DE2017607A1 - - Google Patents
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Description
Patentanwälte tJfpl.-lng. R- P K E T Z sen.
DIpMng* Kv UMBRECHT
.Dn-InQ.- R. EJ LI- Γ: Γ 2 Jr.
8 München Ί.% Steinsdorfstr. 10
8l-15.589P(l5.590H) '13.4.1970
HITA CH I ,LTD., T ο k i ο (Japan)
Integrierte Großschaltung
Die Erfindung betrifft eine integrierte Großschaltung, insbesondere mit mehreren Einheitszellen, nämlich deren
Leitungszüge.
Im allgemeinen hat eine integrierte Großschaltung (large
,sbale integrated circuit, entsprechend im folgenden kurz
LSI-Schaltung genannt, worunter auch integrierte Mittelschaltungen
fallen sollen) eine Anordnung von Einheitszellen, die in einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats ausgebildet
sind (jede Einheitszelle hat mehrere elektrische Elemente) und eine geeignete Anzahl von Zwischenverbindungen. Jede Einheitszelle weist eine Schaltung aus UND-Gattern,
ODER-Gattern, Flipflops oder mehrfachen Kombinationen
davon auf. Die Einheitszelle ist so aufgebaut, daß elektrische Elemente an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats
81-(POS 21ö34)-Hd-r (7)
0Q98U/122S
durch eine erste metallische Leiterschicht verbunden sind.
Die erste metallische Leiterschicht ist auf einer Isolierschicht niedergeschlagen, die die Oberfläche des Halbleitersubstrats
bedeckt.
Die Leitungszüge der Zwischenverbindungen der Einheitszellen
in der LSI-Schaltung werden grundsätzlich durch die erste metallische Leiterschicht und eine zweite metallische Leiterschicht ausgebildet, die auf einer zweiten
Isolierschicht niedergeschlagen ist, die die erste metallische
Leiterschicht bedeckt. Die Leitungszüge zwischen
diesen Einheitszellen können grob unterteilt werden in Leitungszüge für die Signalübertragung, Leitungszüge für
das Anlegen einer Versorgungsspannung und Leitungszüge zum
Erden, wobei die Leitungszüge für die Signalübertragung von der Struktur der Einheitszelle und der Art ihrer Kombination
abhängt, so daß notwendigerweise die Leitungszüge für die Signalübertragung für jede LSI-Schaltung speziell
sind. Dagegen sind die Leitungszüge für das Anlegen der Versorgungsspannung oder zur Erdung für beliebige LSI-Schaltungen
brauchbar, da derartige Leitungszüge allen
Einheitszellen gemeinsam sind, die die LSI-Schaltung bilden.
Zum Beispiel werden in einer üblichen LSI-Schaltung die Versorgungsspannungsleitungszüge aus Leitern der ersten
Schicht gebildet, die entlang den Zellen in Spaltenrichtungen angeordnet sind, während die Erdungsleitungszüge
durch Leiter der zweiten Schicht gebildet sind, die entlang der Zellen in Zeilenrichtung vorhanden sind. Diese ■
Leiter jeder Schicht sind in Serie zu einer Mäanderlinie oder mit einer Sammelleitung, die am Umfang der Anordnung
kammförmig auf der Isolierschicht vorliegt, und schließ-
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lieh, mit einem Kissen (pad) verbunden.
