DE2015783A1 - Filter zum Abtrennen von superflüssigem Helium - Google Patents
Filter zum Abtrennen von superflüssigem HeliumInfo
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- 239000001307 helium Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012229 microporous material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
- B01D67/0039—Inorganic membrane manufacture
- B01D67/0041—Inorganic membrane manufacture by agglomeration of particles in the dry state
- B01D67/00411—Inorganic membrane manufacture by agglomeration of particles in the dry state by sintering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
- B01D67/0039—Inorganic membrane manufacture
- B01D67/0041—Inorganic membrane manufacture by agglomeration of particles in the dry state
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
- B01D35/18—Heating or cooling the filters
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D39/00—Filtering material for liquid or gaseous fluids
- B01D39/14—Other self-supporting filtering material ; Other filtering material
- B01D39/20—Other self-supporting filtering material ; Other filtering material of inorganic material, e.g. asbestos paper, metallic filtering material of non-woven wires
- B01D39/2068—Other inorganic materials, e.g. ceramics
- B01D39/2072—Other inorganic materials, e.g. ceramics the material being particulate or granular
- B01D39/2075—Other inorganic materials, e.g. ceramics the material being particulate or granular sintered or bonded by inorganic agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/02—Inorganic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/02—Inorganic material
- B01D71/0215—Silicon carbide; Silicon nitride; Silicon oxycarbide
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
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- B01D2325/00—Details relating to properties of membranes
- B01D2325/26—Electrical properties
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2221/00—Handled fluid, in particular type of fluid
- F17C2221/01—Pure fluids
- F17C2221/016—Noble gases (Ar, Kr, Xe)
- F17C2221/017—Helium
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2223/00—Handled fluid before transfer, i.e. state of fluid when stored in the vessel or before transfer from the vessel
- F17C2223/01—Handled fluid before transfer, i.e. state of fluid when stored in the vessel or before transfer from the vessel characterised by the phase
- F17C2223/0146—Two-phase
- F17C2223/0153—Liquefied gas, e.g. LPG, GPL
- F17C2223/0161—Liquefied gas, e.g. LPG, GPL cryogenic, e.g. LNG, GNL, PLNG
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2265/00—Effects achieved by gas storage or gas handling
- F17C2265/01—Purifying the fluid
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- F17C2265/00—Effects achieved by gas storage or gas handling
- F17C2265/01—Purifying the fluid
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Description
·-·-·.·■- . :.:.:X?iHFABniEKEH
JW/Sp.
;τ--! PHN- 3984 ■"■:-■
vom: 1 .April 1970
"Filter zum Abtrennen von superflüssigem Helium".
Die Erfindung bezieht sich auf ein Filter zum Abtrennen von superflüssigem Helium aus flüssigem Helium.
Derartige Filter werden als "Superleck" bezeichnet.
In der nied. Patentanmeldung Nr, 6,716,438 ist
ein derartiges Filter beschrieben worden, das aus zusammenhängendem
mikroporösem Siliziumkarbid besteht, das wesentliche Vorteile bietet über den zuvor üblichen Filtern
aus mikroporösem Glas ("Vicor-Glas") und den Filtern,.
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die aus zusammengepressten Schichten feinverteilter pulverförmiger
Stoffe, wie Eisenoxid, Aluminiumoxid und Kohlenstoff bestehen (Phys. Rev. Letters Vol. 19, Nr. 9, I967,
Soite 488).
Vorteile der Siliziumkarbidfilterkörper sind u.a.
dass sie leichter entgast werden können, dass die Aufwärmung auf Zimmertemperatur schneller und mit weniger Vorkehrungen
erfolgen kann, dass sie sich besser handhaben lassen und durch Einschmelzen in eine gläserne Apparatur
aufgenommen werden können.
Nach der Erfindung lassen sich die Anwendungsmöglichkeiten mikroporöser Filter aus Siliziumkarbid noch
wesentlich vergrössorn, indem der Filterkörper aus Siliziumkarbid
derart ausgebildet wird, dass er durch Stromdurchgang erwärmt werden kann.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Filter zum Abtrennen von superflüssigem Helium aus flüssigem Helium
und ist dadurch gekennzeichnet, dass der Filterkörper aus zusammenhängendem mikroporösem Siliziumkarbid besteht, das
mindestens oberflächlich durch einen Gehalt an die Leitfähigkeitsoigenschaften
bestimmenden Zusätzen (Donatoren und/ oder Akzeptoren) elektrisch leitend ist, welcher Körper
mit Stromzuführungskontakten versehen ist.
