DE1514870C3 - - Google Patents

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DE1514870C3
DE1514870C3 DE1514870A DE1514870A DE1514870C3 DE 1514870 C3 DE1514870 C3 DE 1514870C3 DE 1514870 A DE1514870 A DE 1514870A DE 1514870 A DE1514870 A DE 1514870A DE 1514870 C3 DE1514870 C3 DE 1514870C3
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prongs
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DE1514870A
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DE1514870B (de
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Dieter Baumann
Norbert Boeck
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Publication of DE1514870B publication Critical patent/DE1514870B/de
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

kann es geschehen, daß beim Abtrennen des einen seitlichen Holmens die Drahtenden nicht mit abgeschnitten werden, so daß diese Drahtenden Kurz-40 Schlüsse zwischen den Elektroden verursachen können. Im anderen Fall, wenn die Drahtenden über den
abzutrennenden Holmen liegen, werden diese zwar
mit dem Holmen abgeschnitten, sie können aber dabei auf das Halbleiterbauelement oder auf die Kon-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel- 45 taktierungsstellen fallen und Kurzschlüsse hervorlen von kurzschlußfreien elektrischen Verbindungs- rufen. Auf diese Weise zustande gekommene Kurzdrähten zwischen den Elektroden eines Halbleiter- Schlüsse erhöhen den Fertigungsausschluß und damit bauelements und den zur Kontaktierung der Halb- auch die Herstellungskosten.
leiterelektroden vorgesehenen Sprossen bzw. Zinken Demgegenüber geht man erfindungsgemäß so vor,
eines ^Kontaktierungsbleches, dessen die Sprossen 50 daß das Halbleiterbauelement unmittelbar in der ~ ~ Nähe des die Sprossen bzw. Zinken verbindenden
Blechteils auf eine Sprosse bzw. auf einen Zinken . aufgelötet wird. Die Kontaktierungsdrähte werden zunächst mit den Halbleiterelektroden verbunden,
den von Halbleiterbauelementen mit den Zinken eines 55 dann auf die zugeordneten Sprossen oder Zinken mit mehreren Zinken versehenen Bleches elektrisch aufgelötet oder angebondet und dann noch hilfsweise leitend verbunden werden. Bei einem weiteren Vor- auf dem die Sprossen oder Zinken verbindenden schlag diente zur Kontaktierung vieler Halbleiterbau- Blechteile festgemacht, was wiederum durch Bonden elementeein leiterförmiger Metallstreifen, der für jedes oder Löten geschehen kann. Anschließend werden zu kontaktierende Halbleiterbauelement so viele Spros- 60 die Kontaktierungsdrähte abgeschnitten oder abgesen aufweist, wie das Halbleiterbauelement zu kon- brannt und die über die letzte, hilfsweise angebrachte taktierende Elektroden besitzt. Diese Streifen eignen Kontaktierungsstelle hinausragenden Drahtenden sich besonders gut zur Serienfertigung von sehr klei- müssen nun noch entfernt werden, nen Subminiaturtransistoren. Ferner ist aus der USA.- Dies geschieht dadurch, daß die Drahtenden alle
Patentschrift 3 171 187 ein Verfahren bekannt, bei 65 in eine Richtung, vorzugsweise in eine vom HaIb-
vom Halbleiterbauelement abgewandter Richtung umgelegt werden, so daß beim Abbrennen des die Sprossen bzw. Zinken verbindenden Blechteils alle Drahtenden mit entfernt werden.
bzw. Zinken verbindendes Blechteil nach dem Fixieren der kontaktierten Sprossen bzw. Zinken abgetrennt wird.
Es wurde bereits vorgeschlagen, daß die Elektro-
dem ein Streifen mit kreisförmigen Aussparungen versehen wird, wobei vom Rand der Aussparung in das Innere der Aussparung zungenförmige Teile ragen.