Bei diesen üblichen Leitungezügen sind jedoch die
Leitungszugleiter, die zu den Zeilen oder Spalten gehören, im wesentlichen in Reihe geschaltet, so daß der Widerstand der Leitungszugleiter groß wird und dadurch die
Betriebsspannungen für eine Zelle in der Nähe des Kissens
und eine Zelle in größerer Entfernung vom Kissen infolge des Spannungsabfalls am Leiter unterschiedlich sindo
Eine so aufgebaute logische Schaltung neigt also zu Störungen· Aus diesem Grund muß jeder Leitungszugleiter aus
einem Leiter hergestellt werden, der eine relativ große Fläche für die Ausbildung der ¥ersorgungsspannungs- und
Erdungsleitungszüge auf den Isolierschichten benötigt,
was die Anbringung der Signalübertragungsleitungszüge behindert·
Ferner werden die Signalübertragungsleitungszüge oft
mit einer mehrschichtigen Struktur versehen, die aus der ersten und zweiten Leiterschicht besteht. Venn die Leitungezüge
für die Versorgungsspannung und die Erdung einen
Aufbau wie oben beschrieben haben, werden die Oberflächen der ersten und zweiten Isolierschicht in feine Streifen
in Spalten- oder Zeilenrichtung unterteilt. Daher müssen die Signalübertragungsleitungszüge, die auf jeder Isolierschicht
vorhanden sind, mit diesen Richtungen zusammenfallen, weshalb der Entwurf der Signalübertragungsleitungszüge
erschwert ist. Λ
Da außerdem bei den üblichen LSI-Schaltungen die Erdungs-
oder Versorgungsspannungsleitungszüge auf der Oberfläche
der zweiten Isolierschicht ausgebildet sind, an der ein Kissen für den äußeren Anschluß hergestellt werden muß,
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verhindern die Erdungs- oder Versorgungsspannungsleitungszüge
am Rand der Anordnung die Ausbildung des Kissens an einer beliebigen Stelle, Die Lage des Kissens unterliegt
also Einschränkungen, was den Entwurf der Leitungszugverteilung ebenfalls erschwert.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine integrierte
Groß- oder LSI-Schaltung anzugeben, die einen verbesserten
Aufbau der Versorgungsspannungs- und Erdungsleitungszüge
hat, um die Unterbringung der Signalübertragungsleitungszüge
zu erleichtern. Insbesondere sollen Isolierspannungen gleichmäßig am Halbleitersubstrat und allen elektrischen
Elementen in Einheitszellen anlegbar sein. Auf diese Weise sollen Störungen weitgehend vermieden und eine
gute Wärmeabfuhr erreicht werden»
Eine integrierte Großschaltung oder LSI-Schaltung mit einem Halbleitersubstrat, mit mehreren in einer Oberfläche
des Halbleitersubstrats ausgebildeten Einheitszellen und mit auf der einen Oberfläche, des llalbleitersubstrats
zur Verbindung der Einheitszellen vorgesehenen Leitungszügen, zu denen Erdungsleitungszüge und Versorgungsspannungsleitungszüge
gehören, ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß die Erdungsleitungszüge maschenförmig
angeordnet und Teil einer ersten metallischen Leiterschicht sind, daß jede Masche der Erdungsleitungszüge einen Bereich
mit mindestens einer der Einheitszellen umgibt, und daß die Versorgungsspannungsleituegszüge maschenförmig
angeordnet sind und Hauptleiter, die Teil der an jedem Bereich vorhandenen ersten metallischen Leiterschicht
sind sowie Hilfsleiter aufweisen, die Teil einer auf der ersten metallischen Leiterschicht über eine dazwischenliegende Isolierschicht ruhenden zweiten metallischen Lei-
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terschicht sind, um die Hauptleiter zu verbinden.
Erfindungsgemäß bestehen die Signalüberträgungsleitungszüge in der Hauptsache aus der zweiten Leiterschicht,
die auf der zweiten Isolierschicht niedergeschlagen ist.
Um jedoch den Entwurf des Verlaufs der Signalübertragungsleitungszüge
an Kreuzungsstellen mit anderen Leitungszügen
zu erleichtern, ist ein Teil der Signalübertragungsleitungszüge
durch Hilfsleiter ersetzt, die vorher als Teil der ersten Leiterschicht oder diffundierter Bereiche
gebildet sind, die in einem Oberflächenabschnitt des Halbleitersubstrats
durch Eindiffundieren einer Verunreinigung hergestellt sind.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnung näher erläutert,
i£s zeigen:
Fig. 1 eine Aufsicht auf ein Ausführungsbeispiel der
erfindungsgemäßen LSI-Schaltung, teilweise aufgeschnitten;
Fig. 2 und 3 einen Querschnitt durch die LSI-Schal-
tung -von Fig. 1 entlang der Schnittlinie H-II
bzw. IH-III;
Fig. 4 das Schaltbild einer Einheitszelle gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 5 das Ersatzschaltbild der Schaltung von Fig. 4;
Fig. 6 eine Ansicht eines anderen erfindungsgemäßen
Ausführungsbeispiels, das teilweise aufgeschnitten ist; und
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Fig. 7 und 8 Teilansichten in größerem Maßstab einer
erfindungsgemäßen LSI-Schaltung, um den Aufbau
von Signalübertragungsleitungszügen bei dieser Schaltung zu zeigen.
