DE1589561A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkoerpern bestueckten Schaltungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkoerpern bestueckten SchaltungenInfo
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Description
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit
Halbleiterkörpern bestückten Schaltungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
oder mit Halbleiterkörpern bestückten Schaltungen unter Verwendung von Kammkontakten.
Die Verwendung von kammähnlich ausgestanzten Metallflachbändern bei der Anbringung von Außenkontakten an Halbleiterelementen
ist bekannt. Dabei werden Halbleiterkörper mit zwei oder mehreren Elektrodenanschlüssen jeweils an einer Kammzinke direkt kontaktiert
die weiteren Kontakte werden dann unter Zuhilfenahme von Drähten mit den benachbarten Kammzinken hergestellt. An den auf diese
Weise untereinander einzeln ah einen Kamm angelöteten Halbleiterkörpern
können dann die nachfolgenden Verfahrensstufen, wie
Reinigen, Ätzen, Trocknen, Abdecken mit Lack und Verkapseln in Serie vorgenommen werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, auch die erste Verfahrensstufe, nämlich das zeitraubende Kontaktieren der einzelnen
Halbleitexkörper mit den als Kammzinken ausgebildeten Anschlüssen serienmäßig durchzuführen.
Diese Aufgabe wird bei dem Verfahren der eingangs genannten Art
erfindungsgemäß gelöst durch Verwenden von mindestens zwei
parallel laufend aneinandergepreßten oder fest verbundenen Kammkontakten, zwischen deren Kammzinken man die Halbleiterkörper
einklemmt, wonach man die Kontaktierung und alle weiteren, zur
Fertigstellung nötigen Schritte, wie Reinigen, Ätzen, Trocknen, Abdecken mit Lack und Verkapseln jeweils an allen Halbleiter- '
körpern gleichzeitig durchführt. Im einzelnen spielt sich das erfindungsgemäße Verfahren insbesondere folgendermaßen ab:
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1· Festklemmen der Halbleiterkörper und gegebenenfalls
weiterem Bauteile zur Kontaktierung der Bauelemente zwischen ' den gegeneinander gedrückten Kammzinken·
2. Anlöten der Kontakte, vorzugsweise im Tauchlötverfahren mit
üblichen Weichloten, beispielsweise auf Bleibasis·.
3. Ätzen, um die beim Tauchlöten zum Teil aufgehobenen Sperreigenschaften der Halbleiterkörper wieder herzustellen. Dazu
verwendet man im allgemeinen ein Flußsäure-Salpetergemisoh,
wobei -der Zusatz weiterer Säuren von Vorteil sein kann.
Als weitere, ebenfalls an sich bekannte Stufen, folgen dann das
Lackabdecken und zuletzt das Einbetten bzw. Vergießen in Kunststoff.
Schließlich werden die Kammzinken von dem diese verbindenden Kammstag abgetrennt, womit die einzelnen Bauteile anfallen·
Das Verfahren nach der Erfindung sei im folgenden anhand einer
Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1 zeigt eine bevorzugte Durchführungsform der Erfindung für
den Fall der Herstellung von Halbleiterkörpern mit zwei
Kontakten, wie Dioden. Kamm 1 weist Zinken mit einer fahnenartige. Verbreiterung auf, die vor allem zur besseren Ableitung der
Wärme dient; Kamm 2 besitzt relativ schmale Zinken. Beide Kämme werden beispielsweise mittels einer entsprechenden Halteleiste
so eingeklemmt und gegeneinander gedrückt, daß sich die
Enden der gegenüberliegenden Zinken berühren. Natürlich können die ausgestanzten Kämme entlang der Kammstege verbunden,
z. B. zusammengelötet werden· Es empfiehlt sich, die
schmalen Zinken des Kammes - wie gezeichnet - etwas geachwungen auszubilden, womit eine noch bessere Anpressung der Halbleitertabletten
4 erzielt wird. Die Kämme werden durch zwei Klemmleisten 5 zusammengehalten.
Fig. 2 verdeutlicht den Fall der Fertigung von Halbleiterkörpern mit drei Ansohlußkontakten, insb. Transistoren und
Thyristoren. Hier ist der eine Kamm 3 so ausgebildet, daß auf ein breites Zinkenende des Kammeβ 1 zwei schmale, nebeneinanderlattfend®
Zinkes, des Kammes 3 kommen. Es ist hier von
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Vorteil, die Zinken des Kammes 1 relativ steif, die dee
Kammes 3 relativ biegsam auszubilden. ·
Fig· 3 zeigt dip Ausführung einer Brückenschaltung, bestehend
aus drei Kammkontakten, zwischen denen die einzelnen
Halbleiterkörper (Dioden) 4 eingeklemmt werden. Sie
in der Zeichnung gezeigten Halbleiterelemente sind als rechteckige
Plättchen ausgebildet) üblicher und bevorzugt sind Halbleiterelemente in Form runder Scheiben. '
Voraussetzung für das erfindungsgemäße Verfahren ist, daß alle
zu kontaktierenden Flächen an der unteren und/oder oberen Fläche der Halbleiter-Tablette und nicht etwa an deren Seitenfläche
liegen. Biese Voraussetzung ist aber auch für die Halbleiterkörper mit z. B. drei Anschlussen erfüllt, bei
denen der Steueranschluß üblicherweise mit dem einen Hauptelektrodenansohluß
zusammen auf der gleichen Tablettenfläche
liegt.
