DE1514870B - - Google Patents

Info

Publication number
DE1514870B
DE1514870B DE19651514870 DE1514870A DE1514870B DE 1514870 B DE1514870 B DE 1514870B DE 19651514870 DE19651514870 DE 19651514870 DE 1514870 A DE1514870 A DE 1514870A DE 1514870 B DE1514870 B DE 1514870B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rungs
prongs
contacting
wires
wire ends
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19651514870
Other languages
English (en)
Other versions
DE1514870A1 (de
DE1514870C3 (de
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of DE1514870A1 publication Critical patent/DE1514870A1/de
Publication of DE1514870B publication Critical patent/DE1514870B/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1514870C3 publication Critical patent/DE1514870C3/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

mit dem Holmen abgeschnitten, sie können aber dabei auf das Halbleiterbauelement oder auf die Kon-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstei- 45 taktierungsstellen fallen und Kurzschlüsse hervorlen von kurzschlußfreien elektrischen Verbindungs- rufen. Auf diese Weise zustande gekommene Kurzdrähten zwischen den Elektroden eines Halbleiter- Schlüsse erhöhen den Fertigungsausschluß und damit bauelements und den zur Kontaktierung der Halb- auch die Herstellungskosten.
leiterelektroden vorgesehenen Sprossen bzw. Zinken Demgegenüber geht man erfindungsgemäß so vor,
eines Kontaktierungsbleches, dessen die Sprossen 50 daß das Halbleiterbauelement unmittelbar in der ~" Nähe des die Sprossen bzw. Zinken verbindenden
Blechteils auf eine Sprosse bzw. auf einen Zinken aufgelötet wird. Die Kontaktierungsdrähte werden zunächst mit den Halbleiterelektroden verbunden,
den von Halbleiterbauelementen mit den Zinken eines 55 dann auf die zugeordneten Sprossen oder Zinken mit mehreren Zinken versehenen Bleches elektrisch aufgelötet oder angebondet und dann noch hilfsweise leitend verbunden werden. Bei einem weiteren Vor- auf dem die Sprossen oder Zinken verbindenden schlag diente zur Kontaktierung vieler Halbleiterbau- Blechteile festgemacht, was wiederum durch Bonden elemente ein leiterförmiger Metallstreifen, der für jedes oder Löten geschehen kann. Anschließend werden zukontaktierendeHalbleiterbauelementsovieleSproE- 60 die Kontaktierungsdrähte abgeschnitten oder abgesen aufweist, wie das Halbleiterbauelement zu kon- brannt und die über die letzte, hilfsweise angebrachte taktierende Elektroden besitzt. Diese Streifen eignen Kontaktierungsstelle hinausragenden Drahtenden sich besonders gut zur Serienfertigung von sehr klei- müssen nun noch entfernt werden, ncn Subminiaturtransistoren. Ferner ist aus der USA.- Dies geschieht dadurch, daß die Drahtenden alle
Patentschrift 3171 187 ein Verfahren bekannt, bei 65 in eine Richtung, vorzugsweise in eine vom HaJbdem ein Streifen mit kreisförmigen Aussparungen ver- leiterbauelement abgewandten Richtung umgelegt sehen wird, wobei vom Rand der Aussparung in das werden. Zu diesem Zweck wird der leiterförmige innere der Aussparung zitn«enförmige Teile ragen. Kontaktierungsstreifen oder das mit Zinken versehene
die Sprossen bzw. Zinken verbindenden Blechteils alle Drahtenden mit entfernt werden.
bzw. Zinken verbindendes Blechteil nach dem Fixieren der kontaktierten Sprossen bzw. Zinken abgetrennt wird.
Es wurde bereits vorgeschlagen, daß die Elektro-
Kontaktierungsblech so mit seinem die Sprossen bzw. Zinken verbindenden Blechteil unter einem keilförmigen Blech durchgezogen, daß alle Drahtenden zwangsweise in eine Richtung gelegt werden. Dazu wird dieses keilförmige Blech parallel zum Kontaktierungsbiech dicht über diesem angeordnet, und das Kontaktierungsblech wird in der Richtung unter diesem keilförmigen Blech durchgezogen, in der die Breite des keilförmigen Bleches zunimmt. Natürlich kann auch das keilförmige Blech bewegt werden. Nachdem alle Drahtenden auf dem die Sprossen bzw. die Zinken verbindenden Blechteil in einer Richtung liegen, kann dieser Teil des Kontaktierungsbleches zusammen mit den unerwünschten Drahtenden entfernt werden, ohne daß die Gefahr besteht, daß eines dieser Drahtstücke einen Kurzschluß zwischen den Elektrodenanschlüssen des Halbleiterbauelements verursacht.