Fig. 1 zeigt die Oberfläche einer LSI-Schaltung gemäß
einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei die Signalübertragungsleitjngszüge
und ein Teil der zweiten Isolierschicht zur Erläuterung der gegenseitigen Anordnung der
Einheitszelle, der Versorgungsspannungsleitungszüge und
der Erdungsleitungszüge entfernt sind. In Fig. 1 sind zu
sehen: ein Halbleitersubstrat 10, zum Beiuspiel ein p-Si-Iizium-Substrat,
Bereiche 20 a - 20 f in der Oberfläche des Substrats, in denen Einheitszellen gebildet sind, Erdungslei
tungs züge 31 ι die Teil einer ersten Leiterschicht sind, Versorgungsspannungsleitungszüge 32, die ebenfalls
Teil der ersten Leiterschicht und von den Erdungsleitungszügen
31 getrennt sind, sowie Leiter 33» die aus einer zweiten Leiterschicht gebildet sind und die Versorgungsspannungsleitungszüge
32 untereinander verbinden.
Die erste Leiterschicht besteht zum Beispiel aus Aluminium,
Molybdän, Chrom, Titan, Tantal oder einer Legierung dieser Metalle -mit Gold oder Silber und befindet sich
auf der ersten Isolierschicht 11 3 die beispielsweise aus
SiOp besteht, die das Halbleitersubstrat 10 bedeckt, wie
Fig. 2 zu erkennen gibt. Die Erdungsleitungszüge 31 sind
an Randabschnitten zwischen den Einheitszellenbereichen
20 a - 2Of insgesamt maschenförmig vorhanden. Der Hauptteil
der Versorgungsspannungsleitungszüge 32 befindet sich
am Umfang der Oberfläche jeder Einheitszelle.
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Die zweite. Leiterschicht besteht aus einem Werkstoff,
der aus den gleichen Werkstoffen wie die erste Leiterschicht
gewählt werden kann, und befindet sich auf der zweiten Isolierschicht 12, zum Beispiel aus SiO , die
zum Beispiel durch thermische Zersetzung von organischem
Oxyeilan, einer Nitridschicht wie Trisiliziumtetranitridschicht, hergestellt durch Umsetzen eines Stickstoffnitrids
wie Ammoniak mit Silan, oder eine Glasschicht gebildet
wird, die die erste Leiterschicht gemäß Fig. 3 bedeckt«
Erfindung^gemäß verbinden die Leiter 33 der zweiten
Leiterechicht die Versorgungsspannungsleitungszüge 32 über
Löcher 12 a in der zwei ten Lederschicht 12, um den Versorgungsspannung«1eitungszügen
32 eine Maschenstruktur zu geben, so daß jeweils eine Masche eine der Einheitszellen
umgibt. Es kann also ein beträchtlicher Platz zwischen den Einheitszellen für die Signalübertragungsleitungszüge gewährleistet
werden, da die VersorgungsspannungsleitungszUge aus der ersten Leiterschicht bestehen und durch die
Leiter 33 der zweiten Leiterschicht verbunden sind, so daß die auf dfer zweiten Isolierschicht 12 von den Versorgungespannungsleitungszügen
eingenommenen Fläche klein ist. Da insbesondere die Versorgungsspannungsleitungszüge
der zweiten Schicht bei der obigen Leitungszügestruktur
auf der zweiten Isolierschicht 12 verteilt sind, sind die Signalübertragungsleitungszüge nicht auf eine bestimmte
Richtung, zum Beispiel Zeilen- oder Spaltenrichtung, festgelegt. Die Signalübertragungsleitungszüge können also sowohl
in Zeilen- als auch Spaltenrichtung auf der zweiten Isolierschicht 12 angeordnet werden, so daß die Zahl der
Freiheitsgrade für den Entwurf des Leitungszugmusters erhöht
wird.