Es ist zweckmäßig, die Zinken zumindest an den Kontaktierungs-.stellen
vor dem Einklemmen der Halbleiterkörper etc. mit einem Lot zji_überziehen. Vorzugsweise verwendet man als
Material für die Kammkontakte Kupfer, das durch einen allseitigen Belag von Silber zumindest kurzfristig ätzbeständig
gemacht werden kann.
Abschließend ist festzuhalten, daß gemäß der Erfindung ganz allgemein integrierte Schaltungen mit mehreren Halbleiterelementen
und ggf. anderen zu kontaktierenden Bauelementen hergestellt werden können, indem man diese Elemente mit entsprechend angeordneten und-verzweigten Kämmen festklemmt und
anschließend gemeinsam auflötet und weiterbearbeitet· Bei allen diesen Anwendungszwecken des erfindungsgemäßen Verfahrens
besteht der Vorteil, daß eine Einzellötung von Hand entfällt und auoh alle weiteren Verfahrensstufen an vielen
Baueinheiten gleichzeitig durchgeführt werden können.
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Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder
mit Halbleiterkörpern bestückten Schaltungen unter Vervrendung
von Kammkontakten, dadurch gekennzeichnet, daß man mindestens zwei parallellaufend aneinandergepreßte oder
fest verbundene Kammkontakte verwendet, die einzelnen Halbleiterkörper zwischen deren Kammzinken einklemmt, wonach man·die Kontaktierung und alle weiteren zur Fertigstellung
nötigen Schritte jeweils an allen eingeklemmten Halbleiterkörpern gleichzeitig durchführt.
2. Verfahren zur Herstellung von kontaktierten Thyristoren oder Transistoren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
man einen ersten Kammkontakt (1) mit fahnenförmigen Zinken und einen zweiten Kammkontakt (3) mit paarweise angeordneten
schmalen Zinken verwendet und zwischen jeweils eine Zinke
der ersten Art und zwei Zinken der zweiten Art so einklemmt,
daß die Tablettenfläche mit zwei Anschlüssen (Steuerelektrode, Hauptelektrode) von der fahnenförmigen Zinke abgewandt
liegt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man Kammkontakte aus Kupfer verwendet, deren Zinken
versilbert sind,
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß man Kammkontakte verwendet, deren Zinken zumindest an
den Kontaktierungsstellen mit Lot überzogen sind.
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Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19671589561 DE1589561A1 (de) | 1967-12-22 | 1967-12-22 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkoerpern bestueckten Schaltungen |
CH1895668A CH493093A (de) | 1967-12-22 | 1968-12-19 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkörpern bestückten Schaltungsanordnungen |
FR1597970D FR1597970A (de) | 1967-12-22 | 1968-12-20 | |
NL6818366A NL6818366A (de) | 1967-12-22 | 1968-12-20 |
Applications Claiming Priority (2)
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DEB0095980 | 1967-12-22 | ||
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1589561A1 true DE1589561A1 (de) | 1970-10-01 |
Family
ID=25753331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671589561 Pending DE1589561A1 (de) | 1967-12-22 | 1967-12-22 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkoerpern bestueckten Schaltungen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH493093A (de) |
DE (1) | DE1589561A1 (de) |
FR (1) | FR1597970A (de) |
NL (1) | NL6818366A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2940769A1 (de) * | 1979-10-08 | 1981-04-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur kontaktierung von leuchtdioden |
-
1967
- 1967-12-22 DE DE19671589561 patent/DE1589561A1/de active Pending
-
1968
- 1968-12-19 CH CH1895668A patent/CH493093A/de not_active IP Right Cessation
- 1968-12-20 FR FR1597970D patent/FR1597970A/fr not_active Expired
- 1968-12-20 NL NL6818366A patent/NL6818366A/xx unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2940769A1 (de) * | 1979-10-08 | 1981-04-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur kontaktierung von leuchtdioden |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6818366A (de) | 1969-06-24 |
CH493093A (de) | 1970-06-30 |
FR1597970A (de) | 1970-06-29 |
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