DE1589561A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkoerpern bestueckten Schaltungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkoerpern bestueckten Schaltungen

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DE1589561A1
DE1589561A1 DE19671589561 DE1589561A DE1589561A1 DE 1589561 A1 DE1589561 A1 DE 1589561A1 DE 19671589561 DE19671589561 DE 19671589561 DE 1589561 A DE1589561 A DE 1589561A DE 1589561 A1 DE1589561 A1 DE 1589561A1
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Voss Dipl-Phys Bernhard
Dipl-Phys Dieter Boebinger
Anton Heller
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Description

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkörpern bestückten Schaltungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkörpern bestückten Schaltungen unter Verwendung von Kammkontakten.
Die Verwendung von kammähnlich ausgestanzten Metallflachbändern bei der Anbringung von Außenkontakten an Halbleiterelementen ist bekannt. Dabei werden Halbleiterkörper mit zwei oder mehreren Elektrodenanschlüssen jeweils an einer Kammzinke direkt kontaktiert die weiteren Kontakte werden dann unter Zuhilfenahme von Drähten mit den benachbarten Kammzinken hergestellt. An den auf diese Weise untereinander einzeln ah einen Kamm angelöteten Halbleiterkörpern können dann die nachfolgenden Verfahrensstufen, wie Reinigen, Ätzen, Trocknen, Abdecken mit Lack und Verkapseln in Serie vorgenommen werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, auch die erste Verfahrensstufe, nämlich das zeitraubende Kontaktieren der einzelnen Halbleitexkörper mit den als Kammzinken ausgebildeten Anschlüssen serienmäßig durchzuführen.
Diese Aufgabe wird bei dem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß gelöst durch Verwenden von mindestens zwei parallel laufend aneinandergepreßten oder fest verbundenen Kammkontakten, zwischen deren Kammzinken man die Halbleiterkörper einklemmt, wonach man die Kontaktierung und alle weiteren, zur Fertigstellung nötigen Schritte, wie Reinigen, Ätzen, Trocknen, Abdecken mit Lack und Verkapseln jeweils an allen Halbleiter- ' körpern gleichzeitig durchführt. Im einzelnen spielt sich das erfindungsgemäße Verfahren insbesondere folgendermaßen ab:
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1· Festklemmen der Halbleiterkörper und gegebenenfalls weiterem Bauteile zur Kontaktierung der Bauelemente zwischen ' den gegeneinander gedrückten Kammzinken·
2. Anlöten der Kontakte, vorzugsweise im Tauchlötverfahren mit üblichen Weichloten, beispielsweise auf Bleibasis·.
3. Ätzen, um die beim Tauchlöten zum Teil aufgehobenen Sperreigenschaften der Halbleiterkörper wieder herzustellen. Dazu verwendet man im allgemeinen ein Flußsäure-Salpetergemisoh, wobei -der Zusatz weiterer Säuren von Vorteil sein kann.
Als weitere, ebenfalls an sich bekannte Stufen, folgen dann das Lackabdecken und zuletzt das Einbetten bzw. Vergießen in Kunststoff. Schließlich werden die Kammzinken von dem diese verbindenden Kammstag abgetrennt, womit die einzelnen Bauteile anfallen·
Das Verfahren nach der Erfindung sei im folgenden anhand einer Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1 zeigt eine bevorzugte Durchführungsform der Erfindung für den Fall der Herstellung von Halbleiterkörpern mit zwei Kontakten, wie Dioden. Kamm 1 weist Zinken mit einer fahnenartige. Verbreiterung auf, die vor allem zur besseren Ableitung der Wärme dient; Kamm 2 besitzt relativ schmale Zinken. Beide Kämme werden beispielsweise mittels einer entsprechenden Halteleiste so eingeklemmt und gegeneinander gedrückt, daß sich die Enden der gegenüberliegenden Zinken berühren. Natürlich können die ausgestanzten Kämme entlang der Kammstege verbunden, z. B. zusammengelötet werden· Es empfiehlt sich, die schmalen Zinken des Kammes - wie gezeichnet - etwas geachwungen auszubilden, womit eine noch bessere Anpressung der Halbleitertabletten 4 erzielt wird. Die Kämme werden durch zwei Klemmleisten 5 zusammengehalten.
Fig. 2 verdeutlicht den Fall der Fertigung von Halbleiterkörpern mit drei Ansohlußkontakten, insb. Transistoren und Thyristoren. Hier ist der eine Kamm 3 so ausgebildet, daß auf ein breites Zinkenende des Kammeβ 1 zwei schmale, nebeneinanderlattfend® Zinkes, des Kammes 3 kommen. Es ist hier von
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Vorteil, die Zinken des Kammes 1 relativ steif, die dee Kammes 3 relativ biegsam auszubilden. ·
Fig· 3 zeigt dip Ausführung einer Brückenschaltung, bestehend aus drei Kammkontakten, zwischen denen die einzelnen Halbleiterkörper (Dioden) 4 eingeklemmt werden. Sie in der Zeichnung gezeigten Halbleiterelemente sind als rechteckige Plättchen ausgebildet) üblicher und bevorzugt sind Halbleiterelemente in Form runder Scheiben. '
Voraussetzung für das erfindungsgemäße Verfahren ist, daß alle zu kontaktierenden Flächen an der unteren und/oder oberen Fläche der Halbleiter-Tablette und nicht etwa an deren Seitenfläche liegen. Biese Voraussetzung ist aber auch für die Halbleiterkörper mit z. B. drei Anschlussen erfüllt, bei denen der Steueranschluß üblicherweise mit dem einen Hauptelektrodenansohluß zusammen auf der gleichen Tablettenfläche liegt.
Es ist zweckmäßig, die Zinken zumindest an den Kontaktierungs-.stellen vor dem Einklemmen der Halbleiterkörper etc. mit einem Lot zji_überziehen. Vorzugsweise verwendet man als Material für die Kammkontakte Kupfer, das durch einen allseitigen Belag von Silber zumindest kurzfristig ätzbeständig gemacht werden kann.
Abschließend ist festzuhalten, daß gemäß der Erfindung ganz allgemein integrierte Schaltungen mit mehreren Halbleiterelementen und ggf. anderen zu kontaktierenden Bauelementen hergestellt werden können, indem man diese Elemente mit entsprechend angeordneten und-verzweigten Kämmen festklemmt und anschließend gemeinsam auflötet und weiterbearbeitet· Bei allen diesen Anwendungszwecken des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht der Vorteil, daß eine Einzellötung von Hand entfällt und auoh alle weiteren Verfahrensstufen an vielen Baueinheiten gleichzeitig durchgeführt werden können.
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Claims (4)