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Das Merkmal, daß die Erdungsleitungszüge auf der
ersten Leiterschicht am Rand der einzelnen Einheitszellen
ausgebildet sind, hat folgende Bedeutung; Im allgemeinen sollte in einer integrierten Halbleiterschaltung
ein Teil des Erdungsleiters 31 mit dem p-Halbleitersubstrat
10 über Löcher 31 a in der ereten Isolierschicht wie gemäß Fig. 2 verbunden sein, um jeden pn-übergang 15
zwischen jedem η-Bereich 14, in dem ein elektrisches Element
ausgebildet ist, und dem p-Substrat 10 entgegengesetzt
vorzuspannen, damit die elektrischen Elemente voneinander isoliert sind· Wenn erfindungsgemäß der Erdungsleiter so angeordnet wird, daß er die einzelnen Einheitszellen
umgibt, kann eine Isolierspannung 'gleichmäßig an den elektrischen Elementen angelegt werden» Ferner führt
der großmaschige Erdungsleiter wegen seiner guten Wärmeleitfähigkeit
wirksam Wärme vom Substrat ab, -so daß eine unzulässige Temperaturerhöhung der LSI-Schaltung und damit
Störungen der elektrischen Elemente verhindert werden.
Fig. k zeigt das Schaltbild der Einheitszelle der LSI-Schaltung
von Fig. 1, wobei Transistoren T , Tg ..., T_
und Widerstände R , R^ ···, Rs zu sehen sind. Die Schaltung
hat ein Paar UND-Gatter 21 und 22 mit zwei Eingängen, ein ODER-Gatter 23, einen Negator Zk, wie das Ersatzschaltbild
in Fig. 5 zeigt, schließlich Eingangsanschlüsse A, B, C und D, einen Ausgangsanschluß X, einen Versorgungsspannungsanschluß
V und Erdungsanschlüsse G, Diese Einheitszellen können durch bekannte Verunreinigungsdiffusionsverfahren
und Photowiderstandsverfahren im Oberflächenteil
des Ilalbleitersubstrats hergestellt werden.
Da die Einheitszellen, die die LSI-Schaltung bilden,
bei der die Erfindung angewendet wird, keinen besonderen
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baulichen oder funktioneilen Beschränkungen unterliegen,
braucht nicht die Schaltung von Fig. h für die Einheitszellen
vorgesehen zu sein. ■
Fig. 6 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung,
wobei ein Bereich 2O1 zwei Einheitszellen 20 g
und 20 g1 hat, die als eine Einheit betrachtet werden,
und wobei der Erdungsdraht 31 so ausgebildet ist, daß jeder Bereich 20· jeweils eine Masche bildet, während
die Versorgungsspannungsleitungszüge 32 an einem Teil des Umfangsabschnitts der Fläche, die -von jeder Masche
des Erdungsdrahts 31 umgeben ist, und an dem Grenzabschnitt
zwischen den Einheitszellen. 20 g und 20 g1 vorhanden
sind,
Fig. 7 zeigt eine Abwandlung des Ausführungsbeispiels
von Fig. 6, wobei ein Hilfsleiter 34, der Teil der ersten
Leiterschicht ist, am Umfang jedes Bereichs 20' vorhanden ist, der die Einheitszellen 20 g und 20 g1 enthält. Der
Hilfsleiter Jh wird in der Hauptsache als Signalübertragungsleitungszug
benutzt, wie Fig. 8 ergibt. Der Hilfsleiter Jh wird gleichzeitig mit den Erdungsleitungszügen
31 und den Versorgungsspannurg sleitungszügen 32 hergestellt,
daß mehrere derartige Hilfsleiter miteinander' gekoppelt sind. Der Hilfsleiter Jh wird jedoch geeignet unterteilt,
entsprechend den Signalübertragungsleitungszügen abgetragen und dann mit der zweiten Isolierschicht
bedeckt. Die SignalübertragungsleitungszUge 35» die Teil der zweiten Leiterschicht sind, werden zwischen den Anschlüssen
A, B, G, D und X der Einheitszelle und dem Hilfsleiter- oder zwischen den Anschlüssen der Einheitszelle hergestellt,
um eine vorbestimmte Signalübertragung durch Verwendung des Hilfsleiters Jh zu erreichen, der unter der
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zweiten Isolierschicht 12 eingebettet ist. In Fig. 8 ist
ferner mit 36 ein Teil des zweiten Leiters bezeichnet,
der den Erdungsanschluß G mit den Erdungsleitungszügen
31 verbindet.