Die Erfindung soll noch an Hand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert werden.
F i g. 1 zeigt einen leiterförmigen, zur Kontaktierung von Transistoren vorgesehenen Metallstreifen. Der Streifen hat Kontaktierungssprossen 3, auf die die Transistorkörper 5 mit ihrer Kollektorzone aufgebracht werden und die daher an den dazu vorgesehenen Steilen verbreitert sind. Links und rechts von diesen Sprossen 3 sind die zur Kontaktierung der Basiselektrode 6 bzw. der Emitterelektrode 7 vorgesehenen Sprossen 2 und 4 angeordnet. Beispielsweise mit Hilfe eines Bonders werden nun Kontaktierungsdrahte 8 und 9 einmal mit der Basis- bzw. mit der Emitterelektrode 6 bzw. 7 elektrisch leitend verbunden, andererseits werden sie mit den zugeordneten Sprossen 2 und 4 an den Stellen 10 und 11 und mit dem, dem Transistorkörper am nächsten liegenden, seitlichen, die Sprossen verbindenden Holmen la an den Stellen 12 und 13 verbunden. Anschließend werden die Kontaktierungsdrähte abgeschnitten oder abgebrannt. Dabei bleiben überstehende Drahtenden 14 und 15 zurück. Der Kontaktierungsstreifen wird nun in Pfeilrichtung unter dem keilförmigen Blech 16 hindurchgezogen. Die Spitze dieses Bleches erfaßt die Drahtenden, und beim weiteren Durchziehen des Streifens werden die Drahtenden alle parallel zum Kontaktierungsblech in vom Transistor abgewandter Richtung umgelegt. Der Holmen la wird danach entlang der gestrichelt eingetragenen Trennungslinie 17 vom Kontaktierungsblech zusammen mit den überstehenden Drahtenden abgetrennt, und es besteht keine Gefahr mehr, daß Kurzschlüsse durch zu lange Drahtenden bzw. durch unkontrolliert abgetrennte Drahtstücke entstehen. Der zweite seitliche Holmen 1 b bleibt zunächst mit den Kontaktierungssprossen verbunden, bis die Transistoren entweder in Kunststoff eingebettet oder bis -die Sprossen an gesonderte Zuleitungsdrähte angelötet worden sind.
Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich natürlich auch bei solchen Streifen verwenden, die für die Kontaktierung von Dioden, integrierten Schaltungen und anderen Halbleiterbauelementen vorgesehen sind.
F i g. 2 zeigt einen Kontaktierungsstreifen mit Zinken, die zur Aufnahme bzw. zur Kontaktierung des Transistorkörpers und seiner Elektroden dienen. Auch bei Verwendung eines solchen Kontaktierungsstreifens sind alle Verfahrensschritte mit denen, die unter der Fig. 1 beschrieben wurden voll identisch. Vor oder nach dem Umlegen der Kontaktierungsdrahtenden 14 und 15 mit Hilfe des keilförmigen Bleches 16 können die Transistoren in Kunststoff 21 eingebettet werden, wonach der die Zinken verbindende Blechteil la entlang der gestrichelt eingetragenen Trennungslinie 17 abgeschnitten werden kann. Die Zinken können noch zusätzlich mit gesonderten Zuleitungsdrähten 18, 19 und 20 verbunden werden. Andererseits kann man den Blechstreifen auch entlang der gestrichelt eingetragenen Trennungslinien 22 in jeweils ein Bauelement enthaltende Einzelstücke zerschneiden, die Zinken danach mit den Sockeldurchführungen eines Gehäusesockels ver' 'nden und erst dann das die Zinken verbindende Bicchteil zusammen mit den abgerichteten Drahtenden abtrennen.
