, d > 0]
  • Erfindungsgemäß wird für M üblicherweise Silizium verwendet. Diese Verbindungen enthalten in der Regel neben wenigstens einem Siliziumatom zumindest einen Rest, der eines oder mehrere der Elemente Kohlenstoff (C), Sauerstoff (O), Stickstoff (N) und Phosphor (P) in variablen stöchiometrischen Verhältnissen enthält. Neben diesen Elementen sind ebenfalls weitere Elemente, nämlich Wasserstoff (H), Chlor (Cl), Fluor (F), Bor (B), Schwefel (S), etc. sowie zusätzliche Kationen, wie Na, K, La, Eu, Lu, Yb, Sm, Ac, Nb, Th, etc. erfindungsgemäß einsetzbar, wenn die Precursorverbindungen über entsprechende Funktionalitäten verfügen. Die organischen Reste sind zumeist über polarisierte kovalente Bindungen mit dem zentralen Siliziumatom verbunden, können aber auch mit dem Zentralteilchen über Komplexbindungen und/oder Ionenbindung aggregiert sein. Typische organische Reste sind Alkyl, Alkoxyl, Olefin/Heteroolefin und (Hetero-)arylreste, Ketimine, die über den Kohlenstoff, Sauerstoff, Stickstoff oder Schwefel etc. eine polarisierte kovalente Bindung eingehen.
  • Die weiteren Koordinationsstellen des zentralen Teilchens können, müssen aber nicht, über weitere organische Reste verfügen, welche ihrerseits über weitere funktionelle Gruppen verfügen können, aber nicht identisch zueinander sein müssen. Möglich sind ebenfalls einfache Verbindungen zu einem weiteren Zentralteilchen oder Cluster(n) [(Z-Z), (Z=Z) etc.] und/oder zu einfachen Elementverbindungen wie Halogen (Cl, F, Br, I), Pseudohalogenen (CN, CO3 SCN, OCN etc) und/oder funktionellen Gruppen wie OH, SH, NH2, NRH, NRR', OOH, NO3, NO2, SO2, SO3, etc. bzw. Lösungsmittelmolekülen und/oder Strukturelementen wie Z-N-Z, Z-O-Z, Z(CeHf)g-Z, Z-CN-Z, sowie deren Kombination. Jegliche Kombinationen der einzelnen Verbindungen sind vom Umfang der Erfindung umfasst.
  • Die Anzahl der Zentralatome M pro Precursormolekül beträgt mindestens eins. Bei Verwendung von mehreren Precursorverbindungen muss mindestens eine solche Precursorverbindung Silizium in Form von SiCl4 enthalten. Die Precursorverbindungen können cyclische oder acyclische Strukturelemente aufweisen. Auch Kombinationen aus verschieden aufgebauten Precursorverbindungen sind möglich.
  • Zur Herstellung des erfindungsgemäßen Glases ist es ferner möglich verschiedenartige Siliziumverbindungen in variablen stöchiometrischen Verhältnissen, gegebenenfalls unter Zusatz von Additiven, einzusetzen. Hierdurch ist es in wirtschaftlicher Weise möglich, eine gleichbleibend hohe Glasqualität bei gleichzeitiger Variabilität der eingesetzten Verbindungen zu gewährleisten, was den maßgeblichen Vorteil mit sich bringt, dass die Rohstoffprodukte zu jeweils günstigen Marktpreisen beschafft und verarbeitet werden können.
  • In diesem Zusammenhang sei erwähnt, dass, je nach Qualitätsanforderung an das herzustellende Glas, erfindungsgemäß anteilig Siliziumtetrachlorid, verwendet werden kann. Die Verwendung dieser Precursorverbindung stellt eine äußerst preiswerte Variante dar und ist zur Herstellung des erfindungsgemäßen Glases gut geeignet. Alternativ ist es vorgesehen, chlorid- bzw. halogenfreie Precursorverbindungen, wie beispielsweise Octamethylcyclotetrasilan (OMCTS), Tetraethoxysilan (TEOS) oder Hexamethyldisilan (HMDS) zu verwenden. Durch die Vermeidung von Halogenen in der Reaktionsmischung ist es möglich, eine optimierte Glasqualität unter Vermeidung unerwünschter Fluoreszenz sowie mit einer optimal geordneten Glasstruktur und in vorteilhafter Weise auch minimierten Entsorgungskosten zur Verfügung zu stellen. Durch die erfindungsgemäß variablen Stoffmengenverhältnisse der eingesetzten Substanzen ist es in vorteilhafter Weise möglich, gezielt Glas gemäß bestimmten vorgegebenen Spezifikationen mit exakt definierten Eigenschaften zu erzeugen.
  • Ein weiterer Vorteil der vorerwähnten Gaszufuhr von unten, d. h. stromaufwärts der Plasmaflamme, liegt in der Möglichkeit, besser auf die chemischen Reaktionen eingehen und unmittelbar in den Glasherstellungsprozess eingreifen zu können.
