DE1514870A1 - Verfahren zum kurzschlussfreien Kontaktieren der Elektroden von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zum kurzschlussfreien Kontaktieren der Elektroden von Halbleiteranordnungen

Info

Publication number
DE1514870A1
DE1514870A1 DE19651514870 DE1514870A DE1514870A1 DE 1514870 A1 DE1514870 A1 DE 1514870A1 DE 19651514870 DE19651514870 DE 19651514870 DE 1514870 A DE1514870 A DE 1514870A DE 1514870 A1 DE1514870 A1 DE 1514870A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
prongs
rungs
contacting
electrodes
short
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19651514870
Other languages
English (en)
Other versions
DE1514870B (de
DE1514870C3 (de
Inventor
Dieter Baumann
Norbert Boeck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Publication of DE1514870A1 publication Critical patent/DE1514870A1/de
Publication of DE1514870B publication Critical patent/DE1514870B/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1514870C3 publication Critical patent/DE1514870C3/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

  • Die Kontaktierung der dünnen Verbindungsdrähte mit den Sprossen bzw. mit den Zinken. erfolgt meist' durch Bondung, der Kontaktierungsdraht wial hinter der Bondstelle abgeschnitten oder abgebrandt. Diese Drähte lassen sich ipdoch nicht direkt hinter den Löt- bzw. Bondstelleu abtrennen,; sondern es bleiben immer noch längere Drahtenden zurück, die einen Kurzschluß zwischen zwei Elektroden verursachen können. So war man bisher gezwungen' diese über die Kontaktierungsstellen hinausragenden und störenden Drahtenden abzureißen, was durch den zeitlichen Aufwand zu einer erheblichen Belastung. des Fertigungsablaufes führte-. Erfindungsgemäß wird nun ein Verfahren zum kurzschlußfreien Herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen den Elektroden eines Halbleiterbauelements und den zur Kontaktierurig der Halbleiterelektroden vorgesehenen Sprossen bzw. Zinken eines Kontaktierungsbleches vorgeschlagen, bei dem der die Sprossen bzw. Zinken verbindende Teil des Kontaktierungsbleches nach dem Fixieren der kontaktierbn Sprossen bzw. Zinken. abgetrennt wird und das vorsieht, daß die von den Halbleiterelektroden zu den Sprossen bzw. Zinken führenden Verbindungsdrähte außer mit den Sprossen bzw. Zinken verlötet auch noch auf dem die Sprossen bzw. Zinken verbindenden Teil des Kontaktierungsbleches befestigt werden, so daß beim Abtrennen dieses Blechteils alle überstehende, kurzschlußverursachende Drahtenden mit entfernt werden.
    Dies geschieht dadurch, daß die Drahtenden alle in eine Richtung, vorzugsweise in eine vom Halbleiterbauelement abgewandten Richtung umgelegt werden. Zu diesem Zweck wird der leiterförmige Kontaktierungsstreifen oder das mit Zinken versehene Kontaktierungsblech so mit' seinem die-Sprossen bzw; Zinken verbindenden Blechteil unter einem keilförmigen Blech durchzogen, daß alle Drahtenden zwangsweise in eine Richtung gelegt werden. Dazu wird dieses keilförmige Blech parallel zum Kontaktierungsblech dicht über diesem angeordnet, und das Kontaktierungsblech.wird in der Richtung unter diesem keilförmigen Blech durchzogen, in der die Breite des keilförmigen Bleches zunimmt. Natürlich kann auch: das keilförmige Blech bewegt werden. Nachdem alle Drahtenden auf dem die Sprossen bzw. die Zinken verbindenden Blechteil in einer Richtung liegen, kann dieser Teil des Kontaktierungsbleches zusammen mit den unerwünschten Drahtenden entfernt werden, ohne daß die Gefahr besteht, daß eines dieser Drahtstücke einen Kurzschluß zwischen den Elektrodenanschlüssen des Halbleiterbauelements verursacht.
  • Die Erfindung soll noch anhand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert werden.
    Drahtenden bzwo durch unkontrolliert abgetrennte DrahtstÜcke entstehen. Der zweite seitliche Holmen lb bleibt zunächst mit den Kontaktierungssprossen verbunden, bis die Transistoren entweder in Kunststoff eingebettet oder bis die Sprossen an gesondexte Zuleitungsdrähte angelötet worden sind. . Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich natürlich .auch bei solchen Streifen verwenden, die für die Kontaktierung von Dioden, integrierten Schaltungen und anderen Halbleiterbauelementen vorgesehen. sind.
  • Figur 2 zeigt einen Kontaktierungsstreifen mit Zinken, die zur Aufnahme bzw. zur Kontaktieirung des Trangistorkärpers und. seiner Elektroden dienen. Auch oei Verwendung eines solchen Kontaktierungsstreifens sind alle Verfahrensschritte mit denen' die unter der Figur 1 beschrieben wurden voll identisch. Vor oder nach dem Umlegen der Kontaktierungsdrahtu enden 14 und 15 mit Hilfe des keilförmigen ßlecrres 16 können die Transistoren in Kunststoff 21 eingebettet werden, wonach der die Zinken verbindende Blechteil 1a entlang der gestrichelt eingetragenen Trennungslinie 17 abgeschnitten werden kann. Die Zinken können noch zusätzlich mit gesonderten Zuleitungsdrähten 18, 1 9 und 2o verbunden werden. Andererseits kann man den Blechstreifen auch entlang der gestrichelt eingetragenen Trennungslinien 22 in jeweils ein

