DE2008817B2 - Verfahren zum Abtrennen elektrischer Kontaktdrähte - Google Patents

Verfahren zum Abtrennen elektrischer Kontaktdrähte

Info

Publication number
DE2008817B2
DE2008817B2 DE2008817A DE2008817A DE2008817B2 DE 2008817 B2 DE2008817 B2 DE 2008817B2 DE 2008817 A DE2008817 A DE 2008817A DE 2008817 A DE2008817 A DE 2008817A DE 2008817 B2 DE2008817 B2 DE 2008817B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wire
contact
electrical
electrical contact
contact wires
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2008817A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2008817A1 (de
Inventor
Fidelis Greiner
Karl 8033 Planegg Kuenstle
Heinrich Toepper
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2008817A priority Critical patent/DE2008817B2/de
Publication of DE2008817A1 publication Critical patent/DE2008817A1/de
Publication of DE2008817B2 publication Critical patent/DE2008817B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abtrennen elektrischer, auf ein Bauelement angelöteter oder angeschmolzener Kontaktdrähte durch Abschmelzen mittels Gleichstromes in genau bestimmter Entfernung von der Kontaktierstelle.
Metallische Drähte, die mit elektrischen Kontakten von Bauelementen, wie beispielsweise Transistoren oder Dioden, oder von integrierten Schaltungen verbunden werden, sollen oft während oder nach diesem Kontaktiervorgang in ihrer Länge reduziert werden, d. h., die freien Drahtenden sollen abgeschnitten werden. Dies wurde bei bekannten Verfahren bisher mechanisch von Hand durchgeführt. Dadurch entsteht aber nach dem Anbringen des Drahtes an dem elektrischen Kontakt ein Zeitverlust, da ein Draht nicht nahezu gleichzeitig an einen Kontakt angeschmolzen oder angelötet und an seinem überstehenden freien Ende mechanisch von Hand gekürzt werden kann. Dieser Zeitverlust ist vor allem bei einer Massenfertigung unerwünscht. Weiterhin hat es sich gezeigt, daß das mechanische Abtrennen von Drahtenden ungenau ist und daher oft zu Ausfällen führt. Ferner wird durch das mechanische Abtrennen der Kontakt geschwächt.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, das ein möglichst genaues und schnelles Abtrennen von Drahtenden bei elektrischen Bauelementen erlaubt.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß durch einen in einer Lagerung schwenkbaren Kontaktstift zwischen diesem und dem elektrischen Draht ein elektrischer Kontakt hergestellt und das nicht verbundene Ende des elektrischen Drahtes abgetrennt wird.
Es ist zwar schon ein Verfahren zur Herstellung von Drahtzäunen aus Maschendraht bekannt (USA.-Patentschrift 2 955 192), welches die Einfassung derselben mittels eines Metallrahmens betrifft, wobei Drahtenden mittels eines elektrischen Bogens abgetrennt und miteinander sowie mit dem Metallrahmen verschweißt werden. Ein Kontaktstift ist quer zu den Drahtenden, parallel zum Metallrahmen des Zaunes beweglich angebracht, wodurch bei linearer Anordnung der zu verschweißenden Drahtenden eine Arbeitszeitverkürzung erreicht wird.
Weiterhin ist eine Vorrichtung zur Herstellung von elektrisch leitenden Litzenstücken bekannt (deutsche Auslegeschrift 1 148671), welche von einer Dtzenvorratirolle Drahtstücke dadurch abteilt, daß zu bd-
den Seiten der Trennstelle metallische Halterungsklemmen angelegt und mit genügend hohen? Strom beschickt werden, so daß der dazwischen befindliche Draht durchschmilzt.
Außerdem ist eine Vorrichtung zur Kontaktierung
ίο dünner Drähte mit mehreren Kontaktstellen einer kreisförmigen Grundplatte bekannt (USA-Patentschrift 2 662 153), wobei der Kontaktdraht alle Kontakte miteinander verbindet. Soll die Verbindung zweier benachbarter Kontakte unterbrochen werden,
so wird an diese Kontakte eine Spannung gelegt, die bei Stromfluß den dünnen Draht durchschmilzt.
Des weiteren ist ein Verfahren zum automatischen Durchschneiden von drahtförmigem Gut auf SchneH-wickelvorrichtungen mit mindestens zwei Spulen be-
kannt (deutsche Offenlegungsschrift 1 959377) wobei das Gut zum Zeitpunkt seines Durchschneidens mit zwei an eine Stromquelle angeschlossenen Elektroden in Berührung gebracht wird, um eine Teillange des Gutes kurzzuschließen und dadurch diese Teil-
länge durch Erhitzen zum Schmelzen zu bringen.