Patentansprüche 13.12.1967
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkörpern bestückten Schaltungen unter Vervrendung von Kammkontakten, dadurch gekennzeichnet, daß man mindestens zwei parallellaufend aneinandergepreßte oder fest verbundene Kammkontakte verwendet, die einzelnen Halbleiterkörper zwischen deren Kammzinken einklemmt, wonach man·die Kontaktierung und alle weiteren zur Fertigstellung nötigen Schritte jeweils an allen eingeklemmten Halbleiterkörpern gleichzeitig durchführt.
2. Verfahren zur Herstellung von kontaktierten Thyristoren oder Transistoren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man einen ersten Kammkontakt (1) mit fahnenförmigen Zinken und einen zweiten Kammkontakt (3) mit paarweise angeordneten schmalen Zinken verwendet und zwischen jeweils eine Zinke der ersten Art und zwei Zinken der zweiten Art so einklemmt, daß die Tablettenfläche mit zwei Anschlüssen (Steuerelektrode, Hauptelektrode) von der fahnenförmigen Zinke abgewandt liegt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man Kammkontakte aus Kupfer verwendet, deren Zinken versilbert sind,
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß man Kammkontakte verwendet, deren Zinken zumindest an den Kontaktierungsstellen mit Lot überzogen sind.
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L e e r s e 11 e
DE19671589561 1967-12-22 1967-12-22 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkoerpern bestueckten Schaltungen Pending DE1589561A1 (de)

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FR1597970D FR1597970A (de) 1967-12-22 1968-12-20
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2940769A1 (de) * 1979-10-08 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur kontaktierung von leuchtdioden

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2940769A1 (de) * 1979-10-08 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur kontaktierung von leuchtdioden

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NL6818366A (de) 1969-06-24
CH493093A (de) 1970-06-30
FR1597970A (de) 1970-06-29

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