Infolge dieser Massnahraen kann der Filterkörper
durch Stromdurchgang schnell auf derartige Temperaturen erwärmt werden, dass die Durchlässigkeit für superflüssiges
Helium verringert oder völlig aufgehoben wird. Auf diese
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Weise verfügt man über ein Filter mit einer regelbaren
Durchlässigkeit, das zugleich als Absperrelemeirfc wirksam
s e in kann.
Die Gesamtdurchlässigkeit der Filterkörper lässt
sich selbstverständlich durch die Dicke, die Oberfläche im Querschnitt und die Mikroporosität einstellen.
Unter mikroporösem Siliziumkarbid muss in diesem Zusammenhang' ein Material mit Poren verstanden werden, die
miteinander verbunden sind und einen Durchmesser von höchstens
100 A, beispielsweise 50 A haben.
Derartiges zusammenhängendes mikroporöses Siliziumkarbid
lässt sich dadurch erhalten, dass Pulver mit einer Korngrösse von einigen Hunderstel bis einige zehn
/um gesintert wird.
Als Ausgangsmaterial lässt sich Siliziumkarbid, das durch einen Acheson-Prozess oder durch andere bekannte
Gasphasenreaktionen erhalten ist, und weiter Silizium-, Quarz- oder Kohlenpulver verwenden, das in einem kohlen-stoff-
bzw. siliziumhaltigen Dampf in Siliziumkarbid umgewandelt ist. Für ein gutes Funktionieren der Filter ist es notwendig,
dass die Umwandlung in Siliziumkarbid vollständig ist. In diesem Zusammenhang soll der Ausdruck Siliziumkarbid
hier derartige nur oberflächlich in Siliziumkarbid umgewandelte
Produkte miteinschliessen.
Das Sintern kann unter Druck durchgeführt werden und dabei können wie in der Sintertechnik üblich, Bindemittel,
Mineralisatoren und Metalle in kleinen Mengen zugesetzt
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werden.
DIo Mikroporosität kann nötigenfalls durch eine
NachbeTiand lung auf den richtigen Wert gebracht werden. Dazu
kann der Sinterkörper mit einer Kolloidallösung aus Kohlenstoff odor mit einer Lösung aus einem verkohlbaren
Harz imprägniert und danach in einer siliziumhaltigen Atmosphäre, beispielsweise Siliziumoxid, erhitzt werden, wodurch
in den Poren Siliziumkarbid gebildet und eine Verengung der Poren erreicht wird.
Das Verdichten des Material kann auch durch Nacherhitzung in einer Atmosphäre, die Kohlenstoff und
Silizium, wie Methylchlorsxlan, unter einem niedrigen Partialdruck, beispielsweise 0,01 mm Quecksilberdruck enthält,
erhalten werden.
Weiter können die Filterkörper aus Siliziumkarbid nach der Erfindung durch pyrolitische Abtrennung, beispielsweise
aus einom Gemisch aus einem Methylchlorsilan mit Wasserstoff, auf einem Substrat, durch Umwandlung von
porösen Kohlenstoff-, Silizium- oder Quarzkörpern in einer
silizium- bzw. kohlenstoffhaltigen Atmosphäre oder durch
Sublimation erhalten werden. Die Abscheidung, Umwandlung bzw. Sublimation muss selbstverständlich unter Berücksichtigung
von Parametern wie Temperatur, Zeit und Konzentrationen derart durchgeführt werden, dass ein mikroporöses Material gebildet
wird. Nötigenfalls kann auch in diesem Fällen, das Material durch die obengenannte Nachbehandlung weiter verdichtet
werden.
BAD ORIGINAL
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Die elektrische Leitfähigkeit auch bei den niedrigen
Temperaturen, bei denen die Filterkörper hier verwendet werden, kann wie bereits obenstehend angedeutet,
durch aus der Ilalbleitertechnik bekannte Zusätze von Donatoren
und/oder Akzeptoren zustande gebracht werden.