Schließlich ist eine Vorrichtung zum Abtrennen von elektronen Leitungsdrähten auf eine vorgeschriebene Länge mittels elektrischen Stromes bei Halbleiterbauelementen bekannt (USA.-Patentschrift 3 048 689), wobei diese Vorrichtung ein metallisches Heizteil und eine diesem Heizteil angepaßte Elektrode enthält, welche beide selektiv mit Strom zu beschicken sind, der abzutrennende Leitungsdrahte, die mit der Elektrode und dem Heizteil in Berührung stehen, durchschmilzt.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird es ermöglicht, bei elektrischen Bauelementen gleichzeitig das eine freie Ende des elektrischen Kontaktdrahtes eines elektrischen Bauelementes mit einem Kontakt zu verbinden und das andere freie Ende abzuschmel-
Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels im folgenden näher beschrieben.
Es zeigt
Fig. 1 eine Darstellung des erfindungsgemaßen Verfahrens mit einem Schaltplan,
Fi g. 2 eine Draufsicht auf einen nach diesem Verfahren bearbeiteten Halbleiterkörper.
Durch einen Transformator 1 wird eine Wechselspannung von 220 Volt auf 6 Volt transformiert. Der Wechselstrom wird durch Gleichrichter gleichgerichtet. Der Kondensator 3 dient zur Aufrechterhaltung einer gleichbleibenden Spannung während des Abschmelzvorganges an einem freien Drahtende. Durch
das Potentiometer 4 kann die Spannung verändert werden, während der Widerstand 5, der etwa 1 Ω groß ist, das Verbrennen des drehbar gelagerten Kontaktstiftes 6 bei einem Kurzschluß verhindert.
Zunächst wird der Draht 7 durch die Kontaktierdüse 10 gehalten. Der Draht 7 wird dabei durch die Kontaktierdüse 10 lediglich geführt, aber nicht festgeklemmt. Durch die Kontaktierdüse 10 wird eine Kugel 13, die mit einer aus der Düse 11 ausströmenden Wasserstoffflamme an den Draht 7 angeschmolzen wird, auf den Körper 8 gedrückt, der beispielsweise ein Halbleitersystem aus Silicium ist. Nach dem Kontaktieren des Drahtes 7 mit dem Körper 8 wird der Draht 7. wie in der F i g. 1 gestrichelt dargestellt, zum
Leiterband 9 geführt, und dort ebenfalls kontaktiert. Hierzu ist die Kontaktierdüse 10, wie durch die Pfeile 20 und 21 angedeutet, beweglich ausgebildet. Die Düse 11 kann entsprechend geführt werden.
Nach dem Kontaktieren des Drahtes 7 mit dem Leiterband 9 weist der Draht 7 noch ein Drahtende 12 auf, das abgetrennt werden soM. Hierzu wird zunächst die Kontaktierdüse in der Fig. 1 nach oben gefahren, so daß nur noch ein kleines Stück des Drahtendes 12 in der Kontaktierdüse verbleibt. Der Kontaktstift 6 wird, wie in der Fig. I durch den Pfeil 23 angedeutet, in die in dieser Figur dargestellte Lage gedreht. Bei der Berührung des Kontaktstiftes 6 mit dem Drahtende 12 wird der Stromkreis zwischen den Punkten 15 und 16 geschlossen, und das Drahtende *5 12 durch Gleichstrom abgeschmolzen.
Durch die Düse 11, deren Wasserstoff flamme durch einen Mikroschalter auslösbar ist, kann ein Draht nur auf einer begrenzten Länge abgeschmolzen werden, da sonst durch die hohe Temperatur die gesamte Anordnung beschädigt würde. Das elektrische Abschmelzen von Drahtenden erlaubt dagegen ein einfaches und genaues Verfahren, bei dem nicht die Gefahr einer Zerstörung der Anordnung besteht.
In der Fig. 2 wird, in welcher für sich entsprechende Teil die gleichen Bezugszeichen verwendet werden wie in der Fig. 1, eine nach der vorliegenden Erfindung hergestellte Anordnung gezeigt. Eine auf einem Leiterband 19 vorgesehene Halbleiteranordnung 8 ist über Drähte 7 mit verschiedenen Leiterbändern 9 verbunden. Bei einer derartigen Anordnung können überstehende Drahtenden 12 der einzelnen Drähte 7 leicht durch das angegebene Verfahren abgetrennt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Abtrennen elektrischer, auf ein Bauelement angelöteter oder angeschmolzener Kontaktdrähte durch Abschmelzen mittels Gleichstromes in genau bestimmter Entfernung von der Kontaktierstelle, dadurch gekennzeichnet, daß durch einen in einer Lagerung schwenkbaren Kontaktstift zwischen diesem und dem elektrischen Draht ein elektrischer Kontakt hergestellt und das nicht verbundene Ende des elektrischen Drahtes abgetrennt wird.
2 Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Durchcchmelzen benötigte Gleichstrom aus einem Kondensator (3) und einer Serienschaltung von zwei Widerständen (4, 5) gezogen wird, wobei der eine der beiden Widerstände (4, 5) ein Potentiometer (4) ist.
DE2008817A 1970-02-25 1970-02-25 Verfahren zum Abtrennen elektrischer Kontaktdrähte Pending DE2008817B2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2008817A DE2008817B2 (de) 1970-02-25 1970-02-25 Verfahren zum Abtrennen elektrischer Kontaktdrähte