  • Durch die SiCl4-Zufuhr von der Unterseite des Brenners kann somit im ersten Schritt aus SiCl4 und O2 zunächst feinverteilter Soot gebildet werden, der aufgrund seiner hohen Oberfläche schnell mit geeigneten F-Donoren reagieren kann.
  • Somit bietet zusammenfassend das erfindungsgemäße Glas, respektive das zu seiner Herstellung verwendete Verfahren zur Erzeugung von Siliziumdioxid enthaltendem Glas und/oder Kompositwerkstoffen für optische Anwendungen der allgemeinen Summenformel mittels HF-Plasma aus wenigstens einer (metall)organischen Precursorverbindung(en) in hochpräziser Zusammensetzung, Reinheit und Güte folgende Vorteile gegenüber dem Stand der Technik, insbesondere den eingangs aufgeführten Druckschriften:
    • 1. Die Möglichkeit, mehrere Silizium-Precursorverbindungen in variablem stöchiometrischem Verhältnis zu verwenden. Durch die hohe Variabilität der Siliziumverbindungen kann je nach Anforderung an den OH-Gehalt, den Chlorgehalt, die Anzahl der Defektstellen etc. die Rohstoffzusammensetzung variiert und so eine hohe Wirtschaftlichkeit bei gleichzeitiger Reduktion von umweltschädlichen Abgasen (wie z. B. Chlor) auf ein unbedingt notwendiges Minimum reduziert werden.
    • 2. Die Möglichkeit, die optischen Eigenschaften des Glases wie z. B. Brechzahl, numerische Apertur, Fluoreszenz etc. durch entsprechende Dotierungen (wie mit Al, Ge, B, F etc.) gezielt einzustellen.
    • 3. Die Möglichkeit der Zugabe von inerten und/oder reaktiven Additiven wie z. B. Ozon und/oder Helium, die einen Einfluss auf die Anzahl der Defektstellen haben.
    • 4. Die Möglichkeit, durch das Plasma hindurch einzelne Precursorverbindungen oder Precursorverbindungsgemische in den Reaktionsablauf einzuführen, ist ebenfalls ein Charakteristikum, welches eine bedeutende Verbesserung gegenüber dem Stand der Technik darstellt. Durch diese Möglichkeit kann auf chemische Folgereaktionen A -> B -> C besser eingegangen werden, da zunächst innerhalb des Plasmas die Reaktion von A -> B stattfinden kann und anschließend erst C zugegeben wird. Durch die zeitliche Anpassung können sich deutlich bessere Ergebnisse erzielen lassen.
    • 5. Ein weiterer wichtiger erfindungsgemäßer Beitrag zur Verfahrensoptimierung besteht darin, dass sich feste Precursorverbindungen (z. B. SiO2) mittels Gas und/oder Flüssigkeitsstrom direkt an dem Glasherstellungsprozess beteiligen können.
  • Weitere Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Zusammenfassend stellen sich die Merkmale somit wie folgt dar:
    • 1. Wenigstens eine Precursorverbindung enthält zumindest ein Siliziumatom, wobei es sich hierbei um die Precursorverbindung SiCl4 handelt.
    • 2. Wenigstens eine Precursorverbindung enthält eine organische Komponente.
    • 3. Es können mehrere Precursorverbindungen eingesetzt werden, die unterschiedliche elektropositive Elemente besitzen. Ein elektropositives Element muss Silizium sein.
    • 4. Es können mehrere Precursorverbindungen eingesetzt werden, von welchen wenigsten zwei das gleiche elektropositive Element besitzen. Ein elektropositives Element einer Precursorverbindung muss Silizium sein.
    • 5. Eine Kombination von Verbindungen gemäß den Punkten 3 und 4 ist erfindungsgemäß möglich.
    • 6. In wenigstens einer Precursorverbindung können unterschiedliche elektropositive Elemente vorhanden sein.
    • 7. Eine Kombination von Verbindungen gemäß den Punkten 4 und 5, oder 5 und 6 oder 4, 5 und 6 ist möglich.
    • 8. Wenigstens eine Precursorverbindung umfasst einen organischen Rest.
    • 9. Wenigstens eine Precursorverbindung kann mehrere gleiche organische Reste aufweisen.
    • 10. Wenigstens ein Precursor kann mehrere unterschiedliche organische Reste aufweisen.
    • 11. Mehrere Precursorverbindungen können über gleiche organische Reste verfügen.
    • 12. Mehrere Precursorverbindungen können über unterschiedliche organische Reste verfügen.
    • 13. Eine beliebige Kombination von Verbindungen gemäß den Punkten 9 bis 12 ist möglich.