Das Einbauen der Zusätze kann über die Gasphase während
der Bildung des Siliziumkarbids oder der Sublimation stattfinden. Auch ist es möglich, die Zusätze beim Sintern
einzuführen oder aber die fertigen Filterkörper durch eine Nachbehandlung mit Hilfe eines Diffusionsprozesses die
Zusätze aufnehmen zu lassen, so dass mindestens oberflächlich
eine elektrische Leitfähigkeit erhalten wird.
Vorzugsweise wird dem Siliziumkarbid eine elektrische
Leitfähigkeit erteilt, die wenig mit der Temperatur schwankt, weil dadurch die richtige Einstellung der Temperatur
des Filterkörpers erleichtert wird.
Dazu kann durch Zusatz von Stickstoff dem Körper · einen schwachen negativen Temperaturkoeffizienten des Wi-*
dorstandes erteilt werden, während Bor und Aluminium in
schwachen Dosierungen zu einem grösseren sei es noch nicht beeinträchtigend grossen negativen Temperaturkoeffizienten
führ en. ,
Für ein gutes Funktionieren der Filter ist es von
Bedeutung, dass die Filterkörper mit guten elektrischen Kontakten versehen werden.
Dazu kommen beispielswei-se Legierungen von Gold und
Tantal, vorzugsweise mit 5 Gew.$ Tantal j in Betracht, die
bekanntlich durch Aufschmelzen zu sehr gut heftenden Kontak-
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ten führen. Weitere geeignete Kontaktmetalle sind Legierungen aus 98 Gew.% Nickel und 2 Gew.% Molybdän, und Legierungen
aus 80 Gew.% Platin und 20 Gew.$ Zinn.
Auch ist es möglich Stifte aus Wolfram während der Bildung der Filterkörper und durch Aufsintern darin
als Stromzui'uhrungskontakte aufzunehmen.
Zur Vermeidung davon, dass sich beim Kontaktieren von durch Zusatz von Akzeptoren p-leitendem Siliziumkarbid
gleichrichtende Kontakte bilden, kann den Kontaktmetallen bekanntlich ebenfalls ein Akzeptor zugesetzt werden. Eine
derartige Massnahme ist beim Gebrauch von durch einen Donatorzusatz, wie Stickstoff, η-leitendem Siliziumkarbid nicht
notwendig.
Die erfindungsgemässen Filterkörper lassen sich gut in Hartgläser, wie Borosilikatgläser, einschmelzen,
wobei Stromzuführurigsleiter durch das Glas geführt werden
können. Auf diese Weise erhaltene Filter lassen sich einfach durch Glasaiischmelzungen in die zu verwendende Apparatur
aufnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger Beispiele und einer Zeichnung näher erläutert.
BEISPIEL 1.
Nach dem Acheson-Prozess erhaltenes Siliziumkarbidpulver mit einer Korngrösse von 1 /um wird in einem
Graphittiegel in einer Stickstoffatmosphäre 3 Stunden lang bei 22000C erhitzt. Der gebildete Sinterkörper wird in
Scheiben mit einer Dicke von 5 mm und einem Durchmesser von
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25 mm aufgeteilt.
Die Scheiben werden danach mit einer Kolloidgraphit lösung imprägniert und 3 Stunden lang bei 20000C in
einer Atmosphäre aus Wasserstoff mit 10$ Stickstoff, in
der aus Quarzsand Siliziumoxid entwickelt wird, erhitz/fc .
Durch diese Behandlung, die nötigenfalls wiederholt werden
kann, werden Filterkörper mit der erforderlichen Dichte erhalten. »
Wie in Fig. 1 der beiliegenden Zeichnung im
Querschnitt dargestellt ist, wird ein auf diese Weise er- '
haltener Filterkörper 1 mit Wolframkontaktstiften 2 mit
einer Dicke von 0,5 mm versehen. Dies kann dadurch ausgeführt werden, dass die Wolframstifte bei 20000C in einem
Schutzgas mit dem Siliziumkarbid gesintert werden oder mittels
einer Lotverbindung, die mit Hilfe einer Legierung axis Gold mit 5$>
Tantal hergestellt wird.
Das Ganze wird in ein Rohr 3 aus Borosilikatglas
eingeschmolzen.