Auch bei dieser Streifenart kann das erfindungsgemäße Verfahren auf alle in Frage kommenden Halbleiterbauelemente angewandt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Auf einer Zunge wird ein Halbleiterkörper befestigt, während die anderen Zungen über dünne Kontaktierungsdrähte an Zonen des Halbleiterkörpers angeschlossen werden. All diese vorgeschlagenen Herstel-5 lungsverfahren sehen vor, daß der Halbleiterkörper, eventuell mit einer Halbleiterzone, auf eine Sprosse bzw. einen Zinken des Kontaktierungsbleches aufgelötet wird, und daß die anderen Elektroden mit Hilfe von dünnen Drähten mit anderen Sprossen bzw. Zin- Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen von kurzschlußfreien elektrischen Verbindungsdrähten zwischen den Elektroden eines Halbleiterbauelements und den zur Kontaktierung der Halbleiterelektroden vorgesehenen Sprossen bzw. Zinken eines Kontaktierungsbleches, dessen die Sprossen bzw. Zinken verbindendes Blechteil nach dem Fixieren der
kontaktierten Sprossen bzw. Zinken abgetrennt io ken elektrisch leitend verbunden werden, wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Die Kontaktierung der dünnen Verbindungsdrähte von den Halbleiterelektroden zu den Sprossen mit den Sprossen bzw. mit den Zinken erfolgt meist bzw. Zinken führenden Verbindungsdrähte mit durch Bonden. Der Kontaktierungsdraht wird hinter den Sprossen bzw. Zinken verlötet und außerdem der Bondstelle abgeschnitten oder abgebrannt. Diese noch auf dem die Sprossen bzw. Zinken verbin- 15 Drähte lassen sich jedoch nicht direkt hinter den Lötdenden Teil des Kontaktierungsbleches befestigt bzw. Bondstellen abtrennen, sondern es bleiben imwerden, so daß beim Abtrennen dieses Blechteils mer noch längere Drahtenden zurück, die einen Kurzalle überstehenden, kurzschlußverursachenden schluß zwischen zwei Elektroden verursachen können. Drahtenden mit enfernt werden. So war man bisher gezwungen, diese über die Kon-
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 20 taktierungsstellen hinausragenden und störenden kennzeichnet, daß die Kontaktierungsdrähte durch Drahtenden abzureißen, was durch den zeitlichen Bonden mit den Sprossen bzw. Zinken und mit Aufwand zu einer erheblichen Belastung des Fertidem die Sprossen bzw. Zinken verbindenden Teil gungsablaufes führte.
des Kontaktierungsbleches verbunden werden. Erfindungsgemäß wird nun bei dem eingangs be-
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch 25 schriebenen Verfahren vorgeschlagen, daß die von gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsbleche aus den Halbleiterelektroden zu den Sprossen bzw. Zineinem Metallstreifen bestehen, auf dem zahlreiche ken führenden Verbindungsdrähte mit den Sprossen Halbleiterbauelemente kontaktiert werden. bzw. Zinken verlötet und außerdem noch auf dem
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfah- die Sprossen bzw. Zinken verbindenden Teil des Konrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch 30 taktierungsbleches befestigt werden, so daß beim gekennzeichnet, daß das Kontaktierungsblech Abtrennen dieses Bleches alle überstellenden kurz- bzw. der Kontaktierungsstreifen mit seinem die schlußverursachenden Drahtenden mit entfernt Zinken bzw. die Sprossen verbindenden Blech- werden.
teil so unter einem zum Kontaktierungsblech pa- Wenn man beispielsweise bei den leiferförmigen
rallel liegenden, keilförmigen Blech durchgeführt 35 Kontaktierungsstreifen die Drahtenden hinter den wird, daß die Enden der Kontaktierungsdrähte in Bondstellen auf den Sprossen unbeachtet läßt, so vom Halbleiterbauelement abgewandter Richtung kann es geschehen, daß beim Abtrennen des einen umgelegt werden, so daß beim Abbrennen des seitlichen Holmens die Drahtenden nicht mit abgeschnitten werden, so daß diese Drahtenden Kurz-40 Schlüsse zwischen den Elektroden verursachen können. Im anderen Fall, wenn die Drahtenden über den
abzutrennenden Holmen liegen, werden diese zwar
DE19651514870 1965-09-15 1965-09-15 Verfahren zum kurzschlussfreien Kontaktieren der Elektroden von Halbleiteranordnungen Granted DE1514870A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET0029407 1965-09-15