    • 14. Zu der/den Precursorverbindung(en) kann im Verlauf der Prozessführung wenigstens ein reaktionsbegleitendes Additiv (z. B. Gase wie Stickstoff, Sauerstoff, vorzugsweise Überschusssauerstoff, Wasserstoff, ein Edelgas, insbesondere Argon) hinzugegeben werden.
    • 15. Zu der/den Precursorverbindung(en) kann im Verlauf der Prozessführung wenigstens ein reaktives Additiv, nämlich ein f-Donor, vorzugsweise SF6, hinzugegeben werden.
    • 16. Eine Kombination gemäß den Punkten 14 und 15 ist möglich.
    • 17. Es kann ein permanentes Hochfrequenzplasma verwendet werden.
    • 18. Es kann ein gepulstes Hochfrequenzplasma verwendet werden.
    • 19. Die Pulsfrequenz gemäß Punkt 18 kann während der einzelnen Verfahrensschritte konstant gehalten werden.
    • 20. Die Pulsfrequenz gemäß Punkt 18 kann während der einzelnen Verfahrensschritte variiert werden.
    • 21. In einzelnen Verfahrensschritten können Punkt 19 und/oder Punkt 20 zum tragen kommen.
    • 22. Wenigstens eine Precursorverbindung kann direkt in das Plasma zugeführt werden.
    • 23. Wenigstens eine Precursorverbindung kann außerhalb des Plasmas zugegeben werden.
    • 24. Wenigstens ein Additiv kann direkt in das Plasma zugeführt werden.
    • 25. Wenigstens ein Additiv kann außerhalb des Plasmas zugeführt werden.
    • 26. Eine beliebige Kombination gemäß den Punkten 22 bis 24 und/oder 25 ist möglich.
    • 27. Wenigstens eine Precursorverbindung kann über eine separate Zufuhr der Reaktionsführung zugegeben werden.
    • 28. Wenigstens zwei Precursorverbindungen können zuvor im geeigneten Verhältnis gemischt und anschließend gemeinsam zur Reaktionsmischung hinzugefügt werden.
    • 29. Wenigstens ein Additiv kann über eine separate Zufuhr der Reaktionsmischung zugegeben werden.
    • 30. Wenigstens zwei Additive können zuvor in geeignetem Verhältnis gemischt und anschließend gemeinsam zur Reaktionsmischung hinzugefügt werden.
    • 31. Die Reaktionsführung kann mit einer beliebigen Kombination gemäß den Punkten 27 bis 29 und/oder 30 durchgeführt werden.
    • 32. Mittels Plasmatechnologie können sukzessiv dünne Glasschichten auf ein Substrat (z. B. einen Glasstab, ein Glasrohr, Graphitstab, Keramik, etc.) aufgetragen werden, die eine gleiche chemische Zusammensetzung besitzen.
    • 33. Mittels Plasmatechnologie können sukzessiv dünne Glasschichten auf ein Substrat (z. B. einen Glasstab, ein Glasrohr, Graphit, Keramik, etc.) aufgetragen werden, deren chemische Zusammensetzung sich voneinander unterscheidet.
    • 34. Substrate gemäß den Punkten 32 und 33 sind variabel hinsichtlich Form, Größe und Material.
    • 35. Mittels Plasmatechnologie können stufenweise massive Glaskörper (wie z. B. Ingots) aufgebaut werden, deren Schichten über die gleiche chemische Zusammensetzung verfügen. Die Form und Größe des Körpers sind dabei variabel.
    • 36. Mittels Plasmatechnologie können stufenweise massive Glaskörper (wie z. B. Ingots) aufgebaut werden, deren Schichten eine unterschiedliche chemische Zusammensetzung aufweisen. Der Gradient kann dabei in Längs- und/oder Querrichtung verlaufen. Er kann ebenfalls von innen nach außen verlaufen.
    • 37. Wenigstens ein organischer Rest einer Precursorverbindung, der seinerseits über Heteroatome und/oder funktionelle Gruppen verfügen kann, aber nicht muss, kann nur über Einfachbindungen verfügen.
    • 38. Wenigstens ein organischer Rest kann über ungesättigte Strukturelemente wie zumindest eine C-C-Doppelbindung, C-C-Dreifachbindung, C-N-Doppelbindung, C-N-Dreifachbindung, C-O-Doppelbindung und/oder konjugierte Doppelbindungen verfügen, die Heteroatome wie N, S, O etc. enthalten können, aber nicht müssen. Die Anzahl und Ausdehnung der Konjugation ist nicht beschränkt. Die Reste können ebenfalls (Hetero-)Aromaten aufweisen und/oder nur aus solchen bestehen.
    • 39. Es können verschiedene organische Reste eingesetzt werden, die jeweils den Punkten 37 und/oder 38 genügen.
    • 40. In wenigstens einer Precursorverbindung können wenigstens zwei Zentralatome des gleichen elektropositiven Elements über organische Reste, die den Punkten 37 und/oder 38 genügen, miteinander verknüpft sein.