Durch die Sinterung in einer stickstoffhaltigen |
Atmosphäre und vielleicht, infolge der Nachbehandlung mit
Kolloidgraphit und Siliziumoxid vorhandenes freies Silizium und/oder vorhandener Kohlenstoff sind die Scheiben
elektrisch gut -leitend.
Der Widerstand des Filters beträgt 10 0hm bei 20°C und 20 0hm bei der Temperatur flüssigem Heliums.
Bei der Abtrennung von superflüssigem Helium aus flüssigem Helium kann das Filter schnell durch Strom-
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Claims (2)
- PHN.; -8-durchgang erwärmt werden, wodurch die Durchlässigkeit für superflüssiges Helium verringert bzw. aufgehoben werden kann.
BEISPIEL 2.Wie in Fig. 2 der Zeichnung dargestellt ist, wird in einem Graphittiegel '4 Siliziumkarbidpulver 5, das mit Stickstoff dotiert ist, eingegeben. Der Tiegel k wird mit einer Graphitplatte 6 abgeschlossen und das Ganze in einer Stickstoffatmosphäre erhitzt. Bei einer Tempera-" tür von 2600°C des Tiegels k und einer Temperatur von 2400°C der Abdeckplatte 6 schlägt sich darauf durch Sublimation und/oder durch Zerlegung und Rekombination des Siliziumkarbids 5 eine kompakte Schicht 7 mikroporösen polykristallinen Siliziumkarbids ab, die in 5 Stunden eine Dicke von 6 mm erreicht, hat .Nach Wegbrennen der Graphitabdeckplatte 6 in der Luft wird die sublimierte mit Stickstoff dotierte Platte aus Siliziumkarbid bis zu einer Dicke von 5 nun fe abgeschliffen und in Scheiben von 20 mm aufgeteilt. Diese Scheiben werden auf die im Beispiel 1 beschriebene Weise mit Stromzuführungen versehen und in Borosilikatglas eingeschmoJ ζen.
PATENTANSPKUCHE:M .J Filtorkörpor zum Abtrennen von superflüssigem Helium aus flüssigem Helium, dadurch gekennzeichnet, dass der Filterkörper aus zusammenhängendem mikroporösem Siliziumkarbid besteht, das mindestens oberflächlich durch einen009845/ 1 645PHN.3984 -9-Qohalt an d±o Leitfähigkeitsoigenschaften bestimmenden Zusätzen (Donatoren und/oder Akzeptoren) elektrisch leitend ist, welcher Körper mit Stromzuführungskonta.kten versehen ist . . . - 2. Filter aus einem Filterkörper nach Anspruch 1,das in einen Körper aus Hartglas eingeschmolzen und mit durch das Glas hindurchgeführten Stromzuführungsleitern' versehen ist.BAD ORIGINAL09845/1845/lOLeerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6906104A NL6906104A (de) | 1969-04-18 | 1969-04-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2015783A1 true DE2015783A1 (de) | 1970-11-05 |
Family
ID=19806744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702015783 Pending DE2015783A1 (de) | 1969-04-18 | 1970-04-02 | Filter zum Abtrennen von superflüssigem Helium |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3595788A (de) |
BE (1) | BE749077A (de) |
CH (1) | CH507015A (de) |
DE (1) | DE2015783A1 (de) |
FR (1) | FR2045410A5 (de) |
NL (1) | NL6906104A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3828161A (en) * | 1971-07-20 | 1974-08-06 | Cleland E | For heating fluids by means of gas permeable heat generating members |
US5557924A (en) * | 1994-09-20 | 1996-09-24 | Vacuum Barrier Corporation | Controlled delivery of filtered cryogenic liquid |
-
1969
- 1969-04-18 NL NL6906104A patent/NL6906104A/xx unknown
-
1970
- 1970-04-02 DE DE19702015783 patent/DE2015783A1/de active Pending
- 1970-04-08 US US26696A patent/US3595788A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-04-15 CH CH559470A patent/CH507015A/de not_active IP Right Cessation
- 1970-04-16 BE BE749077D patent/BE749077A/xx unknown
- 1970-04-17 FR FR7014013A patent/FR2045410A5/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3595788A (en) | 1971-07-27 |
BE749077A (fr) | 1970-10-16 |
FR2045410A5 (de) | 1971-02-26 |
NL6906104A (de) | 1970-10-20 |
CH507015A (de) | 1971-05-15 |
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