leiterbauelement abgewandten Richtung umgelegt werden. Zu diesem Zweck wird der leiterförmigc Kontaktierungsstreifen öder das mit Zinken versehene
3 4
Kontaktierungsblech so mit seinem die Sprossen bzw. Streifens werden die Drahtenden alle parallel zum Zinken verbindenden Blechteil unter einem keilför- Kontaktierungsblech in vom Transistor abgewandter migen Blech durchgezogen, daß alle Drahtenden Richtung umgelegt. Der Holmen la wird danach zwangsweise in eine Richtung gelegt werden. Dazu entlang der gestrichelt eingetragenen Trennungslinie wird dieses keilförmige Blech parallel zum Kontak- S 17 vom Kontaktierungsblech zusammen mit den übertierungsblech dicht über diesem angeordnet, und das stehenden Drahtenden abgetrennt, und es besteht Kontaktierungsblech wird in der Richtung unter die- keine Gefahr mehr, daß Kurzschlüsse durch zu lange sem keilförmigen Blech durchgezogen, in der die Drahtenden bzw. durch unkontrolliert abgetrennte Breite des keilförmigen Bleches zunimmt. Natürlich Drahtstücke entstehen. Der zweite seitliche Holkann auch das keilförmige Blech bewegt werden. io men 1 b bleibt zunächst mit den Kontaktierungs-Nachdem alle Drahtenden auf dem die Sprossen bzw. sprossen verbunden, bis die Transistoren entweder die Zinken verbindenden Blechteil in einer Richtung in Kunststoff eingebettet oder bis-die Sprossen an geliegen, kann dieser Teil des Kontaktierungsbleches sonderte Zuleitungsdrähte angelötet worden sind,
zusammen mit den unerwünschten Drahtenden ent- Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich natürfernt werden, ohne daß die Gefahr besteht, daß eines 15 lieh auch bei solchen Streifen verwenden, die für die dieser Drahtstücke einen Kurzschluß zwischen den Kontaktierung von Dioden, integrierten Schaltungen Elektrodenanschlüssen des Halbleiterbauelements und anderen Halbleiterbauelementen vorgesehen verursacht. sind.
Die Erfindung soll noch an Hand zweier Ausfüh- F i g. 2 zeigt einen Kontaktierungsstreifen mit Zin-
rungsbeispiele näher erläutert werden. 20 ken, die zur Aufnahme bzw. zur Kontaktierung des
F i g. 1 zeigt einen leiterförmigen, zur Kontaktie- Transistorkörpers und seiner Elektroden dienen, rung von Transistoren vorgesehenen Metallstreifen. Auch bei Verwendung eines solchen Kontaktierungs-Der Streifen hat Kontaktierungssprossen 3, auf die Streifens sind alle Verfahrensschritte mit denen, die die Transistorkörper 5 mit ihrer Kollektorzone auf- unter der F i g. 1 beschrieben wurden voll identisch, gebracht werden und die daher an den dazu vorge- 25 Vor oder nach dem Umlegen der Kontaktierungssehenen Stellen verbreitert sind. Links und rechts drahtenden 14 und 15 mit Hilfe des keilförmigen von diesen Sprossen 3 sind die zur Kontaktierung der Bleches 16 können die Transistoren in Kunststoff 21 Basiselektrode 6 bzw. der Emitterelektrode 7 vorge- eingebettet werden, wonach der die Zinken verbinsehenen Sprossen 2 und 4 angeordnet. Beispielsweise dende Blechteil la entlang der gestrichelt eingetramit Hilfe eines Bonders werden nun Kontaktierungs- 30 genen Trennungslinie 17 abgeschnitten werden kann, drahte 8 und 9 einmal mit der Basis- bzw. mit der Die Zinken können noch zusätzlich mit gesonderten Emitterelektrode 6 bzw. 7 elektrisch leitend verbun- Zuleitungsdrähten 18, 19 und 20 verbunden werden, den, andererseits werden sie mit den zugeordneten Andererseits kann man den Blechstreifen auch ent-Sprossen 2 und 4 an den Stellen 10 und 11 und mit lang der gestrichelt eingetragenen Trennungslinien 22 dem, dem Transistorkörper am nächsten liegenden, 35 in jeweils ein Bauelement enthaltende Einzelstücke seitlichen, die Sprossen verbindenden Holmen la an zerschneiden, die Zinken danach mit den Sockeiden Stellen 12 und 13 verbunden. Anschließend wer- durchführungen eines Gehäusesockels ver' ;nden und den die Kontaktierungsdrähte abgeschnitten oder erst dann das die Zinken verbindende Bicchteil zuabgebrannt. Dabei bleiben überstehende Drahtenden sammen mit den abgerichteten Drahtenden ab-14 und 15 zurück. Der Kontaktierungsstreifen wird 4° trennen.