    • 41. In wenigstens einer Precursorverbindung können wenigstens zwei Zentralatome unterschiedlicher elektropositiver Elemente über organische Reste, die den Punkten 37 und/oder 38 genügen, miteinander verknüpft sein.
    • 42. In wenigstens einer Precursorverbindung können zumindest zwei Zentralatome M des gleichen elektropositiven Elements über eine Elementbrücke z. B. der Form M-O-M, M-N-M, M-P-M, M-S-M etc. miteinander verknüpft sein.
    • 43. In wenigstens einer Precursorverbindung können zumindest zwei Zentralatome (M, M') unterschiedlicher elektropositiver Elemente über eine Elementbrücke z. B. der Form M-O-M', M-N-M', M-P-M', M-S-M' etc. miteinander verknüpft sein.
    • 44. Eine beliebige Kombination gemäß den Punkten 40 bis 43 ist möglich.
    • 45. In wenigstens einer Precursorverbindung, welche einem der Punkte 40 bis 43 genügt, können die elektropositiven Elemente eine acyclische Anordnung besitzen.
    • 46. In wenigstens einer Precursorverbindung, welche einem der Punkte 40 bis 43 genügt, können die elektropositiven Elemente eine cyclische Anordnung besitzen.
    • 47. Eine Kombination gemäß den Punkten 45 und 46 kann eingesetzt werden.
    • 48. Neben wenigstens einem organischen Rest in zumindest einer Precursorverbindung, sind die übrigen Reste dieser Verbindung gleich. Bei diesen Resten kann es sich um einfache Elemente wie H, D, Halogene etc. oder um funktionelle Gruppen wie OH, OOH, NH2, NH, SH, etc. handeln. Dabei können – müssen aber nicht – den Verbindungen gemäß den Punkten 45 und/oder 46 genügen.
    • 49. Neben wenigstens einem organischen Rest in zumindest einer Precursorverbindung, sind die übrigen Reste unterschiedlich. Bei diesen Resten kann es sich um einfache Elemente wie H, D, Halogene etc. oder um funktionelle Gruppen wie OH, OOH, NH2, NH, SH, etc. handeln. Dabei können – müssen aber nicht – den Verbindungen gemäß den Punkten 45 und/oder 46 genügen.
    • 50. Zusätzlich zu wenigstens einem Siliziumorganyl, können weitere Dotiersubstanzen wie GeCl4, AlCl3, POCl3, PCl5, H3PO4, B2O3, TiCl4, BF3, BCl3, CF4, CHF3, NF3, C2F6, SiF4 bzw. Verbindungen der Elemente Ge, Al, Sn, Ta, Nb, La, EU, Ce, Gd, Lu, Ti, B, Na, Ca, Mg, K etc. verwendet werden.
    • 51. Zusätzlich zu wenigstens einem Metallorganyl (z. B. der Elemente Si, Ge, Al, Sn, Ta, Nb, La, EU, Ce, Gd, Lu, Yb, Er, Ho, Ti, B, Na, Ca, Mg, K) kann eine SiR4-Verbindung mit R = F, Cl, Br, I, CO, OH verwendet werden
    • 52. Wenigsten ein an der Reaktion teilnehmender Stoff, nämlich Precursor und/oder Additiv, kann von der Unterseite in das, respektive durch das Plasma zugegeben werden.
    • 53. Wenigstens ein an der Reaktion teilnehmender Stoff, nämlich Precursor und/oder Additiv, kann über zumindest eine separate Düse, respektive Nozzle außerhalb des Plasmas zugegeben werden.
    • 54. Wenigstens ein an der Reaktion teilnehmender Stoff, nämlich Precursor und/oder Additiv, kann von der Unterseite durch das Plasma und ein weiterer an der Reaktion teilnehmender Stoff, nämlich Precursor und/oder Additiv, kann über zumindest eine separate Nozzle außerhalb des Plasmas zugegeben werden.
    • 55. Die stöchiometrischen Verhältnisse der eingesetzten Precursorverbindungen können variiert werden. So kann beispielsweise bei Verwendung von mehreren Si-Donoren die Mischungsverhältnisse jedes Si-Precursors im Bereich 0 < x < 100 Molprozent variieren.
    • 56. Wenigstens eine feste Silizium-Precursorverbindungen, wie Polykieselsäure, SiO2 etc. kann mittels eines Gases in die Plasmaflamme eingebracht werden.
    • 57. Wenigstens eine feste Silizium-Precursorverbindungen, wie Polykieselsäure, SiO2 etc. kann mittels eines Gases in die heiße Zone oberhalb der Plasmaflamme eingebracht werden.
    • 58. Eine Kombination gemäß den Punkten 56 und 57 ist möglich.
    • 59. Wenigstens eine feste Silizium-Precursorverbindungen, wie Polykieselsäure, SiO2 etc. kann mittels einer Flüssigkeit (z. B. org. Lösungsmittel, Wasser, flüssiger Precursor) in die Plasmaflamme eingebracht werden.