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1514870A1 DE1514870A1 (de) 1969-09-11
DE1514870B true DE1514870B (de) 1973-10-18
DE1514870C3 DE1514870C3 (de) 1974-05-22

Family

ID=25752600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651514870 Granted DE1514870A1 (de) 1965-09-15 1965-09-15 Verfahren zum kurzschlussfreien Kontaktieren der Elektroden von Halbleiteranordnungen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1514870A1 (de)

Also Published As

Publication number Publication date
DE1514870A1 (de) 1969-09-11
DE1514870C3 (de) 1974-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1514869C3 (de) Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Hochfrequenztransistoren
DE2648979C3 (de) Lichtemittierende Wiedergabevorrichtung
DE10065542C2 (de) Kraftfahrzeug-Lampeneinheit und Verfahren zur Herstellung derselben
DE1121139B (de) Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen
DE2053568A1 (de) Anschlußbuchsen fur integrierte Schaltungen und Verfahren zur gleich zeitigen Montage mehrerer Buchsen
DE2225825B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Anzahl plättchenförmiger Festkörper-Elektrolytkondensatoren
DE1539310A1 (de) Thermoelektrische Vorrichtung
DE1902369C3 (de) Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen
DE2103064A1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Modulelementen
DE3134381C2 (de)
DE2315711A1 (de) Verfahren zum kontaktieren von in einem halbleiterkoerper untergebrachten integrierten schaltungen mit hilfe eines ersten kontaktierungsrahmens
DE2855838A1 (de) Traegerstreifen fuer runde anschlussstifte und verfahren zur herstellung von traegerstreifen
DE1564867C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen
DE602004007496T2 (de) Elektrisches widerstandsdraht-glimmerplattenheizelement, baugruppen, komponenten und montageverfahren
DE2221886A1 (de) Anschlussstueck fuer Halbleiterschaltungsbausteine und Verfahren zum Anschliessen eines Halbleiterschaltungsbausteines
DE2603151C3 (de) Bauelement für Schalt- und/oder Trennleisten in Verteilern für Fernmeldeanlagen
DE1514870C3 (de)
DE1206043B (de) Blockfoermige Anordnung fuer den Zusammenbau von elektrischen oder elektrischen Schaltungs-elementen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102015101868A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Vorrichtung
DE102014107271B4 (de) Halbleitermodul
DE1665253C3 (de) Verfahren zum Verbinden mindestens eines Anschlußdrahtes mit einer Mikroschaltung
DE19549097A1 (de) Halbleitergehäuse für die Oberflächenmontage
DE2103057C2 (de) Verfahren zur Befestigung von Elektrodenelementen an Anschlußstiften einer Gasentladungsanzeigevorrichtung
DE2114075B2 (de) Elektrolytkondensator
EP0768815A1 (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Schaltungen mit einer Leiterplatte

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)