nun in Pfeilrichtung unter dem keilförmigen Blech 16 Auch bei dieser Streifenart kann das erfindungs-
hindurchgezogen. Die Spitze dieses Bleches erfaßt gemäße Verfahren auf alle in Frage kommenden
die Drahtenden, und beim weiteren Durchziehen des Halbleiterbauelemente angewandt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Auf einer Zunge wird ein Halbleiterkörper befestigt, während die anderen Zungen über dünne Kontaktierungsdrähte an Zonen des Halbleiterkörpers angeschlossen werden. All diese vorgeschlagenen Herstel-5 lungsverfahren sehen vor, daß der Halbleiterkörper, eventuell mit einer Halbleiterzone, auf eine Sprosse bzw. einen Zinken des Kontaktierungsbleches aufgelötet wird, und daß die anderen Elektroden mit Hilfe von dünnen Drähten mit anderen Sprossen bzw. Zin- Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen von kurzschlußfreien elektrischen Verbindungsdrähten zwischen den Elektroden eines Halbleiterbauelements und den zur Kontaktierung der Halbleiterelektroden vorgesehenen Sprossen bzw. Zinken eines Kontaktierungsbleches, dessen die Sprossen bzw. Zinken verbindendes Blechteil nach dem Fixieren der
kontaktierten Sprossen bzw. Zinken abgetrennt io ken elektrisch leitend verbunden werden, wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Die Kontaktierung der dünnen Verbindungsdrähte von den Halbleiterelektroden zu den Sprossen mit den Sprossen bzw. mit den Zinken erfolgt meist bzw. Zinken führenden Verbindungsdrähte mit durch Bonden. Der Kontaktierungsdraht wird hinter den Sprossen bzw. Zinken verlötet und außerdem der Bondstelle abgeschnitten oder abgebrannt. Diese noch auf dem die Sprossen bzw. Zinken verbin- 15 Drähte lassen sich jedoch nicht direkt hinter den Lötdenden Teil des Kontaktierungsbleches befestigt bzw. Bondstellen abtrennen, sondern es bleiben imwerden, so daß beim Abtrennen dieses Blechteils mer noch längere Drahtenden zurück, die einen Kurzalle überstehenden, k.urzschlußverursachenden schluß zwischen zwei Elektroden verursachen können. Drahtenden mit enfernt werden. So war man bisher gezwungen, diese über die Kon-
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 20 taktierungsstellen hinausragenden und störenden kennzeichnet, daß die Kontaktierungsdrähte durch Drahtenden abzureißen, was durch den zeitlichen Bonden mit den Sprossen bzw. Zinken und mit Aufwand zu einer erheblichen Belastung des Fertidem die Sprossen bzw. Zinken verbindenden Teil gungsablaufes führte.
des Kontaktierungsbleches verbunden werden. Erfindungsgemäß wird nun bei dem eingangs be-
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch 25 schriebenen Verfahren vorgeschlagen, daß die von gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsbleche aus den Halbleiterelektroden zu den Sprossen bzw. Zineinem Metallstreifen bestehen, auf dem zahlreiche ken führenden Verbindungsdrähte mit den Sprossen Halbleiterbauelemente kontaktiert werden. bzw. Zinken verlötet und außerdem noch auf dem
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfah- die Sprossen bzw. Zinken verbindenden Teil des Konrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch 30 taktierungsbleches befestigt werden, so daß beim gekennzeichnet, daß das Kontaktierungsblech Abtrennen dieses Bleches alle überstehenden kurz- bzw. der Kontaktierungsstreifen mit seinem die schlußverursachenden Drahtenden mit entfernt Zinken bzw. die Sprossen verbindenden Blech- werden.
teil so unter einem zum Kontaktierungsblech pa- , Wenn man beispielsweise bei den leiterförmigcn rallel liegenden, keilförmigen Blech durchgeführt 35 Kontaktierungsstreifen die Drahtenden hinter den wird, daß die Enden der Kontaktierungsdrähte in Bondstellen auf den Sprossen unbeachtet läßt, so
DE19651514870 1965-09-15 1965-09-15 Verfahren zum kurzschlussfreien Kontaktieren der Elektroden von Halbleiteranordnungen Granted DE1514870A1 (de)

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DE1514870A1 DE1514870A1 (de) 1969-09-11
DE1514870B DE1514870B (de) 1973-10-18
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DE19651514870 Granted DE1514870A1 (de) 1965-09-15 1965-09-15 Verfahren zum kurzschlussfreien Kontaktieren der Elektroden von Halbleiteranordnungen

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