    • 60. Wenigstens eine feste Silizium-Precursorverbindungen, wie Polykieselsäure, SiO2 etc. kann mittels einer Flüssigkeit (z. B. org. Lösungsmittel, Wasser, flüssiger Precursor) in die heiße Zone oberhalb der Plasmaflamme eingebracht werden.
    • 61. Eine Kombination gemäß den Punkten 59 und 60 ist möglich.
    • 62. Eine Kombination gemäß den Punkten 58 und 61 ist möglich.
    • 63. Außerhalb der Reaktionszone kann wenigstens ein Gas- und/oder Flüssigkeitsvorhang vorhanden sein, der aus Gasen wie z. B. Ozon, O2, N2, definiertem Wassergehalt (> 0 Vol%) besteht, wobei gasbeladenes Wasser verwendet wird.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher beschrieben.
  • Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel wird einer Plasmaflamme Octamethylcyclotetrasilan in einer Mischung mit Siliziumtetrachlorid zugeführt. Der Anteil von Octamethylcyclotetrasilan in der Reaktionsmischung beträgt 90 Gew.-%. Der Anteil von Siliziumtetrachlorid beträgt 10 Gew.-%. Durch den hohen Anteil von 90 Gew.-% Octamethylcyclotetrasilan in der Reaktionsmischung ist es möglich, eine optimierte Glasqualität herzustellen, wobei das auf diese Weise erzeugte Glas praktisch keine Halogeneinlagerungen und keine Fluoreszenz bei der charakteristischen Absorptionswellenlänge von Chlor, nämlich bei 330 nm, aufweist.
  • Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung wird Siliziumtetrachlorid mit einem Verhältnis von 95 Gew.-% gegenüber 5 Gew.-% Octamethylcyclotetrasilan eingesetzt. Diese erfindungsgemäße Variante ist in vorteilhafter Weise aufgrund des hohen Anteils an kostengünstigem Siliziumtetrachlorid äußerst preisgünstig. Darüber hinaus ist die Verfahrensführung durch den geringen Anteil eingesetzten Silans deutlich vereinfacht, da eine Polymerisation des Octamethylcyclotetrasilans aufgrund des geringen Anteils dieser Verbindung von lediglich 5 Gew.-% praktisch keine Rolle spielt.
  • Gemäß einem weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel werden 50 Gew.-% Siliziumtetrachlorid und 50 Gew.-% Octamethylcyclotetrasilan verwendet. Ein auf diese Weise hergestelltes Glas ist zum einen kostengünstig herstellbar und weist darüber hinaus eine gute Glasqualität mit nur geringer Fluoreszenz auf.
  • Gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel kann Siliziumtetrachlorid vollständig durch Tetraethoxysilan ersetzt werden. Dies wird mit einem Gew.-%-Anteil von 50% eingesetzt. Ein derart hergestelltes Glas weist keinerlei Halogeneinlagerung und eine äußerst geordnete gleichmäßig homogene Glasstruktur auf.
  • Gemäß einer weiteren Variante der Erfindung wird gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel neben 95 Gew.-% Siliziumtetrachlorid und 4 Gew.-% Octamethylcyclotetrasilan zusätzlich 1 Gew.-% Germaniumtetrachlorid als Dotier-Precursormaterial eingesetzt. Durch den Einsatz von Germaniumtetrachlorid kann auf einfache erfindungsgemäße Weise die Brechzahl des hergestellten Glases erhöht werden.
  • Gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird anstelle des in Beispiel 5 eingesetzten Germaniumtetrachlorids Schwefelhexafluorid verwendet. Hierdurch ist es möglich, die Brechzahl des hergestellten Glases auf einfache Weise gezielt herabzusetzen.
  • An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, dass alle oben beschriebenen Teile für sich alleine gesehen und in jeder Kombination als erfindungswesentlich beansprucht werden. Abänderungen hiervon sind dem Fachmann geläufig.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 3737292 [0003]
    • - US 4224046 [0004]
    • - US 4217027 [0005]
    • - US 4412853 [0007]
    • - US 4741747 [0008]
    • - US 5522007 [0009]
    • - US 6536240 [0010]
    • - US 2007/0169516 A1 [0010]
    • - DE 2536457 [0011]
    • - EP 401845 [0012]
    • - DE 1030291 [0012]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - Effect of argon and hydrogen an deposition of silicon from SiCl4 in cold plasmas, Manory et al. Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol 54, 1986 [0025]