Wenn ein Hilfsleiter, der Teil des Metalls der ersten Leiterschicht wie oben erläutert ist, verwendet wird, wird
der Entwurf des Leitungszugmusters, das die zweite Leiterschicht
verwendet, sehr erleichtert, da die Überkreuzungsleitungszüge zwischen den Signalübertragungsleitungen
oder zwischen den Signalübertragungsleitungszügen und den Versorgungsspannungs- oder Erdungsleitungszügen frei ausgebildet
werden können. Der Hilfsleiter kann durch Halbleiterbereiche ersetzt werden, die durch Diffusion einer
Verunreinigung in das Halbleitersubstrat mit erforderlicher hoher Konzentration hergestellt werden. Da im Gegensatz
zum Metalleiter der Halbleiterdiffusionsbereich nach
seiner Herstellung unmöglich teilweise entfernt werden kann, sollten in diesem Fall die Halbleiterdiffusionsbereiche
isoliert gefertigt werden.
Aus der obigen Beschreibung geht hervor, daß die Erfindung die Herstellung der Signalübertragungsleitungszüge
in einer LSI-Schaltung sehr erleichtert, indem die Erdungs- und Versorgungsspannungsleitungszüge eine neue
Struktur bekommen. Da ferner die auf der zweiten Isolierschicht von den Versorgungsspannmigsleitungszügen eingenommene
Fläche sehr klein und verstreut ist, können, obwohl nicht in der Zeichnung abgebildet, Verbindung skissen
an beliebigen Stellen des Umfangsabschnitts der Anordnung angebracht werden. Die Erfindung ist zwar anhand einer
LSI-Schaltung mit erster und zweiter Leiterschicht erläu-
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tert worden, sie kann jedoch auch bei stärker integrierten
LSI-Schaltungen angewendet werden, die zusätzliche '
Leiterschichten aufweisen.
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Claims (2)
- Patentansprücher "\ J Integrierte Großschaltung mit einem Halbleitersubstrat, mit mehreren in einer Oberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildeten Einheitszellen und mit auf der einen Oberfläche des Halbleitersubstrats zur Verbindung der Einheitszellen vorgesehenen Leitungszügen, zu denen Erdungsleitungszüge und Versorgungsspannungsleitungszüge gehören, dadurch- gekennzeichnet, daß die Erdungsleitungszüge (3Ό maschenförmig angeordnet und Teil einer ersten metallischen Leiterschicht sind, daß jede Masche der Erdungsleitungszüge einen Bereich (20 a - 20 f) 20·) mit mindestens einer der Einheitszellen umgibt, und daß die Versorgungsspannungsleitungszüge (32) maschenförmig angeordnet sind und Hauptleiter, die Teil der an jedem Bereich vorhandenen ersten metallischen Leiterschicht sind* sowie Hilf slei.ter . (33) aufweisen, die Teil einer auf der ersten metallischen Leiterschicht über eine dazwischenliegende Isolierschicht (11) ruhenden zweiten metallischen Leiterschicht sind, um die Hauptleiter zu verbinden (Fig. 1 - 3j 6, 7).
- 2. Integrierte Großschaltung nach Anspruch 1, wobei zu den Leitungszügen Signalübertragungsleitungszüge gehören, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalübertragungsleitungszüge Teil der ersten metallischen Leiterschicht (3^)» die am Umfang der Einheitszelle jedes Bereichs (20') ausgebildet ist, und Teil der zweiten metallischen Leiterschicht (35) auf der Isolierschicht (11) sind (Fig. 7, 8).9844/1226Lee r s e i t e
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP44028982A JPS492798B1 (de) | 1969-04-16 | 1969-04-16 |
Publications (1)
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ID=12263607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| DE (1) | DE2017607A1 (de) |
| GB (1) | GB1259237A (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2192383A1 (de) * | 1972-07-10 | 1974-02-08 | Amdahl Corp | |
| EP0347853A3 (de) * | 1988-06-21 | 1992-04-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Integrierte Halbleiterschaltung |
Families Citing this family (2)
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| US4516123A (en) * | 1982-12-27 | 1985-05-07 | At&T Bell Laboratories | Integrated circuit including logic array with distributed ground connections |
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1970
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- 1970-04-14 GB GB1259237D patent/GB1259237A/en not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR2192383A1 (de) * | 1972-07-10 | 1974-02-08 | Amdahl Corp | |
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| JPS492798B1 (de) | 1974-01-22 |
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