Claims (3)

  1. P a t e n t a n s p r ü c h e 1) Verfahren zum kurzschlußfreien Herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen den Elektroden eines Halbleiterbauelements und den zur Kontaktierung der Halbleiterelektroden vorgesehenen Sprossen bzw. Zinken eines Kontaktierungs-
    teil nach dem Fixieren der kontaktieiben Sprossen bzw.. Zinken abgetrennt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die von den Halbleiterelektroden zu den Sprossen bzw. Zinken führenden Verbindungsdrähte außer mit den Sprossen bzw. Zinken verlötet auch noch auf dem die Sprossen bzw. Zinken verbindenden Teil des Kontaktierungsblec.hes befestigt werden' so daß beim Abtrennen dieses Blechteils alle über® stehendei- kurschlußverursachende Drahtenden mit. entfernt werden.
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsdrähte durch Bonden mit den Sprossen bzw. Zinken und mit dem die Sprossen bzw. Zinken verbindenden Teil des Kontaktierungsbleches verbunden, werden.
  3. 3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadrch gekennzeichuiet, daß die Kontaktierungsble.che aus einem Metallstreifen Üestehen, auf dem zahlreiche Halbleiterbauelemente kontaktiert werden können.
DE19651514870 1965-09-15 1965-09-15 Verfahren zum kurzschlussfreien Kontaktieren der Elektroden von Halbleiteranordnungen Granted DE1514870A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET0029407 1965-09-15

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1514870A1 true DE1514870A1 (de) 1969-09-11
DE1514870B DE1514870B (de) 1973-10-18
DE1514870C3 DE1514870C3 (de) 1974-05-22

Family

ID=25752600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651514870 Granted DE1514870A1 (de) 1965-09-15 1965-09-15 Verfahren zum kurzschlussfreien Kontaktieren der Elektroden von Halbleiteranordnungen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1514870A1 (de)

Also Published As

Publication number Publication date
DE1514870B (de) 1973-10-18
DE1514870C3 (de) 1974-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1514869C3 (de) Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Hochfrequenztransistoren
DE2608250A1 (de) Verfahren zum kontaktieren von auf halbleiterkoerpern befindlichen anschlusskontakten
DE1515597A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Anschluessen an Halbleitervorrichtungen
DE2315711A1 (de) Verfahren zum kontaktieren von in einem halbleiterkoerper untergebrachten integrierten schaltungen mit hilfe eines ersten kontaktierungsrahmens
DE1266884B (de) Verfahren zur Verbindung eines Halbleiterelements mit einer Duennfilm-Schaltung
DE2855838A1 (de) Traegerstreifen fuer runde anschlussstifte und verfahren zur herstellung von traegerstreifen
DE2221886A1 (de) Anschlussstueck fuer Halbleiterschaltungsbausteine und Verfahren zum Anschliessen eines Halbleiterschaltungsbausteines
DE2104207C3 (de) Verfahren zum Verbinden eines Kontaktierungsdrahtes
DE1564867C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen
DE1514870A1 (de) Verfahren zum kurzschlussfreien Kontaktieren der Elektroden von Halbleiteranordnungen
DE1665253C3 (de) Verfahren zum Verbinden mindestens eines Anschlußdrahtes mit einer Mikroschaltung
DE1153807B (de) Verfahren zum Anbringen von Strom-anschlüssen an elektrische Bauelemente
DE1123406B (de) Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen
DE19927747C1 (de) Multichipmodul aus einem zusammenhängenden Waferscheibenteil für die LOC-Montage sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE1274736C2 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE2008817A1 (de) Verfahren zum Abtrennen überstehender Drahtenden
DE1589561A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkoerpern bestueckten Schaltungen
DE2037076C3 (de) Halbleiterbauelement
DE1614756A1 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen
DE1614331C3 (de) Kontaktiertes Halbleiterbauelement
DE2134266A1 (de) Halbleiterbauelement
EP3379906A1 (de) Verfahren zum herstellen von bonddrahtverbindungen mittels einer abstützung, sowie entsprechendes elektronisches bauteil
DE1439642A1 (de) Elektrisches Bauelement
DE6917332U (de) Gleichrichterbruecke
DE2114539A1 (de) Vorrichtung zum Verbinden von An Schlußelementen auf einer Scheibe mit Leitern eines Leiterrahmens

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)