Claims (9)

  1. Glas, insbesondere Glasfaser-Preform, vorzugsweise für optische Anwendungen, dadurch gekennzeichnet, dass das Glas durch eine Umsetzung wenigstens einer siliziumhaltigen Substanz und wenigstens einer gegebenenfalls von der siliziumhaltigen Substanz unterschiedlichen sauerstoffhaltigen Substanz, die zusammen eine Reaktionsmischung bilden, hergestellt ist, wobei die Reaktionsmischung unter Verwendung eines Hochfrequenzplasmas zur Bildung des Glases an einem Substrat abgeschieden ist und zumindest eine der eingesetzten Substanzen einen organischen Rest aufweist.
  2. Glas nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Glas wenigstens eine Dotiersubstanz aufweist.
  3. Glas nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als siliziumhaltige Substanz eine Silizium-Precursorverbindung, mit gegebenenfalls organischem Rest, verwendet wurde, die insbesondere aus der Gruppe ausgewählt ist, die folgendes umfasst: SiCl4, Tetraethoxysilan (TEOS), Hexamethyldisilan (HMDS) und Octamethylcyclotetrasilan (OMCTS), sowie Mischungen und Derivate der vorgenannten Substanzen.
  4. Glas nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zu der Reaktionsmischung, vorzugsweise zu wenigstens einer Precursorverbindung, ein reaktionsbegleitendes, insbesondere inertes, Additiv hinzugegeben wurde, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die folgendes umfasst: Gas, insbesondere Stickstoff, Sauerstoff, vorzugsweise Überschuss-Sauerstoff, ein Edelgas, insbesondere Argon und Wasserstoff, sowie Mischungen der vorgenannten Substanzen.
  5. Glas nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zu der Reaktionsmischung, vorzugsweise zu wenigstens einer Precursorverbindung, ein reaktives Additiv, nämlich SF6 hinzugegeben wurde.
  6. Glas nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Precursorverbindung und/oder zumindest ein Additiv direkt in das Plasma zugegeben wurden.
  7. Glas nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Precursorverbindung und/oder zumindest ein Additiv stromaufwärts oder alternativ stromabwärts bezüglich einer Reaktionszone, insbesondere des Plasmas, zugegeben wurden.
  8. Glas nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Precursorverbindung(en) und/oder Additiv(e), insbesondere miteinander reaktive Precursorverbindung(en) und/oder SF6, über unterschiedliche, insbesondere räumlich getrennte, vorzugsweise beabstandete, Zuleitungen, beispielsweise Düsen, zu der Reaktionszone, insbesondere dem Plasma, zugegeben wurden.
  9. Glas nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass außerhalb der Reaktionszone wenigstens ein Gas- und/oder Flüssigkeitsvorhang erzeugt wurde, der aus wenigstens einem Gas wie beispielsweise Ozon, O2, N2 oder deren Gemischen mit einem definierten Wassergehalt besteht, wobei gasbeladenes Wasser verwendet wurde.
DE202008017383U 2008-12-19 2008-12-19 Glas, insbesondere Glasfaser-Preform Expired - Lifetime DE202008017383U1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE202008017383U DE202008017383U1 (de) 2008-12-19 2008-12-19 Glas, insbesondere Glasfaser-Preform