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2008817A DE2008817B2 (de) 1970-02-25 1970-02-25 Verfahren zum Abtrennen elektrischer Kontaktdrähte

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2008817A1 DE2008817A1 (de) 1971-09-09
DE2008817B2 true DE2008817B2 (de) 1974-07-18

Family

ID=5763348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2008817A Pending DE2008817B2 (de) 1970-02-25 1970-02-25 Verfahren zum Abtrennen elektrischer Kontaktdrähte

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2008817B2 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3311256A1 (de) * 1983-03-28 1984-10-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung und verfahren zum nailhead-kontaktieren eines bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
DE2008817A1 (de) 1971-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2321828C2 (de) Anschlußklemmenanordnung
DE3921990C2 (de)
DE2356140C2 (de) Vorrichtung zur Befestigung von wenigstens einem zuvor auf einem dünnen Plastikfilm montierten integrierten Schaltungsplättchen
EP0043586B1 (de) Vorrichtung zur Reparatur von Leiterbahnunterbrechungen
DE19651513C2 (de) Verfahren zum Verbinden von Drähten mit einem Anschlußstück
CH657481A5 (de) Spule fuer einen elektromotor.
DE3134498C2 (de) Verfahren zur Verbindung von Einzelteilen durch Schweißen und gleichzeitiges Verlöten oder nur Verlöten
DE2063535C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Verschweißen eines dünnen Isolierten Drahtes mit einem, in einem elektrischen Bauteil eingebetteten AnschluBstJft Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München
DE1564867C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen
DE2646233A1 (de) Schweissgeraet
DE1665253C3 (de) Verfahren zum Verbinden mindestens eines Anschlußdrahtes mit einer Mikroschaltung
DE2008817B2 (de) Verfahren zum Abtrennen elektrischer Kontaktdrähte
EP0001557B1 (de) Verfahren zum Trennen eines eine Vielzahl von Drähten aufweisenden Seiles
DE2056909C3 (de) Verfahren zur Herstellung von kunststoffumhüllten Spulen
DE2103057C2 (de) Verfahren zur Befestigung von Elektrodenelementen an Anschlußstiften einer Gasentladungsanzeigevorrichtung
DE1915749A1 (de) Elektrisches Schweissverfahren,insbesondere fuer elektrische Verbindungen
DE911046C (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Kondensatoren mit eingelegten Metallstreifen zur elektrischen Zufuehrung zu den Metallbelaegen
DE2030597C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Hochspannungsgleichrichtern
DE2157481A1 (de) Verfahren zum Verbinden zweier biegsamer Streifen und Gerät zur Durchführung des Verfahrens
DE2525096B2 (de) Verfahren zum anschliessen von schaltdraehten an in parallelen reihen angeordnete anschlussfahnen
DE952107C (de) Traege zur Montage von Schaltungselementen in elektrischen Geraeten der Nachrichtentechnik
DE2032708C3 (de) Elektrisches Widerstandsschweißverfahren
DE2214749A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum verbinden von duennen metalldraehten mit einem metallischen werkstueck
DE2401821A1 (de) Verfahren zur herstellung eines superflinken schmelzleiters fuer einen geraete- schmelzeinsatz
DE1514870C3 (de)