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008064145 2008-12-19
DE202008017383U DE202008017383U1 (de) 2008-12-19 2008-12-19 Glas, insbesondere Glasfaser-Preform

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE202008017383U1 true DE202008017383U1 (de) 2009-08-20

Family

ID=40984345

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE202008017383U Expired - Lifetime DE202008017383U1 (de) 2008-12-19 2008-12-19 Glas, insbesondere Glasfaser-Preform
DE102009022559A Ceased DE102009022559A1 (de) 2008-12-19 2009-05-25 Verfahren zur Herstellung von Glas, insbesondere Glasfaser-Preform

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009022559A Ceased DE102009022559A1 (de) 2008-12-19 2009-05-25 Verfahren zur Herstellung von Glas, insbesondere Glasfaser-Preform

Country Status (1)

Country Link
DE (2) DE202008017383U1 (de)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1030291B (de) 1955-06-11 1958-05-22 Minimax Ag Verfahren zur Herstellung von Druckbehaeltern mit gewoelbtem Boden, insbesondere fuer Feuerloescher
US3737292A (en) 1972-01-03 1973-06-05 Corning Glass Works Method of forming optical waveguide fibers
DE2536457A1 (de) 1975-08-16 1977-02-17 Heraeus Schott Quarzschmelze Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas, vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens und verwendung des synthetischen quarzglases
US4217027A (en) 1974-02-22 1980-08-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical fiber fabrication and resulting product
US4224046A (en) 1977-08-11 1980-09-23 Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation Method for manufacturing an optical fiber preform
US4412853A (en) 1981-06-29 1983-11-01 Western Electric Company, Inc. Method of making optical waveguide fiber preform starter tubes
US4741747A (en) 1984-12-12 1988-05-03 U.S. Philips Corporation Method of fabricating optical fibers
EP0401845A2 (de) 1989-06-09 1990-12-12 Heraeus Quarzglas GmbH Optische Teile und Rohlinge aus synthetischem Siliziumdioxidglas und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5522007A (en) 1993-12-14 1996-05-28 Alcatel Fibres Optiques Method of building up an optical fiber preform by plasma deposition, and an optical fiber obtained from the preform built up by the method
US6536240B1 (en) 1998-04-10 2003-03-25 Mikhail Ivanovich Gouskov Method of making an optical fiber preform via multiple plasma depositing and sintering steps
US20070169516A1 (en) 2005-12-29 2007-07-26 Guskov Mikhail I Plasma torch for making synthetic silica

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4242375A (en) * 1972-11-25 1980-12-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for producing optical transmission fiber
GB1450123A (en) * 1973-11-27 1976-09-22 Post Office Doped vitreous silica
JPS52121341A (en) * 1976-04-06 1977-10-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Production of optical fiber base materials and production apparatus fo r the same
JPS56117206A (en) * 1980-02-22 1981-09-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical fiber and its manufacture
JPH04300218A (ja) * 1991-03-28 1992-10-23 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 希土類元素ド−プ石英ガラスの製造方法
JP2979840B2 (ja) * 1992-04-21 1999-11-15 三菱電機株式会社 フッ化物ガラスファイバー用材料の製造方法
JP3163167B2 (ja) * 1992-05-29 2001-05-08 株式会社ディーディーアイ 希土類元素ドープ石英ガラスの製造方法
ES2248961T3 (es) * 1998-12-28 2006-03-16 PIRELLI &amp; C. S.P.A. Procedimieto para la produccion de silice mediante descomposicion de un organolsilano.
US20030027055A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-06 Ball Laura J. Method and feedstock for making photomask material
JP4321362B2 (ja) * 2004-06-02 2009-08-26 住友電気工業株式会社 ガラス体の製造方法
JP2007063095A (ja) * 2005-09-01 2007-03-15 Sumitomo Electric Ind Ltd ガラス体製造方法及び光ファイバ
DE102005043289B3 (de) * 2005-09-09 2006-09-14 Heraeus Tenevo Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbzeugs für ein optisches Bauteil hoher Homogenität, zur Durchführung des Verfahrens geeigneter Rohling sowie Verwendung des Rohlings und des Halbzeugs
JP5003503B2 (ja) * 2008-01-17 2012-08-15 三菱電機株式会社 石英系ガラスの製造方法および光デバイスの製造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1030291B (de) 1955-06-11 1958-05-22 Minimax Ag Verfahren zur Herstellung von Druckbehaeltern mit gewoelbtem Boden, insbesondere fuer Feuerloescher
US3737292A (en) 1972-01-03 1973-06-05 Corning Glass Works Method of forming optical waveguide fibers
US4217027A (en) 1974-02-22 1980-08-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical fiber fabrication and resulting product
US4217027B1 (de) 1974-02-22 1986-07-15
DE2536457A1 (de) 1975-08-16 1977-02-17 Heraeus Schott Quarzschmelze Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas, vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens und verwendung des synthetischen quarzglases
US4224046A (en) 1977-08-11 1980-09-23 Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation Method for manufacturing an optical fiber preform
US4412853A (en) 1981-06-29 1983-11-01 Western Electric Company, Inc. Method of making optical waveguide fiber preform starter tubes
US4741747A (en) 1984-12-12 1988-05-03 U.S. Philips Corporation Method of fabricating optical fibers
EP0401845A2 (de) 1989-06-09 1990-12-12 Heraeus Quarzglas GmbH Optische Teile und Rohlinge aus synthetischem Siliziumdioxidglas und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5522007A (en) 1993-12-14 1996-05-28 Alcatel Fibres Optiques Method of building up an optical fiber preform by plasma deposition, and an optical fiber obtained from the preform built up by the method
US6536240B1 (en) 1998-04-10 2003-03-25 Mikhail Ivanovich Gouskov Method of making an optical fiber preform via multiple plasma depositing and sintering steps
US20070169516A1 (en) 2005-12-29 2007-07-26 Guskov Mikhail I Plasma torch for making synthetic silica

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Effect of argon and hydrogen an deposition of silicon from SiCl4 in cold plasmas, Manory et al. Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol 54, 1986

Also Published As

Publication number Publication date
DE102009022559A1 (de) 2010-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2931092C2 (de) Verfahren zum kontinuierlichen Aufbringen von glasartigem, synthetischem, mit Fluor dotiertem SiO&amp;darr;2&amp;darr;, das frei von OH-Ionen ist, auf einen Formkörper aus glasartigem, synthetischem, von OH-Ionen freiem SiO&amp;darr;2&amp;darr;
EP2791070B1 (de) Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas sowie quarzglas für den einsatz als mantelmaterial einer optischen faser
DE3105295C2 (de)
EP2782876B1 (de) Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas durch abscheidung von silicassoot aus der dampfphase auf einer unterlage
WO2005054139A1 (de) Verfahren zur herstellung von laseraktivem quarzglas und verwendung desselben
DE2615534C3 (de) Für die Nachrichtenübertragung geeignete Lichtleitfaser mit Gradientenprofil aus Mehrkomponentengläsern mit angepaßtem Ausdehnungskoeffizienten zwischen Glaskern und Glasmantel sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2835326A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines glas-rohlings fuer optische fasern
WO2013076193A1 (de) Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas nach der sootmethode
EP2782875B1 (de) Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas durch abscheidung von silicassoot aus der dampfphase auf einer unterlage
DE2507340A1 (de) Verfahren zum herstellen einer optischen glasfaser-uebertragungsleitung
DE2648702B2 (de) Infrarotdurchlässige Lichtleitfaser aus sauerstoffarmem bzw. sauerstofffreiem Glas und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10302914B4 (de) Verfahren zur Herstellung von synthetischem Quarzglas
DE102013002357A1 (de) Verfahren zur Herstellung von dotiertem Quarzglas
DE2364803C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Schmelzoxidglases mit wenigstens einem der Oxide P↓2↓O↓5↓, GeO↓2↓, TeO↓2↓, Sb↓2↓O↓3↓ durch Flammhydrolyse
EP3263533B1 (de) Seltenerdmetall-dotiertes quarzglas sowie verfahren für dessen herstellung
EP0116342B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer glasigen Vorform für Lichtwellenleiter
DE3106389C2 (de)
DE202008017383U1 (de) Glas, insbesondere Glasfaser-Preform
EP0127227B1 (de) Verfahren zur Herstellung von optischen Wellenleitern
DE102013202256B3 (de) Verfahren zur Herstellung von Titan-dotiertem synthetischen Quarzglas und dessen Verwendung
DE3518620A1 (de) Verfahren zur herstellung von lichtwellenleitergrundmaterial auf quarzglasbasis
EP0582070B1 (de) Verfahren zur Herstellung von dotiertem Glas
EP3950610A1 (de) Alternative fluorierungsmittel ii: fluosil und sootaufbau
DE2614183C3 (de) Lichtleitfaser mit Gradientenprofil des Brechungsindex, niedrigen Übertragungsverlusten, hoher Übertragungskapazität und großer Aperatur bei Verwnedung von GeO↓2↓
DE3526436A1 (de) Verfahren zur herstellung von glasfaser-lichtwellenleitern

Legal Events

Date Code Title Description
R207 Utility model specification

Effective date: 20090924

R163 Identified publications notified
R150 Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years

Effective date: 20120314

R151 Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years
R151 Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years

Effective date: 20150109

R158 Lapse of ip right after 8 years